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| |  |  | | | | | | 记得以前设计反激电源的时候总是倾向于CCM模式，但是对于低压大电流的情况就有点郁闷了，选择一款好的同步整流IC不容易，要么就是容易误导通，要么就是到同事间过短，效率不高，期待楼主的方案哈 |
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| | |  | | | | | | | | 我们做新能微CCM的同步整流出货比较大，也很成熟；
NE1102搭MPS6902做的5V8A10A一个月是否500K左右，NE1102搭SP6018的5V8A一个月200K左右，NE1118C搭SP6018一个月也有80K，在客户没有炸机情况！但NE1118D是专用肖特基，不能带CCM同步整流，我们也不知道C与D区别；
CCM的同步有很多学问！ |
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| | | | | | | | | | | | | 不知道同步整流的效率如何？还有一个就是同步MOSFET是否需要外并肖特基，来提高效率？以前为了可靠性，都是减少同步MOSFET的导通时间，可靠性是提高了，但是效率下降了，为了补偿这个效率，需要外并肖特基。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 同步整流很少有在MOSFET的DS再并联一个肖特基吧。MOSFET自身的体二极管就可以满足开通之前的续流的。不知道再并联一个肖特基有何用意呢？也不能减小交叉损耗。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 并这个肖特基的目的不是 为了减小什么交叉损耗，这个主要原因在于CCM模式同步整流的缺陷上，为了保证可靠性，通常需要做较大的死区，这样一来在死区内，电流就要走MOSFET的体二极管了，影响效率，所以并这个肖特基，在死区电流通过这个肖特基，提高效率，现在不知道SR的芯片有没有改进 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | 如果不外部并联二极管，利用MOS管内部二极管，效率能差别多少？有实际数据吗？记得许工分析过，外并二极管不见得有多大优势。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个并没有详细测试过，当时觉得这种做法成本太高了，就换方案了，没有继续。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个死区才会有多大呢，时间应该很短的。况且MOSFET体二极管也不是比肖特基的Vf大很多很多。最主要还是成本，并联小的肖特基Vf比较大，并联大的肖特基又浪费成本。 |
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| | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 这样比较没有可比性
1、MOS管是100A的，那么体二极管也小不了。
2、对比的肖特基是30A的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 亲，我只是举个例子而已，你可以看100A MOSFET，50A的时候的VF值，同样对于30A的肖特基，请对比15A处的VF值，不然的话，你用100A的对比30A的没什么意义的。如果要详细对比，都选100A的。
还有一点参数，就是耐压值，最好也一致，这个对VF影响巨大 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 老程，看来你有试验新能微资料上提供的变压器资料绕实际在绕变压器；
不过PQ2620的骨架，有太多种，有一些稍微长，同样是PQ2620，骨架内的绕线会有2-3mm的差异，你家的PQ2620骨架绕不下，不代表别人家的PQ2620骨架绕不下；人家的绕的下，你就把他吃了？所以尽信书不如无书，应该每一个原厂提供一个变压器饶法，是希望根据这个变压器做参考；比如次级，你的变压器绕5圈，用0.65绕不下，可以换成0.6号线绕5圈；比如初级，用0.37绕不下，是否可以换成0.35？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我真是不知道怎么跟你说，你没有绕过变压器吧？
也不知道PQ2620磁芯的尺寸吧？明显那个样机上的变压器比PQ2620的大，我都有见过和测试过实物，不要来忽悠了！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好，这就对了，有挑战才有动力！希望你能搞出来，好让我再次想用CCM+SR的热情提升起来。 |
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| | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | PQ-2620的变压器是绕不下去这个变压器的，他可能输的是PQ26的变压器，20是高度。如果是PQ-2625有可能绕下去的。
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| | | | | | | | | | | | | 空载功耗230VAC时只有30-50mW,具体的要用高精度的仪器测试。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.399999618530273px]看过一些电源设计， 110V和220V的过载设计都非常不好，又如何控制效率 |
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| | | | | | | | | | | 确实很不错。。。看来NXP的芯片要拿一些过来做样品测试看看。。。 |
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| | | | | | | | | | | 老程，做技术的，千万别用什么肯定，一定这种词汇；
你心里认为NE1118的效率会比NXP的TEA18362的低，原因在哪里？首先理论的成立，实际才可能成立，如果理论都不成立，实际就更麻烦了；
另外既然你测试了NE1118 12V 5A的60W，用低Vf的肖特基都可以把效率整近91%+（板端），把肖特基换成同步整流，效率理论上不会上到93%+（板端）？ |
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| | | | | | | | | | | | | 什么叫低VF？是两个低VF的肖特基并联，你知道两颗管子并联后的VF关系吗？那就变成超低了，
你可以看看低VF的肖特基的规格书，过的电流越小，VF也就越小，你这里两颗并联，那么就是一个2.5A，2.5A的VF是相当小的,才0.33V左右，
就算你的次级有效值为：5A，肖特基损耗为：0.33*5=1.65W，假设你的效率91+%，Pin=12V×5A÷0.91=65.93W，
如果用SR，那么IC的工作电流以及MOS的导通损耗+开关损耗，我就算他0.65W，
再来计算：12V×5A÷（65.93W+0.65W-1.65W）= 92.4% 和我之前做的QR同步整流12V8A效率接近了。
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| | | | | | | | | | | | | | | 大专水平的思维；
需要加强理论的学习和电源规范化的学习； |
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| | | | | | | | | | | | | | | 两个低VF的肖特基并联,会比一个更大的低VF要好的吧， 在使用中总是超低的比较好，但是市场上实际购买的时候不可能同一个批次都是低VF的，也是碰巧才能买到，除非是你要求好的，而且计算出来的效率也是理论数值 |
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| | | | | | | | | | | | | NE1118 我是测试过，但是是PQ3220的变压器，你说用PQ2620做，几乎不可能的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 12V 5A，新能微提供的效率90+%的DEMO就是用PQ2620做的，不是PQ3220；
肖特基是两颗PTR20V100，MOS是KEC的10N60；
芯片是NE1118D；
也不知道你是真见过还是假的； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 跟你瞎扯的没劲，你不会连新能微的赵工都不认识吧？就是他给我的样机，难道是假的吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 赵工的12V 5A的NE1118D的机还是我给他的；
这个机是山X科技做的，变压器100%是PQ2620；
你不相信打电话问赵工； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 程工，我给你测的12V5A的NE1118D的板，变压器是PQ2620。 |
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| | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | | 所以说，争这个有什么意义呢，又不是探讨理论，理论可以争，实物争什么，直接上图片，ok |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个问题没意思的，制作变压器的资料里都有写明的，什么样的设计配多大的变压器 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 准确来说，PQ2620是绕不下这么多线的，而且还要保证大批量生产。
当时不知赵工还记得吗？我说过一句话：这个是PQ3220的变压器，你没有回答，对吗？
就是看上去比PQ2620大，变压器我在公司天天看着的，天天都要去看生产变压器那边。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | PQ2620做全电压输入，输出12V、5A效率保证90%以上是没有问题的。10年前我就有做出来满足这个条件的，当时用的NCP1207/NCP1377，用60V的MOSFET做整流。样机我家里还有一个，好几个在电源行业做20年以上的同事见证过。要说这么多年过去了，做91%应该很容易的，93%的效率不是不可能，最有可能的是测量误差或者仪器误差。真正能做到全程93%效率的来我们公司吧！3万左右一个月没有问题，只要能做5-8KW的都可以了！
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| | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好奇怪的事情，你的效率都这么高了还要这么大的散热片，老板心里怎么想？我做的那个散热片两边都和你小的那个一样大，效率90% PQ2620 大约15年前做的。12V/5A输出，全电压输入NCP1207做的，可以用NCP1377直接替代。 |
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| | | | | | | | | 楼主是否可以把你设计的这个电源空载输入电流，满载输入电流的波形测试一下。 |
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| | | | | 你好 楼主 我也在做一款12V5A的 反击电源 带同步整流的 可不可以把你的资料分享一下
我的QQ 是 263336009 请加我QQ |
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| | | | | | | 国庆节假期以后把资料上传给大家看；
其实很简单的一个东西而已；
CCM模式的同步整流，很多公司都领略了他的效率高的好处； |
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| | | | | | | | | 这个值得期待的， 毕竟好的资料很多，但实用的资料却很少 |
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| | | | | 这个帖子，一些无关主题的问题请别回复；
希望这个帖子不要变成很多人回复的烂贴；
CCM模式的同步整流和QR的同步整流的效率，谁高谁低，只要真正研究电源理论的人都会知道，讨论没必要；
后续会把这个资料和测数据贴出来，帖子的主要是让大家看看CCM模式的同步整流的效率魅力所在； |
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| | | | | | | 建议你在第一楼开始引用你写的每个设计步骤，别人的讨论就不会影响到你的设计了，另外我觉得别人给你的建议都似乎和你的设计步骤不搭配，该浅显的地方他们说的太深奥了 |
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| | | | | | | | | | | 230Vac 50HZ，输出12V 3.75A 的Vds波形：
MOS的第一个谷底导通：
230Vac 50HZ，输出12V 2.5A 的Vds波形：
MOS的第三个谷底导通：
230Vac 50HZ，输出12V 1.25A 的Vds波形：
MOS的第8个谷底导通，频率39K：
整个高压的平均效率92+%
待机：0.062W；
主MOS为普通10N60，同步MOS为80N10（一颗）；
芯片为NE1118C，变压器为PQ2620；
NE1118C比其他芯片效率高的原因是：
1.NE1118C能搭配做CCM的同步整流；
2.230Vac，5A是CCM模式，3.75A是第一个谷底导通，2.5A是第3个谷底，1.25A的工作频率降低到35K左右；
3.115Vac，2.5A以上全部进入CCM模式工作；
60W的功率，让电源工作在谷底与不工作在谷底，重载效率差异为0.2%，平均效率0.05%（或许是测试误差），60W的情况，高压QR的优势不是很明显；
下面是不考虑谷底导通，测试出来的效率（效率为带线冷机的结果）；-----还没有优化；
如果老化，效率会提高0.5%左右；
机的外观（后续征求同意才上传吧）： |
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| | | | | | | | | | | | | 有人试验用类似的线路，初级用X宝的芯片，只要处于CCM模式，短路或开机瞬间或老化就容易炸MOS，无法搭配做CCM的同步整流；
询问新能微原厂，他们表示NE1118C是合适搭配做CCM同步整流的，NE1118D是专门用来搭配肖特基的，至于为什么NE1118C能做CCM的同步整流，这个问题还没有问； |
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| | | | | | | | | | | | | | | OB 的2263处于CCM模式加SR 没见炸呀，不过将次级匝间短路倒是开机炸了。你们说的短路炸是怎么短路法呀。 整流后短路么，还是带线端短路呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 主要是没设计好，电流或者电压突然很大，最好不要尝试短路 |
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| | | | | | | | | | | | | 从VDS的波形上看，NE1118C兼容了CCM模式和QR模式的谷底导通的特点？但是没看到有检测变压器绕组的电压过0啊？
那么这个到底是如何实现的？还是说或者只是巧合? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你问的这个问题应该是新能微降频芯片的奥妙所在吧；
能源之星标准是测试4个载的效率以后算平均效率，他们的芯片在钻这个“漏洞”；
小功率的时候，高压输入如果你设定满载是第一个谷底，芯片会进行降频，其他几个载，统计及离散计算能有75%以上都在奇数个谷底进行导通；----兼顾QR芯片及降频芯片的优点；
中功率的时候，高压输入如果你设定3/4载是第一个谷底，1/2载就在其他3或5奇数谷底导通，1/4载直接就把频率降低到40K一下了；---中功率QR的优势不是很明显，兼顾CCM QR 降频芯片的特征；
有一个特别的地方是这个谷底的办法，还能把变压器的最高转换效率发挥出来；
这些很离散的数据及资料是据说是台达几十年的电源研究，然后把这种思想融合到芯片里的结果；不过麻烦是芯片比较灵活； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对变压器的一致性要求不会很高，变压器的感量+-10%即可，谷底的偏差不大，导致的开关损耗差异也不大，结合变压器的转换效率，平均效率的误差大约0.15%左右；
20W以内可能影响大一些，超过20W，对于像这种60W的，高压输入下重载，谷底与不在谷底导通，重载效率差异0.3%，而如果取平均效率，高压情况下QR与CCM降频，效率基本没差异；而低压情况下，QR的效率太底了； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在绕制的时候尽量要留有余量就可以，至于10%或者15%看情况 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.44444465637207px]而低压情况下，QR的效率太底了
这就要看你如何设计了。QR变频的，你把频率范围控制好了，高低压效率自然就平衡了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 从你的效率表上就可以大概计算出你的电源的板端的效率
230Vac/50Hz 11.72V 5.004A 12.03V 1.258A
计算线损、板端电压：【12.03-11.72÷（5.004-1.258）】×5.004+11.72=12.134V
板端效率：12.134V×5.004A÷66.4W=91.44%
高压平均效率正好92%，也就跟QR+SR的效率打个平手。
想要做的93+%效率，还得下功夫呢！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果从楼主的设计来看，高压基本上就是QR与CCM模式的集合了；
从理论上，这种模式在高压的开关损耗应该和QR的持平。如果结合CCM模式，变压器的转换效率应该会比QR高一点点，总的来看，高压应该比QR芯片稍微高一点点；
但低压QR应该很难与CCM的比较效率了；楼主在效率方面应该还能进一步提高； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | QR的变压器Lp比CCM小一点，那么线损就小多了，这里也是个关键所在，整体来说，各有所长。
同等功率对比：
1. CCM IPK小，MOS导通损耗小些，Lp大，线绕的圈数多，线损大些，不能实现ZVS，开关损耗大。
2. QR IPK大，[size=15.555556297302246px]MOS导通损耗大些，Lp小，线绕的圈数少，[size=15.555556297302246px]线损小些，能实现ZVS，开关损耗小。
个人觉得；DCM和CCM适用范围不同。
[size=15.555556297302246px]QR 的优点：开关损耗小
[size=15.555556297302246px]CCM的优点：导通损耗小
在各自适合领域；效率都可以做到92%的水平。
QR 效率不一定低于CCM，CCM有它本身的问题，硬开关，次级二极管反冲电流大。
就是同样的电源，CCM效率是有上限的，到了这个上限之后即使换[size=15.555556297302246px]更大规格的MOS管，损耗反而会增大（因为更大的MOS管意味着更大的DS电容，导通损耗降低的同时开关损耗升高了）
而QR的芯片却是相反，效率低，可以用[size=15.555556297302246px]更大规格的MOS提上去。这就是优点，但是价格又高了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真够详细的，学习了， 个人觉得只要通用，实用，用什么设计无所谓，从安全角度上说，CCM还是更好些， 当然的确是在要求不高的情况下，毕竟成本低，比较能接受 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我做过NCP1380搭配TEA1791,高压效率确实不错，但低压效率太低；
Onsemi与NXP的FAE都过来看过，他们FAE说这个是没办法；当然牺牲成本可以提高效率，但做产品不考虑成本，就没必要了；
NXP的FAE直接说CCM模式的同步整流，效率是最好的，只是无法突破CCM同步整流，用QR是折中的办法；具体的理论可以找他们这些人问； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于CCM模式的同步整流，以及QR， 对比一下就可以了。
比如，在QR电源转换器中，加入连续导通模式(CCM)运作，可避免频率降低及变压器尺寸过大，并保持输出短路特性和较佳的安全性；与一般标准QR转换器相比，电源峰值功率更可高出50%，因而成为开关式电源工程师偏爱的设计方法 |
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| | | | | | | | | | | | | powergd,看你变压器次级等于用了0.65线4股，按照5A输出，调整一下减小漏感，效率还可以提高；
高压线端平均效率超过91%，低压超过90%是很有机会的！
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| | | | | | | | | | | | | | | 问一下你们的芯片资料是公开的，还是像某些公司一样遮遮掩掩的？ 那种不公开的总感觉有问题 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 很多工厂的资料都是保密的，即使是新技术资料也会有所保留，建议找芯片的原厂要求变压器资料， 个人觉得最好找芯片资料自己研究，如果找工厂或者供应商，可能性不大 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 赵工，按照你的思路改了一下变压器的结构和优化感量，效率确实能提高接近1%；
下面是测试的线端冷机的效率结果；
不过从测试的波形来看，SP6018没有MPS的MP6901的CCM同步的波形漂亮，SP6018在CCM模式还是具有交叉的开关损耗，只是由于初级NE1118控制比较严谨，就没有异常发生；但MP6901从波形来看根本不会出现交叉损耗，效率会比SP6018高一点点，在低压重载CCM特别明显一点；不过由于平均效率是取4个点的平均值，导致MP6902的效率比SP6018只会高0.2%左右；
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 虽然效率上到了91%，但查看，同步整流的MOS是80A 100V的，好像是国产的一个牌子，MOS不是很好； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果PCB空间允许的话，可以考虑下贴片的MOSFET，RDSON超小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 新能微的集成同步整流的CCM模式芯片，次级的同步整流MOS上只有导通损耗（开关损耗很小）；而且是绝对同步的，这样同步整流MOS的损耗比较小，用RDSON超小的优势就出来了；等他们的集成CCM模式的同步芯片出来在玩吧，折腾93%-94%问题不大；
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个做的也太牛了吧，我倒是希望可以测试下同步整流的MOSFET的驱动波形，然后和变压器绕组的电压做对比，或者电流波形，看看SR的开关控制是不是真的做到无延迟，低损耗。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 隔离光耦无法传输信号，也无法集成在芯片内部了；
里面是一个高速的信号传输器，初次级能传输2M的信号的同时还可以绝缘隔离6KV；
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | https://bbs.21dianyuan.com/196290.html#buttom[size=14.44444465637207px] 1. 12V5A
2. 13V5A
3. 16V3.65A
4. 19V3.42A
5. 20V3.25A
经CCC认证机构要求，测试13V5A 和 19V3.42A
前面已经搞定19V3.42A，接下来做13V5A，顺便把12V5A也搞定，目标效率93%，而且是过认证的标准。
QR+SR CCM+SR 到时候看看QR的结果，还是那句话，QR与CCM 没有谁好，只有更好，还要看应用和设计能力。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你一直强调高压 高压 高压的效率；
其实我想看看QR+SR在低压的时候的效率；毕竟安规测试元件温度都是在低压的时候进行；高压温度测试是轻而易举，但只谈高压没意义；
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 同步整流的同步MOS在负极上，所以担心MOS上会产生100M以上的辐射问题；
EMI用了两级； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 说到这个两级是不是说，一颗共模滤波电容与多颗差模滤波电容组成一级EMI电路，而二级EMI电路由两颗共模滤波电容与两颗共模滤波扼流电感，完整的EMI电路设计可以最大程度滤除电网的干扰信号。
是下面这样的吗
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| | | | | | | | | | | PQ2620幅宽9.4mm槽深3.5mm
N1：0.37线外径0.4mm，0.37*2*22 Ts 绕两层：0.8mm
EI： 0.025mm铜箔加背胶 ：0.075mm
N2：[size=14.44444465637207px]0.6三层绝缘线外径0.8mm，0.6*2*5 Ts 绕一层：0.8mm[size=14.44444465637207px]
[size=14.44444465637207px]N3：[size=14.44444465637207px]0.6三层绝缘线外径0.8mm，0.6*2*5 Ts 绕一层：0.8mm[size=14.44444465637207px][size=14.44444465637207px]
E2：[size=14.44444465637207px]0.025mm铜箔加背胶 ：0.075mm
N4：[size=14.44444465637207px]0.37线外径0.4mm，0.37*2*22 Ts 绕两层：0.8mm
[size=14.44444465637207px]N5：0.2[size=14.44444465637207px]线外径0.23mm，0.2*3*7 Ts [size=14.44444465637207px]绕一层：0.23mm[size=14.44444465637207px][size=14.44444465637207px][size=14.44444465637207px]
0.8+0.075+0.8+0.8+0.075+0.8+0.23=3.58mm（还有每层的隔离胶纸总计也差不多0.3mm）总共要3.88mm的槽深。
请问3.5mm槽深如何绕的下？
你别拿个PQ2720的磁芯来装，这样就是非标了，非标就不提了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 程工计算的比较细心，但实际应该是可行，PQ2620骨架的槽深是3.55mm，线包会与骨架持平，但PQ2620的磁芯槽宽远大于3.7mm，磁芯是能装上；
线包满有一个好处是散热体积会略大一些，散热会好一点； |
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| | | | | | | | | | | | | 我看到有人用5层，那比3层更耐高压， 旁边的隔离带还有几毫米 |
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| | | | | | | 老兄 这成本不高的,
我是NE1118的一级代理商 有兴趣的兄台可联络我..谢谢 |
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| | | | | | | SP6018 SPN80T10的单价是多少？
把这两个器件的价格估计出来，与肖特基的成本比较一下就可以看出有多大的差异了； |
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| | | | | 12V 5A ，CCM模式同步整流 ；总结，总结：
材料使用：
1.主芯片：NE1118C （新能微）
同步芯片：SP6018（擎力）
2.变压器：PQ2620
3.主MOS：10N60（你懂的） 600V 10A
同步整流MOS：SPN80T10（擎力）（一颗） 80A 100V
效率与待机测试结果（冷机 1.5米 16号线端）：
115V输入平均效率超过90%，230V输入平均效率超过91%，待机62mW;
过流保护点测试：
在264V输入条件下，过流和短路测试，主MOS的电压峰值为570V，同步MOS的峰值为82V；
样机图片：
变压器参数：
友情提示： 新能微 擎力 应该请吃饭；
再次友情提示：程工，等你的TEA1836的QR同步整流的12V 5A的结果；
第三次友情提示：如果不相信的朋友，可以找我拿样机确定；
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| | | | | | | | | | | PQ2620的变压器材料是随便在一个变压器公司拿的，国产普通的PC40； |
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| | | | | | | | | | | | | PI这么高帅富的公司，新能微这种小公司无法比了；
新能微的芯片基本是给台达开的，而且兼顾给要给全汉 明纬 群光做ASIC芯片，很多东西有协议也公开不了； |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这种资料，一是问技术人员或者销售员要，一种是看网上的资料，大多需要我们自己去研究的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 模拟的数据和真实的数据有出入的，最好有真实的实验结果 |
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| | | | | | | 怎么不拍个顶层的PCBA图片看看呢？想看看你的器件，板材这么一般般，真是辜负了这么好的方案，不像大公司做的工艺，你不是说你们公司一个月100多K的量，有点不信？ |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | 原理图上那个电流采样后接的RC滤波电阻，看上面写的好像是调节高低压过流点，如何实现这个功能的？跟以前看的别的不一样啊，不都是说是RC滤波吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 确实不一样了，以前这个电阻还有斜坡补偿的作用，但太扯蛋，搭CCM的同步整流，进入CCM模式，斜坡没补偿好，机就炸了，所以NE1118的斜坡补偿做到芯片内部，只要占空比超过0.39,斜坡补偿就自动启动.而且这个芯片能知道输入交流的电压，这个就是为什么可以调高低压过流点的原因；
还有太多太多，都是台达指定的功能，我也了解不全！
新能微的快充方案，集成芯片方案都很有特点的，每个芯片就有台达的思想，很好玩。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个就是台达要做芯片的原因嘛，全球第一的电源企业，核心的芯片被别人控制，总不是好事；
三流的公司才讲C/P（cost&performance)，台达这种企业是讲核心价值观了！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是啊，听不懂，台达的采购总是说需要C/P (cost&performance)，看来采购/研发看问题就是不一样啊，估计董事长也会说需要C/P |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 董事长会告诉：以核心价值出发发展解决方案事业，而非仅以C/P作为价值定位，较利于长期的业务发展与企业的成长； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 他绝对不会告诉我，首先我不认识他；另外老板对职工说的是一套，对供应商是另外一套。工作后20几年还没见过例外的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果补偿做在芯片内部的话， 是不是被集成了啊， 如果那样不是更好吗 |
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| | | | | | | | | | | 第一次看到CCM的同步整流，效率做的真不错，启发很大； |
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| | | | | | | | | | | | | 如果真的可以做到CCM加同步整流的话，效率是很高的了， 但是这个要看输出的电压跟电流，电压和电流的不用，要高3-5个点左右的时候如果改换电压电流，说不定CCM的效率更高 |
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| | | | | | | | | | | 对CCM+SR不了解,就乱发言,擎力给你样品还被你乱踩真是给错人了.
MP6901 根本没有死区控制(CCM为什么要有死区控制,如果这都还没弄懂,那对电源的可靠性,生产的一致性,元器件的一致性都不了解那就不好说了),利用Vth上升那点时间期望利用 IC的下拉能力来快速关断关断mosfet,不炸都算不错了,还说什么提高效率.
现在龙岗一个做 USB charger的客户生产了1万套5V8A的USB charger,其中有2000多台在线上就查出的不良,都不敢出货,压在仓库,让我们给他们用我们的方案改,否则要误船期.松岗一个台湾厂用 MPS的SR 做 CCM 的同步整流,SR mosfet因为 mps 的关断没有死区有交叉的Vdspeak高得要死,效率没有提升,上周还拿到我们办公室给他用我们的方案换掉紧急修改,否则他没办法下午给客户出洋相
都不清楚你说的6901在CCM里那么大量是怎么来的,配的是什么mosfet?,甚至你说的你们卖的SP6018都不知道你说的你们量是怎么来的,还在这里乱踩6018,甚至乱踩其他PWM IC.实在忍不住要说了.
目前我们知道的mps量产的客户就是龙华的一个,做 5V5A的,认为设计成的DCM模式去配合你说的6901(,因为我们介入的时候客户已经layout好了,我们不好介入,所以只供了mosfet)多少量我们清楚,因为配的mosfet就是我们提供的,还专门要挑 Ciss 小的mosfet配合,否则 Ciss大了,RC放电时间大于你那Vth过渡时间要出洋相, 更不敢用在CCM.如果你说你MPS的可配合CCM,那就发一个SR mosfet的Vds-Vgs双踪显示波形,把电子负载和输入功率计显示同时发出来出来看看,
SP6018 的你说的那瑕疵根本不是瑕疵,是你不懂.同时SP6018根本不是什么只能配什么新能微的,而是任何公司的 IC 都能配,管是是普通的硬开关PWM IC,还是QR的,不管你是fairchild还是OB,甚至国产的,甚至阿猫阿狗的产品,只要是合格的,管你设计成CCM,DCM,QR都能配合,不挑剔初级PWM IC的厂家和型号,也不挑剔配套的mosfet.
如果有疑问,找我们好了,email: richardxia@rightwaysemi.com QQ:314684597 ,擎力的东西就是我们05年最早导入中国大陆市场的,现在已经代理9年,对他的产品的应用我们说的还能算数.
下面给几个我们的方案的报告,注意初级PWM IC不是新能微的,是我们代理的其他牌子,也不在这里打广告了.里面有波形真实示波器图片和输入输出功率图片可辨真伪.
12V5A精准OCP系列测试报告.pdf
新5V8A精准OCP测试报告.pdf
12V5ALowstandby系列测试报告.pdf
5V12A测试报告.pdf
19V3.42A测试报告.pdf
里面初级mosfet用的 650V 的,5V同步整流整流 mosfet用的40V, 12V和19V同步整流mosfet用的100V的, 5V8A用的变压器是PQ2016,其他是用的PQ2620 ,初级PWM IC是用的我们代理的SOT-23-6L的几毛钱的便宜货,要SOP7的HV版的我们也有,不过一般不推荐,6pin的能做出这效果,没必要让客户乱花钱用贵的SOP7的. mosfet, IC我们都代理.
下面照片是 12V5A的满载和空载测试数据图片
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | 楼上就是原来电源网的洪七公吧？原来看过你的发言学到不少东西，顶一个。 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | 好几年前了吧，在另一个网站看到他写的有关同步整流IC的资料的。 |
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| | | | | | | [size=14.44444465637207px]是的，希望再次能够申请你的样机测试，因为我们有打算用这个方案。 |
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| | | | | | | | | 老程，你用TEA1836带X电容放电功能的，不加X电容的放电电阻，能拿到认证吗？
拿不到认证吧； |
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| | | | | | | | | | | 人家的这个系列已经有3个了，TEA[size=14.44444465637207px] 1836 18361 18362 18363 你太小看NXP了，人家做的比你们早呢，肯定有证，否则我怎么选用他们的案子。 |
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| | | | | | | | | | | | | 别相信的太早，NXP是大，但他们主要业务又不是电源芯片，对中小公司更加是爱理不理，电源芯片在没有办法的情况下谁还会用欧美芯片？你发出让大家帮你确定一下吧；没有这个芯片的UL证，安规公司拒绝给你电源出认证的！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你不了解安规认证吧？你们的只做了UL对吧，那么UL欧洲也不接受哦，别以为做了UL就等于全球都能通过呢！你又在忽悠忽悠，什么地区什么认证标准，你们的芯片全部都有吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哦，是吗？只有你们台达的东西大部分是不能见光的吧？
一个没有什么高超技术的产品还需要保密？台达的一大堆退港货已经说明你们的无能，还保密？还需要保密吗？
[size=14.44444465637207px]我们老板说，我们的产品一大堆公司在抄，有本事你就去抄，抄出来，[size=14.44444465637207px]等你们做出来，我们的产品已经卖了好久了，你们也没有优势了，
[size=14.44444465637207px]我们是一条龙服务，我们胶壳、线材、五金、有关功率器件、变压器都是自己做，一般公司能比吗？
[size=14.44444465637207px]我们的总产品有100多款，慢慢抄，没关系。
还有就是，方案选一个，设计可以千变万化，你觉得还要保密吗？怪不得你一直在推你的NE1118，好的东西，不需要如此，大家都知道，大家说好才是真的好。
还有一点，台达一直在用NXP的SR的IC，难道你不知道？这足以说明了NXP的方案魅力所在。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | NXP的同步整流产品价格高，台达已经开始换MPS的了，便宜了30%
这年头电源产品还保什么密啊，就那么点东西 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也不一定， 我买了好几家的同要求电源，里面的芯片和结构都不一样， 几乎没有让我满意的测试结果 |
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | 列出来，谁家的型号什么，你想得到什么样的测试结果，实际测试结果如何。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我买的明伟的两款同要求的电源，里面的结构就不一样，而且都不能满足我超载的要求，我也不知道是不是明伟的旗舰店卖给我的电源本身就有问题，还是设计有问题 |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | 1、型号是否相同？
2、明纬是否表明可以超载使用？
如果型号不一样，人家也没说可以超载使用，又怎么可能满足你的超载的要求？
你买个馒头，还要求馒头里有馅那怎么可能？那你需要去买包子。 |
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| | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当然会有超载测试了，买电源的时候怎么会去问是不是超载，也不会有一个比较详细的说明书，一般也是在网上找这个型号的资料，对比一下，看看应该具备超载保护的功能，只是测试总是失败，一超就不对了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | ＭＰＳ有种内置的ＭＯＳ，但电流受限了．电流大了ＭＯＳ也很热． |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 老程，情绪不要过于激动，假如你老板看到你把机种的资料全部放网上，无论你解释电源多么没有技术含量，但他会怎么想？
你们都不是台达的，确定知道台达在用什么吗？赵工不就是台达的吗？你不是见过他妈？他就在台达深圳办公室，问他不就得了； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，台达做的好多电源我们都有，而且我们的市场部有在帮台达卖电源，OK。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 明纬在工业电源和LED电源这种比较出名吧；
台达应该是在消费类电子电源方面比较厉害一点吧；
各有优势，不过台达的优势更多一些，台达现在好像有6万多人吧； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 台达的工业电源还是不错的，像通讯类的，做了好多年了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 主要是明纬的假冒比较多，名声虽然想，但质量因为山寨货的存在，打了折扣，一般来说，一些一般电源的测试要求，明纬却做不到了，比如我做的超载，也不知道是不是买的假冒的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外在网上搜索了一下，说是台达电子是世界第一的开关电源厂，几乎涉足所有电源相关产品，是世界领导品牌，世界上每四台PC就有一台使用台达电源，而在服务器市场，台达电源的占有率超过五成。台达电子拥有雄厚的技术实力及制造能力，其电源产品不论是质还是量，都站在世界的最顶端（GPS编号电源暂时除外）。也有人说台达不重视大陆的零售商。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果有人想找你的东西抄那还不简单，从你出样机的那刻开始，你的产品就没秘密了
再说了，有人找你的东西抄，那说明说明？说明你做的东西好，值得别人去借鉴，这是值得高兴的事 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 大多数的厂家都不会把自己真正的技术拿出来分享的，如果是做的很好的东西，我们还是应该抱着学习的态度，一个个去研究，遇到心情好的高手，指点一下，也有很大的进步了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不需要拿出去分享，只要你做过样品出去，你这个就没什么秘密了，特别是电源 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是这样的思想才对，要看清市场，没有什么好保密的。
核心部件在自己手上，外壳、变压器、五金、转接头等等，都是私模，没有几十万弄不出来的，还用当心吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没错，我就是想不通一些人，老是捂着这些东西干嘛？又不是飞机轮船激光炮…… |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得主要是自己研究出来的就是技术秘密了吧，除了那些比较大众化的东西，做熟的东西没有技术可言了，说到保守，其实也就是那些比较复杂或者少用的电路，工作原理是别人想不到或者很少人才能想到。 |
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| | | | | | | 效率确实不错，12/5A加同步整流与不加同步整流效率相差多少？ |
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| | | | | | | | | 二极管至少要选用100V以上的吧，计算下二极管的损耗就知道差异有多大了 |
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| | | | | | | | | 这个主要还是看优化的，如果优化的好，同步整流通过降低功耗提高效率，使用同步整流可以降低功耗的，能提高散热性能。很多低功耗应用的降压转换器和控制器设计都这么做的 |
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| | | | | | | 龙腾的MOSFET 有用测试吗？ 不要忘了帖子标题哦。 |
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| | | | | 93+%高效率12V 5A适配器,你输入电压是多少范围？能做这么高效率。 |
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| | | | | | | 刚才看了下，这个还真没有，所以说不要惦记绝对保密的那些资料，还是自己研究吧 |
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| | | | | 程工和李工，大家都是熟人；
谈技术也好，闲聊也罢，拜托不要提台达和新能微及我（有些敏感）；
这个12V 5A的NE1118搭配SP6018的方案；
我查了一下SP6018与SPN65T100的价格，这两个元件与两颗SBR20U100（40U100）价格类似，但效率比肖特基高一些，所以这个方案从性价比来看，比较合适，值得推荐的； |
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| | | | | | | 整体来说，NE1118 确实不错，但是希望你们加强DOME资料，有好的数据在，推广就更好了。 |
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| | | | | | | 帖子里反复提到的变压器的问题，询问了这个变压器的原始设计者唐工；
他表示PQ2620的种类有很多，有些磁芯是PQ2620，绕线的骨架槽高可能会高1-2mm（有些误差类似PQ2622），这种变压器次级使用线径0.6是可以的；如果是标准的PQ2620，次级用线径0.55是可以批量生产的，他们公司就是用0.55的在做；这个就是真实的情况； |
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| | | | | | | | | 这样不就会出现：在叫工厂做变压器时，搞错参数的情况吗 |
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| | | | | | | | | | | 这个看工厂的生产管控能力了；扩展开来，谈的就太泛了；
术业有专攻，这种事情的问题，有人专门在搞，让这些人去处理吧； |
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| | | | | | | PQ2620做60W很正常；只要变压器温度满足要求； |
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| | | | | | | | | 因为我看过一些资料，说是60W的难度比较大，你所说的温度也就是它的问题啊 |
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| | | | | EMI测试完了；
2PIN的输入，EMI的传导辐射都有6DB的余量；
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| | | | | NEM 深圳一级代理商 顶起!!
要NE1118资料的可以找我 谢谢 |
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| | | | | 新能微的芯片，开启了CCM模式的同步整流时代；
QR的芯片，控制复杂，单芯片成本高，低压效率得不偿失，新能微的CCM同步整流方案，加速QR芯片退出历史舞台；
正如快充充电器方案加速PSR退出历史舞台一样； 新能微的快充方案，会让类似IWATT的PSR快充方案退出历史舞台；
正如集成芯片方案一样，新能微的集成芯片方案，会让PI的SC1223退出历史舞台； |
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| | | | | | | | | 希望不会又是一顿口水；
老郭，SC1223这个芯片我们已经打开看了，PI出这个芯片的市场定位是什么？
20W做CCM同步，价格比一个小6Pin搭MP6901（小5Pin）的CCM同步贵，做快充又是同步比IWATT的贵很多；老实讲这个东西定位我有些不明白？
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| | | | | | | | | | | 在快充与集成方面，我觉PI与IWATT都在背历史的包袱。
PI放不开不集成MOS的思路，集成芯片包MOS限制功率！
IWATT放不开PSR的思想，看他们的快充方案做的多畸形；
当然这个是我的看法，可能对也可能错，如果有人做人生攻击，就不往下聊了； |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我特意去看了看这方面的资料，有文说到，
PI的产品应用主管郭春明此次带来的演讲题目是《提升LED照明效率解决方案》。据大比特组委会介绍，在本次研讨会上，郭主管将讲述不同的电源选择、单级和多级转换，以及会对最终采用反激、谐振、降压或降压-升压拓扑结构的决定产生影响的各种因素。此外，他还将介绍几款效率超过90%的设计范例，在针对灯泡替换、T8灯管照明和工业高棚灯应用的实际照明解决方案中，比较效率与尺寸和成本的关系。
相比PI公司，iWatt公司的技术市场副总裁郑俊杰将从数字电源的角度为观众献上《数字电源技术使低成本、高品质固态照明方案成为可能》的解决方案。成立于2000年的iWatt 公司，在智能手机电源适配器/充电器,LED电源驱动器, LEDTV背光驱动等领域，均开发出了具有国际领先的产品, 是为数不多的能够提供全方位LED驱动的国际型公司;在智能电源方面, 则开发出了超过百项产品, 实现了在零输出下的零功耗输入,做到了体积小密度高,简单可靠,灵活易生产。相信此次iWatt公司也会给观众带来的焕然一新的解决方案。
看起来好像也没什么非要针对的意思啊
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| | | | | | | | | | | | | | | 小米的充电器，用IWATT的比用PI的多很多，PI太贵了，需要IWATT芯片的，与我联系。 |
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| | | | | | | | | | | | | 个人觉得PI还是不错的，比如它推出的一款在线选择工具，可帮助用户快速找到最适合其LED照明应用的电源参考设计。工程师只需在LED设计选择器中输入简单的选择条件，就可从Power Integrations的LED照明参考设计库中找到最适合的设计方案。看到的IWATT的新产品也很多啊，这个没有什么非要去对比的吧，只要大家都有新产品出来，都能被我们使用好的地方，不就行了， 况且这两家都会时刻有新产品出来
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| | | | | | | | | | | 从你的发言看还真是你教的。但有一句忠告：做友商而不是攻击对手
市场定位就是做快充，其他我就不知道了，超过了我的职责范围，说实话也不需要我关心，那是高层的人需要考虑的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 帽子戴大了，每天为糊口饭的人，没有那么高的目标了；
我有我份内的事，我又不是业务，产品买不买的出去，客户用不用，与我关系不大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 有这种认识就对了，打工的就是这样，哪天因为各种原因离开的时候，竞争对手就是最好的去处，所以平时千万不要在网上对对手妄加评论，很简单原因，你能看到的对手的都是表面，至于价格、性能，客户自有他们的评价，客户要考虑的因素也很多，不单纯是价格，质量是放价格前面的，当然客户最终的目的是把钱赚到手 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 说的在理。
假如郭工离开PI，有更合适的去处？
郭工的资历及比较论坛人的级别，基本无解。
郭工可能会选择在PI退休？
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| | | | | | | | | | | | | | | 有了上面的认识，可以讨论一点点技术问题，你不是把PI的CCM整流和6901比较吗。
我记得你有个帖子里提到一个段总，我以前没有见过，但上个月销售有请他到我们新搬的地方参观，聊了几分钟，他们测过很多家的SR芯片（具体厂家不方便说），认为CCM操作都有问题，特别是动态（包括负载和输入动态）、短路、启机情况下，找厂家来厂家也承认存在风险。但他认为PI没有问题，因为PI的是次级控制，可以预测CCM时的关断时间提前关断，不存在风险。我已经多年不做充电器适配器，那天特意找了个DEMO测了一下还真是这样，CCM时会在初级MOS导通前一点点时间把SR的MOS关了。
不要问我原理，我真的不知道 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 与段博，我们没有提CCM同步的问题；
开始与段博接触的时候，可能不了解新能微的背景，把新能微看成类似立X等这种公司，在话题中提到了很多立X的问题，留下一些电源方面的类似硕士论文性质的课题要求给出研究报告结果；段博是理论型学者；
MP6901也好，SP6018也罢，在CCM同步的时候，基本原理都在预判初级的MOS导通，具体芯片内部控制有没有瑕疵，我不了解，无法做评判；
对于MP6901问题，CMG应该认识一个朋友刘工（公司在深圳，他们公司用NE1102搭配SP6901的CCM同步出货量比较大），毕竟300K/M而完全不出问题，还是有参考价值的；
当然如果要求台达选择用CCM同步整流，没有实质性的研究结论和成果，没有台达研究院技术总长李XX的批准，难于登天； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | SP6018开启时间是多少?100nS?
在开关管开闭后 100nS后SP6018才启动同步功能 /若是能再担前50-70nS该多好啊.效率又可得一步提升了/
SP6018 若是配NE1102.我个人感觉还不如配 CCM+QR的IC,毕竟在QR 模式.VDS在开通的时候还是很低的.相对来说.MOS的损耗还小/ |
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| | | | | | | | | PI的这个料在20W以下应用不错,看过他们的这套方案.
当时是在OPPO的供应商那里看见.只是做大功率不行,所以大功率用我们的,20W以下的单口和双口USB charger用PI的,最大量的被PI吃了,我们只能吃小量的4口以上的USB charger.但看了那PI的demo实物和PI给他们放的特价,输得服气.
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| | | | | | | | | | | 一山更比一山高．一手更比二首强．ＤＥＭＯ，是个好东西啊． |
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| | | | | | | 大言不惭，如此狂妄，即使你们的东西再好，也要以德服人。 |
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| | | | | | | 好像有点人身攻击了，我觉得呢，无所谓谁家的更好，只是大家都在改进而已，这几家都会在所谓哦的控制啊，效率啊，快充方案啊，集成芯片方案等方面有所改进，不会总在一个产品上吃到老的，你没看型号都会更新的么 |
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| | | | | | | 请谦虚，谨慎一些；
当你的产品大批量应用后说这些也不迟，任何公司产品都有优点，不要相互攻击；要相互学习，共同进步。 |
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| | | | | | | | | 好的东西不怕功击，坏的东西无需攻击；
都是打牛的，无需伪装的好像比谁都高尚一样。
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| | | | | | | | | | | 台达很牛逼吧？
[size=14.44444465637207px]那么台达的退港货你知道有多少吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 请谦虚，谨慎一些！
就算是台达的，芯片很牛，也要 谦虚，谨慎一些。
如果就这样，还没有推广起来，人家就说NO了。
事在人为，谋略不同，结果也不同。
打个比方，比如你们的方案推广起来了，冲击到了ON/NXP/TI/PI市场，那么反过来，ON/NXP/TI/PI不卖IC给你们，你们就麻烦大了，你们至少现在还有很多方案要依赖这些公司的支持，明白不？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这话说的，台达又没给我发工资。
大家是合作的关系，我们产品线又不只有他一家； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大家都是来学习技术提高自己的, 没必要为了别人的技术分歧吵架, 况且大家都有自己所认为的质量的好坏, 可能确实是哪个厂家做的某个方面好点或者坏点,但都不会影响到我们去探索 |
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| | | | | | | | | | | | | 听说台达是一家很大的公司啊, 但技术是人为的, 可能一些小公司也有能人呢, 质量这个东西哪家都会出问题的, 大公司小公司都一样, 没必要为这个去争吵, 学技术的学技术, 要高工资的去谋求高工资 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 网上有评价， 不知道准确不准确，仅仅供参考 ， 不知道是不是这家
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 在各个技术类的公司, 都是这样的吧, 只有有人的地方, 都会有这样的特点 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你说的是台达的一个分厂，以生产为主，国内研发在上海 |
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| | | | | | | | | 5V8A和 5V10A 能做到多少效率呀？90V的时候效率多少呢？
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| | | | | | | | | | | 我客户5V10A 用的是NE1102+MP6902 效率93% |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果是板端，高压或许可能，低压应该不现实；
CCM的反激同步整流，比较突出的好处是低压满载效率比较高，在同等小体积的变压器和外壳条件下，各元件容易通过温度测试； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你压效率比高压还高.不知道到变压器与桥硅的温度是不是也很低 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么比较低呢，我看人家说到同步整流，感觉反激同步整流在做的时候有点复杂，输出为低压大电流的时候，这时候用正激的自驱动同步整流，电路比用反激更合理。因为正激整流后进入电感，然后是电容滤波。这样电容上的纹波电流比较小。如果用反激呢？虽然同步整流电路同样也能减小整流损耗，但是整流后必须考虑滤波电容的高频纹波电流。这个电容必须用高频薄膜电容，比如CBB系列的。而且为了抑制高频电压纹波，后面还是要加一个滤波电感的。反激同步整流，如果是自驱动，则只能应用于电流断续模式，而且要从设计保证绝对不能进入连续模式。可是电流断续模式并不适合大电流的情形。而电流连续模式的同步整流则必须靠外加IC来实现，成本上升，性能则未必能超过正激模式的同步整流。更何况，外加IC同时也带来可靠性的问题，越是复杂的系统，可靠性越是低。反激电源本来的优势就是电路简单、成本较低。如果为了设计低压大电流电路采用同步整流的反激电源，一方面失去了普通反激的优势，另一方面，未必能比别的电路更有优势 ， 从温度上看，哪个方案可能温度更低呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 反激电源低压效率比高压高基本上就是变压器初级圈数偏少或者电感量太小造成的，基本上客户负载量在80%左右220V输入的时候差不多进入临界模式，这样的产品在实际销售市场故障率比较低，有用到的实际效率也比较高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 对你说的概念不是很懂， 就随便说说我的理解， 看看对不对哦，从效率比较来看，我想这个得看输出的电压跟电流吧，比如5V,20A的输出，SR比CCM肯定效率要高3-5个点左右， 而如果是50V 2A呢，说不定CCM的效率更高
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我又不是吹牛.整机能吹出这样高的效率.也是淫才了. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.3999996185303px]还是平均效率 这也太夸张了吧， 能找到个产品来观摩么？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 一般来说, 隔离效率做到80%, 非隔离就可以做到90% |
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| | | | | | | | | 呵呵，你觉得如何就如何；
OB2283，OB2361这些芯片，与5年前的产品NE1102是一个级别的；
对于这种芯片，我没什么兴趣； |
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| | | | | | | | | | | CoC Version5.0 tier2的标准；
<49w ,待机低于75mW;
>49w,待机低于0.15W；
效率够高的同时，有些还需要带LED指示灯满足待机的要求； |
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| | | | | | | | | | | | | 刚好49W的时候,你待机是多少?什么都不要说,你是吹1102呢?还上吹6018呢.
你把6018除外,你能做个多高效率的机出来?? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,这样说就没意思了。
1102几毛钱的东西，吹个几毛钱的东西也没意思；
我不是业务，也无需从论坛学习什么技术，也不想抄作成什么知名人士；
虽然回这个贴也一样没意义！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个没什么意思吧，其实只要是一款好的芯片，足够做到吧待机损耗降低到甚至0， 不是非常好吗，这个主要看你选用什么样的芯片，有的芯片，待机就是1W，有的就是0W， 有的就是2W，这个没办法的，主要还是看芯片 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么这个图片的右上角写着, 电量测试仪?
看来我是被骗了, 是哪家工厂做的好事啊, 把电量测量仪的标签贴在谁都看不懂的机器上,
以后去电子市场买东西, 一定要带上领导, 否则都买到假货了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 做CCM的同步整流，深层来谈，不是随便拿一个CCM的芯片搭配可以CCM同步的同步芯片（类似SP6018 MP690X系列）就可以安全无隐患工作的；这个与初级的CCM模式的PWM芯片会有很大的关系；比如像NE1118系列，NE1118B和NE1118C就可以搭配，但NE1118D就绝对不能搭配CCM同步整流一样；
CMG提到SC1223的集成芯片，表示是CCM的同步整流，其实这个芯片内部的初级部分类似是Tiny芯片，次级是一个类似同步整流的芯片，初次级的信号传输是通过电感（这个电感工艺很复杂），严谨来讲，这个芯片做CCM同步，理论是否绝无安全隐患，是需要PI集中一些PhD从理论及实际工作来证明的；当然这些理论类似PI写的PSR的环路稳定性一样，能不能说服人就另当别论了；
哎，又说了这么多废话； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我都不知道PI有没有PHD，来外从来不说这个。
“PI写的PSR的环路稳定性”这个在哪里有啊，发给我看一下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在这个论坛里, 谁又能说服谁, 大家都认为自己最聪明, 废话一大堆
我觉得你说的不是废话, 理论知识固然重要， 但每个人的理解上还是有区别的
就拿CCM 同步来说, 每个人对同一个项目设计出来的电路都不一样的, 谁敢说自己的就最不好 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 6018有个知能判断，比方说上个周期是关断时间是60ＮＳ，下个开通周期便会是60ＮＳ，若是在下一个周期是100ＮＳ。他还是开通60ＮＳ。但在下下个周期就会开通100ＮＳ。
若是在100ＮＳ的时候，占空发生变化。发变为50ＮＳ，本来是要开能100ＮＳ的这次就会钳在50ＮＳ，
6018 会自动检测上一个周期的时间。而不会交越导通。
相对于1791 61 92 43之类的ＩＣ，他们是做不了同步的，他们没有死区控制。纯硬件检测，检测一电压低于一定值时就关。还有一个过度时间，若以一但做成ＣＣＭ。就会发生交越。
最进 立生美 出了一个新的ＩＣ501 前面的电压更高 ＮＸＰ的120Ｖ。501 可达160Ｖ， 并且可同时兼容 ＣＣＭ ＤＣＭ ＱＲ 这样就不用选来选去了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 你说的意思是说，在低功率的情况下， 待机会低一点，一直低到0.075W， 这是有可能的，和芯片有关系，功率大点，自然待机会大点，如果一直都是待机0功率的话，那么无论多少功率的输出都没关系了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不可能有芯片可以做到待机功耗是0的, 我老板常说, 待机功耗只要做到0.5W以内就可以了, 客人不叫, 无所谓 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 说过不怎么好听的话.谁做个3KW的功率输出,待机小于0.5W的话.那真是奇材.前提是有EMI电路在() |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那个要求一般都是小功率电源，特别是充电器上面的。大功率的电源，EMI放电部分，各种电阻的采样等等，损耗还是比较大的，75mW基本没可能，一般也不会这么要求。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个功率有没有标准呢， 在不去考虑设计结构拓朴的情况下, 多少W的电源待机功耗应该是多少, 比如20W以内应该小于多少MW, 200W左右应该小于多少W, 有个标准范围吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 之前就看到有说49W的讨论, 对于这个待机攻耗的范围有点疑问, 如果是个渐变的趋势, 那么在49W的时候参照哪个参数呢, 这个0.075W做的倒挺小的, 效率也算高,
这个1W内的参数公式代表什么? |
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 那标准上不是写的很清楚？≥49W，你说49W的时候参照哪个参数？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是不清楚才问一下. 为什么50W就大那么多了啊. |
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 负载小于1W的时候就不能强制待机功耗是多少，所以待机功耗是输出功率的一个函数。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个标准＞49W＜250W 0.15W的LLC 就难达到了。
IC要更新换代才行。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我也是相对来说的, 象3KW的电源不可能待机功耗在0.5W以内的
附:
降低待机功耗的方法:因为空栽时导通损耗几乎为零,所以损耗基本上是MOS开通和关断的损耗.很明显最简单的方法就是减低空载时的开关频率,有的IC能检测负载情况,负载低时直接将频率降到一个较低的值,有的采用周期突跳的方式,有的直接就工作在跳频方式(在全负载范围内),后一种方法是最好的一种方法,可以把电源的功耗降到几豪瓦,但由于跳的频率有可能在音频范围内,大功率时有噪音的问题
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关频率不变.跳周期知道. 若是在大功率的电源,输出空载的话,频率做低,不理解,跳频更不理解.
做过LLC的知道.在空载的时候.频率会变高. 但是是突发模式. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在做到0.5W以下的待机功耗的电源最大可以做到多少W ?
刚看到一个资料说是, 250W, 不知道对不对?
另外找了一下一些基本资料， 说是3KW的待机功耗是5W以内... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个是没什么标准的，只有更小的，没有最小的待机功耗，如果成本允许，空间允许的话，3KW
做到待机功耗0.1W，也是可以实现的，只是这样做出来没有什么意义罢了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果真的3KW可以做到待机功耗0.1W那不是很厉害吗，前面看了这么多，感觉做3KW不会要求的这么低，如果不考虑成本去加一些电路来达到这个效果，也许会得不偿丧的，但是自己DIY的话，我觉得还可以啊，可以尝试做做的，毕竟也是一种突破 |
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | 无聊的话题，无聊的回复。
我也顺道无聊一把。。。。。 |
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| | | | | NE1118如果当特殊芯片用，也还有些意思，他可以设定只要带相同的载，如带2A不变，Vfb电压从90-264Vac都会是一样的。而且Vfb的电压，可以做到在它的范围里你想要多少伏就可以设定多少伏。可能对有些人来说比较颠覆，占空比都不一样，Vfb电压怎么可能是一样的问题，而且还可以外部设定这个电压，有些夸张的问题。
这个提供给人一种很宽的假设，比如可以做智能电源方面的控制。杂七杂八的 |
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| | | | | | | 这个是题外话，控制模式导致，开拓视野，有兴趣的可以研究一下。 |
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| | | | | | | | | 很多人打电话问为什么NE1118与NE1102这么合适搭CCM同步整流.哎 |
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| | | | | | | | | | | 这个芯片没做过，不过看过一些资料，说是搭配NE1118，可以吧待机做到75mW以内,直接上CoC 的标准；如果PWM的工作不稳定及坚固，如果是其他芯片比如SP6018搭配这种PWM，次级的MOS，每1S左右会出现一个比较高的尖刺，但用NE1118就不会；这也算是一个优势吧 |
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| | | | | | | | | | | CCM同步整流的优势各大芯片公司都了解，NXP用了近两年时间，研究CCM同步是否可行，最后答案不可行，后来NXP就主力做QR的同步整流了。
NE1118外观与其他芯片大同小异，差异主要是在内部的处理，懂的人会懂。
1.类似NE1118的芯片，检测输入的交流都是检测电压，NE1118是检测交流的斜率，这样就在交流变形或出现偶发的情况，能保证芯片的绝对检测工作，能做确定的X放电的功能，即使控制部分损坏；
2.类似NE1118的芯片是斜坡补偿靠外部来处理，NE1118却做到了芯片的FB脚上，占空比超过39%就会自动进行斜坡补偿-----这个也是做CCM同步的原因之一；
3.补偿，在变压器磁老化或其他情况，芯片内部会自动供电启动；
4.控制，NE1118在输出带载一定的情况下，输入的交流电压不会影响Vfb的电压，很多人奇怪，占空比都变了，为什么Vfb电压不变，这种控制模式也太奇怪了，而且这个Vfb电压，工程师可以自己在范围内设定；---这个也是NE1118稳定和能做CCM同步的原因之一；
5.还是控制，由于上面的功能，其他地方都做了，芯片内部的控制就是集中处理环路问题了，CCM模式同步，担心的是初次级的MOS同时导通的情况而炸机，NE1118环路建立比较严谨，次级的MOS与初级的MOS如果有交叉的情况，NE1118立刻就开始调下一个阶段的环路，调不了就保护。NE1118只要进入CCM模式，会产生一个预先的开关动作（第二点），这个动作能让次级的CCM同步芯片能预先感受到而开始动作。比如用NE1102或NE1118，把次级的整流二极管焊接一个反向恢复时间比较长的整流二极管，然后开机，可以直接发现NE1102和NE1118是无法启动的，这个直接的表现；
不过即使有这些，电源说一定100%回避不会炸机，也不现实，说产品100%没问题也可能； |
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，你不会是超载使用了吧？
我要人肉叉烧包，没叉烧的
