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【龙腾DIY】48V充电 +94%低成本量产电源

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xkw1cn
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  • 2014-9-28 11:18:07
申请了龙腾11N70的两款MOSFET,用它做个可量产充电电源。不知能否获得样片。
计划通过此帖;直播电源样机的制作历程,让网友体会从导入陌生器件到外配参数确定;最后统调的经过。
计划尺寸30X40X180mm
指标:AC220V输入 输出30~56V 3A
由于变压器涉及资源已经足够多;直播中;不再涉及变压器等理论计算。仅体验过程。欢迎拍砖指导。
hlp330
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  • 2014-9-28 11:33:02
 
输入电压是额定220VAC?30V到56V的充电电压,范围比较宽了
xkw1cn
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  • 2014-9-28 11:55:59
 
48V铅酸电池的终止放电电压为36V(单节1.8V)。48V锂离子电池的终止放电电压为31V(单节2.4V)。
48V通吃充电器就成了30~56V的指标了。
hlp330
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  • 2014-9-28 12:18:31
 
,对于铅酸的电池是不是可以反复充电,不存在过冲的问题?而锂电池,需要过冲保护,反复充放电会影响寿命?那么充电器就需要做充电管理了,控制充放电电流,以及各种保护
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-28 12:26:52
 
充电管理,就不是充电器的问题了,属于保护板或BMS模块的问题了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:17:39
 
那也总是要靠内部的芯片来决定的
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-15 17:59:10
 
你到底想说明什么?跟我说的东西有什么关系?
long223349
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  • 2014-11-2 18:01:58
 
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long223350
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本网技师
  • 2014-11-3 13:26:05
 
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xkw1cn
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  • 2014-9-28 13:35:25
 
只直播电源;其它是电池管理问题。暂时没计划在直播列表里
admin
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管理员
  • 2014-9-28 13:57:54
 
forget
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  • 2014-9-28 19:23:53
 
如果做的是铅蓄电池充电器,那必有充电管理部分,不是在保护板一侧,而是在充电器一侧。一般的铅蓄电池需要三段式充电法,先恒流充电,然后恒压充电,最后涓流浮充三个阶段。
xkw1cn
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  • 2014-9-28 21:19:41
 
好吧,电池管理与电源本身没啥太大关系。先电源后有时间就上管理吧。
铅酸电池管理这块其实没那么复杂,主充后直接转涓流也是可以的。实际充电量差异不超过10%。充电结束后两个小时,这种差异会缩小到几乎没有。
所以,三段更多是虚头。
铅酸电池更重要的是隔段时间激活。尤其是新电池深度充放循环对实际容量及放电特性有质的影响。
forget
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  • 2014-9-29 14:38:02
 
三段式也不是什么噱头,就是横流->恒压->再恒压。如果想简洁一些,就是两个阶段,恒流+恒压,电路实现也很简单,就采用恒压限流即可。1个358就可以搞定。
xkw1cn
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  • 2014-9-29 15:27:14
 
如果电池不平衡,用三段;均充。大电池都是这样的。
主充——均充——浮充
但是对于批产的铅酸免维护,由于有电解液干涸的问题,不常均充有利寿命。
两三天一次均充比较有问题。对于电站;数月一次均充还是很有必要的。
hlp330
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  • 2014-9-29 15:52:43
 
现在的常用的有一种阀控式密封铅酸蓄电池经常充电是否有寿命问题?
xkw1cn
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  • 2014-9-29 16:08:14
 
阀控电池;可以补液,问题不大。
但是任何电池组都不适合经常均充。均充实质是削顶补谷。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-29 16:58:40
 
这个不是经常充电有寿命问题,而是你如何充电。变电站用铅酸电池,是一天24小时浮充运行的,但半年或一年做一次全充全放维护,三个月执行一次均充,5年使用很正常,也有用到10年的。
xkw1cn
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  • 2014-9-29 17:01:18
 
48V电动车电池;几本一到几天就得充一次,如此每回都均充,电池挂的会比较快。
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:07:50
 
它是有使用寿命的,一般有一个几千小时的限制
能源消耗
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  • 2016-5-26 15:10:27
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电动车电池挂的快,也不是天天充电的唯一原因,最大影响电池寿命的还是,放电,因为车子行驶,提速,上坡,放电电流都是很大,超出影响寿命的电池放电电流,当然,每天开车,充电,电池很少深放电,致命的因素还有电池个体不平衡,所以电池要经常深放电(放光电),再充满满的,这样就可以保证电池组的平衡性,

nc965
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  • 2016-5-26 16:27:29
  • 倒数5
 
我有个笔记本,几乎没有放电,每天都插上市电充电运行,电池坏得很快,现在只能坚持几秒钟。
xkw1cn
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  • 2014-9-29 17:02:55
 
让大众用户去选两段三段,准有弄糊涂的。
hlp330
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  • 2014-9-29 17:15:47
 
我的电动车,每次基本都是用完了再充电,这个应该自带充电管理的,三段式充电吧?对寿命有多大的影响?
xkw1cn
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  • 2014-9-29 17:29:02
 
三段充电寿命和质量及充电阀值有关,超威的厂家数据为:降到70%容量的循环寿命大体是400次。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-30 08:32:11
 
那我要是1个月循环一次?也是400次?觉得还应该跟时间有关。
xkw1cn
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  • 2014-9-30 09:20:58
 
所以;不同用途不同充电方式。如果每天充;一年多就挂了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-30 09:44:44
 
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-1 23:24:53
 
充电,有时规定3个月必须充一次,但寿命之说,是指天天用还是说3个月用一次的累积时间呢
xkw1cn
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  • 2014-10-10 10:54:21
 
电池寿命与使用有很大关系。如铅酸电池;放空后放置一天,基本就挂了。如果30~80%1C循环,每3~6个月全充放循环一次,寿命非常长,六年都不是问题。
寿命与质量也有很大关系。如免维护电池铅钙极板和铅铜钙多元合金极板;是否加纤等与寿命也相关。
初期是否深全充放循环也是关键因素。因此;寿命量是非常复杂的。通常是额定状态下的值为标准参量。但是;遗憾的是;很多厂家的定义并不一样。
客户感知的寿命与厂家公布的寿命一般有比较大区别。
司马仲达
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  • 2014-10-10 11:43:31
 
电池以旧换新,厂家把旧电池收回去有什么用吗?
xkw1cn
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  • 2014-10-10 11:54:30
 
两大去处:
1)品相不好的;回炉熔铅。
2)品相好的;再生出售。
司马仲达
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  • 2014-10-10 11:58:55
 
品相好的;再生出售
感觉有点欺骗消费者啊
xkw1cn
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  • 2014-10-10 14:31:12
 
反正便宜麻,有人喜欢能赚钱。
没办法;电动车市场就这个样子。
司马仲达
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  • 2014-10-10 14:56:35
 
我感觉我们买的新电池,里面可能也混着这种水货%
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:18:55
 
主要还是看新电池的品牌,电流大小,可靠性,尽量避免马路货
long109tou
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  • 2014-11-10 08:11:33
 
没有吧,本人的小毛驴,买的二手货,是一个小牌子的电池。电池3年了,还能走10KM。用了才知道
hwx-555
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总工程师
  • 2014-11-10 08:13:34
 
电池寿命要看充放电频次吧
xkw1cn
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  • 2014-11-10 08:41:57
 
10km?我这连从驻地到单位单程都不够啊。超威48V12Ah,能跑40Km,如果夏天;不飙车且体重较轻,50Km也有可能哈。
xkw1cn
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  • 2014-11-10 08:47:14
 
前段时间,骑这小毛驴;横穿半个西安市和长安县,到秦岭溜达了一圈。去农家摘了一大兜火晶柿子
赶紧换电池吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-29 16:57:03
 
变电站直流系统,规程要求是三个月均充一次,也就是自动执行一次恒流、均充转浮充的过程。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-29 08:31:10
 
这些东西,最多两个358基本就可以解决了,根本不是问题。
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-11 23:23:27
 
铅蓄电池充电器不是拥有短路自动保护、安全系数高、热量小、效率高、对电瓶无任何损害、体积小重量轻便于安置,不怕短路与错接,过载, 过流, 反接全自动保护,极高的安全系数,热量小效率高的特点吗,
这样也需要三个阶段的充电模式?不就是维护充电,快速充电,限压浮充吗
司马仲达
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  • 2014-11-4 21:55:47
 
hlp,你移相全桥变压器初级波形是这样的吗 有台阶?

xkw1cn
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  • 2014-11-4 22:00:09
 
如果电感集成到了变压器里;一次绕阻是这波形。
司马仲达
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  • 2014-11-4 22:07:20
 
LZ也做过移相全桥啊,佩服
我没有完全集成在变压器里,变压器漏感17,外加电感22
请问,要是在变压器里,为何会有这个台阶呢
有人和我说是变压器偏磁了,我今天搞了搞 发现不是偏磁
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-5 07:58:31
 
偏磁怎么会导致这样?明显是不经过分析瞎说。还有,你变压器肯定串联有电流互感器,是否偏磁,测量一下电流就一目了然了。
xkw1cn
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  • 2014-11-5 08:09:58
 
台阶是高侧两通或低侧两通的结果。即变压器被功率管短路时间。
由于两个台宽度不一样,根据伏秒平衡定律;串联电感抬起台阶的高度略有差异。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-11-5 09:59:36
 
明白了,感抗分压,感抗越大台阶越高,谢谢
hlp330
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  • 2014-11-5 10:43:02
 
仿真了一下,将两边的驱动改成不对称的情况,出现一边有台阶的情况了。


hlp330
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  • 2014-11-5 10:47:23
 
减小输出电感的感量,平台更加明显。


司马仲达
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LV10
总工程师
  • 2014-11-5 10:59:52
 
次级电感减小一点 会引起平台??
hlp330
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  • 2014-11-5 11:14:11
 
我指的是驱动不对称+次级电感变小。
xkw1cn
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  • 2014-11-5 11:15:57
 
是这样。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-11-5 10:58:17
 
嗯 驱动不对称 第一瞬间伏秒守恒破坏 然后隔直电容双向的压降不等 然后造成变压器初级有台阶 保证伏秒守恒
我刚算了移相全桥MOS的损耗,感觉相当不对,请大家支支招
3300W 假设效率92% 输入功率3300/0.92=3587W
损耗3587-3300=289W
MOS 内阻43毫欧 IP=20A 有效值16AT=15us 下降沿25ns
导通损耗16*16*0.043/4=2.75W 关断损耗0.5*20A*300V*25ns/15000us=5W 0电压开通所以导通损耗几乎0……
但是感觉 实际完全不可能这么小损耗啊
lp12
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高级工程师
  • 2015-4-11 19:22:21
  • 倒数10
 
你导通损耗计算的是不是有问题啊。
司马仲达
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  • 2015-4-12 10:18:16
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计算公式有误??
stn970
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  • 2014-11-29 19:02:31
 
用的什么仿真软件?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-4 22:16:38
 
记得原来做硬开关,驱动不对称,波形就也是不对称,有台阶。
司马仲达
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  • 2014-11-4 22:21:48
 
明天我再仔细比较一下驱动是不是Ton完全一样的 应该差不多 虽然没有用光标比较
硬开关 PWM不对称的话 可能就偏磁 然后隔直电容分压不同 然后有台阶 嗯
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-5 08:05:48
 
不是TON不对称,记得好像是驱动的线长度不一样,最后改双线绞合在一起驱动,好像就好了,好久的事情了,忘了。
不过话说回来,这个不影响什么吧?
long109tou
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高级工程师
  • 2014-11-10 08:06:03
 

根据天能的铅酸电磁充电曲线,楼主的充电电压有问题吧!最高电压为14.7X4=58.8~59.6V
xkw1cn
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  • 2014-11-10 08:53:59
 
平坦部分是均充段,经常行的均充是有问题的。这次设计的方案,靠的是汽车用电池标准,12V按最高14.4V设计,为56.6V。
dongshitong
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  • 2016-8-1 22:52:11
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锂离子电池用的哪家电芯?我们搞的sayon LG  都是按照2.5/2.75V
ope8363744
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  • 2014-9-28 14:06:07
 
前排占位,看许工大作
eric.wentx
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  • 2014-9-28 19:33:03
 
我只能说,土豪,送我一个,我有收集DEMO的爱好
沧澜钓客-K
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  • 2014-9-28 22:44:49
 
这是癖好,不能炫耀
梦开始的地方
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  • 2014-10-1 23:23:48
 
我也很喜欢收集, 有空给我一些资料, 谢谢
ypp314159
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  • 2014-9-29 11:27:52
 
坐等 出帖
xkw1cn
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  • 2014-9-29 12:02:57
 
稍等片刻,确认样片申请成功后即开工。
bei_jxing
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  • 2014-9-30 14:29:59
 
我不挑剔,楼主做好了,送我一个现在这个规格的PCB,和主要IC就行。

效率是亮点,低成本更是亮点,期待楼主开讲。
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:07:11
 
如果是低成本的设计,我也想要一个,我觉得要做到低成本,其他的因素比如效率和尺寸就考虑不好了
宛东骄子
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高级工程师
  • 2014-9-29 13:57:44
 
这个功率太小,没啥难度啊 ,要整指标:AC220V±20%输入 输出56V 10A
48V充电 +94%低成本量产电源
才有力度。
xkw1cn
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  • 2014-9-29 14:03:42
 
好;先预订上,下回龙腾开中大功率电源;考虑这个。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-29 14:05:49
 
我预定一个190-300V输出10A的,可量产的,我拿来改改直接做操作电源
梦开始的地方
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  • 2014-10-1 23:23:24
 
有没有详细的设计思路啊,如果非要低成本的话, 这么高的功率很难做好散热的
宛东骄子
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  • 2014-10-8 13:22:09
 
当然有思路,用半桥LLC。
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:06:11
 
半桥是最好的方案吗,效率控制到了多少
宛东骄子
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  • 2014-10-10 11:35:51
 
效率94以上。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:24:19
 
要大雨94的效率,这个难度大的,考虑的方案也不一样了吧
nc965
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  • 2014-10-22 09:07:53
 
功率越小,做高效率越有难度。
xkw1cn
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  • 2014-10-22 09:45:06
 
功率和效率不是线性关系呕。只是成本问题;小电源不能做的太细。
eleczj
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  • 2016-5-26 18:11:04
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这个要能搞定。。。。。。我就不用折腾LLC了,直接买你的如何?
xkw1cn
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  • 2014-9-30 14:24:35
 
看样子;节前没音信了
梦开始的地方
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  • 2014-10-1 23:22:31
 
关于这两款,有没有资料
司马仲达
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  • 2014-10-8 10:41:31
 
我来也! 楼主说说你的这个电源准备用什么拓补呢?数字部分主要控制哪些?输出56V 3A是长期老化指标还是只是几分钟呢?楼主别忘了把龙腾11N70的datasheet贴上来哦。
xkw1cn
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  • 2014-10-8 17:38:45
 
目前;定义的是低成本量产电源。用模拟IC控制,反激拓扑,长时间工作。
目前;还没有样片信息,没法导入。
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:05:32
 
开始的时候最好不要长期的老化,如果设计不好,会损坏板子
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-8 16:48:57
 
48V的充电器感兴趣
向许工了解下,如一个48V50AH的锂电池,如果已放电到31V低电状态,用你这个规格的充电器充电,需要多长时间?

xkw1cn
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  • 2014-10-8 17:36:29
 
这个电源;目前定在3A,50AH大约需要20小时充满。
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-8 18:05:56
 
是怎样计算的
是否充电电流一直持续在3A,会不会电压差大时电流3A,电压差小时达不到3A
hlp330
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  • 2014-10-8 18:17:58
 
一般都是三段充电的,前面是3A,后面电流会越来越小。
xkw1cn
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  • 2014-10-8 19:46:51
 
这是0.06C微电流充电,等到限压降流阶段;充电量已经达到95%左右了。
按3A算,17小时达到95%,剩3小时充到100%。所以,两段20小时充满。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-8 20:22:52
 
帖子的这种主要适合铅酸还是锂电呢?
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-8 21:20:50
 
了解。
也跟司马兄弟有同样的疑问,锂电与铅酸电池在充电上是否一样
xkw1cn
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  • 2014-10-8 21:54:09
 
用这台充电电源,铅酸和锂电差异大体在10%水平。主要区别在锂电是电池板保护终止充电。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-8 22:29:07
 
不过据说锂电池爆炸几率高于铅酸,有点小恐怖
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-8 22:57:47
 
正好我就有这样一个锂电池,打算做逆变,也在考虑充电问题
司马仲达
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  • 2014-10-8 23:10:12
 
厂家有充电曲线的,现在很多都是4段5段充电了。
xkw1cn
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  • 2014-10-8 23:12:08
 
如果是慢充,就只有两段了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:04:27
 
不是有快充和慢充两种规格的吗?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-10 10:05:32
 
你说的是手机吗?我说的是车载充电机
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-11 23:26:11
 
哦,那只要限制充电电压和 电流就可以了啊
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-5 08:08:18
 
锂电池见过好多炸的了,铅酸电池顶多就是听说过漏液、鼓胀这样的。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-8 22:28:07
 
锂电和铅酸在充电上是不一样的,这个电池厂家都会给出最佳充电曲线图的,这个不用太担心
xkw1cn
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  • 2014-10-8 23:15:30
 
无论多少段,都是近似描述最佳充电曲线。最佳曲线永远都是近似理论值,如果电池组没有冗余力,就不是好的产品。
xkw1cn
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  • 2014-10-8 23:22:11
 
铅酸电池是三段曲线,从阀值和VI关系讲,确实和锂电池差很多。但是,将充电电源看作限压电流源;为带保护板的动力锂电池组充电,且满足不超过0.2C,除了略欠充外,有本质区别吗
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-9 09:14:51
 
我的朋友们充电一般都认为只要是同一个厂家的充电器就可以了,我一般是看看他的充电电流,比我小没关系,大不了充慢一点,大的较多的话我就不干了,我还是比较在意我的钞票的
hlp330
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  • 2014-10-9 09:17:55
 
这个锂电池充电一般是有后级的充电管理部分的,这个不在充电器上面,有些可以做限流的。充电器的充电电流大点,应该也没什么关系的吧,不会是有多少A,就充多少A吧?
xkw1cn
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  • 2014-10-9 09:28:50
 
任何合格的充电器至少有限压限流功能。否则自身都难保
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-9 09:43:32
 
坏到是不会坏东西,但是电流过大了会使电池折寿,就像马路上的快速充电一样,我一次都没用过。
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-9 10:04:31
 
现在高通、英特尔不是出手机快充标准吗,如像你说的电池寿命不是要打节扣
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-9 10:55:13
 
那也是有标准的,在标准范围内的,手机要是随便摸个就充,还有国产的路边摊充电,谁能确定绝对不折寿吗?
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:04:01
 
路边,小店,淘宝,都不正宗的,最好问原始的手机供应商买
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-9 10:56:22
 
好比电解电容一样,不可能让它没限制的输出电流吧。
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-9 11:12:35
 
也就是说,这个电流大到什么比例会对寿命有较大影响。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-9 11:33:55
 
这个就不是我所能想到的了,等电池厂家的结果咯。反正我手机的原则是,只用比我小电流的充电器,最稳妥,尤其是我的小米3,电池和手机是集成一体的,无法拆卸,电池不行了就等于手机坏了,所以我更要倍加小心了。
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-9 11:45:43
 
有道理。。
xkw1cn
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  • 2014-10-9 12:54:50
 
那是,小心使得万年船。
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:03:14
 
一般来说,总是用小的比较安全,使用寿命也长
hwx-555
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  • 2014-10-10 15:09:36
 
用小太慢了。手机,如果一个电池使用2年,每次充电需要2小时,现在每次充1小时,但寿命只到1年,这个时间成本觉得值得。当然是安全范围内,不要爆炸和各种损害。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:27:11
 
你说的这个也包括单体电池电压限制的吧
一花一天堂
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LV8
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  • 2014-10-10 15:03:31
 
用电脑的USB输出充电是不是最安全了呢?
hlp330
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  • 2014-10-10 15:18:00
 
电脑的USB输出电流貌似限制为500mA,这个电流去充电,只怕要急死你了
hwx-555
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  • 2014-10-10 15:23:28
 
在电脑我花4个钟才能充满
一花一天堂
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  • 2014-10-10 15:38:01
 
充电器输出电流和 到手机里面电池的电流,不是同一件事情。外部充电器和手机里面的电
池之间有个DC/DC环节。
搞不清楚司马同学,为什么要用个“小电流”的充电器才敢对他的小米3充点 ~
hlp330
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  • 2014-10-10 15:54:57
 
万一里面的那个DCDC不限流呢?或者限流点很高呢?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-10 15:59:03
 
对,我也想说,只要是电源就会有输入输出的限制,现在国产很多东西质量不靠谱,把人电死的都有,我们也不可能一个一个去研究这东西,也许有人有空有兴趣,但是我没那么多业余时间,所以小心总没错。
梦开始的地方
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LV8
副总工程师
  • 2014-10-11 23:29:49
 
现在的DCDC都不放电容的吧,感觉上有很多人不放电容的也可以做,安全问题在降低成本上还是落伍了点,现在的商家考虑成本是第一位的,比如拿电容的电路去代替有变压器的电路, 都很普遍了
一花一天堂
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LV8
副总工程师
  • 2014-10-10 15:59:56
 
也是,那输入端charger就被CC了 ~
司马仲达
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  • 2014-10-10 15:56:52
 
什么样的DCDC环节
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-9 12:14:26
 
问题在于,快充的电池跟我们现在用的电池是一样的吗?记得有篇文章说一个手机电池,几秒充满,你拿现在的电池充充试试。
xkw1cn
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  • 2014-10-9 12:54:09
 
电池有高低倍率之分。对每种可充电池;都是可以快慢充的,只是充的倍率不同而已。
正因为人们对电池倍率的要求;高容量电池组是用小些电池并联的。如电动汽车电池;号称60Ah,许多是8AH并联获得。这个容量25C都不奇怪。但是;单体60Ah;能到10C已经很牛了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-9 14:53:55
 
我见过单体800AH的电池
xkw1cn
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  • 2014-10-9 14:58:24
 
果然巨无霸。
司马仲达
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  • 2014-10-9 15:00:11
 
是不是就是超级电池,超级电池据说比较猛,充电还是从0起充的,LLC还搞不定它
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-9 18:13:49
 
不是超级电池,是锂电池,直径一米多,厚度大概在几公分的样子,像磨盘
司马仲达
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  • 2014-10-9 18:16:37
 
爆炸起来一定很壮观
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-9 18:28:42
 
没见过,见过100AH的成组电池喷射后的现场。
hlp330
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  • 2014-10-9 18:53:06
 
是铅酸的电池吧?锂电池应该不会这么喷射
hwx-555
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  • 2014-10-9 19:38:40
 
如果是锂电池爆炸将不可设想
ydcman
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  • 2014-10-10 08:30:41
 
上两张图,看看?
司马仲达
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  • 2014-10-10 09:16:21
 


hwx-555
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  • 2014-10-10 09:23:59
 
这台笔记本是电池爆炸的结果?
hlp330
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  • 2014-10-10 09:35:04
 
要是电动车的烧起来更恐怖了,还记得几年前,深圳BYD的电动出租车不?
司马仲达
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  • 2014-10-10 09:44:35
 
是的
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  • 2014-10-10 10:00:07
 
电池的性能和选择上还是需要买一些自己常用的性价比好点的
hwx-555
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  • 2014-10-10 16:26:44
 
IBM也爆
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:31:43
 
电压不准,过流, 也会
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-10 09:43:02
 
锂电池。正常都不会,异常呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-19 15:24:22
 
错了,不是800AH,是500AH,而且最终还要10好几只并联作为一个单体使用
xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:19:31
 
谢谢!收到样品了!不过申请两种只到了一种。看样子得简化任务了。
这次到的是LSD11N70 数据表:
LSD11N70.pdf
xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:33:21
 

xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:43:26
 
由于该数据表只给出了380V5.5A开关延迟典型参数,而反激拓扑的实际开关电压远高于该值。因此;第一项任务是认识和体验该款产品的开关特性。
第一项:认知测试开关特性及雪崩特性。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-10 16:56:50
 
许工,哪天开个帖子,讲讲PDF里各个图表代表的具体含义吧,看不懂啊
xkw1cn
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  • 2014-10-10 17:03:38
 
好!记下了!
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  • 2014-10-21 18:56:34
 
先占个座,许工慢慢来哈。
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  • 2014-10-11 23:33:31
 
MOSFET的电流没有达到平衡, 所以被击穿,是这么理解的吧
xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:21:07
 
龙腾共有两大类12款这个电压电流等级的产品:

xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:23:14
 
从符号定义看,应该是普通体二极管和优化体二极管两种特性管子。不知啥原因;带F后缀的管子无法下载数据表。全做猜测吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-10 16:29:33
 
怎么能看出来是优化体二极管跟普通体二极管?
xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:35:38
 
后缀“F”的是优化二极管MOSFET,猜测恢复速度大体在200~300nS。普通管是450nS;Qrr:3uQ。
xkw1cn
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  • 2014-10-10 16:37:11
 
不知道二极管温度特性如何。现在只一个品种;没得比较了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:34:02
 
测量二极管的属性值,低VF就可
xkw1cn
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  • 2014-10-10 17:02:36
 
任务一:认知测试开关特性及雪崩特性。电路应用数据表第五页底。VDD选用低压限流电源,取消高测开关管。
评:有点晕,数据表不标图号;元件不表元件号。数据表内数据来源没有和后面电路关联。唉!可读性啊!让新手情何以堪。。。
感受:第一次用国产MOSFET;真的有点忐忑。真的希望打开的是中文数据表,。。。我支持外向型企业;更希望龙腾能更好的支持本土企业和工程师,请给我们一份中文数据表吧!我们的母语是中文。Our native language is chinese. 谢谢!
另:大多日本企业有日文和英文两个版本数据表,一般;日文的更详细。国际公司正本土化中;TI和ON的部分数据表已经汉化。而我们的企业怎么了?
hlp330
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  • 2014-10-10 19:13:16
 
测试雪崩特性要悠着点哈,玩坏了后面就要歇菜了
xkw1cn
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  • 2014-10-10 20:17:03
 
我会彘的外焦里嫩。
bei_jxing
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  • 2014-10-11 17:38:42
 
行家一出手就知有没有。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:35:07
 
尽量保证MOS电流稳定,不要被电压击穿就可
xkw1cn
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  • 2014-10-10 20:14:23
 
这些测试的目的有两个:
一,获得可接受的最短关断时间。因是软开关设计,需要用无源器件钳位D-S电压变化率。只有功率管的本真关断轨迹线位于钳位后轨迹上方;功率管才能进入软关断状态。因此;这是必须获得的基本参量。
二,由于ZVSFB拓扑的反压设计比较高,偶然状况会导致MOSFET过电压而雪崩击穿。在电压小冗余设计里,这个指标会影响客户端使用中的失效率。
它是成本效率与失效率三者平衡量。适度雪崩耐量可以容许预留比较小的余度和获得高的效率。
如果有足够器件量,还能分析器件的工艺分散性及稳定度。
xkw1cn
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  • 2014-10-10 20:18:15
 
因此,这是导入陌生器件的第一步,也是后续设计的依据。
hlp330
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  • 2014-10-10 20:31:43
 
对于第一点的软关断有点不理解,目前为止只见过BUCK连续模式的续流管可以零电压关断,其他的一般都是软开通。ZVS或者ZCS,但是这个软关断究竟是如何用无缘器件实现的?
xkw1cn
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  • 2014-10-10 20:41:52
 
最简单和常见的方法,就是在D和功率热地间接一电容。电容能很好的限制电压变化率。当DS电压建立前,MOSFET沟道实现关闭,功率管承受的VI积近似为0。这就是软关断。
ZVS是零电压关断的E文缩写,ZCS是零电流关断的E文缩写。
hlp330
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  • 2014-10-10 21:08:11
 
这种关断方法是把双刃剑,单纯从效率上看得不偿失啊。高压MOSFET只怕关断速度都不快不了。
还有一个问题啊,你确定ZVS和ZCS不是 zero voltage start 和zero current start 的缩写?
xkw1cn
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  • 2014-10-10 21:25:45
 
“S”是switch的缩写。 MOSFET的漏极电压和开关速度是两回事,电流为“零”即为关断。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:40:35
 
输入电阻高,栅源极间电容小, 就会发生异常, 看一个资料里说,降低MOS导通电阻在同步整流里很重要,门极电压高也不好,二开关速度和Cin充放电有关系,和频率也有关系。总觉得在这里关系搞不好就容易产生雪崩。
司马仲达
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  • 2014-10-10 21:58:15
 
普通BUCK连续模式的续流管可以零电压关断吗?
hlp330
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  • 2014-10-10 22:02:32
 
有点负压了,近似零电压的。让二极管挺一会就行了。
司马仲达
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  • 2014-10-11 09:41:25
 
嗯,BUCK的二极管要不要并RC吸收的,还是看电压和功率来分一般并不并?
hlp330
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  • 2014-10-11 09:48:48
 
这个主要看你的二极管的电压应力波形吧,如果没有什么尖峰或者震荡,完全没必要加啊
xkw1cn
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  • 2014-10-11 09:56:40
 
是啊;RC只不过将部分电应力转移到R上了。
司马仲达
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  • 2014-10-11 10:08:18
 
加了RC,会不会导致二极管电流应力峰值更大呢,因为RC有个振荡
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-11 10:09:30
 
加RC后,震荡峰值降低。怎么会应力更大?
司马仲达
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  • 2014-10-11 10:11:23
 
从波形上看,电压是降低,电流也降低,如果RC不是很合适,比如C大了或者R大了?因为我现在一个次级整流管也是并RC的,电压应力余量还很多,26A的管子出10A,但是老是坏。
xkw1cn
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  • 2014-10-11 10:16:29
 
那是应为你给dV/dt太大了,造成局部过热损坏。二极管上套磁环;可以缓解这个问题,但是磁环可能会很热。建议换好东西吧。
你现在的MOSFET就是体二极管问题而变好了。原来的管子多快驱动都不行。
司马仲达
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  • 2014-10-11 10:22:55
 
磁环,我手上没有,小公司你懂的……磁珠我输出180V,估计也没用,你是说换次级二极管吗,有何推荐,比如说,次级二极管的哪个参数要提高
关于MOS体二极管的问题,其实我还是没想通,我觉得有半个周期给体二极管恢复呢,感觉这个参数是不是不太重要啊
您之前说的 大功率IGBT驱动不要用工频变压器因为C大的论点,确实是对的,可能是我之前那个电源的参数运气好没有出问题,工频变压器确实是需要避免使用的,大部分时候还是会出问题的,昨天已经得到实践证实了
xkw1cn
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  • 2014-10-11 10:50:03
 
输出多少伏?
司马仲达
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  • 2014-10-11 11:20:50
 
180V最大
xkw1cn
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  • 2014-10-11 11:33:53
 
600V是否够用?多大电流?
司马仲达
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  • 2014-10-11 11:46:41
 
次级两个整流管的波形是这样的,这是输入300VDC的,以后还有考虑宽范围,所以最好还是1200V的 输出电流20A
我感觉重合部分应该是占空比丢失时间,结果测初级对次级发现不是,移相全桥




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  • 2014-10-11 14:55:57
 
STTH3010或者STTH3012
75nS30A1000、1200V
STTH3010.pdf
司马仲达
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  • 2014-10-11 15:47:11
 
好的,谢谢老大,我看看
司马仲达
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  • 2014-10-11 16:13:27
 
嗯,电流大,电容小,热阻低,居家旅行必备良药
梦开始的地方
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还要门极电压低,防止脉冲尖刺
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-11 15:17:04
 
你输入电压变化范围多少?500V输出也不过用1200V的二极管。你180V输出用1200的?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-11 15:46:44
 
现在220输入时,次级整流管已经超过600V了,满载265V输入时肯定更惨,移相全桥尖峰不好吸收,马上变压器匝比还要升,现在是4:3的,马上变成1:1的。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-11 16:16:25
 
4kw,单相输入不带PFC,你输入造了多少电容?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-11 16:19:30
 
我输入应该3700W 220VAC的话 1500UF。宽范围人家会降额功率使用,所以输入电解电容可以就按220设计
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-11 17:07:01
 
好好算算纹波电流,别到时候电容先挂了。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-11 17:10:48
 
很有道理!!谢谢提醒!!
司马仲达
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总工程师
  • 2014-10-11 17:24:03
 
伟大的王工,请看我140楼次级二极管的电压波形图,此时输出电压142V 输入300V 变压器匝比4:3 ,为嘛二极管电压这么多? 300*3/4=225 。 142/0.8=177.5 225+177.5=402.5
移相全桥。
而且 我认为两个次级二极管一起导通的时间就是占空比丢失啊,图上大约2us,但是我测初级对次级,看占空比丢失小于1us
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:42:34
 
用低VF不就好了,至于多用一个二极管也可以,有的时候用2个低VF的更好
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-13 10:53:48
 
1、你图上一格多少伏?
2、次级两个二极管一起导通的时间?你次级用的什么整流方式还能一起导通?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-11 17:41:11
 
如果有足够器件量,还能分析器件的工艺分散性及稳定度。
这个分析的机理是什么,还请楼主赐教。
xkw1cn
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  • 2014-10-11 19:53:26
 
通过测试同批次与不同批次管子Vth,Rdson,Vds。。。。等等,用数据统计手段计算方差及泊松系数。这些值反应了工艺特征及稳定度。
同样方式统计不同厂家产品,就能横向比较相对质量了。
这个参数不只是质量比较,也是设计冗余依据及产品考核的边界条件。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:43:29
 
这样测试起来还是很麻烦的,抽查一定数量,如果都差不多就可以了
b44d55
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  • 2014-10-15 10:14:57
 
在一些批量测试中, 是不是针对每一个项目都会有一批的产品去进行测试, 这样不是要消耗很多的产品了吗, 也有人说, 测试要尽量往坏里测试,那如果查都不合格, 那损坏率就老高了
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-11 17:37:33
 
楼主一看就是行家,
开关特性和雪崩特性 很重要的参数,开关特性直接关系到EMI和功耗; 雪崩直接关系到可靠性;不知楼主怎么评测开关特性和雪崩特性 ?
数据表确实有待改进,要以客户需求为中心;龙腾的应该可以看到你的帖子,希望改进。

xkw1cn
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  • 2014-10-11 19:55:48
 
但愿他们能正面看待这个问题。。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:46:19
 
功率MOS反向偏置时,受电气量变化的作用,功率MOS内部载流子容易发生雪崩, 只要防止大电流和高压就可以了, 要么在通电前先做个仿真,看看是不是会有这样的情况发生
b44d55
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  • 2014-10-15 10:16:59
 
有一个疑问, 在做好设计后, 一个方法是看波形, 另一个是做仿真, 这2个方法哪个更好呢, 偶然尝试了一下, 觉得仿真还不如一些专门的小软件更直接的了解数据, 而看波形看不懂也是白看
hlp330
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  • 2014-10-15 10:21:12
 
设计之后再去仿真的话,就有点晚了啊。一般情况下,仿真都是在设计开始之前,验证你需要设
计的电阻的可靠性以及是否存在问题。防患于未然。看波形,只怕要等你的产品都出来以后才能看了吧
xkw1cn
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  • 2014-10-11 22:07:08
 
测试波形:


注:黄线为电流波形,0.5ohm测量电阻电压获得。
hlp330
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  • 2014-10-11 23:26:44
 
这个是雪崩测试?
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:47:29
 
有人也可以用电感来进行雪崩测试
xkw1cn
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  • 2014-10-12 13:25:11
 
是的,1mH电感测试。
xkw1cn
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  • 2014-10-12 21:44:27
 
雪崩测试电路见数据表第五页底部。雪崩量是个能量函数,电压/电流波形是典型狄拉克函数。测试电流不同雪崩耐量不同。
b44d55
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  • 2014-10-15 10:20:57
 
只要不超过雪崩承受的限额, 就可以了吗,


xkw1cn
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  • 2014-10-21 19:34:49
 
对三极管而言,是二次击穿限制。
xkw1cn
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  • 2014-10-12 21:41:14
 
已经有测试波形,各位网友,这个波形反应了哪些参数?
hlp330
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  • 2014-10-12 21:58:33
 
雪崩电压平台貌似是650V?能量可以计算一下,不知道管子有没有坏。
xkw1cn
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  • 2014-10-12 22:09:32
 
管子挺皮实,一直很好。只是只有5只样品,只能一只用于雪崩测试。
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  • 2014-10-13 21:22:39
 
如果这一个进行测试失败,另外4个就不能再进行测试了
xkw1cn
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  • 2014-10-13 21:57:06
 
这颗管子;就是用于往坏里测,获得极限参考值。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:35:38
 
懂了,但是如果要测试几个项目,但是第一次就坏了,怎么办呢
b44d55
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  • 2014-10-15 10:21:41
 
如果产品不够多, 只好先自己找找原因了
xkw1cn
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  • 2014-10-13 09:31:15
 
这些图是一个测试项的四个不同时轴图。
从图中可以读出:
1)这个MOSFET关断延时(从接受信号到开始关断)大约40nS,阻断建立时间为30nS。
2)Vds耐压越720V,击穿维持电压为630V。
hlp330
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  • 2014-10-13 10:08:34
 
从上面图有个问题啊,很明显MOSFET关断后,电流下降到快到0了,但是一会后,电流又上升起来了
?这个是什么原因?莫非你的电感和MOSFET的电容震荡起来了,这个测试方法得出的雪崩能量和对MOSFET施加连续的雪崩电流,是否有差异呢?


xkw1cn
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  • 2014-10-13 12:05:26
 
到零?没有此时400mA。振荡有两部分。
梦开始的地方
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  • 2014-10-13 21:21:51
 
下面的这根红线就是400 MA吧
xkw1cn
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  • 2014-10-13 21:52:20
 
左侧“1”指示为“0”。用0.5ohm换算后;谷值电流为200mV/0.5=0.4A
b44d55
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  • 2014-10-15 10:22:55
 
最低400mA这个数字怎么计算出来的, 电路里的什么元件的影响
bei_jxing
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  • 2014-10-13 17:42:46
 
示波器图片数字看的不是很清楚,能否导入U盘贴出来?
电流波形怎么振荡原因是什么呢?
xkw1cn
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  • 2014-10-13 20:46:07
 
示波器的差异。。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-13 21:20:52
 
换个示波器波形就圆滑了 ?
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  • 2014-10-13 21:34:10
 
不是变圆;而是被插值。。。
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  • 2014-10-13 21:16:38
 
示波器/探头升级后的波形:


测试电感:1.7mH
1CH:电流
2CH:漏极电压
4CH:栅源电压
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  • 2014-10-13 21:19:51
 

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  • 2014-10-13 21:21:18
 

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  • 2014-10-13 21:25:56
 
器件在此测试下失效,G-S短路:

hlp330
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  • 2014-10-13 21:34:20
 
雪崩做多了,管子扛不住了,示波器升级了,管子也待升级。
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  • 2014-10-13 21:40:23
 
MOSFET在重复雪崩耐量下;可以无限次崩。
这是做的是极限耐量。开关时间比大于1:10000。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 21:43:25
 
从升级后的波形看,该管耐压750V,二次击穿电压700V。
驱动延时50nS,阻断建立时间50nS。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:37:35
 
管子的额定数据不是在资料里应该都写了的吗
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  • 2014-10-13 21:49:22
 
DS自由震荡周期为450nSX4=1.8uS
换算得Coss=49pF
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  • 2014-10-13 21:55:12
 
不重复极限雪崩耐量为1209uJ/1.2A,Rg=10om
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:02:19
 
从结果看;和数据表差异蛮大的。CoolMOS的雪崩特性与传统MOSFET有一些差异。
hlp330
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  • 2014-10-13 22:09:16
 
CoolMOS不止雪崩特性,连耐冲击电流的能力好像都比普通的MOSFET要差一些。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:12:57
 
是的;从测试结果看,耐受力要弱于传统管。但是;从横向比,这个现象和英飞凌C3系列很接近。作为国产管,给予鼓励!
hlp330
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  • 2014-10-13 22:16:16
 
说到C3的MOSFET,前几天正好和英飞凌的FAE聊过一下,说到他们的C3系列基本上已经停产了
。现在替代的品种都上市好久了,看来国产的MOSFET最近确实进步很快,但是和国外的大厂
比起来还是有差距的。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:21:58
 
是的,确实进步很快。由于国内厂家都是租线代工,很大限制了工艺稳定一致性。有设计也做不出或成品率低。
他们还处在初始阶段。只有拥有自己的完整工艺及流片线,才能有话语权。
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-14 11:43:44
 
楼主说出本质的问题,完整工艺线和流片线那可需要不是一点钱,这行业是资金和技术密集型;
不过要做出一流产品,必须要有自己的工艺线和流片线,好产品是反复流片,反复修正;反复测试,没有积累很难。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:42:09
 
主要还是设计合理,好的工艺线,好的老化线,好的管理,好的量产检测,好的包装,至于最初的元件选择其实也很重要,就比如MOS管就是重点,除了设计用的对以外本身还要考虑到额定电流和热要求等性能
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:09:04
 
依次;反激变压器可接受的极限漏感为67uH/6A。冗余系数取3,得工程可用漏感值为21uH。
hlp330
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  • 2014-10-13 22:38:59
 
有两个问题实在是不太明白啊:
1.DS自由振荡周期指的是什么(450ns*4)?如何根据这个可以得出COSS的电容值呢?
2.这个变压器的极限漏感又是指的是什么?冗余系数指的是什么东西啊?
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:49:41
 
首先,当电感能量释放完瞬间,MOSFET的DS电容被充到最高电压和电感电流为零。从此时开始,测试电感和DS电容开始二介自由震荡。
我们现在看到的是1/4周期,所以,整周期为现下降沿的四倍。所以,是450nSx4
其次,二介网络周期T=6.28x(LC)^0.5。按此即能算出Coss。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 22:52:38
 
至于漏感冗余是在极限状况下,变压器施加道MOSFET的最大雪崩能量与实际耐受里比。
hlp330
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  • 2014-10-13 23:07:00
 
了解了,这个是老装备测试的波形数据吧,新装备貌似还没来得及自由振荡就挂了。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 23:11:40
 
新装备新数据。老装备只到1A。
xkw1cn
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  • 2014-10-13 23:12:37
 
用新装备测的极限。
司马仲达
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  • 2014-10-14 09:12:34
 
新装备是多少G多少M的示波器测的?
xkw1cn
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  • 2014-10-14 09:16:02
 
2.5G/500MHz/CH 配500MHz高压探头。
hlp330
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  • 2014-10-14 12:35:46
 
,500M的高压探头都用上了,银子很足啊
xkw1cn
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  • 2014-10-14 15:45:39
 
没办法;电压超600V了。普通探头误差太大。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 16:15:31
 
许工,问题又来了,还是MOS管的,
我用MOS管做电子开关用作锂电池短路保护,按照常识来说,速度越快开关损耗越小,开关管越安全,可我用10欧姆驱动电阻快速关断,不行老坏,我换成300欧姆,反而没问题了,WHY?
hlp330
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  • 2014-10-14 16:39:32
 
莫非是电池到控制板的引线太长?存在引线电感,导致高速开关的时候,L*DI/DT,超过MOSFET
的应力。我现在也做短路试验,1m长的引线,测试电压震荡的很厉害。直接DSP都挂了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 16:43:12
 
测试过DS两端电压,没有问题,因为如果是你说的问题,我过流不延时关断应该也会损坏,而目前的情况是,过流不延时不坏,延时100uS也不坏,延时150US,那就不行。
如果不改关断速度,延时50US也不行。
hlp330
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  • 2014-10-14 16:52:38
 
那应该不是VDS应力的问题了,有电流探头的话可以测试下电流的波形,找找差异。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 17:01:55
 
都测过,只是持续时间的问题。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 16:53:18
 
不过流关断;有时仍然非常危险。前面雪崩只1.2A就把标称11A的管子搞挂了
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:46:55
 
雪崩之前是没设计好才会出现这种情况吗,雪崩二极管不就是起这个作用的吗,像这种开关特性好,速度快、工作频率高;虽然热稳定性差。但用在一些开关电路或高频振荡等电路里还是可以的,像这种测试最怕出现这种异常,能有办法防止最好先提防啊
司马仲达
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  • 2014-10-14 22:49:36
 
做这个大电流的雪崩,PCB板子按照1mm有效值1A设计的话会不会有点不靠谱?把PCB线冲断了,做测试板,长期这么搞。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 23:53:25
 
雪崩不是因未设计好的原因造成的。这个指标是设计需用的可靠性参数指标。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 16:54:46
 
测试短路用1m?太便宜管子了。缩到5cm可以考虑。
b44d55
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  • 2014-10-16 11:45:20
 
考虑的是电阻这个参数吗
xkw1cn
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  • 2014-10-14 16:51:26
 
MOSFET雪崩耐量不够用了。引线如电感,关的快了;线上能量全给雪崩加上了。
用大电阻驱动;开关速度慢,能量被沟漕吸收,雪崩承受少很多,管子就安全些。如果可能,建议米勒区时间控制在75~300uS级别。
hlp330
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  • 2014-10-14 16:53:51
 
有点疑问,VDS应力都在规格内,应该没有到雪崩区吧?热累积损坏的可能性很大。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 16:57:19
 
应力大小得看波形。供电电压和电流不超,不一定应力不超。
其实;前面的雪崩测试供电电压最高只30V
一般;非重复测试不大可能热积累。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 17:01:25
 
是,我这边测试如果第一次短路测试OK,延时个3、5分钟再测试也没事,但如果连续做两次,第二次就坏了。。。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:29:16
 
30V是不是处在反向工作区啊,随着电压VDS增加,增加到接近于对应稳压管的钳位电压,VDS的电压就增加,这个时候MOS就是工作于雪崩区,加上温度失去平衡,电流通过雪崩区,雪崩电压就升高了, 是这样理解吧
xkw1cn
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  • 2014-10-14 23:57:45
 
不完全是。就这颗管子讲,击穿后;耐压由750V降落到700V且一直维持到击穿结束。
一花一天堂
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  • 2014-10-14 16:54:26
 
关于雪崩耐量请许工帮扫盲下~
线上能量全给雪崩加上了,如何理解?
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:04:32
 
前面测试说明;Coss通常很小。这样;电感里的能量将全部释放到MOSFET上;消耗掉。
由于电感伏秒守恒,所以;施加到MOSFET上的能量是狄拉克函数。即能量总值一定(V-I包绕面积一定)电压幅值随MOSFET击穿残余电压而变,时间遵守伏秒平衡。
因此;无论MOSFET是啥样的,只要电流电感量确定;施加到管子上的能量就是一定的。
由于瞬态热阻及PN节均匀度关系,对于同一只管子;不同测试电流的雪崩耐量不同。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 17:09:00
 
我不知道我理解的对不对。
从我测试的波形来看,我用的150V的MOS管,在驱动电压关断后,MOS管DS电压上升到170V多持续75uS左右,然后降低到电池电压,这个时间应该就是雪崩时间吧?我改变驱动下降时间变长,这个时间会变化吗?
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:16:02
 
的确雪崩了。改变驱动;会有影响。影响程度由栅电阻大小决定。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:23:37
 
我看过一个资料,说是有那种防止崩的电路,像这种电路不知道是不是可以加在电路里用呢,这种叫抗雪崩能力测试电路,不知道能不能参考,看看也好的,尽量避免温度和能量的升高

xkw1cn
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  • 2014-10-14 23:40:45
 
这是雪崩侧试线路,并无抑制雪崩能力。
雪崩是MOSFET具有到一个本事,数据表也给出了额定量,它是可用指标。只要不超即可。
b44d55
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  • 2014-10-15 15:31:03
 
MOSFET的雪崩击穿常在高压、大电流时发生,不存在局部热点的作用;其安全工作范围也不受脉冲宽度的影响, 只要不超过雪崩的限制参数, 一般不会有问题的, 另外还有温度也要在范围以内
一花一天堂
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  • 2014-10-14 17:11:27
 
还是保持王工的快关断的条件:在DS间并联个电容如何?
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:19:17
 
电容是双刃剑;开通有可能搞挂功率管。这需要计算测试。
一花一天堂
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  • 2014-10-14 17:22:10
 
谢谢 ~
司马仲达
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  • 2014-10-14 19:50:12
 
一个级别的电解电容生产商Irms是不是差不是太多,今天看了个450V 470UF的 是1.3A左右
hlp330
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  • 2014-10-14 19:59:00
 
电解电容要按照系列来分,就像红宝石的,你看他的目录,就分别写着长寿命,大纹波电流,LOW ESR等好几个系列,当然也有些交叉。一般来说同一级别,不同系列的电解的差异还是很大的。
司马仲达
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  • 2014-10-14 20:14:52
 
这样啊,我目前用的电解电容没找到厂家给的手册,摸出了另一本来……
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:20:14
 
电解电容的目录应该有很多吧,你如果有经常联系的供应商,可以问他们要一本目录的,以前我收到很多广告的时候,里面也有大量的目录,去电子市场跑一次就有了
b44d55
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  • 2014-10-15 15:25:16
 
标准品铝电解电容器

b44d55
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  • 2014-10-15 15:28:32
 
另外再附一张, 具体的表在一些连接里可以查的到, 每个工厂都差不多


YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 16:59:44
 
关断米勒控制在75-300US?我现在从15V下降到0V在15us左右,短路电流1000A啊,电池电压100V,这么长的时间可以吗?
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:06:38
 
不会关断1000A吧。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:08:21
 
这是当电子保险还是负载开关?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 17:10:01
 
就是短路保护,短路电流1000A多啊。
xkw1cn
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  • 2014-10-14 17:18:08
 
如果短路保护,电路会有变化,不能简单的用功率管断开。至少应该保持栅电阻能不太小;在栅-漏并一稳压管胎栅钳位。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:17:35
 
1000A的话, 这说明开关很大啊
xkw1cn
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  • 2014-10-14 22:20:09
 
是的,需要大约掌心那么大地方。
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:55:05
 
看到你以前说的IRLB3036了还有人说,NCE75H35T ,75V 350A, 说这个耐冲击电流1280A,那么现在所说的1000A是说这个350A还是指1280A这个数值呢, 应该是后面这个吧
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:56:19
 
就是这个数值, 看看是这个1100A吗

xkw1cn
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  • 2014-10-14 23:43:29
 
哪个都不是。王公应用不适合套用这个指标。
司马仲达
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  • 2014-10-15 12:50:22
 
请问一下,批产,1mm走线最多过多少A电流合适,考虑雷击,静电等各种实验
hlp330
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  • 2014-10-15 13:07:46
 
铜厚是多少?雷击也要考虑进去?
司马仲达
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  • 2014-10-15 13:43:39
 
1OZ,如果2OZ呢 我在考虑用厚的铜箔。不知道要不要考虑进去啊,有人说选小了打雷就打坏了
b44d55
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  • 2014-10-15 15:18:00
 
真不敢想象, 你又想要防止打雷又要节约成本, 好象不大可能吧, 至少也要做到2OZ,如果非要做1OZ,那么PCB板用的是什么材质的, 上焊锡又上了多少, 板上有没有散热孔, 等等
hlp330
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  • 2014-10-15 15:37:51
 
我们设计的时候,都是按照一盎司的厚度,1mm走1A的电流来做的,一般可以控制温升在10度
以内。打雷的问题,那毕竟是个短时间的过程,和脉冲宽度有关系,设计的时候能宽就尽量宽吧
司马仲达
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  • 2014-10-15 15:49:04
 
1mm 2A试过没?
hlp330
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  • 2014-10-15 15:53:14
 
当然用过,一般是实在挤不出来,没办法。再有一个,就是长度很短。
司马仲达
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  • 2014-10-15 16:13:41
 
很短是少于2cm?3cm?5cm?过2A有何弊病吗,比如不良率,寿命?
b44d55
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  • 2014-10-15 16:21:59
 
看我前面的回答, 好象2.3A就是最高的, 但我不知道如果超过了会怎样, 寿命肯定会影响吧, 毕竟板子受不了,但是不良率这个东西很难说的, 等你量产完了一段时间, 也不会出问题
hlp330
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  • 2014-10-15 16:23:15
 
这个主要是经验值,内层外层都不一样,没什么标准。最主要的当然是温升了。温升过高带来的
坏处就不说了,太多了。想起了EMI部分X电容的挤流功能,那一小段也是够细的,貌似也没啥问题
司马仲达
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  • 2014-10-15 16:28:48
 
好的,我明白了,还是尽量1A搞吧
b44d55
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  • 2014-10-16 11:43:33
 
我在想, 会不会因为这个电流过大, 就通过不了EMI呢, 似乎没什么联系吧, 1OZ铜厚通过1A电流,温升较低.PCB板的散热比铜电线或变压器绕组要好得多,PCB上的铜箔电流密度:20A-30A/mm2, 我想最多是引起什么干扰
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  • 2014-10-15 15:19:54
 
PCB通过电流的能力与线宽和铜箔厚度, 有时候按照盎司来计算,也就是1平方米的覆铜板上的铜的质量,常见的有0.5oz,1oz,2oz,3oz,对应的铜箔厚度分别是18um,35um,70um,105um;现实中如果不说明,默认值是0.5oz,也就是18um
b44d55
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LV8
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  • 2014-10-15 15:20:47
 
理论上,1oz电路板,1mm线宽的导线在通过2.3A的电流时,温升会达到10摄氏度。对于1oz的印制板,1mm线宽通过电流的经验值约为1A。但不是说2mm,1oz或1mm,2oz的板就能走2A的电流
司马仲达
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  • 2014-10-15 18:14:50
 
我现在就想1mm走2A,怕出问题
xkw1cn
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版主
  • 2014-10-15 19:30:42
 
主要是温升问题,短的1mm宽线不会有问题。
司马仲达
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  • 2014-10-15 19:54:23
 
其实我以前试过长期1mm 5-6A温升都小于30度 选的是一个反激板子上最长的一根1mm宽 以及2mm宽的走线做的实验
hlp330
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版主
  • 2014-10-15 20:40:41
 
,几盎司的铜啊?
司马仲达
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  • 2014-10-15 20:46:06
 
1OZ的铜,就是一个反激板子上做了一个实验
b44d55
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  • 2014-10-16 11:26:39
 
那你就是用最小的情况走最大的电流了, 送你个计算器看看吧
http://circuitcalculator.com/wordpress/2006/01/31/pcb-trace-width-calculator/

如果温度很低的话, 那你走几A好了, 看这个粗和细, 感觉也不一样啊




b44d55
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  • 2014-10-16 11:28:08
 
基本的计算方法:
算宽度先计算Track的截面积,大部分PCB的铜箔厚度为35um(不确定的话可以问PCB厂家)它乘上线宽就是截面积,注意换算成平方毫米。 有一个电流密度经验值,为15~25安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。
I=KT0.44A0.75 (K为修正系数,一般覆铜线在内层时取0.024,在外层时取0.048
T为最大温升,单位为摄氏度(铜的熔点是1060℃)
A为覆铜截面积,单位为平方MIL(不是毫米mm,注意是square mil.)
I为容许的最大电流,单位为安培(amp)
一般 10mil=0.010inch=0.254可为 1A,250MIL=6.35mm, 为 8.3A
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  • 2014-10-16 11:29:24
 
具体有个表:
PCB走线宽度和电流关系
不同厚度不同宽度的铜箔的载流量见下表:
铜皮厚度35um 铜皮厚度50um 铜皮厚度70um 铜皮t=10 铜皮t=10 铜皮t=10
电流A 宽度mm 电流A 宽度mm 电流A 宽度mm
6.00 2.50 5.10 2.50 4.50 2.50
5.10 2.00 4.30 2.00 4.00 2.00
4.20 1.50 3.50 1.50 3.20 1.50
3.60 1.20 3.00 1.20 2 .70 1.20
3.20 1.00 2.60 1.00 2.30 1.00
2.80 0.80 2.40 0.80 2.00 0.80
2.30 0.60 1.90 0.60 1.60 0.60
2.00 0.50 1.70 0.50 1.35 0.50
1.70 0.40 1.35 0.40 1.10 0.40
1.30 0.30 1.10 0.30 0.80 0.30
0.90 0.20 0.70 0.20 0.55 0.20
0.70 0.15 0.50 0.15 0.20 0.15
司马仲达
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  • 2014-10-16 13:42:09