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【龙腾DIY】无PFC反激,G8875推11N65 MOS加PQ3220 加1004 挑战100W【完结】

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tingting2013
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  • 2014-10-8 11:01:11
要求: 输出55V 1.8A 效率90%以上, , ,
无PFC 一级半的反激电源。
变压器PQ3220。 OCP:1.5倍以内。
相对其它要求,,想必大家都知到啊,认证啊,,啥的,,一大把,,小弟不一个个写了。。大家做电源的都懂的。


其实吧,早就是这样想的了,发表一下,让各路大神给小弟提下意见,现可以申请超结MOS,刚好自己对这方面也有一定的了解,相对来说还可以吧。


OK ,,,,话不多说,,来张原理图先,,,,后面根据时间来更新,,大家都懂的,毕竟公司产品,要自己开案的。。。



希望并感谢大家继续支持。
完结作品,已邮寄给论坛 21世纪电源网


hlp330
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版主
  • 2014-10-8 11:04:53
 
100W不加PFC?如何认证啊
tingting2013
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LV8
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  • 2014-10-8 11:06:59
 
认证嘛,,客人有跟我说过,但是他要求不加,因为是内置的POE 他可能考虑在内了吧。/
admin
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管理员
  • 2014-10-8 11:10:33
 
龙腾样片收到了吗
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-10-8 13:30:43
 
还没有,不过MOS嘛,都差不多,超结MOS跟coolmos性质上是差不多的。。。你的收到了吗?
tingting2013
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  • 2014-10-15 09:30:29
 
我已收到样品,,,不过是11N65的。。。。
long223350
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本网技师
  • 2014-11-3 13:21:10
 
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b44d55
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  • 2014-12-1 16:32:28
 
你原来是想用多大的MOS ? 选择原因是什么
tingting2013
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  • 2014-12-7 23:35:21
 
我原来打算用7N的MOS来战!!!申请的时候点为11N的了!!
孤星灵月
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高级工程师
  • 2014-12-8 08:11:13
 
100W用7N不热死???
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-12-8 10:09:30
 
有加一个大的散热片,,只是想挑战看看
b44d55
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副总工程师
  • 2014-12-11 14:05:31
  • 倒数8
 
目前用11N,+散热片,温度对比一下, 看看有多少差别
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-12-11 17:53:40
  • 倒数7
 
我手上没有7N的样品啊,,,申请的时候只申请了11N的!!你手上有没有》?
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:33:41
 
但是,你这样的话,怎么通过规定的测试呢
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-10-15 09:29:50
 
主要是内置的电源吧,现在客户要求不开PFC,也没有办法加,这个大家做工程的都懂的,成本嘛。。。
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 17:58:56
 
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long223349
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  • 2014-11-2 17:59:25
 
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qq80644864
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  • 2014-10-8 13:48:31
 
请教下什么是1级半?
tingting2013
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  • 2014-10-8 16:20:34
 
额,,,属于地方语吧,,就是高压整流前,,,两电一容。。
hlp330
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  • 2014-10-8 16:25:34
 
看你原理图,EMI部分采用了两极共模哦
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:11:06
 
这只是电路嘛,,想我比较多,有加入上去,,,实际上就是两电感,一电容。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:57:48
 
也就起到一个滤波作用吧,还要看电感的绕制参数, 磁芯材质什么的
鸡腿
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  • 2014-10-8 16:39:03
 
你是说IC的VH脚吗?这个脚是否为平衡过流点作用的?
鸡腿
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  • 2014-10-8 16:39:54
 
你框框里的C 7,C14是搞嘛用的?
hlp330
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  • 2014-10-8 16:53:38
 
高频的陶瓷电容,以前也加过,可以吸收高频噪声,对EMI的某些频段有好处。
鸡腿
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  • 2014-10-8 17:30:15
 
速度记入我的笔记本
qq80644864
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  • 2014-10-8 20:29:49
 
鸡腿
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  • 2014-10-9 08:19:49
 
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 00:00:39
 
我知道这个,就是介电常数高,介质损耗低,温度系数范围大,
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:48:13
 
温度这方面也要从具体的布积来考虑吧,,,,
tingting2013
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  • 2014-10-15 09:31:48
 
呵呵,,,这玩意用来整理EMI EMC方面的,,,,
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:36:31
 
从电路上看,做的还是很复杂的,有些地方也考虑到了分流分压
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:11:47
 
有些地方,就算是实际上不用,也要考虑到吧。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 00:02:08
 
是的, 有些多加的小电容, 看起来作用不大,但有时也会影响到滤波或者安全之类
tingting2013
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  • 2014-10-17 09:35:32
 
是的,相对来说会影响到EMC这方面的比较多.
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:16:25
 
经过计算,,变压器已计算出来,晚点传上图来,,,400UH PQ3220 大家都懂的,,晚点上传。。



CAD的,,有点模糊,,不好意思啊。
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 00:03:24
 
变压器制作上, 选用PQ的总是有优势啊,就是绕线不方便
hlp330
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  • 2014-10-12 09:28:34
 
说说看,PQ的优势在什么地方啊?
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:24:50
 
比如,功率可以做的大,成本低,等
hlp330
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  • 2014-10-12 11:34:11
 
PQ磁芯的成本低?是否有依据?例如和EE系列?RM系列的比起来?
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:48:48
 
这个怎么比呢,比如PQ2620和EE25来对比吗
hlp330
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  • 2014-10-12 11:56:29
 
你可以说说PQ2620和EE哪个尺寸的价格差不多,就知道有没有成本优势了
qq80644864
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  • 2014-10-12 12:44:23
 
EE的磁芯最便宜了
tingting2013
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  • 2014-10-13 13:40:52
 
这个要考虑到其它方面的,比如说温度啥的。。
qq80644864
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  • 2014-10-13 13:52:02
 
EE的温度不比PQ的差的,其他方面PQ的优势大了,例如EMI和磁利用方面
hlp330
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  • 2014-10-13 13:57:12
 
EE的还有一个优势哦,就是几付磁芯可以直接并联,做功率扩展,这种方法在大功率电源上使用
较多。还有一个小有点,手工绕线的话,EE的绕起来相当的方便,环形的PQ系列就差远了。
tingting2013
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  • 2014-10-13 14:01:21
 
有效的截心面都要考虑的。
hlp330
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  • 2014-10-13 14:07:31
 
EE的缺点也是很多的,EMC差,体积大,截面积小,等。。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:05:37
 
同样磁材,气隙位置不同,既使气隙大小相同,变压器的性能是存在少许区别的,如频率越高,区别就会越明显,用什么样的磁芯取决于你的产品设计需求, 但我怎么看都觉得PQ的好,但是对小功率来说不常用
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:08:19
 
从另外来说,PQ型的变压器, 属于高频类变压器,比如:PQ20、PQ26、PQ32、PQ40、PQ50等,主要用于大功率充电器,大功率开关电源,同样材质和气隙,绕组匝数、线径和绕线形式都会影响它的电感量
qq80644864
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  • 2014-10-15 00:15:38
 
所谓的PQ,EE,EFD等都是外观而已。。。不能说PQ就是高频
shanying0000
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高级工程师
  • 2014-10-15 11:02:14
 
这个我不赞同,EE窗口面积大,绕线方便,大功率的比如电力电源,绝对使用EE。
PQ和EE相比呢,慈心中柱面积大,假如需要做储能式的磁性元件,在相同的电感量条件下,PQ气隙要小,漏慈就会小,利于抗干扰,利于EMI。
和频率相关的主要是磁芯材料,还有实际设计时候的B值。
选取磁芯都是有依据的,首先就是成本,其次电气性能。
各种型号磁芯各有优缺点,存在都是有意义的。
b44d55
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  • 2014-11-28 18:07:23
 
说的很有道理, 要不是要求不高, 还真的去会认真挑选一下每个设计最适合的磁芯骨架, 现在的变压器选择上,大家首先考虑的都是尺寸大小频率和成本, 还有最适合自己设计
tingting2013
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  • 2014-10-13 14:05:45
 
现已收到龙腾寄过来的MOS样品,,LSD11N65 T0-220F封装。

tingting2013
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  • 2014-10-13 16:30:53
 
MOS收到了,现PCB也画完了,,发出去打几个PCB回来。稍等两天,,这两天把变压器饶好,
以下为PCB图。

顶层丝印图,


底层贴片图

底层走线图


整体布局图

梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:02:31
 
如果全做完了,有个立体的图片拍了也要放上来啊
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:18:26
 
这个可以,没有问题,测试过程中肯定会上传图的,,
hwx-555
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  • 2014-10-13 15:38:07
 
楼主的一级半需要解惑下
hlp330
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  • 2014-10-13 16:15:58
 
这个是楼主的专利电路。应该没有第二个人这么叫的。是说EMI电路,有两个共模电感,一个
X电容,不同于我们常用的PAI型滤波电路,所以说是一级半。省了个输入X电容。


tingting2013
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LV8
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  • 2014-10-13 16:26:43
 
呵呵,,介个的话我们这边都习惯性介样称乎,,,
qq80644864
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  • 2014-10-13 16:35:23
 
原来是这么理解的,明白了
鸡腿
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  • 2014-10-13 16:54:21
 

tingting2013
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  • 2014-10-13 17:19:02
 
这眼神,,,介么犀利
鸡腿
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  • 2014-10-13 17:20:34
 
这个是斜眼的意思,
tingting2013
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  • 2014-10-13 17:22:50
 
问你啊,,你发的啊。。。是不是打击下偶。。。。
鸡腿
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qq80644864
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好基友
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qq80644864
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  • 2014-10-14 08:20:03
 
鸡腿兄………………不要再靠近我
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:00:16
 
你们2个疯了。说到这个一级半,我还真的不知道,去查了下EMI结构,要做好这个电磁干扰还真不是那么容易,有很多结构,虽然有最简单的我们常用的,但没有这种很少用的


tingting2013
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  • 2014-11-20 19:34:37
 
做好电磁干扰真的不容易,在好多方面都能干扰的到。。。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:20:08
 
你好, 能否把你的一级半(听说少个X ?)和正常2级别
画一个简便图给看看
tingting2013
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  • 2014-12-11 17:54:49
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介个没有问题。,晚点我手画一个发上来!
hwx-555
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  • 2014-10-14 08:02:43
 
这个说的是EMI线路。。。。
tingting2013
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  • 2014-10-14 09:16:07
 
是滴,,你懂的,,
hwx-555
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  • 2014-10-14 10:16:02
 
tingting2013
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  • 2014-10-14 13:36:45
 
呵呵 ,,变压器的饶线过程,,全按上面提示出来的资料,一样的饶法,,,现在传上图来,然后坐等PCB到。。。。。感量有点差别。。。主要是仪器误差太大了,在品质那台测试是0.395MH














hlp330
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  • 2014-10-14 13:54:34
 
,全套的制作工具,加测量仪器。
tingting2013
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  • 2014-10-14 14:59:08
 
没有办法啦,,就一两个样品,加上调试,还是自己有一套工具好一点吧,毕竟这样调试起来方便,
qq80644864
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  • 2014-10-14 23:31:23
 
公司里面没有东西用吗?
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 23:54:11
 
可以自己去搞点工具呀,比如万用表啊示波器啊什么的, 基本的办公室里需要的设备最好都准备一份,尤其是那些要用到的工具,还有仪器,另外有条件的话可以搞点EMI测试的设备
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:20:51
 
EMI测试的公司有,,相对个人而言,,有一定的压力吧,毕竟这东东国产的价格也摆在那里。
梦开始的地方
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  • 2014-11-12 01:01:17
 
也是啊, 目前家用的那些电子设备价格太高,最需要的示波器也要2000左右,可赠送万用表和一些基本工具,包括一些便宜的焊接台,镊子,焊锡什么的,麻烦的还是要准备那些超多型号的电子零件,做个自己的工作室,至少需要几千块啊。
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:19:51
 
有啊,,公司的啊,,不过自己也搞了一个,,方便嘛,,那个后续的测试啊,啥的,肯定在公司完成的。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:23:27
 
这个, 你说你有一套工具, 说说, 有哪些?
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  • 2014-12-11 17:56:34
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常用的一些,烙铁啊,万用表啊,吸枪啊,还有常用的一些东东啊!!还有一台二手的负载,,
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  • 2014-10-14 23:56:47
 
这也太详细了吧,一般也就是绕制的方向,线径,设计的参数,然后是选择的磁芯,最后要看同名端,测量电感量,测试同名端是不是正确也可以简单的用镊子做工具测量,电感表可以做到
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:22:25
 
相对而言也是的,不过要考虑到教一下自己手下的技术员,不管哪方面都教清楚点,对他以后做技术这方面有好处的是吧。。。
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  • 2014-11-12 00:53:54
 
[size=14.399999618530273px]那也可以像那些电源视频网站一样专门开个视频出来,一边做,一边讲解,那以后那些技术员就可以经常去看,也不会有忘的地方,做起来更有动力,如果仅仅看看文字,恐怕学不到什么。
tingting2013
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  • 2014-11-12 08:54:16
 
因为是要让自己助理多学习,这个的话会慢一点。不过表示可以理解。
tingting2013
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  • 2014-10-15 10:13:04
 
现PCB已回来,,,发图上来,,晚点就插件了,,,



hlp330
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  • 2014-10-15 11:12:03
 
单面板,和我的一样啊,价格便宜,交期快。
tingting2013
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  • 2014-10-15 11:20:56
 
是的,,,毕竟要考虑到成本问题,,做研发的不想到这方面问题,,上面会说自己的,生产中好不好生产也是一个问题啊,,,,
b44d55
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  • 2014-10-15 16:56:12
 
针对PCB的选择, 要成本低的话, 目前市场上无非就是纸质板, 覆铜最薄, 不顾耐温
附表
FR-1 ──酚醛棉纸,这基材通称电木板(比FR-2较高经济性)
  FR-2 ──酚醛棉纸,
  FR-3 ──棉纸(Cotton paper)、环氧树脂
  FR-4──玻璃布(Woven glass)、环氧树脂
  FR-5 ──玻璃布、环氧树脂
  FR-6 ──毛面玻璃、聚酯
  G-10 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-1 ──棉纸、环氧树脂(阻燃)
  CEM-2 ──棉纸、环氧树脂(非阻燃)
  CEM-3 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-4 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-5 ──玻璃布、多元酯
  AIN ──氮化铝
  SIC ──碳化硅

tingting2013
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  • 2014-10-17 09:39:26
 
纸板太差了,,对做功率大一点的电源,没有人愿意去用纸板,毕竟那是一个错误的选择,质量上也不可信。。
hlp330
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  • 2014-10-17 10:33:27
 
这个可不一定哦。说了你可能都不信。我们以前做PC电源的时候,550W输出,用的都是单面的
纸板。那个时候,成本拼的厉害。不过大批量生产的时候,都还好,没出什么大问题哦
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 11:19:11
 
纸板还可以啊,只要温度低于130度,都可以使用的,而且成本也低啊,有什么不好的,环氧纸质材料PCB的耐压温度有130度呢,只要不是那种高温测试要求的板子都可以通过,你变压器做的好点,二极管取的低点,MOS选大点,就OK了

hlp330
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  • 2014-10-19 11:23:49
 
给你普及一点电源可靠性的知识,验证电源的可靠性,除了我们都知道的温度,输入输出性能,
以及EMC等,还有一个极其重要的可靠性测试,就是震动测试。大面积的纸板,上面如果有很重
的器件,像变压器,如果不加大量的胶固定的话,是很容易震动断掉纸板的。胶可不便宜。
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:38:52
 
您说的是跌落试验吧,,,,其实都是过重会影响到这方面.,,容易起铜皮.
hlp330
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  • 2014-10-20 20:29:33
 
是的啊,如果你用双层板的话,就会好很多了。
b44d55
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  • 2014-10-21 10:06:03
 
最好还是不要试, 一般来说只要结构比较固定是不会有事的, 除非是你焊接的不好, 或者元件漏焊,变压器工艺不好, 散热片没固定, 没必要的时候不需要做这个实验,有点浪费,
梦开始的地方
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  • 2014-11-12 00:57:16
 
但好像跌落测试还是需要的,看看330大师说的那样,如果在客户那里,不小心跌落而损坏或者仅仅是移动了电源里的零件,问题就或大或小的出来了,这样不是很麻烦吗?所以跌落测试还是需要的,好像看到是需要进行模拟测试,专门去针对坠落、撞击的实验也要做10次。

tingting2013
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  • 2014-12-18 10:16:40
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跌落分好几种,加外壳和不加外壳,要不要点胶之类的都有关系。
b44d55
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  • 2014-10-15 16:56:55
 
看起来是纸质板啊, 多少块多少钱
tingting2013
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  • 2014-10-17 11:02:05
 
介这是22F的防火等级,单面板嘛,价格便宜。才0.5不到。
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  • 2014-10-19 10:56:16
 
这么便宜啊,可以介绍介绍,下次我也去做
tingting2013
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  • 2014-10-17 10:25:20
 
呵呵,,,一不小心,散热片回来了,,图纸与样品一起上传。



梦开始的地方
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  • 2014-10-19 10:55:25
 
你用的散热片没有增加面积的考虑吗,比如可以做几个mm的宽度,增加这些面积,散热效果更好,虽然1.8A的功率不大,但有些部分还是会很热,如果有条件,散热片还是选这种比较好

hlp330
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  • 2014-10-19 11:02:27
 
一个小小的管子,没必要这么夸张吧。稍微了解一点工艺的话,这种散热片,几个齿之间的间距
太小,用机加工是很困难的。只怕要设计到开模了。这个价格不是你能承受的。也不是小功率用的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 11:15:47
 
不是说这种形状,而是说增加面积,只要散热片做成增加面积的形状,再用粘合的办法放在外壳里,如果你觉得不行,1mm也可以的,只要可以降低温度,就达到目的了。至于空间,散热片做的小点就好
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:50:02
 
这种的有好处,当然价格方面也是会高的。
心旷神怡
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高级工程师
  • 2014-10-15 11:04:25
 
不错,顶下,感觉变压器线绕得有点挫
tingting2013
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  • 2014-10-15 11:21:41
 
秋刀兄,,,变压器嘛,,自己手动机饶的,没过油的肯定有差别的。。
b44d55
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  • 2014-10-15 16:52:33
 
已经很不错了, 如果没有机器真不知道自己怎么饶.
首先要确定自己要绕的变压器要达到多少功率,电压多少,需要几组电压,然后找尺寸合适的硅钢片,根据公式计算需要多少片硅钢片(即叠厚)、初级线圈和次级线圈漆包线的直径、线号,根据公式计算每伏多少匝,根据初级和次级的匝数计算窗口是否能绕得下。如果一切计算正确,用绕线机在做好的骨架上先绕初级,再加绝缘纸,再绕次级,绕好后浸绝缘漆,最后烘干,量绝缘电阻,测试是否电压正确。


tingting2013
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  • 2014-10-17 09:42:10
 
不管是自己饶或者是发出去打样品,都要计算好了才可以,毕竟打样啥的都要时间,自己可以动手做两三个是没有问题的。
liuliqun168
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  • 2014-10-17 22:54:34
 
我们前期设计的变压器设计也是自己绕,然后调试没问题再发给供应商打样,再去测试EMC。然后定下了之后,再打样送认证,做可靠性测试。
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:51:37
 
一样的,都差不多是这样子,毕竟要调试好才能发出去的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 10:52:39
 
自己绕变压器比较累,主要是眼力不好的话,压不紧,但是如果数量少,倒是可以节约时间,如果绕的不对还可以当场修改,那封带尽量压紧吧,数据最好在设计的时候就不要搞错,免费多绕几个也是浪费时间的
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:49:06
 
不过还好啦,,只是这两个而已,不算太多,,饶几个还是没有问题的。
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:25:41
 
现PCB已回来,正在开始下手,贴贴片跟插件,,明天争取测试出来。。。。



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  • 2014-10-22 09:14:45
 
现在装完元件了,,,刚刚手痒,,测试了一下,,有55V的电压输出 。。





b44d55
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  • 2014-10-22 15:50:44
 
你这个测量需要另外焊接两根引线吗


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  • 2014-10-22 16:06:29
 
这个现在是使用端子的。测试的时候肯定在外接端子线。现在线还没有回来,只有这样测试一下看看
hlp330
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  • 2014-10-22 16:41:27
 
原边的散热片做成弓形的是为了辐射?
tingting2013
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  • 2014-10-22 17:08:13
 
不是,,,因为内置的POE电源,在整个机的外围上还是会用绝缘材料围一圈,,相对这样绝缘材料好放置,,散热性会好一点吧。
b44d55
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  • 2014-10-21 09:53:18
 
这个元件可以解释下用的是什么具体参数吗,



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  • 2014-10-21 09:56:18
 
整个电路也没有标出元件参数啊
还有这个画方框为什么


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  • 2014-10-21 11:02:26
 
是的,,这个都没有标出来,到时调整好了,会上传BOM 画方框,是有可选元件(可装或者可不装)具体要按要求及认证方面。。。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:32:22
 
已经完结啦, 那我再详细研究研究, 别忘了给回答
tingting2013
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LV8
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  • 2014-12-1 20:10:40
 
可以的,有问题大家一起探讨学习。
tingting2013
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LV8
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  • 2014-10-21 11:00:26
 
如果是说D1,D2是用来高压推动IC的,,,也可以放在低压推动。。
心旷神怡
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  • 2014-10-21 11:14:10
 
变压器适当提高砸比,降低震荡谷底,可以提高点效率。
tingting2013
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  • 2014-10-21 11:20:39
 
这个也是个好方法,,我去调一个看看,,不过,90以上的效率,感觉没啥压力。主要是要做稳。
b44d55
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  • 2014-10-22 15:46:04
 
电路图上为什么比标示同名端呢, 四个二极管并联, 可以流过很高的电流了, 你打个方框是说明你只用了两个元件吗, 都是MBR系列的管子吧, 另外你输入用了两级, 效率肯定高的, 98%有可能吗

tingting2013
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  • 2014-10-22 16:07:37
 
因为在设计的时候,要考虑多方面的,目前只是放入了一个,
songlsx
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  • 2014-10-22 21:04:01
 
100W,不加PFC,效率90,也等于50%,超过20W就应该有PFC,国外规定在8W以上就有PFC电路。
hlp330
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  • 2014-10-22 21:21:23
 
不是75W吗?修改标准了吗?
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:13:04
 
没有啊,,一直都是以100W方案在做调整。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:25:52
 
100W以上才用PFC ? 我一直都以为6562之类的就可以用来做20W-180W的电源了, 一般都带 PFC 0.92 效率可以做到85%以上, 我还想尝试用两级呢, 基本都是宽电压, 象这个单级的PFC效率已经很高了

tingting2013
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  • 2014-10-24 16:35:04
 
是的,但是现在都是按客户要求,因为他那边没有说要PFC,且认证的事情都是整机一起做认证,况且他的是POE电源,他没有对这方面提出要求。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:43:48
 
如果没有什么要求,那就不要PFC了,增加电路, 调节起来也费事
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:14:10
 
这个要看针对什么产品吧,,,是属内置的POE电源,客户这么要求,我想也是为了节约成本吧。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:29:50
 
POE电源,一种在线供电技术,针对功率不大的各种设备都可以提供(前提是设备支持POE受电),对无线AP特别好用,不用跟一条电源线到设备端,省去了变压器,一根网线直接搞定供电和数据传输。监控设备也会用到,不过对于耗电量大的监控设备(有云台),建议还是不要用POE供电。POE供电有专门的POE供电模块和POE交换机,不过POE交换机多端口同时供电的时候,要注意计算电源功率是否购支撑外部设备,如果不够,需要增加备用电源以提高交换机供电功率.内置的POE电源是什么意思?
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:15:30
 
因为我们是做系列的电源,相对来说要以现在这个为主吧,如果说到时有其它方面的要求,也可以同时更改,。
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:18:36
 
刚刚负载了一下,低压的时候出现了一个问题,大家请看波形,对这方面有经验的朋友给个回复,,,,


hwx-555
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  • 2014-10-23 16:29:14
 
低压DCM?另环路不稳?
tingting2013
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  • 2014-10-23 17:41:44
 
MOS上的,,,可能是不是开关速度的问题。
hwx-555
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  • 2014-10-23 19:14:27
 
开关速看不出来。从上图看可能环路不稳
b44d55
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  • 2014-10-24 11:10:51
 
可以加个小电容来解决波形的不稳定, 但加在哪里是个问题, 看你哪里电压不稳定了


tingting2013
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  • 2014-10-24 16:36:17
 
这个是MOS反峰上的,尖锋好像有点大。。。。
hwx-555
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  • 2014-10-24 16:49:47
 
尖峰确实比较大。
低压不应太高,除了漏感可能较大外,你的过流点是否也很大
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:42:42
 
加个小电容就可以了吗? 一般都是吸收工作没做好啊,看看占空比是多大,但是即使有了吸收回路也不表示就能将尖峰去掉,如果电容用的大点,会不会去掉呢,也要分析下是不是漏感引起的
b44d55
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  • 2014-10-31 10:26:45
 
可以尝试在三个极并联小电容来看波形
hlp330
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  • 2014-10-23 16:34:10
 
波形震荡很厉害,太迷糊,看不出来什么。建议用示波器的触发模式,抓一个清晰点的波形看看。
状况猜测一下,是不是有大小波震荡,环路不稳,导致电源工作不稳定?
tingting2013
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  • 2014-10-23 17:43:47
 
工作电压都是稳定的,但是有没有感觉尖锋有点高。。
hlp330
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  • 2014-10-23 18:18:40
 
貌似电压尖峰有200V?确实比较高,你是不是没有加吸收电路?或者变压器绕的漏感太大了。
一般情况,50V左右的电压尖峰。抓一个清晰的VDS波形看看工作状态。
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:46:08
 
吸收电路加了的,,,漏感4UH ,,这个不算大。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:13:29
 
你可以在前面或者后面检查下加RCD的电路. 调节下参数, 如果是波形不稳定, 可以修改电容的参数, 要判断稳定的方向, 最好还是自己调节下, 边调节边看波形是不是好转, 一般都是在接地加电容
tingting2013
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  • 2014-10-24 16:31:20
 
相对的,我现在已更改RCD里的R,,效果不是明显。
鸡腿
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  • 2014-10-24 17:18:56
 
起楼好快啊,
顶……
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:38:52
 
有没有尝试过用DD回路来代替呢,这样可以看看再波形上有什么别人,再适当调节下参数

tingting2013
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  • 2014-10-28 10:28:30
 
好的,这方面我会注意到的,等一下去试试
b44d55
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  • 2014-10-31 10:25:16
 
看到这个二极管, 资料里写
P6KE200是TVS二极管
具体参数:
功率:600W
工作电压:200V
嵌位电压:344V
最大电流:1.7A
封装:DO-15
主要作用:保护线路中的重要器件,主要是防静电

但是这是个吸收电路, 应该是去除吸收变压器初级尖峰电压的

qq80644864
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  • 2014-10-23 23:06:28
 
抖频?
hlp330
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  • 2014-10-23 23:11:34
 
这个抖频貌似也抖的太厉害了一点吧。
qq80644864
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  • 2014-10-23 23:15:59
 
波形受干扰的时候会有这样的
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:47:12
 
这个波形的干扰好像不太正常吧/
qq80644864
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  • 2014-10-24 09:05:36
 
这个干扰还算小的吧,看我那帖子里面的那些干扰,工作都不正常的
b44d55
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  • 2014-10-24 11:16:38
 
可能是示波器受到其他的干扰了, 查下四周有没有干扰源
测量时,把示波器的输入打到AC档,也就是交流耦合模式,把带宽限制打开,把探头上的衰减开关打到1的位置,也就是不衰减,测量的时候最好是不要用示波器上的鳄鱼夹,而是直接用探头前面的簧片直接负极,这样可以避免耦合到辐射干扰,如果不方便的话,用鳄鱼夹也行,需要把鳄鱼夹上的线绕在探头上并尽可能的短,再夹住负极,探头的正极接电源的输出正极,调示波器的电压档位,AC的Vp-p也就是峰峰值就是纹波电压
tingting2013
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  • 2014-10-24 16:29:57
 
有没有什么好的防止干扰源的方法呢?
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  • 2014-10-26 15:35:36
 
一方面是外部电磁环境的干扰
一方面是示波器探头带来的,当它跟要测量的点接触时,就会有寄生的电容电感等,这些会对波形造成影响
主要解决方法就是尽量避开电子设备
还有一个情况, 就是你设置的参数设置的不好,也有可能的, 靠接地啊,防止磁场干扰等办法
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  • 2014-10-26 15:36:08
 
具体么, 先弄清楚干扰的来源、种类。采取相应的措施。
假如干扰来自外部,接地和屏蔽是你首先要做好的事。假如干扰来自市电的50Hz交流电,那么所有仪器使用同一相并一点接地,必要时使用50Hz陷波电路去除干扰。假如干扰来自探头、高阻输入部分的热噪声,那么在可能的情况下减小输入阻抗(这与为对被测电路影响小而需要提高输入阻抗相矛盾,你需要看情况权衡取舍),必要时把整个装置放入低温环境(如半导体恒温槽、干冰,甚至液氮、液氦中)。
qq80644864
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  • 2014-10-26 17:16:04
 
先避免磁性元件的干扰,再看电路的互相干扰
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  • 2014-10-26 17:48:52
 
对的, 主要就是屏蔽, 接地,浮置等防干扰技术,变压器的工频干扰,PCB的布线上的防干扰,对于信号源,负载接地,放大器和信号源的接地,RC滤波器,输出滤波回路,退耦滤波回路,都是要注意的地方,还有光耦
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  • 2014-10-28 10:29:41
 
那相对的来说,结电容的大小对它的影响也大吧。
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  • 2014-10-30 11:05:57
 
比如MOS的结电容的问题, 可能这个数值太大或者太小的话对辐射的参数有比较大的影响, EMI可能过不了, 一般在取值的时候要看具体的情况, 比如在DS之间并电容的实验里就没发现波形干扰
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  • 2014-10-30 11:10:19
 
这个结电容, 如果你设置的比较大, 也就是说减少了辐射, 如果你在MOS的漏极和源极之间并一个电容,来减少漏极电压的变化速率, 虽然增加了一点损耗,但以后测试辐射的时候会好点
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  • 2014-10-30 10:58:39
 
干扰源很多的, 有时还会有几个干扰同时出现, PCB板上那么多元件, 比如电源噪声来自接地层,电源层,要减少阻抗,过孔也不能太大, 还有传输线干扰、耦合、电磁干扰很多问题, 要减少环路, 多放点滤波电容
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  • 2014-11-22 16:32:47
 
目前有哪些方法可以解决好干扰呢,资料,书,论坛,说也说了很多,但是哪个正确的步骤才是最好的呢,而且有些地方还会有效率啊性能啊稳定啊之间的冲突。
tingting2013
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  • 2014-11-24 12:55:54
 
干扰也要分好多方面的吧?
b44d55
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  • 2014-11-25 15:17:36
 
无非就是损耗和辐射, 理论上说也就是形成干扰的基本要素有三个:
(1)干扰源,指产生干扰的元件、设备或信号,用数学语言描述如下:du/dt, di/dt大的地方就是干扰源。如:雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可 能成为干扰源。
(2)传播路径,指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传 播路径是通过导线的传导和空间的辐射。
(3)敏感器件,指容易被干扰的对象。如:A/D、D/A变换器,单片机,数字IC, 弱信号放大器等。
抗干扰设计的基本原则是:抑制干扰源,切断干扰传播路径,提高敏感器件的 抗干扰性
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  • 2014-11-25 15:18:12
 
抑制干扰源的常用措施如下:
(1)布线时避免90度折线,减少高频噪声发射。
(2)给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短。
(3)电路板上每个IC要并接一个0.01μF~0.1μF高频电容,以减小IC对电源的 影响。注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电 容的等效串联电阻,会影响滤波效果。
(4)继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加 续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可 动作更多的次数。
(5)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路,电阻一般选几K 到几十K,电容选0.01uF),减小电火花影响。
(6)可控硅两端并接RC抑制电路,减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能 会把可控硅击穿的)。
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:46:38
 
不是,,这个不是抖频的。
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  • 2014-10-24 11:17:55
 
如果发现不是重影就不是抖频


tingting2013
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  • 2014-10-24 16:32:27
 
你认为是哪方面呢?相对的抖频的可能性要小好多吧。
b44d55
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  • 2014-10-30 11:14:48
 
抖频会好点吧, MOS在关断的时候通过吸收尖蜂电压的能量来减少电压上升的趋势, 这样呢就减少了损耗, 避免了一些不必要的干扰, 这个抖频可能和你的变压器饶制中的疏忽有点关系
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:36:58
 
找个波形是有2个干扰源同时在的时候显示的吧
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-27 14:19:35
 
这个波形,应该是环路震荡了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-27 14:17:25
 
驱动这块有意思,两个电阻串联然后其中一个电阻上又反并联一个二极管串电阻,么意思?
tingting2013
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  • 2014-10-28 10:30:48
 
有可选择性的。因为这方面保护电路做的比较直吧。
hwx-555
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  • 2014-10-28 17:02:48
 
有2个电阻就已可调整,二极管上没必要再串一个
b44d55
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  • 2014-10-30 10:51:04
 
是说这个电路吗, 二极管当然要串电阻了,取值不会大的, 为什么不要呢

hlp330
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  • 2014-10-30 11:07:15
 
既然回路中已经有了R20,R4,那么还加一个R14有什么必要呢?
b44d55
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  • 2014-10-30 11:15:52
 
如果没有R14, 这个回路怎么走呢? 不会产生影响的吗
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-30 11:17:52
 
装疯卖傻。
qq80644864
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  • 2014-10-30 13:31:32
 
这个是个大难题呢
tingting2013
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  • 2014-10-30 21:23:57
 
这几天有点忙,,各位同事们,,明天更新调整过后的纹波上来,
b44d55
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  • 2014-10-31 10:18:39
 
我就搞不懂一个问题, 这个电路看起来这么简单, 回复起来大家说的头头是道的, 但就是都说不到重点上, 有人说电阻2去1, 要么去这个, 要么去那个, 就不能直接说说这个为什么那个为什么吗?
楼主, 电阻是你加的, 你说说为什么加电阻,现在只有我一个人支持你, 别人都说不要加
梦开始的地方
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  • 2014-11-2 22:40:43
 
这个说不好的,主要还是看加了以后和不加的波形的影响,既然大家都说不加,说明这里可以不加
xieweixiong1989
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  • 2014-11-16 10:47:18
 
原因如下:1,R4是否为0R电阻当跳线使用2,若不是当跳线,那R14可以不要,D7直接跟R20并联,调整R20,R4参数,效果是一样的,R4和R14都是为了管子关断慢一点,辐射比较好过
b44d55
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  • 2014-11-25 15:15:07
 
如果R4去掉, 那也就是说直接RD并联了.一般是降低二极管等效电阻,并上电阻后二极管两端压降没有减小,但是通过去的电流小了,被并联的电阻分流了,这也是保护二极管的一种办法。
hwx-555
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  • 2014-10-31 08:04:48
 
R4,R14这两颗电阻可取消其一。

b44d55
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  • 2014-10-31 10:20:59
 
还是你有见解, 看别人的回答都含糊的很
你是说, 在电路里, R4和R14的作用是一样的吗,, 这就好理解了
tingting2013
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  • 2014-10-31 16:51:02
 
现在出现一个问题,如图,这个MOS管的尖峰怎么都下不去呢???不管怎么样调节,效果不是明显,不知各位有没有好的意见。。。。请指导,。



hlp330
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  • 2014-10-31 20:57:17
 
可以试着修改一下吸收电路的参数,不止是MOSFET的,副边二极管的也可以修改。或者尝试在
MOSFET的漏极上套一个磁珠。再就是试试减慢开关的速度,对尖峰的改善也有好处的。
tingting2013
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  • 2014-11-3 17:54:16
 
MOSFET的漏极上套一个磁珠了的,但是现在没有改善。
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 20:55:12
 
那就想其他的办法, 我觉得主要还是要从MOS周边的R,C,D之类的零件下手,逐步修改数值,根据波形来判断,主要么,也是看看吸收电路对波形的影响
心旷神怡
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  • 2014-11-7 14:15:17
 
把RCD C上那个电阻断路掉,尖峰应该马上会下来了。
hwx-555
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  • 2014-11-7 15:40:07
 
辐射马上高了
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:55:57
 
你是说那个R1并联C(C串联R2)再串联D的RCD电路里那个R2吗?
[size=14.399999618530273px]是平衡辐射和尖峰用的?主要是看功率、耐压。
如果是做实验,我看他采用多个碳膜电阻并联或串联是为了代替耗能元件大功率的水泥电阻的作用,短时间也可以承受较大的过载。


b44d55
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  • 2014-11-20 15:40:52
 
如果可以用一个磁珠来解决问题到还可以, 就怕用了也没用, 饶几圈也不知道,
而这里的电阻的作用尚且不是很清楚,也要看通电后能不能改善这部分的尖峰毛刺
tingting2013
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  • 2014-11-20 19:27:59
 
我加过磁珠,并没有解决问题,....
hlp330
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  • 2014-11-20 19:48:10
 
磁珠也分好多种,针对不同频率段有不同阻抗的磁珠。
tingting2013
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  • 2014-11-21 08:05:06
 
加入的都是常规的磁珠,如果有特殊的要求的话,那么,不单单只是利用磁珠能解决问题了的吧。
hlp330
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  • 2014-11-21 09:50:29
 
加磁珠是需要根据你的测试结果来选择的。打个比方,你测试辐射的时候,发现在100MHZ的地方些超规格了,发现时二极管导致的,可以考虑加一个加一个100MHZ阻抗较大的磁珠
tingting2013
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  • 2014-11-21 14:05:27
 
这只是针对传导,辐射这方面吧,现在产生的是MOS的尖锋,这方面加入好像没多大的反应。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-21 14:14:13
 
你有没有将RCD吸收电路,C上串联的那个小电阻去掉试试,对比一下看有什么改善没有?
b44d55
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  • 2014-11-25 15:12:02
 
如果磁珠不起多大作用, 那还是要在RCD上动脑筋.看你的吸收电路对于MOS尖峰来说,还是要去计算参数, 能做的更精确点才好, 修改下这个RC串联的参数来尝试


YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:15:44
 
不是断路是短路吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-1 08:29:34
 
看你顶楼的原理图,RCD吸收力,C串联的电阻是多大的,R用了6个分别是多大的?
tingting2013
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  • 2014-11-3 17:55:09
 
R用了6个分别是100K 4个 200K 2个。
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:20:01
 
关于这个多电阻配置,我理解的是增加功率,是吗?


qq80644864
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  • 2014-11-6 22:53:16
 
1、增加功率
2、增强散热
3、耐压
梦开始的地方
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  • 2014-11-7 01:23:03
 
前2个可以理解,耐压怎么去理解啊,多个电阻和单个电阻好像没什么关系吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:47:32
 
两个电阻串联接在100V电源上,一个电阻耐压多少伏?
b44d55
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  • 2014-11-15 11:04:46
 
那这么说的话,可以多串联几个电阻了,3个并联的分流, 2个串联的分压, 改成4个的3个不是更好
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-15 12:41:53
 
改成400个300个更好,你下次做方案的时候可以去试试。
qq80644864
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  • 2014-11-15 13:07:32
 
我觉得也需要去试试,真的好
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:46:49
 
分压到差不多就可以了,楼主搞3组也多了点
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:18:40
 
用多少组,用多少个,看设计之初计算需要多大的功耗,如果功耗大那么需要的电阻自然多,这个没有说用几个多用几个少之说。
b44d55
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  • 2014-11-20 15:38:12
 
如果设计要求不高, 采用最基本的线路, 一个电阻一个电容就可以了, 增加这么多无疑也是增加了很多的成本 , 量产的时候不合算 , 综合考虑到分压和分流, 分功率还是可以考虑的.重点是热量.
hwx-555
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  • 2014-11-7 07:59:47
 
C串R是为了降低充放电速率,降低EMI用的。
b44d55
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  • 2014-11-15 11:08:32
 
简单画的话不就是一个RCD结构吗, 只是C上串联了一个电阻就起这么多作用了?
RCD吸收计算电阻的公式Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f*Vclamp/(Vclamp-Vro)。
Vclamp为设定的最大嵌位电压,Vro为副边反射电压。也有功率关系:Wr=Wc+Wl,其中,Wr为吸收电阻消耗的功率,Wc为副边反射的能量,Wl为漏感储存的能量

这些参数说明这些RCD功能更多啊
怎么来正确理解这个啊?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:45:21
 
我问的是,你RCD里面,与C串联的电阻用的是多大的。
tingting2013
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  • 2014-11-8 08:53:10
 
用的是12R---15R的。。。现在两种都在调试。
qq80644864
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  • 2014-11-8 12:50:13
 
这个主要去看EMI,然后回来修改RCD回路
b44d55
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  • 2014-11-15 11:11:50
 
RCD吸收计算电阻的公式Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f*Vclamp/(Vclamp-Vro)。
这个电阻是并联的那个电阻吧, 那你串联的电阻的公式是什么样的, 怎么得到这个12-15的
我看了RC及RCD电路举例分析这个资料, 也还是没找到设计思路
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-15 13:53:29
 
请问,你提供的这个公式,可以的得到电阻的阻值吗?
b44d55
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  • 2014-11-20 15:35:16
 
具体的计算, 把每个参数兑换进公式就都知道了
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 15:37:04
 
你的公式里,连个R都没有,你带进去能得到R?你带一个出来让大家看看。
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  • 2014-11-2 22:39:33
 
像遇到这种波形上的问题,大家一般都会去考虑吸收电路吧,在RCD之间进行调节数值来改善波形,还有在MOS的三个级加小电容来减少电压变化,减少开关损耗,还是要多调节周边元件数值来修正
hlp330
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  • 2014-11-2 23:46:26
 
,在MOS的三个级加小电容来减少电压变化,减少开关损耗
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 00:18:24
 
我在DIY区看到过你们说的 , DS是为减少漏极电压的变化速率,GS是为了降低开通和关断的速度,GD是为了保持电压稳定,这三个电容一般都不加或者只加DS的吗?
b44d55
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  • 2014-11-3 10:28:56
 
MOS内部也有电容的
Cgs>Cds>Cgd
tingting2013
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相对来说,,超结MOS的内部结电容不是要大吗?
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 20:52:46
 
我前面说的MOS外接的电容,说的比较含糊,我也是看别人这么说才这么认为的,有些电容可加不可加的原理我也不是很清楚,如果有对MOS内外电容都懂的人可以介绍介绍啊
tingting2013
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  • 2014-11-4 08:43:41
 
这方面我也不是好了解,因为毕竟这样使用的少。
b44d55
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  • 2014-11-4 12:30:55
 
这个可以从MOS内部电容开始研究, 再去研究外部电容


梦开始的地方
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  • 2014-11-5 22:30:51
 
好像没有详细的资料,我也是看别人评论的时候,记下了一些
tingting2013
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  • 2014-11-6 10:31:12
 
相对超结MOS,我认为他的结电容大,开关速度快,那对他整体的EMI都有影响吧。
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:14:21
 
我是看了这个文章写的东西而了解一些
http://www.21dianyuan.com/bbs/4064.html 至于EMI, 还有其他元件的影响
1、调整变压器的绕法和屏蔽铜箔
2、辅助VCC绕组的慢管改快管
3、增大MOS管的驱动电阻
4、MOS的DS级间并高压低容量陶瓷电容等措施
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:48:46
 
VCC绕组是快管改慢管吧?你是不是写反了?
qq80644864
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  • 2014-11-7 12:50:54
 
是绝对写反了
tingting2013
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  • 2014-11-12 14:08:31
 
用快管吧,,慢管不太理想。。。
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:48:33
 
怎么会呢,慢管有很多好处呢。
慢熔断保险丝与快熔断的最主要区别在于它对瞬间脉冲电流的承受能力,也就是说它可以抵抗开关机时浪涌电流的冲击而不动作,从而保证设备的正常运作,因此慢熔断型保险丝往往又被称为耐浪涌保险丝。从技术层面上来说,慢熔断保险丝具有较大的熔化热能值I2t,保险丝熔断所需要的能量较大,所以对于同样额定电流的保险丝来说,慢熔断比快熔断耐脉冲的能力要强很多。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:16:57
 
你每次回复看不看前面说的是什么内容?这里讨论的是快速跟慢速二极管,你搞一个熔断器出来?捣乱?
梦开始的地方
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  • 2014-11-19 23:06:11
 
[size=14.399999618530273px]不好意思大师, 我看错了。
[size=14.399999618530273px]那我补充一下我的认知,[size=14.399999618530273px]快速跟慢速二极管[size=14.399999618530273px]区别在于反向恢复时间
[size=14.399999618530273px]慢管是ms级,适用于工频输入 如1N4007
快管是ns级,适用于高频 如FR107
hlp330
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  • 2014-11-19 23:17:53
 
这个恢复时间是在哪里看到的?
tingting2013
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  • 2014-11-20 09:11:21
 
快管与慢管的比较,我想大家都知到的。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 12:40:02
 
mS级?工频整流要是反向恢复时间mS级,你觉得可能吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-6 09:51:29
 
请问,根据这个图,可以研究内部电容的什么参数啊?
tingting2013
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  • 2014-11-6 10:31:47
 
这个要问一下龙腾那边的工程师吧。我对这方面没有什么了解。。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-6 10:48:31
 
我问的不是你,是贴这个图出来的网友。
tingting2013
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  • 2014-11-6 11:10:59
 
好吧,,其实我也想学习学习。。。
b44d55
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  • 2014-11-6 14:20:03
 
其实, 如果真的有懂的人出来详细说一下也真是算好人了, 我翻阅了大量的资料也没能完全的搞懂.我之前做实验一般都不加外部电容的, 最多加一个Cds, 就怕给MOS增加额外损耗
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:18:07
 
我前面说了,Cds是为减少漏极电压的变化速率,Cgs是为了降低开通和关断的速度,Cgd是为了保持电压稳定,我能理解到的内容就是这些。
还有就是结电容大,可以减慢开关速度,也就是减小dv/dt,从而减小辐射能量。有些时候,会在MOS的DS间并联一个点电容,相当于加大了MOS的COSS的参数,起到了降低dvdt的作用,所以COSS大的MOS,可能传动辐射会好过一些,但损耗有时候也会大。
MOS结电容大在关断时通过吸收尖峰电压的能量来限制开关两端的破坏性尖峰电压 通过减缓电压上升的斜率来减少交叉损耗 可以减少Mos管关断时的干扰 但是,在导通时刻 MOS的结电容会释放之前吸收的能量 而造成很高的电流尖峰 估计对EMI也有影响。 增大Rg,改变充放电阻也能达到减小dv/dt;因此增大C不可取;特别是器件性能提升了,应用也越来越需要高频。 mos的结电容有好几个,不好一概而论。充分利用mos结电容来降低dv/dt,di/dt,做得最好的就是psfb。
关于这部分的知识我了解到的就这些,你叫我具体说什么更准确的, 我也不清楚。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:46:37
 
我问的是,你每次回复完了,都是随便贴个图出来,与你回复的内容基本毫无关系,到底似乎为什么?
qq80644864
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  • 2014-11-12 12:41:45
 
为了加分
tingting2013
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  • 2014-11-12 14:19:27
 
这么狠,,,加图表明直接加分是吧。
b44d55
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  • 2014-11-15 11:01:33
 
在电源的论坛, 只要是说电源, 说技术, 我觉得都是可以的, 无非就是大家的水平不一样
只是不欣赏那些把生活状态的照片贴上来的人
楼主的几个波形还是不错的, 现在不是完成了吗, 可以详细解说下每个波段的构成原因
我也是实验多于理论, 正好来学习学习
tingting2013
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  • 2014-11-12 08:57:04
 
现在的尖锋已调节OK,谢谢各位的意见及陈博士的意见与见解。


tingting2013
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  • 2014-11-12 09:07:50
 
现在已做好整机测试,如下例附件中。这些只是些常规的验证信息。
AC:240V 负载1.8A 肖特基反峰 2




AC:90V 负载1.8A 肖特基反峰1

AC:90V 负载1.8A MOS反峰2

240V 负载1.8A MOS反峰2

90V 负载VCC

90V 空载2

90V 负载VCC 2

90V 空载

240V 负载1.8A 肖特基反峰 2

240V 负载1.8A MOS反峰

240V 负载1.8A MOS反峰2

240V 负载1.8A MOS反峰3

240V 负载1.8A 肖特基反峰
tingting2013
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  • 2014-11-12 10:33:12
 
明天能效测试,,,,测试传导,,,这也就结案了,,辐射我们这边测试不了啊.唉,,,
梦开始的地方
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  • 2014-11-13 00:22:11
 
关于这个设计的所有测试,能不能把每一个重要的测试单独的说说啊,, 就是
1.什么测试,2什么测试,3什么测试,。。。N,什么测试
这样看的比较清楚,就是说,列个刚要和说明。。我是新人,你上面这么多图片是干嘛的我看不清楚
谢谢了
tingting2013
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  • 2014-11-13 09:47:20
 
好的,没有问题,我重新整理下。
tingting2013
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  • 2014-11-13 10:19:49
 
已整理好,因为不是我自己上传的,有点误差,不好意思 ,现在已更改,可以参考了。
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:38:00
 
看这个波形,既要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小, 还挺难的。
tingting2013
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  • 2014-11-13 10:20:56
 
现在能效已测试出来,不过个人认为还是有提高的。能效测试如下图:


tingting2013
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  • 2014-11-13 12:09:56
 
刚刚测试了一下传导.,EN55022标准,数据如下:





tingting2013
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  • 2014-11-13 15:31:28
 
下面BOM已出.有好意见的朋友们,,请直接问
100W BOM.xls

b44d55
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  • 2014-11-13 17:04:32
 
看到了, 发现你没写价格
另外就是这个保险丝是怎么选取的6.3A
跳线的说明有点简单
想问下选散热膏UB-585,导热硅脂,导热油的主要参数是什么

还可以补充外壳和参数
tingting2013
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  • 2014-11-13 17:19:35
 
这个价格不方便吧,毕竟每一个地方的价格都不是一个等级的。。
6.3的保险主要是为了雷击。
跳线的话,,是有点简单。
导热硅脂是:散热膏 UB-585 CT000001
外壳是内置的POE电源,外壳是针对产品的,只有长宽及定位柱。
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  • 2014-11-13 22:04:13
 
[size=14.399999618530273px]价格是选购合适的零件的关键啊,其实也就那么几个关键的价格比较重要,其他的大家心里都清楚,只是拿到的是不是便宜,是不是正宗的,都不清楚,毕竟即使一个二极管一些工厂也会在性能上懂脑筋。
tingting2013
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  • 2014-11-14 08:06:47
 
我了解你的意思,但是如果说自己想要性能好,价格方面肯定也是上涨的,相对中国的市场来说,都是一分钱一分货的。
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  • 2014-11-15 22:29:24
 
买零件最好有自己的供应商啊,但是像这种少量的购买,应该找身边的门路吧,比如电子市场,但是电子市场里鱼目混杂的,要挑选一家好的摊位给你供货,还是很难的,重要的是质量,就怕遇到新旧混合参和着卖给你的摊位
b44d55
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  • 2014-11-15 10:55:52
 
1. 在你选择导热硅脂的时候, 是只有这一种, 还是目前市场上最好的呢
2. 保险丝的选择上, 这个6.3, 是不是我知道的太少了, 怎么找不到呢, 我一般用到5A就可以了, 再上去的话, 就用到7.5A也行啊
你有更详细的规格表吗


tingting2013
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  • 2014-11-15 11:06:23
 
这个是有的,6.3A 的是属于3T系列里面的,是个慢断的。您说的详细的表格,我这边上传不了图片,下周一我用自己电脑传上来,谢谢!!
b44d55
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  • 2014-11-15 18:16:24
 
慢断啊, 那就没有快速熔断能力了. 小型保险丝在美规标准中,1.35倍时要求熔断时间不超过1小时,也就是8.5A是要熔断的。当然了如果通电时间足够长,只要大于额定电流,理论上都是可以熔断的. 你选择慢断提高抗干扰能力啊
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  • 2014-11-15 22:22:57
 
[size=14.399999618530273px] 慢断可以提高抗干扰能力啊,慢速保险丝的熔体经特殊加工而成,它具有吸收能量的作用,调整能量吸收量就能使它即可以抗住冲击电流又能对过载提供保护。现在知道为什么用它了,一般的保险丝和大的保险丝都不足够对付浪涌电流啊
tingting2013
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  • 2014-11-14 08:13:43
 
现已测试,全部结案,,如各位有问题及意见,请指出,小弟加以更正,,表示感谢!!!!
b44d55
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  • 2014-11-15 10:49:34
 
恭喜楼主顺利完成设计, 我抽空找2天, 把你的设计复核一下,学习学习, 顺便找找问题
tingting2013
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  • 2014-11-15 10:59:22
 
好的,没有问题,,只要提出来的问题,我会正确的看待与学习。谢谢!
梦开始的地方
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  • 2014-11-19 23:00:06
 
楼主,提高效率主要靠什么呢,第一是QR,第二是PFC, 第三是。。。对吗?
tingting2013
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  • 2014-11-20 09:20:28
 
1.增大高压电容容量.
2.加强变压器制作工艺,减小漏感.
3.增大分压取样电阻阻值,
4.增大LED供电电阻值,
5.减少输入热敏电阻阻值.
提高开关电源效率的常见方法
开关电源的功耗包括由半导体开关、磁性元件和布线等的寄生电阻所产生的固定损耗以及进行开关操作时的开关 损耗。对于固定损耗,由于它主要取决于元件自身的特性,因此需要通过元件技术的改进来予以抑制。在磁性元件方 面,对于兼顾了集肤效应和邻近导线效应的低损耗绕线方法的研究由来已久。为了降低源自变压器漏感的开关浪涌所 引起的开关损耗,人们开发出了具有浪涌能量再生功能的缓冲电路等新型电路技术。以下是提高开关电源效率的电路 和系统方法:
(1)ZVS(零电压开关)、ZCS(零电流开关)等利用谐振开关来降低开关损耗的方法。 (2)运用以有源箝位电路为代表的边缘谐振(Edge Resonance)来降低开关损耗。 (3)通过延展开关元件的导通时间以抑制峰值电流的方法来减少固定损耗。 (4)在低电压大电流的场合通过改善同步整流电路的方法来减少固定损耗。 (5)利用转换器的并联结构来减少固定损耗。



b44d55
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  • 2014-11-20 12:03:12
 
主要还是要看设计, 现在有些人说, QR好, 有些人说PFC好, 其实还是要看应用场合, 看是什么设计,如果什么都不带, 就一般的设计也不会相差的太大,只要想办法降低损耗就行了
qq80644864
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  • 2014-11-20 12:13:29
 
QR跟PFC有什么关系
梦开始的地方
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  • 2014-11-22 16:21:22
 
电源里这些基本概念学起来很费脑筋啊,比如准谐振;开关损耗;反激式;导通损耗;电感电流;寄生电容;同步整流;功率损耗;升压型;尖峰电压;比如QR,FPC,CCM,DCM.,CUK,LLC,要全搞明白不简单啊。
b44d55
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  • 2014-11-24 15:32:56
 
既然难, 就从最基础的学起, 不要想一步登天
tingting2013
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  • 2014-11-25 10:38:13
 
是的,只有从最原始的入手,那样学着就会简单多了,慢慢的来,不过,我也一直搞不明白移相全桥的定义。。。。
b44d55
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  • 2014-11-25 14:57:28
 
从实验角度上说, 就是看看电路图就可以了


hlp330
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  • 2014-11-25 15:49:25
 
你懂这个电路图的原理吗?
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  • 2014-11-25 15:01:40
 
手抄了一份笔记给你看看
全桥变换器(Full-bridge Converter)通常应用于功率大于400W的开关电源中,特别是在大功率的通信电源中应用比较广泛。但是,硬开关条件下的全桥变换器会带来很大的开关损耗,不利于开关频率和电源转换效率的提高。针对硬开关损耗大的问题,有人提出了移相控制方法。通过移相控制可以实现开关管的零电压开通和关断,从而大大改善了开关管的开通与关断条件,这样便可以提高开关的频率,减少电源的体积,提高电源的转换效率。
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  • 2014-11-25 15:04:12
 
移相全桥拓扑工作图解





tingting2013
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  • 2014-11-26 12:42:46
 
能详细的说明一下各个拓扑吗?
b44d55
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  • 2014-11-26 15:55:08
 
工作模态一:正半周期功率输出过程



如上图,此时T1与T4同时导通,T2与T3同时关断,原边电流的流向是T1—Lp—Lk—T4,如图所示。
此时的输入电压几乎全部降落在图中的A,B两点上,即UAB=Vin, 此时AB两点的电感量除了图上标示出的Lp与Lk之外,应该还有次级反射回来的电感LS`(因为此时次级二极管VD1是导通的),即LS`=n2* Lf,由于是按照匝比平方折算回来,所以LS`会比Lk大很多,导致Ip上升缓慢,上升电流△Ip为
△Ip=(Vin-n*Uo)*(t1-t0)/( Lk+ LS`)
此过程中,根据变压器的同名端关系,次级二极管VD1导通,VD2关断,变压器原边向负载提供能量,同时给输出电感Lf与输出电容Cf储能。(图中未画出)
此时, UC2 =UC3=UA=UAB=Vin
UB=0V
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  • 2014-11-26 15:56:26
 
工作模态二:超前臂谐振过程



如上图,此时超前桥臂上管T1在t1时刻关断,但由于电感两端电流不能突变的特性,变压器原边的电流仍然需要维持原来的方向,故电流被转移到C1与C2中,C1被充电,电压很快会上升到输入电压Vin,而C2开始放电,电压很快就下降到0,即将A点的电位钳位到0V。
由于次级折算过来的感量LS`远远大于谐振电感的感量Lk,故基本可以认为此是的原边类似一个恒流源,此时的ip基本不变,或下降很小。
C1两端的电压由下式给出
Vc1=Ip*(t2-t1)/(C1+C3)= Ip*(t2-t1)/2 Clead
C2两端的电压由下式给出
Vc1= Vin- 【Ip*(t2-t1)/2 Clead】
其中Ip是在模态2流过原边电感的电流,在T2时刻C1上的电压很快上升到Vin,C2上的电压很快变成0V,D2开始导通。
在t2时刻之前,C1充满电,C2放完电,即 VC1= VC3= Vin VC2=VA=VB= 0V
模态2的时间为
△t= t2-t1=2 Clead * Vin/ Ip
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  • 2014-11-26 15:57:10
 
工作模态三:原边电流正半周期钳位续流过程



如上图,此时二极管D2已经完全导通续流,将超前臂下管T2两端的电压钳位到0V,此时将T2打开,就实现了超前臂下管T2的ZVS开通;但此时的原边电流仍然是从D2走,而不是T2。
此时流过原边的电流仍然较大,等与副边电感Lf的电流折算到原边的电流
即 ip(t)= iLf(t)/n
此时电流的下降速度跟电感量有关。
从超前臂T1关断到T2打开这段时间td,称为超前臂死区时间,为保证满足T2的ZVS开通条件,就必须让C3放电到0V,即
td ≥△t= t2-t1=2 Clead * Vin/ Ip
此时, UC1=UC3=Vin , UA=UB=UAB=0V
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  • 2014-11-26 15:58:08
 
工作模态四:正半周期滞后臂谐振过程



如图所示:在T3时刻将滞后臂下管T4关断,在T4关断前,C4两端的电压为0,所以T4是零电压关断。
由于T4的关断,原边电流ip突然失去通路,但由电感的原理我们知道,原边电流不允许突变,需要维持原来的方向,以一定的速率减少。所以,原边电流ip会对C4充电,使C4两端的电压慢慢往上升,同时抽走C3两端的电荷。
即 ip(t)=I2sinω(t-t3)
vc4(t)=ZpI2sinω(t-t3)
vc3(t)=Vin-ZpI2sinω(t-t3)
其中,I2:t3时刻,原边电流下降之后的电流值
Zp:滞后臂的谐振阻抗,Zp= )0.5
ω:滞后臂的谐振角频率,ω=1/(2Lr*Clag)0.5
可能有人会感到奇怪,电流怎么出现了正弦函数关系呢,没错,因为此时是原边的谐振电感Lr与滞后臂的两个电容C3,C4谐振,其关系就是正弦关系。
为何我上面提到只有原边的谐振电感Lr参加谐振呢,那么次级的储能电感是否有参加谐振呢?下面我们来分析一下:
由于滞后臂下管T4的关断,C4慢慢建立起电压,而最终等于电源电压,即UC4=Vin,从图纸上我们可以看到,UC4其实就是B点的电压,C4两端电压的上升就是B点电压由0V慢慢的上升过程,而此时A点电压被钳位到0V,所以这会导致UAB<0V,也就是说这个时候原边绕组的电压已经开始反向。
由于原边电压的反向,根据同名端的关系,LS1,LS2同时出现下正上负的关系,此时VD2开始导通并流过电流;而由于LS1与Lf的关系,流过LS1与VD1的电流不能马上减少到0,只能慢慢的减少;而且通过VD2的电流也只能慢慢的增加,所以出现了VD1与VD2同时导通的情况,即副边绕组LS1,LS2同时出现了短路。
而副边绕组的短路,导致Lf反射到原边去的通路被切断,也就是说会导致原边参加谐振的电感量由原来的(Lf*n2+ Lr)迅速减少到只剩Lr,由于Lr比(Lf*n2+ Lr)小很多,所以原边电流会迅速减少。
此时,原边的UAB=ULr=-Vin,UA=0V, UB= Vin
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  • 2014-11-26 15:59:04
 
开关模态五:谐振结束,原边电感向电网馈能



如图所示,当C4充电到Vin之后,谐振结束,就不再有电流流过C3,C4,转而D3自然导通,原边电流通过D2—Lr—D3向电网馈能,其实能量来源于储存在Lr中的能量,此时原边电流迅速减少,
ip(t)= Ip4- (t-t4)
其中 Ip4是t4时刻的原边电流值
在t5时刻减少到0。
此时T3两端的电压降为0V,只要在这个时间将T3开启,那么T3就达到了零电压开启的效果。
在这里有几个概念需要介绍下:
死区时间:超前臂或滞后臂的上下两管,开通或关闭的间隔时间,移相全桥电源每个周期有4个死区时间。
谐振周期:滞后臂两个管子关断之后到超前臂两个管子开通之前,次级电感通过匝比反射回来的电感与谐振电感之和与各自的谐振电容的2个谐振时间;还有就是超前臂已经开通,滞后臂两个管子换流之前,谐振电感与各自的谐振电容的2个谐振时间。
移相角度:指的是超前臂上管开通到滞后臂下管的开通的时间间隔或超前臂下管开通到滞后臂上管的开通的时间间隔,再转换成角频率ω
ω=2∏f=2∏/T.
对于开关模态5来说,谐振周期一定要小于死区时间,否则就不能达到滞后臂的ZVS效果了。但此时的谐振电感是没有次级电感通过匝比反射回来的,所以只有谐振电感参与了谐振,在设计的时候小心了,谐振电感一定要足够大,否则谐振能量不够的话,原边电流就会畸变。
在t5时刻,UAB=ULr=-Vin,UA=0V, UB= UC1= Vin
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  • 2014-11-26 15:59:46
 
开关模态六:原边电流从0反向增大



如图所示,在t5时刻之前,T3已经导通,在t5时刻原边电流ip已经下降到0,由于没有了电流,所以D2,D3自然关断。
在t5-t6的时间内,副边的二极管D1,D2还是同时导通流过电流,将副边绕组短路,阻断输出电感反射到初级的途径,此时的负载电流还是由次级电感与输出电容提供;同时,由于原边的T2,T3已经导通,原边电流ip流过T3--Lr--T2,又因为Lr很小,所以原边电流ip就会反向急剧增大。
即 ip(t)= - (t-t5)
在t6时刻,ip达到最大,等于副边的电感电流折算到初级的电流
即 ip(t6)= - ILf(t6)/n
在这个开关模态,原边电流是不传递能量的,但副边却存在着一个剧烈的换流过程,通过副边二极管VD1的电流迅速减少,VD2的电流迅速增大,在t6时刻,通过VD1的电流减少到0,通过VD2的电流等于电感电流ILf。
在t6时刻之前,原边的UAB= ULr=-Vin,UA=0V, UB= Vin
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  • 2014-11-26 16:00:41
 
开关模态七:负半周期功率输出过程



如上图,此时T2与T3同时导通,T1与T4同时关断,原边电流ip的流向是T3—Lk—Lp—T2,如图所示。
此时的输入电压几乎全部降落在图中的B,A两点上,即UAB=-Vin, 此时AB两点的电感量除了图上标示出的Lp与Lk之外,应该还有次级反射回来的电感LS`(因为此时次级二极管VD2是导通的),即LS`=n2* Lf,由于是按照匝比平方折算回来,所以LS`会比Lk大很多,导致Ip上升缓慢,上升电流△Ip为
-△Ip=-【 (Vin-n*Uo)*(t7-t6)/( Lk+ LS`)】
此过程中,根据变压器的同名端关系,次级二极管VD2导通,VD1关断,变压器原边向负载提供能量,同时给输出电感Lf与输出电容Cf储能。(图中未画出)
此时, UC1 =UC4=UB =Vin UAB=-Vin
UA=0V
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  • 2014-11-26 16:01:26
 
开关模态八:负半周期超前臂谐振过程



如上图,此时超前桥臂下管T2在t7时刻关断,但由于电感两端电流不能突变的特性,变压器原边的电流仍然需要维持原来的方向,故电流被转移到C1与C2中,C2被充电,电压很快会上升到输入电压Vin,而C1的电荷很快就被抽走,C1两端电压很快就下降到0V,即将A点的电位钳位到Vin。
由于次级折算过来的感量LS`远远大于谐振电感的感量Lk,故基本可以认为此是的原边类似一个恒流源,此时的ip基本不变,或下降很小。
C2两端的电压由下式给出
Vc2=︱-Ip︱*(t8-t7)/(C1+C2)= Ip*(t8-t7)/2 Clead
C1两端的电压由下式给出
Vc1= Vin- 【︱-Ip︱*(t8-t7)/2 Clead】
其中Ip是在模态8流过原边电感的电流,在t8时刻之前,C2上的电压很快上升到Vin,C1上的电压很快变成0V,D1开始导通。
在t8时刻之前,C2充满电,C1放完电,即 VC2= VC4=VA=VB = Vin VC1=VAB= 0V
模态8的时间为
△t= t8-t7=2 Clead * Vin/ Ip
注意:此△t时间要小于死区时间,否则将影响ZVS效果。
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  • 2014-11-26 16:02:09
 
开关模态九:原边电流负半周期钳位续流过程



如上图,在t8时刻二极管D1已经完全导通续流,将超前臂上管T1两端的电压钳位到0V,此时将T1打开,就实现了超前臂上管T1的ZVS开通;但此时的原边电流仍然是从D1走,而不是T1。
此时流过原边的电流仍然较大,等与副边电感Lf的电流折算到原边的电流
即 ip(t)= iLf(t)/n
此时电流的下降速度跟副边电感的电感量有关。
从超前臂T2关断到T1打开这段时间td,称为超前臂死区时间,为保证满足T1的ZVS开通条件,就必须让C1放电到0V,即
td ≥△t= t9-t8=2 Clead * Vin/ Ip
此时, UC2=UC4=UA=UB =Vin , UAB=0V
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  • 2014-11-26 16:02:58
 
开关模态十:负半周期滞后臂谐振过程



如图所示:在T9时刻将滞后臂上管T3关断,在T3关断前,C3两端的电压为0,所以T3属于零电压关断。
由于T3的关断,原边电流ip突然失去通路,但由电感的原理我们知道,原边电流不允许突变,需要维持原来的方向,以一定的速率减少。所以,原边电流ip会对C3充电,使C3两端的电压慢慢往上升,同时C4开始放电。
即 ip(t)=-I2sinω(t-t9)
vc3(t)=Zp*︱-I2︱sinω(t-t9)
vc4(t)=Vin-Zp*︱-I2︱sinω(t-t9)
其中,-I2:t9时刻,原边电流下降之后的电流值
Zp:滞后臂的谐振阻抗,Zp= )0.5
ω:滞后臂的谐振角频率,ω=1/(2Lr*Clag)0.5
同理,原边的谐振电感Lr与滞后臂的两个电容C3,C4谐振,其电压与电流的关系就是正弦关系。
同开关模态四分析一样的道理,由于原边电压的反向,根据同名端的关系,LS1,LS2同时出现上正下负的关系,此时VD1开始导通并流过电流;而由于LS2与Lf的关系,流过LS2与VD2的电流不能马上减少到0,只能慢慢的减少;而且通过VD1的电流也只能慢慢的增加,所以出现了VD1与VD2同时导通的情况,即副边绕组LS1,LS2同时出现了短路。
而副边绕组的短路,导致Lf反射到原边去的通路被切断,也就是说会导致原边参加谐振的电感量由原来的(Lf*n2+ Lr)迅速减少到只剩Lr,由于Lr比(Lf*n2+ Lr)小很多,所以原边电流会迅速减少。
在t10时刻,原边的UAB=ULr=Vin,UB=UC4=0V, UA=UC2=UC3=Vin
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  • 2014-11-26 16:03:41
 
开关模态十一:谐振结束,原边电感向电网馈能



如图所示,当C3充电到Vin之后,谐振结束,就不再有电流流过C3,C4,转而D4自然导通,原边电流通过D4—Lr—D1向电网馈能,其能量来源于储存在Lr中的能量,此时原边电流迅速减少,
ip(t)= -【Ip10- (t-t10)】
其中 Ip10是t10时刻的原边电流值
在t11时刻减少到0。
此时T4两端的电压降为0V,只要在这个时间将T4开启,那么T4就达到了零电压开启的效果。
对于开关模态11来说,谐振周期一定要小于死区时间,否则就不能达到滞后臂的ZVS效果了。但此时的谐振电感是没有次级电感通过匝比反射回来的,所以只有谐振电感参与了谐振,在设计的时候小心了,谐振电感一定要足够大,否则谐振能量不够的话,原边电流就会畸变。
在t11时刻,UAB=ULr= UC3=UA=Vin,UB=0V
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  • 2014-11-26 16:04:22
 
开关模态十二:原边电流从0正向增大



如图所示,在t11时刻之前,T4已经导通,在t11时刻原边电流ip已经上升到0,由于没有了电流,所以D1,D4自然关断。
在t11-t12的时间内,副边的二极管D1,D2还是同时导通流过电流,将副边绕组短路,阻断输出电感反射到初级的途径,此时的负载电流还是由次级电感与输出电容提供;同时,由于原边的T1,T4已经导通,原边电流ip流过T1--Lr—T4,又因为Lr很小,所以原边电流ip就会正向急剧增大。
即 ip(t)= - (t-t11)
在t12时刻,ip达到最大,等于副边的电感电流折算到初级的电流
即 ip(t12)= - ILf(t12)/n
在这个开关模态,原边电流是不传递能量的,但副边却存在着一个剧烈的换流过程,通过副边二极管VD2的电流迅速减少,VD1的电流迅速增大,在t12时刻,通过VD2的电流减少到0,通过VD1的电流等于电感电流ILf。
在t12时刻,原边的UAB= ULr=UA=UC3=Vin, UB= 0V
tingting2013
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  • 2014-11-26 16:25:41
 
谢谢了,,,我会努力学习的。。。
b44d55
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  • 2014-11-26 16:05:18
 
12个工作过程包括:2个正负半周期的功率输出过程,2个正负半周期的钳位续流过程,4个谐振过程(包括2个桥臂的谐振过程与2个换流过程),2个原边电感储能返回电网过程,最后还有2个变压器原边电流上冲或下冲过零结束急变过程。这12个过程就构成了移相全桥的一个完整的工作周期,只要有任何一个过程发生偏离或异常,将会影响到移相全桥的ZVS效果,甚至会导致整个电源不能正常工作
tingting2013
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  • 2014-11-26 16:27:54
 
能说的具体点吗???因为同学太多,,都想学习。。。
b44d55
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LV8
副总工程师
  • 2014-11-26 16:59:22
 
已经这么细到了每个电子元件, 并画了线, 还需要再具体?
那就只有实例了....
hlp330
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  • 2014-11-26 18:14:59
 
来一个实例说明下啊。
tingting2013
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  • 2014-11-27 10:28:14
 
支持,,还个实例来说一下,,我们一起学习学习.
孤星灵月
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  • 2014-12-1 20:40:09
 
我看贴看到这里都有点抽筋的感觉了。。。
qq80644864
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  • 2014-12-1 21:38:53
 
你到现在才抽筋,那你忍受能力还真的够强劲的
tingting2013
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  • 2014-12-2 16:13:22
 
为什么??有什么不懂的地方吗?
孤星灵月
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高级工程师
  • 2014-12-2 20:18:07
 
有不懂的我会问!可是现在这帖子一半多都是些无关主题的内容,并且楼层叠得那么高。想认真点看都没那个耐心啊!
tingting2013
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  • 2014-12-3 08:04:55
 
汗,那我想问你,如果不懂就要多问。你要知到,每提高任何地方的一个点。或者下降一个点。影响的元件是好多的,,,不是你说怎么样就怎么样的?
孤星灵月
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高级工程师
  • 2014-12-3 08:50:38
 
你看你的帖子楼层盖到多少楼了,四百多楼,看看有多少楼层是跟本帖主题无关内容的,我并非指你所盖的楼层!你是在说效率的问题?那请问在前级EMI滤波那级如果损耗大点会影响到哪里?再者说输入整流二极管损耗大点对后级有何影响?
tingting2013
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  • 2014-12-3 16:22:13
 
请指教!!!!
b44d55
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  • 2014-12-10 11:50:06
 
他是来灌水的, 不会帮到你
大家都在说, 效率是一点点扣出来的, 记得以前看过一篇文章, 说的就是步骤, 一时找不到了, 你可以去找一下, 对你很有帮助的, 元件的参数大一点小一点, 有些关键位置, 可能就因为电流小了一点点, 波形都不正常了
孤星灵月
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高级工程师
  • 2014-12-10 18:43:14
 
我灌水?你看看你所参与的帖子有多少内容是对主题无关的?就拿这帖子的内容说,是你自己理解后自己写出来的吗?一大堆内容跟主题有关系吗?PFC和QR有关系吗?是你来这灌水还是我来这灌水?我现在是在真正的讨论效率问题吗?楼主现在说的是板上每提高和降低一个效率点影响的元件都好多的,而我问在EMI那部分电路效率降低一个点对后级什么元件有影响?这是属于灌水?那请你回答下对后级会有什么影响?
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-12-10 19:53:26
 
灵月兄,大家都是在针对问题回答,只不过是回答的方向不是一样的,或许是大家没有理解到一起去!请凉解!
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-11 08:22:50
 
你从一开始在回复的时候,总是贴一些跟内容无关的图片,然后自己的回复又跟前面的内容毫无连接,你却还好意思说别人在灌水,说是在的,人可以无耻,但没见过你这么无耻的。
gaohq
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总工程师
  • 2014-11-22 12:03:01
 
楼主最后是重新画板啦还是割铜跳线啦 ?
具体实施在哪些地方?可否图示出来?
tingting2013
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LV8
副总工程师
  • 2014-11-24 12:59:49
 
最后我也没用重新画板,,,说了可能也没有多少人信,反而我只在输出加入了一个假负载就解决了。
gaohq
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  • 2014-11-24 13:16:22
 
陈博士说你的驱动线不合理,你没有改进 ?
tingting2013
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  • 2014-11-24 15:08:39
 
没有改进,他说的的确不错,,,也知到这个问题,但是大家都知到,DIY都是学习的机会,我会向别人多问,多多学习。。如果我再去重新布局,我可能会取消好多方面的不良之处。
b44d55
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  • 2014-11-24 15:29:54
 
现在的改进和过去的改进有什么不同吗. 已经都定稿了就不要去改动什么大的方面了, PCB动不了, 唯一能动的就是换个更低VF或更高电流的MBR,或者更适合的MOS这些电子元件而已
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-11-25 10:32:51
 
是的,现在只是要原来的基础上增加了一个假负载而已,其它方面没有什么大的更改。
b44d55
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  • 2014-11-25 14:53:05
 
如果还有什么可以降低温度和损耗的地方还可以再改
tingting2013
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  • 2014-11-27 10:29:30
 
你指的是哪方面.如果可以,我更改下看,效果会不会达到理想的那种.
gaohq
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  • 2014-11-22 12:00:48
 

tingting2013
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  • 2014-11-24 12:58:13
 
这个是示波器的那个没有调整上去的。不是两组信号。
rensheng
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高级工程师
  • 2014-11-1 16:33:42
 
路过,好文章,继续。
xieweixiong1989
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  • 2014-11-16 10:31:16
 
PQ3220做100W是没问题的,陈公子
b44d55
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  • 2014-11-17 15:41:51
 
马马虎虎是可以的, 看过有人用OB6563+OB2203做100W的, 磁芯用PQ3220, 也有CDM100( 24V 4.2A ) 的设计用PQ3220,
这种变压器做100W,效率只能做到90%, 一般用在常规的反激设计电路里,功率再大温升会很高
心旷神怡
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-18 14:41:27
 
猛啊,大宝子
tingting2013
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  • 2014-11-18 16:23:30
 
G兄,有什么好的意见提出来,,让我更改更改嘛...
梦开始的地方
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  • 2014-11-18 20:32:48
 
[size=14.399999618530273px]PQ32的这个变压器做100W,压力比较大。
tingting2013
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  • 2014-11-19 10:03:53
 
有压力才有解决问题的动力,,,,这个的话主要看自己怎么调试,在哪些方面去控制.
b44d55
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  • 2014-11-25 14:52:01
 
如果再加上没有PFC, 那难度就更大了

tingting2013
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  • 2014-11-28 08:52:24
 
目前是没有PFC的,,有相对的可以拿出来给小弟学习学习。。。
hwx-555
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  • 2014-11-28 11:40:56
 
我倒认为有PFC后级要好设计
hlp330
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  • 2014-11-28 12:25:52
 
如果有PFC的话啊,PFC的后级调试起来相对容易一些。
tingting2013
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  • 2014-11-28 16:53:42
 
那是,加入PCF电路的话,后端相对要稳定好多的。
b44d55
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  • 2014-11-28 18:02:13
 
不加就不稳定了吗, 人家都说什么如果一个电源加了PDC效率可以做到96%,98%什么的, 但也很少的人说加了PDC效率会变低,加的目的是为了电路能够适应更宽的输入电压, 你不加的目的最重要的一点 是什么
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:16:47
 
我不加的最重要的一点就是(成本低)呵呵。。因为没有PF值的要求啊,不是吗?如果按认证的来算,75W以上的就要有PF值的规定,是吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-1 12:56:34
 
1、PDC?
2、谁家加了PFC的效率做到98%而且适应宽范围?
tingting2013
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  • 2014-12-1 13:23:16
 
这个目前还不清楚,,请楼上大神解说!!!
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-1 13:25:46
 
我也不清楚,所以为384楼的。
心旷神怡
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-19 11:09:46
 
PQ3220 如果前面有一级PFC应该没太大压力。
tingting2013
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LV8
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  • 2014-11-19 13:29:08
 
现在不加,,,已解决100W,,话说上面不让加PFC。。。。。
梦开始的地方
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LV8
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  • 2014-11-19 22:48:01
 
原来现在的100W这么轻松就搞定了啊,加了PFC,还有什么QR的,可以提高到多少呢,一定提高很多了,但楼主不是没有PFC吗,做到的话,主要的设计思路在哪里?
b44d55
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  • 2014-11-20 11:57:21
 
貌似现在做的最高效率的就是QR用自驱动的同步整流和FPC, 同步整流比自驱的同步整流效率高点, 自驱做全电压的同步整流可靠性也不行, 在全电压下.QR 不加PFC 全电压效率不行.
hlp330
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  • 2014-11-20 12:21:49
 
小功率的电源是可以不加PFC的。QR加同步整流的效率确实可以,但是也不一定说是最好的。
关于自驱动的问题。这个要看个人的能力了,做的好的话,效率不一定会差的。
b44d55
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  • 2014-11-20 14:16:02
 
加PFC的目的, 主要是防止电子电器设备对电网的冲击,PFC对电源本身来说无积极/消极意义之说.虽然小功率输入电流也有谐波,也有危害,但低于75W的功率就可以不必加,
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 14:49:07
 
你276楼提到,全电压下不加PFC,QR模式效率不行,意思是不是就是说,全电压下,带PFC的QR比不带PFC的QR效率要高?请问有没有具体数据对比?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 12:38:43
 
为什么说自驱的同步整流效率要比IC驱动的同步整流效率要低?原因在哪里?在全电压下,QR+PFC效率更高?你做过?效率是多少?别告诉我你又见过98%的。
tingting2013
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  • 2014-11-25 10:34:05
 
这个我只见过最高94点几的,,这方面的损耗也不知具体表现在哪个方面/。
hlp330
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  • 2014-11-25 12:17:43
 
94%的效率是可以实现的。其实大部分的损耗就在那几个件上面:像变压器的设计,原边MOSFET,副边二极管,如果用同步整流,就需要控制好导通时间了,比较影响效率。
tingting2013
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LV8
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  • 2014-11-25 13:36:10
 
主要针对效率的方面,还有哪些呢?可以罗列出来给网大学友们学习下吗?
hlp330
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  • 2014-11-25 14:11:02
 
影响效率的方面很多啊,从你的AC输入往后一级级的看,包括EMI部分,电容放电电阻,再往后的整流桥等等,你都可以找到损耗的部分,这个网上也有很多资料的
b44d55
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  • 2014-11-25 14:38:24
 
从实验角度上说, PCB的布板也很重要, 以及损耗的分布原理情况搞清楚, 不是要你为了一个损耗放弃另一个损耗,而是要在整体损耗降低的情况下,找平衡点
梦开始的地方
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  • 2014-11-25 23:54:38
 
[size=14.399999618530273px] 损耗的分布从输入开始就要查啊,往后一级级的看,包括EMI部分,电容放电电阻,再往后的整流桥等等, 不是直接先查变压器的吗,然后是MOS和肖特基的吗?
hlp330
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  • 2014-11-26 08:28:41
 
是的,有损耗的地方都需要注意。
b44d55
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  • 2014-11-26 10:35:31
 
现在做电源的人都在说什么损耗啊, 怎么怎么去降低损耗,但遇到实际的问题都没什么好办法,就象我维修电源也是的,从不开始查, 而不是针对问题去查, 这个损耗也是的,遇到波形显示的内容也不仔细观察对比, 降低损耗都是按书上的一条条去查,比较难扣下来
tingting2013
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  • 2014-11-26 12:40:25
 
是的,相对来说,每个地方都会有相应的影响力,只不过是多少的问题,具体的计算下来可能就是多了。。。
hlp330
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  • 2014-11-26 12:46:52
 
看看别人高效率的电源是怎么做出来的,就知道降低损耗有没有办法了。
b44d55
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  • 2014-11-26 15:05:21
 
经手过的高效率开关电源也不多, 抄板了不少也没有详细的分析过, 但总算知道点理论上的知识, 无非就是在空载损耗, 开关损耗, 传导损耗, 都和不同的电源设计的开关频率有关系

tingting2013
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  • 2014-11-26 15:10:33
 
如果相对的一个反激来说,要想主要的提高效率是有哪几方面的的因素呢?
b44d55
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  • 2014-11-26 15:40:12
 
1.增大高压电容容量.
2.加强变压器制作工艺,减小漏感.
3.增大分压取样电阻阻值,
4.增大LED供电电阻值,
5.减少输入热敏电阻阻值.
6.有源钳位和同步整流
7.软开关技术
8.降低Dmax=0.35
9.材料选择高频低阻电容式,加大变压器磁芯,增大变压器初级的电感量
10.关键地方, MOS, 变压器, 输出二极管,外围电路
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  • 2014-11-26 15:45:15
 
11.重头戏是变压器, 变压器不磨中柱, 垫磁芯两边的气隙,漏感会小很多, 这样减少了涡流
12.输入和输出的共模电感的线径变, 还有就是电感线径变大
13.改进启动和辅佐供电电路
14.变压器匝比n控制来改善mos管与肖特基开关损耗
15.选取最合适的RCD
16.IC控制软开关(QR)技术

17.用LLC架构
18.输出二极管采用低Vf 肖特基, 最好是超低的
19.仔细画PCB, 注意大电流走线,环路走线
20.可用用准谐振+谷底切换
b44d55
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  • 2014-11-26 15:45:53
 
注意, 加大磁芯既可减小匝数、减小铜损,也能减小Bm、减小磁损,同时也利于散热。故一般选取的磁芯比用AP法计算的大。当然大得要适度,保证体积较小。当铜损与磁损接近时,效率较高。
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  • 2014-11-26 15:49:26
 
变压器的体积要适中,否则发热太大,效率较低。
气隙必须设计合适,如果频率较高的话,变压器的初级电感量不要太大,否则输出功率也提不上来。
工作Bmax一般都是资料上最大的50%~%65左右,这样变压器不会磁饱和。
b44d55
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  • 2014-11-26 15:48:24
 
21.绕线使用多股线,降低趋肤效应。
22.合理调整snubber电路。(影响辐射和传导)
23.次级改用low VF的diode
24.初级choke线径加粗
25.次级稳压、保护IC改用更低功耗IC
26.减少栅极驱动电阻和栅极电容(影响辐射)
b44d55
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  • 2014-11-26 15:51:39
 
够多了吧, 看完也够用了,另外再补充一个
反激的主要损耗来自于:
1. 整流桥
2. 变压器
3. MOSFET
4. 输出整流二极管
5. 吸收电路(RCD)
6. 电流采样电阻
本论坛有帖子
http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=174907
论坛里的帖子比较多
个人意见是, 把所有的可提高效率的地方调节一遍
tingting2013
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  • 2014-11-26 16:32:47
 
不是吧,这样的话相对来说要更改每一个部位的东西了,能有针对性或者具体点的吗?
b44d55
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  • 2014-11-26 16:56:02
 
对于一个反激电路来说,个人觉得效率也做不高, 所以变压器是重点, 按上面说的注意好细节就行, 如果不考虑成本, 可以在MOS和输出二极管上动点脑筋, 比如使用低VF,高电流之类
tingting2013
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  • 2014-11-27 10:32:33
 
其实在低VF上来动,相对的成本要增加,那样也没有多少意思,比如说降低各个的损耗啥的。。因为我朋友之前就叫我用低VF的,那样使用是增加了效率,可是反过来,如果在不加成本上可以增加效率就更好了,
b44d55
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  • 2014-11-28 17:52:53
 
这个还真不清楚, 就拿SS210来说吧, 我以前买了一批, 资料里写VF是0.85, 我都不清楚这个数值是怎么计算出来的, 我之前做东西从不看资料的, 我用万用表一测某个我的测试点就直接用了, 发现万用表参数是0.4, 后来换了一批0.35的, 温度立刻降低了下来
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:15:09
 
是的,相对不是自己专业的方面,自己还是有欠考虑与学习,,,不过相对低VF的管子的话,是可以在一定的基础上提高效率。
b44d55
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  • 2014-12-4 11:40:20
 
以前在选择二极管的时候, 常去看二极管型号的资料, 但每次实际的数值测量下来都和资料的不一样, 就拿VF来说, 至今我都不知道是不是我自己搞错了概念还是其他什么原因,资料写0.7, 实际0.4之类
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-4 11:44:27
 
那只能说你的测试方法是错误的。还有资料上写的0.7是有测试条件的,不在测试条件下测试,结果当然不一样,难道你不知道电流越大二极管压降越大吗?
tingting2013
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  • 2014-12-4 16:57:02
 
不过好像测试出来都是有偏差吧。。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-4 17:01:41
 
你的按照提供的测试条件来测试,偏差是可能会有,但不会说误差那么大。
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  • 2014-12-9 11:48:13
 
无论是资料上说的客观环境还是自己手工没考虑周全的环境, 对于测试肯定会有一定的影响, 但是, 如果是在相同的环境里做不同的测试, 就不一样了, 资料里的测试条件如果不能用在实际操作里, 是没用的
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  • 2014-12-4 11:43:11
 
管压降是测试出来的吧?怎么还计算出来的?
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  • 2014-12-9 11:50:27
 
买之前, 先看资料, 知道自己需要的参数, 然后问好供应商, 确定了是这个比较低的数值, 对于功率和温度的控制会很低, 才会买这个规格, 但在实际通电或者不通电中测试, 这个参数会降低很多
tingting2013
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  • 2014-12-10 08:00:20
 
这个当温度上去了的时候,,,这个值也就不好定了的!!
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  • 2014-12-10 11:46:58
 
不是, 你买的时候, 供应商如果担保是低VF的, 你回来一个个测量过, 如果从资料的0.7测量到0.4甚至0.2那就是最好的, 但是温度上升后就要看二极管性能了, 品牌性能好的元件可保证些, 如果温度上升导致VF上升的快, 说明元件质量问题
tingting2013
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  • 2014-12-10 19:54:31
 
温度上去了,不管任何元件,我想都是有差异的!毕竟误差是不可必免的!
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  • 2014-12-11 10:54:08
  • 倒数10
 
同一个批次是有误差, 但是比如一般的二极管和低VF的二极管可能是两个批次呢, 买的时候不问就上当了, 以前去买电容的时候也是的, 说了电压和容量, 没想到居然同一规格还有不同的尺寸
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-11 10:56:18
  • 倒数9
 
只有同一个厂家同一种东西才存在同一批次之说,一般的二极管跟低VF的二极管,连型号都不一样,何来可能是两个批次之说?
心旷神怡
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  • 2014-11-27 11:11:20
 
输出55V,做同步整流也不好做,MOS耐压高了,RDS同样的高了,损耗不小
hlp330
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  • 2014-11-27 12:27:53
 
55V做同步整流有些场景还可以,不过还是要看你的输出的电压尖峰究竟有多少,如果同步整流管可以用150V左右的,相对于普通的二极管整流,还是很有优势的。
心旷神怡
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  • 2014-11-29 20:33:49
 
一般全电压的反激,55V输出,管子不能用150V的吧,按照我的经验,得用300V以上,请大师指教
qq80644864
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  • 2014-11-29 23:30:26
 
看你选的MOS是多少V的了,MOS的耐压高了,后面不就是可以搞到150V了?
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:13:47
 
可是这样的话,相对你MOS的反峰一样的上去了啊,。这两个的反峰都是有联系的。
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  • 2014-12-3 17:12:21
 
全电压的反激,55V输出,那管子必须要用大啊, 用小了感觉不好啊,有2个办法, 一是通过计算公式计算出实际的需求电压, 二是靠经验, 根据设计要求输入和输出自己确定一个
tingting2013
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  • 2014-12-4 08:02:38
 
现在用的是11N65 加1004 的肖特基 ,还有什么更改的地方!
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  • 2014-11-28 08:51:32
 
损耗高了,,,自然而来,效率就低了,,,
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  • 2014-11-28 17:41:32
 
既然损耗高, 那只有一点点的去消除, 不是有句话说吗, 效率是扣出来的
tingting2013
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  • 2014-11-30 09:28:31
 
是的,影响到效率的问题都是常在的。在各个方面都有影响。。
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  • 2014-12-3 17:07:55
 
都做完了, 也谈不上什么大的优化了, 总结完经验无非也就是换几个元件的问题,也许还可以重新饶几个变压器看看会不会效率有所提高, 毕竟变压器的重头
tingting2013
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  • 2014-12-4 08:03:27
 
也是啊,相对反激电源来说,影响很大效率的就是那几个地方!
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  • 2014-12-4 11:37:24
 
你有没有测量过各个元件的效率呢, 哪个元件的温度比较高
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  • 2014-12-4 16:57:56
 
目前温度高一点的就是肖特基。。。
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  • 2014-12-8 10:43:47
 
在实际操作上,我也无非就是换低VF或高电流的
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  • 2014-12-10 08:00:47
 
有没有什么更好的方法呢?
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  • 2014-12-10 11:44:10
 
我是没有更好的办法, 我自己做的时候都是, 变压器必须饶的尽量完美, 重要的是匝数比和线粗, 完美是说不会影响热量上升就行, 其次是MOS和输出二极管的选择, 其中低VF必须保证
tingting2013
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  • 2014-12-10 19:55:23
 
自己动手饶的可能说会差一点,也有可能会好一点,毕竟每一个人的方式都是不一样的!
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  • 2014-12-11 10:51:02
 
主要还是看认真的程度, 饶的不好会有很多问题, 最怕的不是做的很差, 而是做了以后会有很多细微的错误导致波形细微的错误, 那就对以后检测上比较难修
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-11 08:24:34
 
你自己绕过变压器吗? 如果你绕过,那应该在你自己发的那个帖子里贴出来的就是你自己绕的变压器吧?那还叫完美?恐怕第一次绕变压器的也会比你这个做了10多年lED的人绕出来的变压器好吧?
tingting2013
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  • 2014-11-18 16:15:47
 
解决温度的方法有好多种.主要看自己怎么认为.
梦开始的地方
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  • 2014-11-19 22:54:29
 
那也要找温度的来源的,比如电源发热比较厉害的整流模块,如果发热过高有几种因素照成:1.模块带载过重,风扇散热出现问题,导致热量积累 温度不断升高;2.开关电源环境温度过高,影响模块的正常散热。等。还有变压器的温度,MOS温度,二极管温度,重要的是有时候解决了一个其他自然就好了。
tingting2013
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  • 2014-11-20 09:21:33
 
是的,各方面的温度都是要注意的,那样的话会比较容易解决问题!
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  • 2014-11-20 11:51:39
 
重要的是去解决温度的方法, 主要还是按顺序修改数据, 从变压器, 到芯片, 到MOS, 到二极管, 综合调节起来也很费事, 还要加补充电路, 如果有带风扇, 还要检查风扇的性能,
梦开始的地方
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  • 2014-11-22 16:16:17
 
[size=14.399999618530273px]现在的几百W的开关电源有很多也带风扇,就是制作起来有点难度,总是设计不好位置,有时温度过高了,引线布置不方便,后来基本就不大愿意加风扇了。
tingting2013
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  • 2014-11-24 12:57:03
 
是的,因为再加上成本的问题,这样使用起来就不太方便,且位置太大。
b44d55
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  • 2014-11-24 15:27:16
 
我看过很多设计就是因为成本问题, 在电路里到处偷工减料, 搞的很简单,最后设计效率很低, 变压器和二极管温度都很高, 改善了一些之后发现热量还是无法散掉
tingting2013
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  • 2014-11-25 10:35:40
 
是的,相对来说,这方面都是大有人在的,当然也包括自己以前也有做过类似的方案,,
davit_zhang
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  • 2014-11-25 10:49:27
 
来晚了一步,赶紧搬个沙发听课!支持原创,版主给精吧。
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  • 2014-11-25 14:36:15
 
现在的人做电路设计,最重要的就是温度, 损耗, 如果把这2个控制到最低, 即使成本高一点, 功能上差点, 也不会太介意, 除了那些为商的设计人
要在没有PFC的情况下降低温度和效率, 最要考虑的就是变压器
梦开始的地方
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  • 2014-11-25 23:52:51
 
[size=14.399999618530273px]大师,问一下啊,我做的那个60W的电源变压器和基本电路都是完全抄书的,应该没什么问题了,但是对于PCB布板上的讲究还是琢磨不透啊,那个温度和损耗怎么避免。
b44d55
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  • 2014-11-26 10:30:24
 
60W的开关电源没有什么值得探讨的必要, 因为只要你使用的变压器适合60W, 一些比如MOS和二极管都针对电压, 电流,功率,耐压都放了余量的话, 布线尽量缩短回路长度,都可以降低 损耗, 这里最重要的就是变压器的设计完美
tingting2013
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  • 2014-11-26 12:41:38
 
变压器的设计,那关系到好多方面的,,如EMI EMC 还有就是线圈的大小多少,都有直接的影响。
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  • 2014-11-26 15:00:18
 
这个主要和设计要求有关系, 因为一般来说, 变压器的制作, 只需要知道用在哪里, 类似产品资料, 饶线参数资料, EMI要求不高的话, 也只需要考虑耐压就行, 普通饶制就行了
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  • 2014-11-26 15:12:02
 
但是三明治的饶法,明显的效率会高一些啊,只不过他的EMI就要比普通的差一些了。
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  • 2014-11-26 15:35:49
 
三明治的绕法有很多特点呀,除了提高效率, 还有降低漏感,减少损耗, 更容易过传导测试
但在小功率几W的电源里, 是行不通的, 能引起RCC电路里的MOS温度升高, 有可能引起带载不起
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  • 2014-11-27 10:34:53
 
常见的三明治也就是那几种饶法,,你认为哪种方式饶最好呢??或者有没有好的意见?
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  • 2014-11-28 17:28:41
 
无论怎么饶, 目的都是想办法使初、次级线圈紧密地耦合在一起,这样可以减小变压器漏感,因为漏感过大,将会造成较大的尖峰脉冲,从而击穿开关管. 所以呢,在绕制高频变压器线圈时,应尽量使初、次级线圈之间的距离近些
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  • 2014-11-28 17:31:48
 
说到变压器的饶法, 各有各的好处, 实在说不清楚,我只能说, 看你是更重视哪个特点了
1. 初级 包 次极 采用1/2 1 1/2
2 初级 包 次极 采用1/3 1 2/3
3 次极 包 初级 采用1/2 1 1/2
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  • 2014-11-28 17:37:33
 
另外呢, 还有几种其他的饶制方法, 比如把初、次级的漆包线合起来并绕,还可以把初、次级各分成几个等分, 隔开来饶, 先初级再次级再初级再次极再初级再次极.
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:11:45
 
我有见过把VCC放在里面的。。不知那样的优缺点是什么呢?
hlp330
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  • 2014-11-30 17:55:16
 
在使用三明治绕法的时候,我有时候设计变压器也喜欢把VCC放里面,和副边的反馈绕组尽量的耦合。这样做VCC的电压在负载变化的时候,不至于飘高的太离谱了。
tingting2013
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  • 2014-12-1 12:41:05
 
放在里面有压制性???
hlp330
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  • 2014-12-1 12:48:01
 
不是什么压制性,无非是要和反馈绕组耦合好一点。
tingting2013
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  • 2014-12-3 08:06:40
 
那样的话,他的不好的地方是哪里呢??温度?还是什么?因为我没有那样饶过!
b44d55
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  • 2014-12-3 17:02:38
 
可能是我不大理解理论的知识, 什么叫做把VCC饶在里面
变压器的饶制方法有那么多, 大都只是说到初级, 次极, 辅助, 多组, 是和基于变压器绕组的漏感能量的传输处理有什么关系吗
tingting2013
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  • 2014-12-4 08:04:39
 
也就是常说的把辅助饶在里面吧,我没有这样饶过,不知到其中的优劣!
b44d55
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  • 2014-12-4 11:35:06
 
有人说过, 辅助饶在里面不方便出线
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-4 08:29:29
 
什么叫漏感?漏感的大小当然影响能量的传输了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-4 08:31:05
 
等于在原边跟副边之间又加了一层,自然造成原副边耦合不好,漏感偏大。
tingting2013
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  • 2014-12-4 16:58:51
 
我个人认为,VCC在外面会好点。。
b44d55
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  • 2014-12-8 10:33:28
 
应该从最基础的饶法来饶, 尽量不搞新花样
孤星灵月
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  • 2014-12-8 10:56:10
 
认为在里面耦合好。。。特别是PSR模式的。。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-8 11:21:18
 
VCC在外面,你输出负载变化比较大的时候,VCC变化程度如何?如后面网友说的,如果是PSR呢?你VCC放外面又如何?所以说没有放哪里好,这个要根据实际应用做具体分析。
hwx-555
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  • 2014-12-8 15:34:10
 
紧贴次级绕组最好
b44d55
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  • 2014-12-9 11:45:22
 
实际饶制当中要做到紧贴很不容易, 平整最关键
tingting2013
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  • 2014-12-10 08:01:51
 
是的!但是在计算中还是最好是紧贴比较好!
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  • 2014-12-10 11:41:28
 
我平时在饶变压器的时候, 发现最难做到平整的就是出线了, 虽然要求是直角输出, 但是在实际手工饶制中很难做到, 这就是后面的绕组不平整的原因之一
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:12:46
 
这个是原创的。。就是看上去感觉还是差了点吧。
b44d55
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  • 2014-12-1 15:34:07
 
哥给你一个真理, 任何原创, 都不是原创, 我不是说你, 我是说目前整个LED环境
为什么这么说呢, 是因为现在搞电源的人都心浮气燥, 整天怀疑别人的产品是自己的,希望别人的技术是自己的, 那些人看着都恶心, 自己不努力, 总是看别人碗里的,真不要脸.
YTDFWANGWEI
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  • 2014-12-1 16:09:44
 
对于抄板的来说,当然没有原创。因为没有别人的东西,他根本不可能设计出来一个自己的产品,但是对于一个设计者来说,只有输入指标及输出指标,最后设计出来一个符合技术要求的产品,那就是原创。
tingting2013
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  • 2014-12-3 08:09:09
 
呵呵。。这个也是目前的现实性啦,,不过还好,我这个不是配LED的!!
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  • 2014-12-4 11:13:43
 
这个还是要看设计前的想法, 如果没有参考,就自己做
tingting2013
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  • 2014-12-4 17:00:15
 
其实相对来说是有一定的应用电路的!!这是每一个IC都会附的电路图而已!!有开发就会有应用!1
b44d55
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  • 2014-12-8 10:31:38
 
其实抄板在初期作用还是很大的, 至少在某些角度上看新人学电源, 这个非常快, 至于针对芯片的学习, 还是从资料下手, 里面有电路图, 然后用实验板搭配几个来做
tingting2013
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  • 2014-12-10 08:04:04
 
抄板在自学的阶段还是非常重要的,,多学习优点也是不错的!
b44d55
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  • 2014-12-10 11:36:11
 
有时觉得抄板还有一个好处是对比, 同样的两个电源, 可能里面只有少量的元件不一样, 而参数却是大面积的不一样, 这就值得研究了, 为什么同样的设计要求, 计算公式也一样, 计算出来的数值却不同
hwx-555
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  • 2014-12-10 11:38:36
 
抄板既要抄形也要抄神
tingting2013
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  • 2014-12-10 19:55:55
 
那是,不过在初学的时候可能就会差一些吧!
hwx-555
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  • 2014-12-10 22:53:52
 
这个急不来,初学只能同浅入深,学得多少算多少
tingting2013
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  • 2014-12-11 07:54:58
 
是的!针对个人而来,学到的东西永远都是自己的!!
b44d55
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  • 2014-12-11 10:46:01
 
抄板流程网上很多, 我就说说我自己的经验好了,在测试好所有数据后, 一是直接抄画电路图, 二是直接抄画PCB., 三是自己亲自拆解变压器, 自己制作EXC的元件表, 五是整理归档, 分类, 六是收集类似的电路资料配比, 七是在电脑里存档, 八是自制一个, 重新测试
tingting2013
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  • 2014-11-30 17:18:26
 
师兄,,不是有没有问题,而是想了解到自己还有什么不足,多学习而已。。
DCOCO
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  • 2014-12-1 14:34:14
 
这个里面吹牛还是要有水平啊……
DCOCO
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  • 2014-12-1 14:37:54
 
不邮寄一个给我…… 150W…… 有本事搞个300W出来……我带你翻墙……
b44d55
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  • 2014-12-1 15:26:06
 
我看到很多新产品出来的时候都是技术保守的, 因为想爬在你头上的人太多了, 你没听说吗, 搞技术的不如说风凉话的, 很多人整天没事做, 只知道从别人那里捞好处
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  • 2014-12-1 15:27:19
 
我看了你的电路图上有很多的方块, 为什么要画这个方块呢?
tingting2013
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  • 2014-12-3 08:10:54
 
因为要标出可选元件!就加入了这个方块表明。
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  • 2014-12-3 16:58:38
 
弱弱的问下什么叫做可选元件
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  • 2014-12-4 08:07:49
 
就是可装或者不装,,特别在做认证的时候,也就是没有指定!
b44d55
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  • 2014-12-4 11:11:21
 
那从电路上看你的可去处的元件也太多了, 如果都不装,电路都不通了吧, 或许只是说参数可以修改的意思吧, 那你的目的是什么呢, 主要是应对认证吗
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  • 2014-12-4 17:03:52
 
我的目的啊,,这样说吧,,比如,这种IC高低压都可以起动!我就布了两种,到自己实际测试各个方面时做一个好的对比!!应对认证的话到没有什么!因为认证不会关注你电路上的哪一些。。有些参数可以用,也可不用!!!
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  • 2014-12-5 16:42:34
 
不知道是不是我理解能力有问题, 就拿这2个方块来说好了, 电容没什么多大用,你用了做什么的, 电阻是必须的, 如果去掉不大可能, 那目的只是说这么参数可换吗


tingting2013
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  • 2014-12-7 23:34:10
 
就好比这样吧,有的IC的过温在电路中自己可以取消或者不装!
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  • 2014-12-8 10:27:46
 
这倒也是, 主要还是可用可不用, 有时在选的时候比较难
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  • 2014-12-10 08:05:37
 
主要看装上去了!哪方面的性能好一点。不管再怎么样,总是有差异的!
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  • 2014-12-10 11:29:19
 
看了你整体的格局, 有点明白了,看到你在很多地方都设计了多种选择, 比如输出二极管, 也是可用一个或者两个, 但依旧对其他有些地方仍旧不理解多用途的设计
b44d55
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  • 2014-12-10 11:31:32
 
虽然说可用可不用比如这个图, 左边的电阻和右边的电阻在你实际使用中有什么区别
左边的不要, 或者左右都要, 因为不是可以直接并联, 所以相信作用肯定不同, 如果右边电阻不要又会怎样
[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2014/12/10/14181822905487be92180d3.jpg]
[/url]

tingting2013
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  • 2015-1-5 17:52:32
  • 倒数3
 
哥啊,,,那可是给817供电的啊,,不要会出问题的!
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这2个二极管可以不用, 那右边二极管用的作用是什么, 稳定电压吗

tingting2013
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  • 倒数2
 
如果是做电动机产品就要加了,如果功率不算大,可以用来控制恒功率这方面!
小胜
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  • 2015-12-5 09:32:53
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请问楼主你是如何检查那个谐波的,如何消除的?
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