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【龙腾DIY】无PFC反激,G8875推11N65 MOS加PQ3220 加1004 挑战100W【完结】

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tingting2013
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  • 2014-10-8 11:01:11
要求: 输出55V 1.8A 效率90%以上, , ,
无PFC 一级半的反激电源。
变压器PQ3220。 OCP:1.5倍以内。
相对其它要求,,想必大家都知到啊,认证啊,,啥的,,一大把,,小弟不一个个写了。。大家做电源的都懂的。


其实吧,早就是这样想的了,发表一下,让各路大神给小弟提下意见,现可以申请超结MOS,刚好自己对这方面也有一定的了解,相对来说还可以吧。


OK ,,,,话不多说,,来张原理图先,,,,后面根据时间来更新,,大家都懂的,毕竟公司产品,要自己开案的。。。



希望并感谢大家继续支持。
完结作品,已邮寄给论坛 21世纪电源网


hlp330
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版主
  • 2014-10-8 11:04:53
 
100W不加PFC?如何认证啊
tingting2013
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  • 2014-10-8 11:06:59
 
认证嘛,,客人有跟我说过,但是他要求不加,因为是内置的POE 他可能考虑在内了吧。/
admin
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管理员
  • 2014-10-8 11:10:33
 
龙腾样片收到了吗
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-10-8 13:30:43
 
还没有,不过MOS嘛,都差不多,超结MOS跟coolmos性质上是差不多的。。。你的收到了吗?
tingting2013
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  • 2014-10-15 09:30:29
 
我已收到样品,,,不过是11N65的。。。。
long223350
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本网技师
  • 2014-11-3 13:21:10
 
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b44d55
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  • 2014-12-1 16:32:28
 
你原来是想用多大的MOS ? 选择原因是什么
tingting2013
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  • 2014-12-7 23:35:21
 
我原来打算用7N的MOS来战!!!申请的时候点为11N的了!!
孤星灵月
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高级工程师
  • 2014-12-8 08:11:13
 
100W用7N不热死???
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-12-8 10:09:30
 
有加一个大的散热片,,只是想挑战看看
b44d55
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副总工程师
  • 2014-12-11 14:05:31
  • 倒数8
 
目前用11N,+散热片,温度对比一下, 看看有多少差别
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-12-11 17:53:40
  • 倒数7
 
我手上没有7N的样品啊,,,申请的时候只申请了11N的!!你手上有没有》?
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:33:41
 
但是,你这样的话,怎么通过规定的测试呢
tingting2013
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副总工程师
  • 2014-10-15 09:29:50
 
主要是内置的电源吧,现在客户要求不开PFC,也没有办法加,这个大家做工程的都懂的,成本嘛。。。
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 17:58:56
 
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long223349
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  • 2014-11-2 17:59:25
 
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qq80644864
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  • 2014-10-8 13:48:31
 
请教下什么是1级半?
tingting2013
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  • 2014-10-8 16:20:34
 
额,,,属于地方语吧,,就是高压整流前,,,两电一容。。
hlp330
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  • 2014-10-8 16:25:34
 
看你原理图,EMI部分采用了两极共模哦
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:11:06
 
这只是电路嘛,,想我比较多,有加入上去,,,实际上就是两电感,一电容。
梦开始的地方
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  • 2014-10-11 23:57:48
 
也就起到一个滤波作用吧,还要看电感的绕制参数, 磁芯材质什么的
鸡腿
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  • 2014-10-8 16:39:03
 
你是说IC的VH脚吗?这个脚是否为平衡过流点作用的?
鸡腿
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  • 2014-10-8 16:39:54
 
你框框里的C 7,C14是搞嘛用的?
hlp330
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  • 2014-10-8 16:53:38
 
高频的陶瓷电容,以前也加过,可以吸收高频噪声,对EMI的某些频段有好处。
鸡腿
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  • 2014-10-8 17:30:15
 
速度记入我的笔记本
qq80644864
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  • 2014-10-8 20:29:49
 
鸡腿
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  • 2014-10-9 08:19:49
 
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 00:00:39
 
我知道这个,就是介电常数高,介质损耗低,温度系数范围大,
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:48:13
 
温度这方面也要从具体的布积来考虑吧,,,,
tingting2013
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  • 2014-10-15 09:31:48
 
呵呵,,,这玩意用来整理EMI EMC方面的,,,,
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:36:31
 
从电路上看,做的还是很复杂的,有些地方也考虑到了分流分压
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:11:47
 
有些地方,就算是实际上不用,也要考虑到吧。。
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  • 2014-10-12 00:02:08
 
是的, 有些多加的小电容, 看起来作用不大,但有时也会影响到滤波或者安全之类
tingting2013
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  • 2014-10-17 09:35:32
 
是的,相对来说会影响到EMC这方面的比较多.
tingting2013
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  • 2014-10-11 08:16:25
 
经过计算,,变压器已计算出来,晚点传上图来,,,400UH PQ3220 大家都懂的,,晚点上传。。



CAD的,,有点模糊,,不好意思啊。
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 00:03:24
 
变压器制作上, 选用PQ的总是有优势啊,就是绕线不方便
hlp330
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  • 2014-10-12 09:28:34
 
说说看,PQ的优势在什么地方啊?
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:24:50
 
比如,功率可以做的大,成本低,等
hlp330
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  • 2014-10-12 11:34:11
 
PQ磁芯的成本低?是否有依据?例如和EE系列?RM系列的比起来?
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:48:48
 
这个怎么比呢,比如PQ2620和EE25来对比吗
hlp330
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  • 2014-10-12 11:56:29
 
你可以说说PQ2620和EE哪个尺寸的价格差不多,就知道有没有成本优势了
qq80644864
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  • 2014-10-12 12:44:23
 
EE的磁芯最便宜了
tingting2013
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  • 2014-10-13 13:40:52
 
这个要考虑到其它方面的,比如说温度啥的。。
qq80644864
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  • 2014-10-13 13:52:02
 
EE的温度不比PQ的差的,其他方面PQ的优势大了,例如EMI和磁利用方面
hlp330
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  • 2014-10-13 13:57:12
 
EE的还有一个优势哦,就是几付磁芯可以直接并联,做功率扩展,这种方法在大功率电源上使用
较多。还有一个小有点,手工绕线的话,EE的绕起来相当的方便,环形的PQ系列就差远了。
tingting2013
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  • 2014-10-13 14:01:21
 
有效的截心面都要考虑的。
hlp330
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  • 2014-10-13 14:07:31
 
EE的缺点也是很多的,EMC差,体积大,截面积小,等。。。
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:05:37
 
同样磁材,气隙位置不同,既使气隙大小相同,变压器的性能是存在少许区别的,如频率越高,区别就会越明显,用什么样的磁芯取决于你的产品设计需求, 但我怎么看都觉得PQ的好,但是对小功率来说不常用
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:08:19
 
从另外来说,PQ型的变压器, 属于高频类变压器,比如:PQ20、PQ26、PQ32、PQ40、PQ50等,主要用于大功率充电器,大功率开关电源,同样材质和气隙,绕组匝数、线径和绕线形式都会影响它的电感量
qq80644864
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  • 2014-10-15 00:15:38
 
所谓的PQ,EE,EFD等都是外观而已。。。不能说PQ就是高频
shanying0000
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  • 2014-10-15 11:02:14
 
这个我不赞同,EE窗口面积大,绕线方便,大功率的比如电力电源,绝对使用EE。
PQ和EE相比呢,慈心中柱面积大,假如需要做储能式的磁性元件,在相同的电感量条件下,PQ气隙要小,漏慈就会小,利于抗干扰,利于EMI。
和频率相关的主要是磁芯材料,还有实际设计时候的B值。
选取磁芯都是有依据的,首先就是成本,其次电气性能。
各种型号磁芯各有优缺点,存在都是有意义的。
b44d55
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  • 2014-11-28 18:07:23
 
说的很有道理, 要不是要求不高, 还真的去会认真挑选一下每个设计最适合的磁芯骨架, 现在的变压器选择上,大家首先考虑的都是尺寸大小频率和成本, 还有最适合自己设计
tingting2013
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  • 2014-10-13 14:05:45
 
现已收到龙腾寄过来的MOS样品,,LSD11N65 T0-220F封装。

tingting2013
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  • 2014-10-13 16:30:53
 
MOS收到了,现PCB也画完了,,发出去打几个PCB回来。稍等两天,,这两天把变压器饶好,
以下为PCB图。

顶层丝印图,


底层贴片图

底层走线图


整体布局图

梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:02:31
 
如果全做完了,有个立体的图片拍了也要放上来啊
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:18:26
 
这个可以,没有问题,测试过程中肯定会上传图的,,
hwx-555
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  • 2014-10-13 15:38:07
 
楼主的一级半需要解惑下
hlp330
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  • 2014-10-13 16:15:58
 
这个是楼主的专利电路。应该没有第二个人这么叫的。是说EMI电路,有两个共模电感,一个
X电容,不同于我们常用的PAI型滤波电路,所以说是一级半。省了个输入X电容。


tingting2013
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LV8
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  • 2014-10-13 16:26:43
 
呵呵,,介个的话我们这边都习惯性介样称乎,,,
qq80644864
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  • 2014-10-13 16:35:23
 
原来是这么理解的,明白了
鸡腿
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  • 2014-10-13 16:54:21
 

tingting2013
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  • 2014-10-13 17:19:02
 
这眼神,,,介么犀利
鸡腿
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  • 2014-10-13 17:20:34
 
这个是斜眼的意思,
tingting2013
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  • 2014-10-13 17:22:50
 
问你啊,,你发的啊。。。是不是打击下偶。。。。
鸡腿
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qq80644864
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好基友
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qq80644864
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  • 2014-10-14 08:20:03
 
鸡腿兄………………不要再靠近我
梦开始的地方
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  • 2014-10-15 00:00:16
 
你们2个疯了。说到这个一级半,我还真的不知道,去查了下EMI结构,要做好这个电磁干扰还真不是那么容易,有很多结构,虽然有最简单的我们常用的,但没有这种很少用的


tingting2013
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  • 2014-11-20 19:34:37
 
做好电磁干扰真的不容易,在好多方面都能干扰的到。。。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:20:08
 
你好, 能否把你的一级半(听说少个X ?)和正常2级别
画一个简便图给看看
tingting2013
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  • 2014-12-11 17:54:49
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介个没有问题。,晚点我手画一个发上来!
hwx-555
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  • 2014-10-14 08:02:43
 
这个说的是EMI线路。。。。
tingting2013
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  • 2014-10-14 09:16:07
 
是滴,,你懂的,,
hwx-555
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  • 2014-10-14 10:16:02
 
tingting2013
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  • 2014-10-14 13:36:45
 
呵呵 ,,变压器的饶线过程,,全按上面提示出来的资料,一样的饶法,,,现在传上图来,然后坐等PCB到。。。。。感量有点差别。。。主要是仪器误差太大了,在品质那台测试是0.395MH














hlp330
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  • 2014-10-14 13:54:34
 
,全套的制作工具,加测量仪器。
tingting2013
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  • 2014-10-14 14:59:08
 
没有办法啦,,就一两个样品,加上调试,还是自己有一套工具好一点吧,毕竟这样调试起来方便,
qq80644864
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  • 2014-10-14 23:31:23
 
公司里面没有东西用吗?
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 23:54:11
 
可以自己去搞点工具呀,比如万用表啊示波器啊什么的, 基本的办公室里需要的设备最好都准备一份,尤其是那些要用到的工具,还有仪器,另外有条件的话可以搞点EMI测试的设备
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:20:51
 
EMI测试的公司有,,相对个人而言,,有一定的压力吧,毕竟这东东国产的价格也摆在那里。
梦开始的地方
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  • 2014-11-12 01:01:17
 
也是啊, 目前家用的那些电子设备价格太高,最需要的示波器也要2000左右,可赠送万用表和一些基本工具,包括一些便宜的焊接台,镊子,焊锡什么的,麻烦的还是要准备那些超多型号的电子零件,做个自己的工作室,至少需要几千块啊。
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:19:51
 
有啊,,公司的啊,,不过自己也搞了一个,,方便嘛,,那个后续的测试啊,啥的,肯定在公司完成的。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:23:27
 
这个, 你说你有一套工具, 说说, 有哪些?
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  • 2014-12-11 17:56:34
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常用的一些,烙铁啊,万用表啊,吸枪啊,还有常用的一些东东啊!!还有一台二手的负载,,
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  • 2014-10-14 23:56:47
 
这也太详细了吧,一般也就是绕制的方向,线径,设计的参数,然后是选择的磁芯,最后要看同名端,测量电感量,测试同名端是不是正确也可以简单的用镊子做工具测量,电感表可以做到
tingting2013
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  • 2014-10-15 08:22:25
 
相对而言也是的,不过要考虑到教一下自己手下的技术员,不管哪方面都教清楚点,对他以后做技术这方面有好处的是吧。。。
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  • 2014-11-12 00:53:54
 
[size=14.399999618530273px]那也可以像那些电源视频网站一样专门开个视频出来,一边做,一边讲解,那以后那些技术员就可以经常去看,也不会有忘的地方,做起来更有动力,如果仅仅看看文字,恐怕学不到什么。
tingting2013
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  • 2014-11-12 08:54:16
 
因为是要让自己助理多学习,这个的话会慢一点。不过表示可以理解。
tingting2013
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  • 2014-10-15 10:13:04
 
现PCB已回来,,,发图上来,,晚点就插件了,,,



hlp330
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  • 2014-10-15 11:12:03
 
单面板,和我的一样啊,价格便宜,交期快。
tingting2013
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  • 2014-10-15 11:20:56
 
是的,,,毕竟要考虑到成本问题,,做研发的不想到这方面问题,,上面会说自己的,生产中好不好生产也是一个问题啊,,,,
b44d55
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  • 2014-10-15 16:56:12
 
针对PCB的选择, 要成本低的话, 目前市场上无非就是纸质板, 覆铜最薄, 不顾耐温
附表
FR-1 ──酚醛棉纸,这基材通称电木板(比FR-2较高经济性)
  FR-2 ──酚醛棉纸,
  FR-3 ──棉纸(Cotton paper)、环氧树脂
  FR-4──玻璃布(Woven glass)、环氧树脂
  FR-5 ──玻璃布、环氧树脂
  FR-6 ──毛面玻璃、聚酯
  G-10 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-1 ──棉纸、环氧树脂(阻燃)
  CEM-2 ──棉纸、环氧树脂(非阻燃)
  CEM-3 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-4 ──玻璃布、环氧树脂
  CEM-5 ──玻璃布、多元酯
  AIN ──氮化铝
  SIC ──碳化硅

tingting2013
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  • 2014-10-17 09:39:26
 
纸板太差了,,对做功率大一点的电源,没有人愿意去用纸板,毕竟那是一个错误的选择,质量上也不可信。。
hlp330
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  • 2014-10-17 10:33:27
 
这个可不一定哦。说了你可能都不信。我们以前做PC电源的时候,550W输出,用的都是单面的
纸板。那个时候,成本拼的厉害。不过大批量生产的时候,都还好,没出什么大问题哦
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 11:19:11
 
纸板还可以啊,只要温度低于130度,都可以使用的,而且成本也低啊,有什么不好的,环氧纸质材料PCB的耐压温度有130度呢,只要不是那种高温测试要求的板子都可以通过,你变压器做的好点,二极管取的低点,MOS选大点,就OK了

hlp330
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  • 2014-10-19 11:23:49
 
给你普及一点电源可靠性的知识,验证电源的可靠性,除了我们都知道的温度,输入输出性能,
以及EMC等,还有一个极其重要的可靠性测试,就是震动测试。大面积的纸板,上面如果有很重
的器件,像变压器,如果不加大量的胶固定的话,是很容易震动断掉纸板的。胶可不便宜。
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:38:52
 
您说的是跌落试验吧,,,,其实都是过重会影响到这方面.,,容易起铜皮.
hlp330
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  • 2014-10-20 20:29:33
 
是的啊,如果你用双层板的话,就会好很多了。
b44d55
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  • 2014-10-21 10:06:03
 
最好还是不要试, 一般来说只要结构比较固定是不会有事的, 除非是你焊接的不好, 或者元件漏焊,变压器工艺不好, 散热片没固定, 没必要的时候不需要做这个实验,有点浪费,
梦开始的地方
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  • 2014-11-12 00:57:16
 
但好像跌落测试还是需要的,看看330大师说的那样,如果在客户那里,不小心跌落而损坏或者仅仅是移动了电源里的零件,问题就或大或小的出来了,这样不是很麻烦吗?所以跌落测试还是需要的,好像看到是需要进行模拟测试,专门去针对坠落、撞击的实验也要做10次。

tingting2013
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  • 2014-12-18 10:16:40
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跌落分好几种,加外壳和不加外壳,要不要点胶之类的都有关系。
b44d55
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  • 2014-10-15 16:56:55
 
看起来是纸质板啊, 多少块多少钱
tingting2013
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  • 2014-10-17 11:02:05
 
介这是22F的防火等级,单面板嘛,价格便宜。才0.5不到。
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  • 2014-10-19 10:56:16
 
这么便宜啊,可以介绍介绍,下次我也去做
tingting2013
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  • 2014-10-17 10:25:20
 
呵呵,,,一不小心,散热片回来了,,图纸与样品一起上传。



梦开始的地方
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  • 2014-10-19 10:55:25
 
你用的散热片没有增加面积的考虑吗,比如可以做几个mm的宽度,增加这些面积,散热效果更好,虽然1.8A的功率不大,但有些部分还是会很热,如果有条件,散热片还是选这种比较好

hlp330
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  • 2014-10-19 11:02:27
 
一个小小的管子,没必要这么夸张吧。稍微了解一点工艺的话,这种散热片,几个齿之间的间距
太小,用机加工是很困难的。只怕要设计到开模了。这个价格不是你能承受的。也不是小功率用的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 11:15:47
 
不是说这种形状,而是说增加面积,只要散热片做成增加面积的形状,再用粘合的办法放在外壳里,如果你觉得不行,1mm也可以的,只要可以降低温度,就达到目的了。至于空间,散热片做的小点就好
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:50:02
 
这种的有好处,当然价格方面也是会高的。
心旷神怡
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高级工程师
  • 2014-10-15 11:04:25
 
不错,顶下,感觉变压器线绕得有点挫
tingting2013
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  • 2014-10-15 11:21:41
 
秋刀兄,,,变压器嘛,,自己手动机饶的,没过油的肯定有差别的。。
b44d55
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  • 2014-10-15 16:52:33
 
已经很不错了, 如果没有机器真不知道自己怎么饶.
首先要确定自己要绕的变压器要达到多少功率,电压多少,需要几组电压,然后找尺寸合适的硅钢片,根据公式计算需要多少片硅钢片(即叠厚)、初级线圈和次级线圈漆包线的直径、线号,根据公式计算每伏多少匝,根据初级和次级的匝数计算窗口是否能绕得下。如果一切计算正确,用绕线机在做好的骨架上先绕初级,再加绝缘纸,再绕次级,绕好后浸绝缘漆,最后烘干,量绝缘电阻,测试是否电压正确。


tingting2013
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  • 2014-10-17 09:42:10
 
不管是自己饶或者是发出去打样品,都要计算好了才可以,毕竟打样啥的都要时间,自己可以动手做两三个是没有问题的。
liuliqun168
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  • 2014-10-17 22:54:34
 
我们前期设计的变压器设计也是自己绕,然后调试没问题再发给供应商打样,再去测试EMC。然后定下了之后,再打样送认证,做可靠性测试。
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:51:37
 
一样的,都差不多是这样子,毕竟要调试好才能发出去的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-19 10:52:39
 
自己绕变压器比较累,主要是眼力不好的话,压不紧,但是如果数量少,倒是可以节约时间,如果绕的不对还可以当场修改,那封带尽量压紧吧,数据最好在设计的时候就不要搞错,免费多绕几个也是浪费时间的
tingting2013
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  • 2014-10-20 09:49:06
 
不过还好啦,,只是这两个而已,不算太多,,饶几个还是没有问题的。
tingting2013
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  • 2014-10-20 17:25:41
 
现PCB已回来,正在开始下手,贴贴片跟插件,,明天争取测试出来。。。。



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  • 2014-10-22 09:14:45
 
现在装完元件了,,,刚刚手痒,,测试了一下,,有55V的电压输出 。。





b44d55
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  • 2014-10-22 15:50:44
 
你这个测量需要另外焊接两根引线吗


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  • 2014-10-22 16:06:29
 
这个现在是使用端子的。测试的时候肯定在外接端子线。现在线还没有回来,只有这样测试一下看看
hlp330
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  • 2014-10-22 16:41:27
 
原边的散热片做成弓形的是为了辐射?
tingting2013
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  • 2014-10-22 17:08:13
 
不是,,,因为内置的POE电源,在整个机的外围上还是会用绝缘材料围一圈,,相对这样绝缘材料好放置,,散热性会好一点吧。
b44d55
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  • 2014-10-21 09:53:18
 
这个元件可以解释下用的是什么具体参数吗,



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  • 2014-10-21 09:56:18
 
整个电路也没有标出元件参数啊
还有这个画方框为什么


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  • 2014-10-21 11:02:26
 
是的,,这个都没有标出来,到时调整好了,会上传BOM 画方框,是有可选元件(可装或者可不装)具体要按要求及认证方面。。。。
b44d55
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  • 2014-12-1 17:32:22
 
已经完结啦, 那我再详细研究研究, 别忘了给回答
tingting2013
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LV8
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  • 2014-12-1 20:10:40
 
可以的,有问题大家一起探讨学习。
tingting2013
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LV8
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  • 2014-10-21 11:00:26
 
如果是说D1,D2是用来高压推动IC的,,,也可以放在低压推动。。
心旷神怡
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  • 2014-10-21 11:14:10
 
变压器适当提高砸比,降低震荡谷底,可以提高点效率。
tingting2013
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  • 2014-10-21 11:20:39
 
这个也是个好方法,,我去调一个看看,,不过,90以上的效率,感觉没啥压力。主要是要做稳。
b44d55
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  • 2014-10-22 15:46:04
 
电路图上为什么比标示同名端呢, 四个二极管并联, 可以流过很高的电流了, 你打个方框是说明你只用了两个元件吗, 都是MBR系列的管子吧, 另外你输入用了两级, 效率肯定高的, 98%有可能吗

tingting2013
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  • 2014-10-22 16:07:37
 
因为在设计的时候,要考虑多方面的,目前只是放入了一个,
songlsx
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  • 2014-10-22 21:04:01
 
100W,不加PFC,效率90,也等于50%,超过20W就应该有PFC,国外规定在8W以上就有PFC电路。
hlp330
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  • 2014-10-22 21:21:23
 
不是75W吗?修改标准了吗?
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:13:04
 
没有啊,,一直都是以100W方案在做调整。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:25:52
 
100W以上才用PFC ? 我一直都以为6562之类的就可以用来做20W-180W的电源了, 一般都带 PFC 0.92 效率可以做到85%以上, 我还想尝试用两级呢, 基本都是宽电压, 象这个单级的PFC效率已经很高了

tingting2013
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  • 2014-10-24 16:35:04
 
是的,但是现在都是按客户要求,因为他那边没有说要PFC,且认证的事情都是整机一起做认证,况且他的是POE电源,他没有对这方面提出要求。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:43:48
 
如果没有什么要求,那就不要PFC了,增加电路, 调节起来也费事
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:14:10
 
这个要看针对什么产品吧,,,是属内置的POE电源,客户这么要求,我想也是为了节约成本吧。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:29:50
 
POE电源,一种在线供电技术,针对功率不大的各种设备都可以提供(前提是设备支持POE受电),对无线AP特别好用,不用跟一条电源线到设备端,省去了变压器,一根网线直接搞定供电和数据传输。监控设备也会用到,不过对于耗电量大的监控设备(有云台),建议还是不要用POE供电。POE供电有专门的POE供电模块和POE交换机,不过POE交换机多端口同时供电的时候,要注意计算电源功率是否购支撑外部设备,如果不够,需要增加备用电源以提高交换机供电功率.内置的POE电源是什么意思?
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:15:30
 
因为我们是做系列的电源,相对来说要以现在这个为主吧,如果说到时有其它方面的要求,也可以同时更改,。
tingting2013
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  • 2014-10-23 15:18:36
 
刚刚负载了一下,低压的时候出现了一个问题,大家请看波形,对这方面有经验的朋友给个回复,,,,


hwx-555
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  • 2014-10-23 16:29:14
 
低压DCM?另环路不稳?
tingting2013
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  • 2014-10-23 17:41:44
 
MOS上的,,,可能是不是开关速度的问题。
hwx-555
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  • 2014-10-23 19:14:27
 
开关速看不出来。从上图看可能环路不稳
b44d55
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  • 2014-10-24 11:10:51
 
可以加个小电容来解决波形的不稳定, 但加在哪里是个问题, 看你哪里电压不稳定了


tingting2013
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  • 2014-10-24 16:36:17
 
这个是MOS反峰上的,尖锋好像有点大。。。。
hwx-555
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  • 2014-10-24 16:49:47
 
尖峰确实比较大。
低压不应太高,除了漏感可能较大外,你的过流点是否也很大
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:42:42
 
加个小电容就可以了吗? 一般都是吸收工作没做好啊,看看占空比是多大,但是即使有了吸收回路也不表示就能将尖峰去掉,如果电容用的大点,会不会去掉呢,也要分析下是不是漏感引起的
b44d55
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  • 2014-10-31 10:26:45
 
可以尝试在三个极并联小电容来看波形
hlp330
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  • 2014-10-23 16:34:10
 
波形震荡很厉害,太迷糊,看不出来什么。建议用示波器的触发模式,抓一个清晰点的波形看看。
状况猜测一下,是不是有大小波震荡,环路不稳,导致电源工作不稳定?
tingting2013
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  • 2014-10-23 17:43:47
 
工作电压都是稳定的,但是有没有感觉尖锋有点高。。
hlp330
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  • 2014-10-23 18:18:40
 
貌似电压尖峰有200V?确实比较高,你是不是没有加吸收电路?或者变压器绕的漏感太大了。
一般情况,50V左右的电压尖峰。抓一个清晰的VDS波形看看工作状态。
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:46:08
 
吸收电路加了的,,,漏感4UH ,,这个不算大。
b44d55
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  • 2014-10-24 11:13:29
 
你可以在前面或者后面检查下加RCD的电路. 调节下参数, 如果是波形不稳定, 可以修改电容的参数, 要判断稳定的方向, 最好还是自己调节下, 边调节边看波形是不是好转, 一般都是在接地加电容
tingting2013
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  • 2014-10-24 16:31:20
 
相对的,我现在已更改RCD里的R,,效果不是明显。
鸡腿
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  • 2014-10-24 17:18:56
 
起楼好快啊,
顶……
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 17:38:52
 
有没有尝试过用DD回路来代替呢,这样可以看看再波形上有什么别人,再适当调节下参数

tingting2013
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  • 2014-10-28 10:28:30
 
好的,这方面我会注意到的,等一下去试试
b44d55
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  • 2014-10-31 10:25:16
 
看到这个二极管, 资料里写
P6KE200是TVS二极管
具体参数:
功率:600W
工作电压:200V
嵌位电压:344V
最大电流:1.7A
封装:DO-15
主要作用:保护线路中的重要器件,主要是防静电

但是这是个吸收电路, 应该是去除吸收变压器初级尖峰电压的

qq80644864
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  • 2014-10-23 23:06:28
 
抖频?
hlp330
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  • 2014-10-23 23:11:34
 
这个抖频貌似也抖的太厉害了一点吧。
qq80644864
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  • 2014-10-23 23:15:59
 
波形受干扰的时候会有这样的
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:47:12
 
这个波形的干扰好像不太正常吧/
qq80644864
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  • 2014-10-24 09:05:36
 
这个干扰还算小的吧,看我那帖子里面的那些干扰,工作都不正常的
b44d55
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  • 2014-10-24 11:16:38
 
可能是示波器受到其他的干扰了, 查下四周有没有干扰源
测量时,把示波器的输入打到AC档,也就是交流耦合模式,把带宽限制打开,把探头上的衰减开关打到1的位置,也就是不衰减,测量的时候最好是不要用示波器上的鳄鱼夹,而是直接用探头前面的簧片直接负极,这样可以避免耦合到辐射干扰,如果不方便的话,用鳄鱼夹也行,需要把鳄鱼夹上的线绕在探头上并尽可能的短,再夹住负极,探头的正极接电源的输出正极,调示波器的电压档位,AC的Vp-p也就是峰峰值就是纹波电压
tingting2013
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  • 2014-10-24 16:29:57
 
有没有什么好的防止干扰源的方法呢?
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  • 2014-10-26 15:35:36
 
一方面是外部电磁环境的干扰
一方面是示波器探头带来的,当它跟要测量的点接触时,就会有寄生的电容电感等,这些会对波形造成影响
主要解决方法就是尽量避开电子设备
还有一个情况, 就是你设置的参数设置的不好,也有可能的, 靠接地啊,防止磁场干扰等办法
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  • 2014-10-26 15:36:08
 
具体么, 先弄清楚干扰的来源、种类。采取相应的措施。
假如干扰来自外部,接地和屏蔽是你首先要做好的事。假如干扰来自市电的50Hz交流电,那么所有仪器使用同一相并一点接地,必要时使用50Hz陷波电路去除干扰。假如干扰来自探头、高阻输入部分的热噪声,那么在可能的情况下减小输入阻抗(这与为对被测电路影响小而需要提高输入阻抗相矛盾,你需要看情况权衡取舍),必要时把整个装置放入低温环境(如半导体恒温槽、干冰,甚至液氮、液氦中)。
qq80644864
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  • 2014-10-26 17:16:04
 
先避免磁性元件的干扰,再看电路的互相干扰
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  • 2014-10-26 17:48:52
 
对的, 主要就是屏蔽, 接地,浮置等防干扰技术,变压器的工频干扰,PCB的布线上的防干扰,对于信号源,负载接地,放大器和信号源的接地,RC滤波器,输出滤波回路,退耦滤波回路,都是要注意的地方,还有光耦
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  • 2014-10-28 10:29:41
 
那相对的来说,结电容的大小对它的影响也大吧。
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  • 2014-10-30 11:05:57
 
比如MOS的结电容的问题, 可能这个数值太大或者太小的话对辐射的参数有比较大的影响, EMI可能过不了, 一般在取值的时候要看具体的情况, 比如在DS之间并电容的实验里就没发现波形干扰
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  • 2014-10-30 11:10:19
 
这个结电容, 如果你设置的比较大, 也就是说减少了辐射, 如果你在MOS的漏极和源极之间并一个电容,来减少漏极电压的变化速率, 虽然增加了一点损耗,但以后测试辐射的时候会好点
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  • 2014-10-30 10:58:39
 
干扰源很多的, 有时还会有几个干扰同时出现, PCB板上那么多元件, 比如电源噪声来自接地层,电源层,要减少阻抗,过孔也不能太大, 还有传输线干扰、耦合、电磁干扰很多问题, 要减少环路, 多放点滤波电容
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  • 2014-11-22 16:32:47
 
目前有哪些方法可以解决好干扰呢,资料,书,论坛,说也说了很多,但是哪个正确的步骤才是最好的呢,而且有些地方还会有效率啊性能啊稳定啊之间的冲突。
tingting2013
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  • 2014-11-24 12:55:54
 
干扰也要分好多方面的吧?
b44d55
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  • 2014-11-25 15:17:36
 
无非就是损耗和辐射, 理论上说也就是形成干扰的基本要素有三个:
(1)干扰源,指产生干扰的元件、设备或信号,用数学语言描述如下:du/dt, di/dt大的地方就是干扰源。如:雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可 能成为干扰源。
(2)传播路径,指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传 播路径是通过导线的传导和空间的辐射。
(3)敏感器件,指容易被干扰的对象。如:A/D、D/A变换器,单片机,数字IC, 弱信号放大器等。
抗干扰设计的基本原则是:抑制干扰源,切断干扰传播路径,提高敏感器件的 抗干扰性
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  • 2014-11-25 15:18:12
 
抑制干扰源的常用措施如下:
(1)布线时避免90度折线,减少高频噪声发射。
(2)给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短。
(3)电路板上每个IC要并接一个0.01μF~0.1μF高频电容,以减小IC对电源的 影响。注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电 容的等效串联电阻,会影响滤波效果。
(4)继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加 续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可 动作更多的次数。
(5)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路,电阻一般选几K 到几十K,电容选0.01uF),减小电火花影响。
(6)可控硅两端并接RC抑制电路,减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能 会把可控硅击穿的)。
tingting2013
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  • 2014-10-24 08:46:38
 
不是,,这个不是抖频的。
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  • 2014-10-24 11:17:55
 
如果发现不是重影就不是抖频


tingting2013
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  • 2014-10-24 16:32:27
 
你认为是哪方面呢?相对的抖频的可能性要小好多吧。
b44d55
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  • 2014-10-30 11:14:48
 
抖频会好点吧, MOS在关断的时候通过吸收尖蜂电压的能量来减少电压上升的趋势, 这样呢就减少了损耗, 避免了一些不必要的干扰, 这个抖频可能和你的变压器饶制中的疏忽有点关系
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:36:58
 
找个波形是有2个干扰源同时在的时候显示的吧
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-27 14:19:35
 
这个波形,应该是环路震荡了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-27 14:17:25
 
驱动这块有意思,两个电阻串联然后其中一个电阻上又反并联一个二极管串电阻,么意思?
tingting2013
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  • 2014-10-28 10:30:48
 
有可选择性的。因为这方面保护电路做的比较直吧。
hwx-555
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  • 2014-10-28 17:02:48
 
有2个电阻就已可调整,二极管上没必要再串一个
b44d55
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  • 2014-10-30 10:51:04
 
是说这个电路吗, 二极管当然要串电阻了,取值不会大的, 为什么不要呢

hlp330
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  • 2014-10-30 11:07:15
 
既然回路中已经有了R20,R4,那么还加一个R14有什么必要呢?
b44d55
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  • 2014-10-30 11:15:52
 
如果没有R14, 这个回路怎么走呢? 不会产生影响的吗
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-30 11:17:52
 
装疯卖傻。
qq80644864
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  • 2014-10-30 13:31:32
 
这个是个大难题呢
tingting2013
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  • 2014-10-30 21:23:57
 
这几天有点忙,,各位同事们,,明天更新调整过后的纹波上来,
b44d55
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  • 2014-10-31 10:18:39
 
我就搞不懂一个问题, 这个电路看起来这么简单, 回复起来大家说的头头是道的, 但就是都说不到重点上, 有人说电阻2去1, 要么去这个, 要么去那个, 就不能直接说说这个为什么那个为什么吗?
楼主, 电阻是你加的, 你说说为什么加电阻,现在只有我一个人支持你, 别人都说不要加
梦开始的地方
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  • 2014-11-2 22:40:43
 
这个说不好的,主要还是看加了以后和不加的波形的影响,既然大家都说不加,说明这里可以不加
xieweixiong1989
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  • 2014-11-16 10:47:18
 
原因如下:1,R4是否为0R电阻当跳线使用2,若不是当跳线,那R14可以不要,D7直接跟R20并联,调整R20,R4参数,效果是一样的,R4和R14都是为了管子关断慢一点,辐射比较好过
b44d55
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  • 2014-11-25 15:15:07
 
如果R4去掉, 那也就是说直接RD并联了.一般是降低二极管等效电阻,并上电阻后二极管两端压降没有减小,但是通过去的电流小了,被并联的电阻分流了,这也是保护二极管的一种办法。
hwx-555
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  • 2014-10-31 08:04:48
 
R4,R14这两颗电阻可取消其一。

b44d55
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  • 2014-10-31 10:20:59
 
还是你有见解, 看别人的回答都含糊的很
你是说, 在电路里, R4和R14的作用是一样的吗,, 这就好理解了
tingting2013
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  • 2014-10-31 16:51:02
 
现在出现一个问题,如图,这个MOS管的尖峰怎么都下不去呢???不管怎么样调节,效果不是明显,不知各位有没有好的意见。。。。请指导,。



hlp330
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  • 2014-10-31 20:57:17
 
可以试着修改一下吸收电路的参数,不止是MOSFET的,副边二极管的也可以修改。或者尝试在
MOSFET的漏极上套一个磁珠。再就是试试减慢开关的速度,对尖峰的改善也有好处的。
tingting2013
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  • 2014-11-3 17:54:16
 
MOSFET的漏极上套一个磁珠了的,但是现在没有改善。
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 20:55:12
 
那就想其他的办法, 我觉得主要还是要从MOS周边的R,C,D之类的零件下手,逐步修改数值,根据波形来判断,主要么,也是看看吸收电路对波形的影响
心旷神怡
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  • 2014-11-7 14:15:17
 
把RCD C上那个电阻断路掉,尖峰应该马上会下来了。
hwx-555
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  • 2014-11-7 15:40:07
 
辐射马上高了
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:55:57
 
你是说那个R1并联C(C串联R2)再串联D的RCD电路里那个R2吗?
[size=14.399999618530273px]是平衡辐射和尖峰用的?主要是看功率、耐压。
如果是做实验,我看他采用多个碳膜电阻并联或串联是为了代替耗能元件大功率的水泥电阻的作用,短时间也可以承受较大的过载。


b44d55
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  • 2014-11-20 15:40:52
 
如果可以用一个磁珠来解决问题到还可以, 就怕用了也没用, 饶几圈也不知道,
而这里的电阻的作用尚且不是很清楚,也要看通电后能不能改善这部分的尖峰毛刺
tingting2013
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  • 2014-11-20 19:27:59
 
我加过磁珠,并没有解决问题,....
hlp330
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  • 2014-11-20 19:48:10
 
磁珠也分好多种,针对不同频率段有不同阻抗的磁珠。
tingting2013
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  • 2014-11-21 08:05:06
 
加入的都是常规的磁珠,如果有特殊的要求的话,那么,不单单只是利用磁珠能解决问题了的吧。
hlp330
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  • 2014-11-21 09:50:29
 
加磁珠是需要根据你的测试结果来选择的。打个比方,你测试辐射的时候,发现在100MHZ的地方些超规格了,发现时二极管导致的,可以考虑加一个加一个100MHZ阻抗较大的磁珠
tingting2013
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  • 2014-11-21 14:05:27
 
这只是针对传导,辐射这方面吧,现在产生的是MOS的尖锋,这方面加入好像没多大的反应。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-21 14:14:13
 
你有没有将RCD吸收电路,C上串联的那个小电阻去掉试试,对比一下看有什么改善没有?
b44d55
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  • 2014-11-25 15:12:02
 
如果磁珠不起多大作用, 那还是要在RCD上动脑筋.看你的吸收电路对于MOS尖峰来说,还是要去计算参数, 能做的更精确点才好, 修改下这个RC串联的参数来尝试


YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:15:44
 
不是断路是短路吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-1 08:29:34
 
看你顶楼的原理图,RCD吸收力,C串联的电阻是多大的,R用了6个分别是多大的?
tingting2013
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  • 2014-11-3 17:55:09
 
R用了6个分别是100K 4个 200K 2个。
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:20:01
 
关于这个多电阻配置,我理解的是增加功率,是吗?


qq80644864
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  • 2014-11-6 22:53:16
 
1、增加功率
2、增强散热
3、耐压
梦开始的地方
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  • 2014-11-7 01:23:03
 
前2个可以理解,耐压怎么去理解啊,多个电阻和单个电阻好像没什么关系吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:47:32
 
两个电阻串联接在100V电源上,一个电阻耐压多少伏?
b44d55
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  • 2014-11-15 11:04:46
 
那这么说的话,可以多串联几个电阻了,3个并联的分流, 2个串联的分压, 改成4个的3个不是更好
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-15 12:41:53
 
改成400个300个更好,你下次做方案的时候可以去试试。
qq80644864
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  • 2014-11-15 13:07:32
 
我觉得也需要去试试,真的好
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:46:49
 
分压到差不多就可以了,楼主搞3组也多了点
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:18:40
 
用多少组,用多少个,看设计之初计算需要多大的功耗,如果功耗大那么需要的电阻自然多,这个没有说用几个多用几个少之说。
b44d55
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  • 2014-11-20 15:38:12
 
如果设计要求不高, 采用最基本的线路, 一个电阻一个电容就可以了, 增加这么多无疑也是增加了很多的成本 , 量产的时候不合算 , 综合考虑到分压和分流, 分功率还是可以考虑的.重点是热量.
hwx-555
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  • 2014-11-7 07:59:47
 
C串R是为了降低充放电速率,降低EMI用的。
b44d55
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  • 2014-11-15 11:08:32
 
简单画的话不就是一个RCD结构吗, 只是C上串联了一个电阻就起这么多作用了?
RCD吸收计算电阻的公式Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f*Vclamp/(Vclamp-Vro)。
Vclamp为设定的最大嵌位电压,Vro为副边反射电压。也有功率关系:Wr=Wc+Wl,其中,Wr为吸收电阻消耗的功率,Wc为副边反射的能量,Wl为漏感储存的能量

这些参数说明这些RCD功能更多啊
怎么来正确理解这个啊?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:45:21
 
我问的是,你RCD里面,与C串联的电阻用的是多大的。
tingting2013
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  • 2014-11-8 08:53:10
 
用的是12R---15R的。。。现在两种都在调试。
qq80644864
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  • 2014-11-8 12:50:13
 
这个主要去看EMI,然后回来修改RCD回路
b44d55
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  • 2014-11-15 11:11:50
 
RCD吸收计算电阻的公式Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f*Vclamp/(Vclamp-Vro)。
这个电阻是并联的那个电阻吧, 那你串联的电阻的公式是什么样的, 怎么得到这个12-15的
我看了RC及RCD电路举例分析这个资料, 也还是没找到设计思路
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-15 13:53:29
 
请问,你提供的这个公式,可以的得到电阻的阻值吗?
b44d55
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  • 2014-11-20 15:35:16
 
具体的计算, 把每个参数兑换进公式就都知道了
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 15:37:04
 
你的公式里,连个R都没有,你带进去能得到R?你带一个出来让大家看看。
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  • 2014-11-2 22:39:33
 
像遇到这种波形上的问题,大家一般都会去考虑吸收电路吧,在RCD之间进行调节数值来改善波形,还有在MOS的三个级加小电容来减少电压变化,减少开关损耗,还是要多调节周边元件数值来修正
hlp330
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  • 2014-11-2 23:46:26
 
,在MOS的三个级加小电容来减少电压变化,减少开关损耗
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 00:18:24
 
我在DIY区看到过你们说的 , DS是为减少漏极电压的变化速率,GS是为了降低开通和关断的速度,GD是为了保持电压稳定,这三个电容一般都不加或者只加DS的吗?
b44d55
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  • 2014-11-3 10:28:56
 
MOS内部也有电容的
Cgs>Cds>Cgd
tingting2013
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相对来说,,超结MOS的内部结电容不是要大吗?
梦开始的地方
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  • 2014-11-3 20:52:46
 
我前面说的MOS外接的电容,说的比较含糊,我也是看别人这么说才这么认为的,有些电容可加不可加的原理我也不是很清楚,如果有对MOS内外电容都懂的人可以介绍介绍啊
tingting2013
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  • 2014-11-4 08:43:41
 
这方面我也不是好了解,因为毕竟这样使用的少。
b44d55
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  • 2014-11-4 12:30:55
 
这个可以从MOS内部电容开始研究, 再去研究外部电容


梦开始的地方
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  • 2014-11-5 22:30:51
 
好像没有详细的资料,我也是看别人评论的时候,记下了一些
tingting2013
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  • 2014-11-6 10:31:12
 
相对超结MOS,我认为他的结电容大,开关速度快,那对他整体的EMI都有影响吧。
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:14:21
 
我是看了这个文章写的东西而了解一些
http://www.21dianyuan.com/bbs/4064.html 至于EMI, 还有其他元件的影响
1、调整变压器的绕法和屏蔽铜箔
2、辅助VCC绕组的慢管改快管
3、增大MOS管的驱动电阻
4、MOS的DS级间并高压低容量陶瓷电容等措施
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:48:46
 
VCC绕组是快管改慢管吧?你是不是写反了?
qq80644864
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  • 2014-11-7 12:50:54
 
是绝对写反了
tingting2013
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  • 2014-11-12 14:08:31
 
用快管吧,,慢管不太理想。。。
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:48:33
 
怎么会呢,慢管有很多好处呢。
慢熔断保险丝与快熔断的最主要区别在于它对瞬间脉冲电流的承受能力,也就是说它可以抵抗开关机时浪涌电流的冲击而不动作,从而保证设备的正常运作,因此慢熔断型保险丝往往又被称为耐浪涌保险丝。从技术层面上来说,慢熔断保险丝具有较大的熔化热能值I2t,保险丝熔断所需要的能量较大,所以对于同样额定电流的保险丝来说,慢熔断比快熔断耐脉冲的能力要强很多。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-17 10:16:57
 
你每次回复看不看前面说的是什么内容?这里讨论的是快速跟慢速二极管,你搞一个熔断器出来?捣乱?
梦开始的地方
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  • 2014-11-19 23:06:11
 
[size=14.399999618530273px]不好意思大师, 我看错了。
[size=14.399999618530273px]那我补充一下我的认知,[size=14.399999618530273px]快速跟慢速二极管[size=14.399999618530273px]区别在于反向恢复时间
[size=14.399999618530273px]慢管是ms级,适用于工频输入 如1N4007
快管是ns级,适用于高频 如FR107
hlp330
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  • 2014-11-19 23:17:53
 
这个恢复时间是在哪里看到的?
tingting2013
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  • 2014-11-20 09:11:21
 
快管与慢管的比较,我想大家都知到的。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-20 12:40:02
 
mS级?工频整流要是反向恢复时间mS级,你觉得可能吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-6 09:51:29
 
请问,根据这个图,可以研究内部电容的什么参数啊?
tingting2013
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  • 2014-11-6 10:31:47
 
这个要问一下龙腾那边的工程师吧。我对这方面没有什么了解。。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-6 10:48:31
 
我问的不是你,是贴这个图出来的网友。
tingting2013
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  • 2014-11-6 11:10:59
 
好吧,,其实我也想学习学习。。。
b44d55
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  • 2014-11-6 14:20:03
 
其实, 如果真的有懂的人出来详细说一下也真是算好人了, 我翻阅了大量的资料也没能完全的搞懂.我之前做实验一般都不加外部电容的, 最多加一个Cds, 就怕给MOS增加额外损耗
梦开始的地方
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  • 2014-11-6 20:18:07
 
我前面说了,Cds是为减少漏极电压的变化速率,Cgs是为了降低开通和关断的速度,Cgd是为了保持电压稳定,我能理解到的内容就是这些。
还有就是结电容大,可以减慢开关速度,也就是减小dv/dt,从而减小辐射能量。有些时候,会在MOS的DS间并联一个点电容,相当于加大了MOS的COSS的参数,起到了降低dvdt的作用,所以COSS大的MOS,可能传动辐射会好过一些,但损耗有时候也会大。
MOS结电容大在关断时通过吸收尖峰电压的能量来限制开关两端的破坏性尖峰电压 通过减缓电压上升的斜率来减少交叉损耗 可以减少Mos管关断时的干扰 但是,在导通时刻 MOS的结电容会释放之前吸收的能量 而造成很高的电流尖峰 估计对EMI也有影响。 增大Rg,改变充放电阻也能达到减小dv/dt;因此增大C不可取;特别是器件性能提升了,应用也越来越需要高频。 mos的结电容有好几个,不好一概而论。充分利用mos结电容来降低dv/dt,di/dt,做得最好的就是psfb。
关于这部分的知识我了解到的就这些,你叫我具体说什么更准确的, 我也不清楚。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-7 08:46:37
 
我问的是,你每次回复完了,都是随便贴个图出来,与你回复的内容基本毫无关系,到底似乎为什么?
qq80644864
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  • 2014-11-12 12:41:45
 
为了加分
tingting2013
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  • 2014-11-12 14:19:27
 
这么狠,,,加图表明直接加分是吧。
b44d55
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  • 2014-11-15 11:01:33
 
在电源的论坛, 只要是说电源, 说技术, 我觉得都是可以的, 无非就是大家的水平不一样
只是不欣赏那些把生活状态的照片贴上来的人
楼主的几个波形还是不错的, 现在不是完成了吗, 可以详细解说下每个波段的构成原因
我也是实验多于理论, 正好来学习学习
tingting2013
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  • 2014-11-12 08:57:04
 
现在的尖锋已调节OK,谢谢各位的意见及陈博士的意见与见解。


tingting2013
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  • 2014-11-12 09:07:50
 
现在已做好整机测试,如下例附件中。这些只是些常规的验证信息。
AC:240V 负载1.8A 肖特基反峰 2




AC:90V 负载1.8A 肖特基反峰1

AC:90V 负载1.8A MOS反峰2

240V 负载1.8A MOS反峰2

90V 负载VCC

90V 空载2

90V 负载VCC 2

90V 空载

240V 负载1.8A 肖特基反峰 2

240V 负载1.8A MOS反峰

240V 负载1.8A MOS反峰2

240V 负载1.8A MOS反峰3

240V 负载1.8A 肖特基反峰
tingting2013
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  • 2014-11-12 10:33:12
 
明天能效测试,,,,测试传导,,,这也就结案了,,辐射我们这边测试不了啊.唉,,,
梦开始的地方
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  • 2014-11-13 00:22:11
 
关于这个设计的所有测试,能不能把每一个重要的测试单独的说说啊,, 就是
1.什么测试,2什么测试,3什么测试,。。。N,什么测试
这样看的比较清楚,就是说,列个刚要和说明。。我是新人,你上面这么多图片是干嘛的我看不清楚
谢谢了
tingting2013
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  • 2014-11-13 09:47:20
 
好的,没有问题,我重新整理下。
tingting2013
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  • 2014-11-13 10:19:49
 
已整理好,因为不是我自己上传的,有点误差,不好意思 ,现在已更改,可以参考了。
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  • 2014-11-15 22:38:00
 
看这个波形,既要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小, 还挺难的。
tingting2013
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  • 2014-11-13 10:20:56
 
现在能效已测试出来,不过个人认为还是有提高的。能效测试如下图:


tingting2013
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  • 2014-11-13 12:09:56
 
刚刚测试了一下传导.,EN55022标准,数据如下:





tingting2013
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  • 2014-11-13 15:31:28
 
下面BOM已出.有好意见的朋友们,,请直接问
100W BOM.xls

b44d55
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  • 2014-11-13 17:04:32
 
看到了, 发现你没写价格
另外就是这个保险丝是怎么选取的6.3A
跳线的说明有点简单
想问下选散热膏UB-585,导热硅脂,导热油的主要参数是什么

还可以补充外壳和参数
tingting2013
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  • 2014-11-13 17:19:35
 
这个价格不方便吧,毕竟每一个地方的价格都不是一个等级的。。
6.3的保险主要是为了雷击。
跳线的话,,是有点简单。
导热硅脂是:散热膏 UB-585 CT000001
外壳是内置的POE电源,外壳是针对产品的,只有长宽及定位柱。
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  • 2014-11-13 22:04:13
 
[size=14.399999618530273px]价格是选购合适的零件的关键啊,其实也就那么几个关键的价格比较重要,其他的大家心里都清楚,只是拿到的是不是便宜,是不是正宗的,都不清楚,毕竟即使一个二极管一些工厂也会在性能上懂脑筋。
tingting2013
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  • 2014-11-14 08:06:47
 
我了解你的意思,但是如果说自己想要性能好,价格方面肯定也是上涨的,相对中国的市场来说,都是一分钱一分货的。
梦开始的地方
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  • 2014-11-15 22:29:24
 
买零件最好有自己的供应商啊,但是像这种少量的购买,应该找身边的门路吧,比如电子市场,但是电子市场里鱼目混杂的,要挑选一家好的摊位给你供货,还是很难的,重要的是质量,就怕遇到新旧混合参和着卖给你的摊位
b44d55
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  • 2014-11-15 10:55:52
 
1. 在你选择导热硅脂的时候, 是只有这一种, 还是目前市场上最好的呢
2. 保险丝的选择上, 这个6.3, 是不是我知道的太少了, 怎么找不到呢, 我一般用到5A就可以了, 再上去的话, 就用到7.5A也行啊
你有更详细的规格表吗


tingting2013
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  • 2014-11-15 11:06:23
 
这个是有的,6.3A 的是属于3T系列里面的,是个慢断的。您说的详细的表格,我这边上传不了图片,下周一我用自己电脑传上来,谢谢!!
b44d55
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  • 2014-11-15 18:16:24
 
慢断啊, 那就没有快速熔断能力了. 小型保险丝在美规标准中,1.35倍时要求熔断时间不超过1小时,也就是8.5A是要熔断的。当然了如果通电时间足够长,只要大于额定电流,理论上都是可以熔断的. 你选择慢断提高抗干扰能力啊
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  • 2014-11-15 22:22:57
 
[size=14.399999618530273px] 慢断可以提高抗干扰能力啊,慢速保险丝的熔体经特殊加工而成,它具有吸收能量的作用,调整能量吸收量就能使它即可以抗住冲击电流又能对过载提供保护。现在知道为什么用它了,一般的保险丝和大的保险丝都不足够对付浪涌电流啊
tingting2013
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  • 2014-11-14 08:13:43
 
现已测试,全部结案,,如各位有问题及意见,请指出,小弟加以更正,,表示感谢!!!!
b44d55
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  • 2014-11-15 10:49:34
 
恭喜楼主顺利完成设计, 我抽空找2天, 把你的设计复核一下,学习学习, 顺便找找问题
tingting2013
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  • 2014-11-15 10:59:22
 
好的,没有问题,,只要提出来的问题,我会正确的看待与学习。谢谢!
梦开始的地方
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  • 2014-11-19 23:00:06
 
楼主,提高效率主要靠什么呢,第一是QR,第二是PFC, 第三是。。。对吗?
tingting2013
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  • 2014-11-20 09:20:28
 
1.增大高压电容容量.
2.加强变压器制作工艺,减小漏感.
3.增大分压取样电阻阻值,
4.增大LED供电电阻值,
5.减少输入热敏电阻阻值.
提高开关电源效率的常见方法
开关电源的功耗包括由半导体开关、磁性元件和布线等的寄生电阻所产生的固定损耗以及进行开关操作时的开关 损耗。对于固定损耗,由于它主要取决于元件自身的特性,因此需要通过元件技术的改进来予以抑制。在磁性元件方 面,对于兼顾了集肤效应和邻近导线效应的低损耗绕线方法的研究由来已久。为了降低源自变压器漏感的开关浪涌所 引起的开关损耗,人们开发出了具有浪涌能量再生功能的缓冲电路等新型电路技术。以下是提高开关电源效率的电路 和系统方法:
(1)ZVS(零电压开关)、ZCS(零电流开关)等利用谐振开关来降低开关损耗的方法。 (2)运用以有源箝位电路为代表的边缘谐振(Edge Resonance)来降低开关损耗。 (3)通过延展开关元件的导通时间以抑制峰值电流的方法来减少固定损耗。 (4)在低电压大电流的场合通过改善同步整流电路的方法来减少固定损耗。 (5)利用转换器的并联结构来减少固定损耗。



b44d55
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  • 2014-11-20 12:03:12
 
主要还是要看设计, 现在有些人说, QR好, 有些人说PFC好, 其实还是要看应用场合, 看是什么设计,如果什么都不带, 就一般的设计也不会相差的太大,只要想办法降低损耗就行了
qq80644864
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  • 2014-11-20 12:13:29
 
QR跟PFC有什么关系
梦开始的地方
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  • 2014-11-22 16:21:22
 
电源里这些基本概念学起来很费脑筋啊,比如准谐振;开关损耗;反激式;导通损耗;电感电流;寄生电容;同步整流;功率损耗;升压型;尖峰电压;比如QR,FPC,CCM,DCM.,CUK,LLC,要全搞明白不简单啊。
b44d55
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  • 2014-11-24 15:32:56
 
既然难, 就从最基础的学起, 不要想一步登天
tingting2013
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  • 2014-11-25 10:38:13
 
是的,只有从最原始的入手,那样学着就会简单多了,慢慢的来,不过,我也一直搞不明白移相全桥的定义。。。。
b44d55
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  • 2014-11-25 14:57:28
 
从实验角度上说, 就是看看电路图就可以了


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  • 2014-11-25 15:49:25
 
你懂这个电路图的原理吗?
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  • 2014-11-25 15:01:40
 
手抄了一份笔记给你看看
全桥变换器(Full-bridge Converter)通常应用于功率大于400W的开关电源中,特别是在大功率的通信电源中应用比较广泛。但是,硬开关条件下的全桥变换器会带来很大的开关损耗,不利于开关频率和电源转换效率的提高。针对硬开关损耗大的问题,有人提出了移相控制方法。通过移相控制可以实现开关管的零电压开通和关断,从而大大改善了开关管的开通与关断条件,这样便可以提高开关的频率,减少电源的体积,提高电源的转换效率。
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  • 2014-11-25 15:04:12
 
移相全桥拓扑工作图解





tingting2013
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  • 2014-11-26 12:42:46
 
能详细的说明一下各个拓扑吗?
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  • 2014-11-26 15:55:08
 
工作模态一:正半周期功率输出过程



如上图,此时T1与T4同时导通,T2与T3同时关断,原边电流的流向是T1—Lp—Lk—T4,如图所示。
此时的输入电压几乎全部降落在图中的A,B两点上,即UAB=Vin, 此时AB两点的电感量除了图上标示出的Lp与Lk之外,应该还有次级反射回来的电感LS`(因为此时次级二极管VD1是导通的),即LS`=n2* Lf,由于是按照匝比平方折算回来,所以LS`会比Lk大很多,导致Ip上升缓慢,上升电流△Ip为
△Ip=(Vin-n*Uo)*(t1-t0)/( Lk+ LS`)
此过程中,根据变压器的同名端关系,次级二极管VD1导通,VD2关断,变压器原边向负载提供能量,同时给输出电感Lf与输出电容Cf储能。(图中未画出)
此时, UC2 =UC3=UA=UAB=Vin
UB=0V
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  • 2014-11-26 15:56:26
 
工作模态二:超前臂谐振过程



如上图,此时超前桥臂上管T1在t1时刻关断,但由于电感两端电流不能突变的特性,变压器原边的电流仍然需要维持原来的方向,故电流被转移到C1与C2中,C1被充电,电压很快会上升到输入电压Vin,而C2开始放电,电压很快就下降到0,即将A点的电位钳位到0V。
由于次级折算过来的感量LS`远远大于谐振电感的感量Lk,故基本可以认为此是的原边类似一个恒流源,此时的ip基本不变,或下降很小。
C1两端的电压由下式给出
Vc1=Ip*(t2-t1)/(C1+C3)= Ip*(t2-t1)/2 Clead
C2两端的电压由下式给出
Vc1= Vin- 【Ip*(t2-t1)/2 Clead】
其中Ip是在模态2流过原边电感的电流,在T2时刻C1上的电压很快上升到Vin,C2上的电压很快变成0V,D2开始导通。
在t2时刻之前,C1充满电,C2放完电,即 VC1= VC3= Vin VC2=VA=VB= 0V
模态2的时间为
△t= t2-t1=2 Clead * Vin/ Ip
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  • 2014-11-26 15:57:10
 
工作模态三:原边电流正半周期钳位续流过程



如上图,此时二极管D2已经完全导通续流,将超前臂下管T2两端的电压钳位到0V,此时将T2打开,就实现了超前臂下管T2的ZVS开通;但此时的原边电流仍然是从D2走,而不是T2。
此时流过原边的电流仍然较大,等与副边电感Lf的电流折算到原边的电流
即 ip(t)= iLf(t)/n
此时电流的下降速度跟电感量有关。
从超前臂T1关断到T2打开这段时间td,称为超前臂死区时间,为保证满足T2的ZVS开通条件,就必须让C3放电到0V,即
td ≥△t= t2-t1=2 Clead * Vin/ Ip
此时, UC1=UC3=Vin , UA=UB=UAB=0V
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  • 2014-11-26 15:58:08
 
工作模态四:正半周期滞后臂谐振过程



如图所示:在T3时刻将滞后臂下管T4关断,在T4关断前,C4两端的电压为0,所以T4是零电压关断。
由于T4的关断,原边电流ip突然失去通路,但由电感的原理我们知道,原边电流不允许突变,需要维持原来的方向,以一定的速率减少。所以,原边电流ip会对C4充电,使C4两端的电压慢慢往上升,同时抽走C3两端的电荷。
即 ip(t)=I2sinω(t-t3)
vc4(t)=ZpI2sinω(t-t3)
vc3(t)=Vin-ZpI2sinω(t-t3)
其中,I2:t3时刻,原边电流下降之后的电流值
Zp:滞后臂的谐振阻抗,Zp= )0.5
ω:滞后臂的谐振角频率,ω=1/(2Lr*Clag)0.5
可能有人会感到奇怪,电流怎么出现了正弦函数关系呢,没错,因为此时是原边的谐振电感Lr与滞后臂的两个电容C3,C4谐振,其关系就是正弦关系。
为何我上面提到只有原边的谐振电感Lr参加谐振呢,那么次级的储能电感是否有参加谐振呢?下面我们来分析一下:
由于滞后臂下管T4的关断,C4慢慢建立起电压,而最终等于电源电压,即UC4=Vin,从图纸上我们可以看到,UC4其实就是B点的电压,C4两端电压的上升就是B点电压由0V慢慢的上升过程,而此时A点电压被钳位到0V,所以这会导致UAB<0V,也就是说这个时候原边绕组的电压已经开始反向。
由于原边电压的反向,根据同名端的关系,LS1,LS2同时出现下正上负的关系,此时VD2开始导通并流过电流;而由于LS1与Lf的关系,流过LS1与VD1的电流不能马上减少到0,只能慢慢的减少;而且通过VD2的电流也只能慢慢的增加,所以出现了VD1与VD2同时导通的情况,即副边绕组LS1,LS2同时出现了短路。
而副边绕组的短路,导致Lf反射到原边去的通路被切断,也就是说会导致原边参加谐振的电感量由原来的(Lf*n2+ Lr)迅速减少到只剩Lr,由于Lr比(Lf*n2+ Lr)小很多,所以原边电流会迅速减少。
此时,原边的UAB=ULr=-Vin,UA=0V, UB= Vin
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  • 2014-11-26 15:59:04
 
开关模态五:谐振结束,原边电感向电网馈能



如图所示,当C4充电到Vin之后,谐振结束,就不再有电流流过C3,C4,转而D3自然导通,原边电流通过D2—Lr—D3向电网馈能,其实能量来源于储存在Lr中的能量,此时原边电流迅速减少,
ip(t)= Ip4- (t-t4)
其中 Ip4是t4时刻的原边电流值
在t5时刻减少到0。
此时T3两端的电压降为0V,只要在这个时间将T3开启,那么T3就达到了零电压开启的效果。
在这里有几个概念需要介绍下:
死区时间:超前臂或滞后臂的上下两管,开通或关闭的间隔时间,移相全桥电源每个周期有4个死区时间。
谐振周期:滞后臂两个管子关断之后到超前臂两个管子开通之前,次级电感通过匝比反射回来的电感与谐振电感之和与各自的谐振电容的2个谐振时间;还有就是超前臂已经开通,滞后臂两个管子换流之前,谐振电感与各自的谐振电容的2个谐振时间。
移相角度:指的是超前臂上管开通到滞后臂下管的开通的时间间隔或超前臂下管开通到滞后臂上管的开通的时间间隔,再转换成角频率ω
ω=2∏f=2∏/T.
对于开关模态5来说,谐振周期一定要小于死区时间,否则就不能达到滞后臂的ZVS效果了。但此时的谐振电感是没有次级电感通过匝比反射回来的,所以只有谐振电感参与了谐振,在设计的时候小心了,谐振电感一定要足够大,否则谐振能量不够的话,原边电流就会畸变。
在t5时刻,UAB=ULr=-Vin,UA=0V, UB= UC1= Vin
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  • 2014-11-26 15:59:46
 
开关模态六:原边电流从0反向增大



如图所示,在t5时刻之前,T3已经导通,在t5时刻原边电流ip已经下降到0,由于没有了电流,所以D2,D3自然关断。
在t5-t6的时间内,副边的二极管D1,D2还是同时导通流过电流,将副边绕组短路,阻断输出电感反射到初级的途径,此时的负载电流还是由次级电感与输出电容提供;同时,由于原边的T2,T3已经导通,原边电流ip流过T3--Lr--T2,又因为Lr很小,所以原边电流ip就会反向急剧增大。
即 ip(t)= - (t-t5)
在t6时刻,ip达到最大,等于副边的电感电流折算到初级的电流
即 ip(t6)= - ILf(t6)/n
在这个开关模态,原边电流是不传递能量的,但副边却存在着一个剧烈的换流过程,通过副边二极管VD1的电流迅速减少,VD2的电流迅速增大,在t6时刻,通过VD1的电流减少到0,通过VD2的电流等于电感电流ILf。
在t6时刻之前,原边的UAB= ULr=-Vin,UA=0V, UB= Vin
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  • 2014-11-26 16:00:41
 
开关模态七:负半周期功率输出过程



如上图,此时T2与T3同时导通,T1与T4同时关断,原边电流ip的流向是T3—Lk—Lp—T2,如图所示。
此时的输入电压几乎全部降落在图中的B,A两点上,即UAB=-Vin, 此时AB两点的电感量除了图上标示出的Lp与Lk之外,应该还有次级反射回来的电感LS`(因为此时次级二极管VD2是导通的),即LS`=n2* Lf,由于是按照匝比平方折算回来,所以LS`会比Lk大很多,导致Ip上升缓慢,上升电流△Ip为
-△Ip=-【 (Vin-n*Uo)*(t7-t6)/( Lk+ LS`)】
此过程中,根据变压器的同名端关系,次级二极管VD2导通,VD1关断,变压器原边向负载提供能量,同时给输出电感Lf与输出电容Cf储能。(图中未画出)
此时, UC1 =UC4=UB =Vin UAB=-Vin
UA=0V
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  • 2014-11-26 16:01:26
 
开关模态八:负半周期超前臂谐振过程



如上图,此时超前桥臂下管T2在t7时刻关断,但由于电感两端电流不能突变的特性,变压器原边的电流仍然需要维持原来的方向,故电流被转移到C1与C2中,C2被充电,电压很快会上升到输入电压Vin,而C1的电荷很快就被抽走,C1两端电压很快就下降到0V,即将A点的电位钳位到Vin。
由于次级折算过来的感量LS`远远大于谐振电感的感量Lk,故基本可以认为此是的原边类似一个恒流源,此时的ip基本不变,或下降很小。
C2两端的电压由下式给出
Vc2=︱-Ip︱*(t8-t7)/(C1+C2)= Ip*(t8-t7)/2 Clead
C1两端的电压由下式给出
Vc1= Vin- 【︱-Ip︱*(t8-t7)/2 Clead】
其中Ip是在模态8流过原边电感的电流,在t8时刻之前,C2上的电压很快上升到Vin,C1上的电压很快变成0V,D1开始导通。
在t8时刻之前,C2充满电,C1放完电,即 VC2= VC4=VA=VB = Vin VC1=VAB= 0V
模态8的时间为
△t= t8-t7=2 Clead * Vin/ Ip
注意:此△t时间要小于死区时间,否则将影响ZVS效果。
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  • 2014-11-26 16:02:09
 
开关模态九:原边电流负半周期钳位续流过程



如上图,在t8时刻二极管D1已经完全导通续流,将超前臂上管T1两端的电压钳位到0V,此时将T1打开,就实现了超前臂上管T1的ZVS开通;但此时的原边电流仍然是从D1走,而不是T1。
此时流过原边的电流仍然较大,等与副边电感Lf的电流折算到原边的电流
即 ip(t)= iLf(t)/n
此时电流的下降速度跟副边电感的电感量有关。
从超前臂T2关断到T1打开这段时间td,称为超前臂死区时间,为保证满足T1的ZVS开通条件,就必须让C1放电到0V,即
td ≥△t= t9-t8=2 Clead * Vin/ Ip
此时, UC2=UC4=UA=UB =Vin , UAB=0V
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  • 2014-11-26 16:02:58
 
开关模态十:负半周期滞后臂谐振过程



如图所示:在T9时刻将滞后臂上管T3关断,在T3关断前,C3两端的电压为0,所以T3属于零电压关断。
由于T3的关断,原边电流ip突然失去通路,但由电感的原理我们知道,原边电流不允许突变,需要维持原来的方向,以一定的速率减少。所以,原边电流ip会对C3充电,使C3两端的电压慢慢往上升,同时C4开始放电。
即 ip(t)=-I2sinω(t-t9)
vc3(t)=Zp*︱-I2︱sinω(t-t9)
vc4(t)=Vin-Zp*︱-I2︱sinω(t-t9)
其中,-I2:t9时刻,原边电流下降之后的电流值
Zp:滞后臂的谐振阻抗,Zp= )0.5
ω:滞后臂的谐振角频率,ω=1/(2Lr*Clag)0.5
同理,原边的谐振电感Lr与滞后臂的两个电容C3,C4谐振,其电压与电流的关系就是正弦关系。
同开关模态四分析一样的道理,由于原边电压的反向,根据同名端的关系,LS1,LS2同时出现上正下负的关系,此时VD1开始导通并流过电流;而由于LS2与Lf的关系,流过LS2与VD2的电流不能马上减少到0,只能慢慢的减少;而且通过VD1的电流也只能慢慢的增加,所以出现了VD1与VD2同时导通的情况,即副边绕组LS1,LS2同时出现了短路。
而副边绕组的短路,导致Lf反射到原边去的通路被切断,也就是说会导致原边参加谐振的电感量由原来的(Lf*n2+ Lr)迅速减少到只剩Lr,由于Lr比(Lf*n2+ Lr)小很多,所以原边电流会迅速减少。
在t10时刻,原边的UAB=ULr=Vin,UB=UC4=0V, UA=UC2=UC3=Vin
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  • 2014-11-26 16:03:41
 
开关模态十一:谐振结束,原边电感向电网馈能



如图所示,当C3充电到Vin之后,谐振结束,就不再有电流流过C3,C4,转而D4自然导通,原边电流通过D4—Lr—D1向电网馈能,其能量来源于储存在Lr中的能量,此时原边电流迅速减少,
ip(t)= -【Ip10- (t-t10)】
其中 Ip10是t10时刻的原边电流值
在t11时刻减少到0。
此时T4两端的电压降为0V,只要在这个时间将T4开启,那么T4就达到了零电压开启的效果。
对于开关模态11来说,谐振周期一定要小于死区时间,否则就不能达到滞后臂的ZVS效果了。但此时的谐振电感是没有次级电感通过匝比反射回来的,所以只有谐振电感参与了谐振,在设计的时候小心了,谐振电感一定要足够大,否则谐振能量不够的话,原边电流就会畸变。
在t11时刻,UAB=ULr= UC3=UA=Vin,UB=0V
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  • 2014-11-26 16:04:22
 
开关模态十二:原边电流从0正向增大



如图所示,在t11时刻之前,T4已经导通,在t11时刻原边电流ip已经上升到0,由于没有了电流,所以D1,D4自然关断。
在t11-t12的时间内,副边的二极管D1,D2还是同时导通流过电流,将副边绕组短路,阻断输出电感反射到初级的途径,此时的负载电流还是由次级电感与输出电容提供;同时,由于原边的T1,T4已经导通,原边电流ip流过T1--Lr—T4,又因为Lr很小,所以原边电流ip就会正向急剧增大。
即 ip(t)= - (t-t11)
在t12时刻,ip达到最大,等于副边的电感电流折算到初级的电流
即 ip(t12)= - ILf(t12)/n
在这个开关模态,原边电流是不传递能量的,但副边却存在着一个剧烈的换流过程,通过副边二极管VD2的电流迅速减少,VD1的电流迅速增大,在t12时刻,通过VD2的电流减少到0,通过VD1的电流等于电感电流ILf。
在t12时刻,原边的UAB= ULr=UA=UC3=Vin, UB= 0V
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  • 2014-11-26 16:25:41
 
谢谢了,,,我会努力学习的。。。
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  • 2014-11-26 16:05:18
 
12个工作过程包括:2个正负半周期的功率输出过程,2个正负半周期的钳位续流过程,4个谐振过程(包括2个桥臂的谐振过程与2个换流过程),2个原边电感储能返回电网过程,最后还有2个变压器原边电流上冲或下冲过零结束急变过程。这12个过程就构成了移相全桥的一个完整的工作周期,只要有任何一个过程发生偏离或异常,将会影响到移相全桥的ZVS效果,甚至会导致整个电源不能正常工作
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  • 2014-11-26 16:27:54
 
能说的具体点吗???因为同学太多,,都想学习。。。