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关于移相全桥的几个问题探讨

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zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-27 09:00:36
传统的移项全桥,有几个疑问,希望有兴趣的朋友一起讨论讨论。
问题1、变压器是否需要加气息?
变压器加气息之后,并没有改变饱和磁通密度,而是减小了剩磁,使磁化曲线倾斜,从而减小磁滞回线包围的面积,有利于减小铁损。但磁化曲线的倾斜,有效磁导率降低,同样的磁感量,需要更多的匝数,增大了铁损。当然,较小的初级电感,会有较大的空载电流,有利于滞后桥臂更宽范围的零电压开关。
加与不加,这是个问题。

2、次级整流管加不加吸收。
就拿传统的桥式整流来说,即使用超快恢复管,反向恢复特性也不免在整流电压波形上形成几个震荡或者尖峰。
以下图为例:IXYS公司的 DSEE15-12CC,反向恢复时间35纳秒,耐压1200V,电流15A。
没加吸收电路之前,桥式整流波形如下图,这是比较恶劣的情况:


问题2:反向恢复特性,如何形成这个震荡?反向恢复特性以何种物理形式存在,是不是就是二极管寄生电容的充放电?后面的连续震荡,是否是变压器漏感和这个二极管寄生电容的震荡?电容越大,反向恢复特性越硬?
这是上述同样电路,仅仅在整流管并联了一个RC(R=100,C=470p)之后,波形就有了天壤之别。




论坛里最近流行起了加不加吸收的问题,在这里,移相全桥的桥式整流管上,是否有加吸收的必要?
个人观点:现在的吸收电路,很难做到无损吸收,只要加了吸收,难免会降低效率。吸收这种东西,是迫不得已才用的东西。
3、四个开关管的驱动。
各位凭自己的经验说说,如果采用驱动增强集成块的话,不同的场效应管Ciss或者栅荷系数Qg,对应的增强集成块需要多大的峰值灌拉能力?
比如IR2110,可以提供峰值高达2A的驱动电流,MIC4452可以提供峰值高达9A的驱动电流。
让IR2110去驱动一个输入电容Ciss在6nF以上的场效应管,效果好象并不理想,这时候就要用到MIC4452这种更强劲的块子。
可就感兴趣的话题展开讨论~
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-27 09:20:32
 
问题1、可以参考晶版主的帖子
问题2、电容越大,反向恢复特性越硬。应该是电容越大,反向恢复特性越软吧?
问题3:、加不加吸收不是拓扑需要,是工程需要
问题4、需要多大的驱动能力,要看你的结电容、驱动回路电阻及需要的驱动上升时间。
zg_hbf
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助理工程师
  • 2010-7-27 09:26:09
 
请问您说的第四点有成书的依据吗?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-27 09:27:46
 
当然没有成熟的依据啦。要不我怎么说根据各位的经验来说说呢~
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-27 09:37:31
 
驱动这部分肯定有成熟的依据,根据MOS管的结电容、驱动电阻、需要的上升时间等技术指标还是能大体计算需要的驱动能力的。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-27 10:07:02
 
我说的是峰值驱动能力~
比如你看到一个MOSFET的Ciss为5400pF,能根据自己的经验,大致判断需要多大的峰值驱动能力,然后作出决定。这靠的就是经验。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-27 10:26:25
 
这个应该是可以计算的,而不单纯是通过经验。
belief0909
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  • 2010-9-5 14:30:48
 
难道是 I = c*du/dt?
long223349
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  • 2014-11-2 19:20:41
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long223349
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mervin335033645
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助理工程师
  • 2013-7-19 15:57:21
 
请问王工,这个驱动能力怎么样计算呢?
有计算公式吗?
还请多多赐教
谢谢
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-27 09:26:34
 
王工好快,赞~
不过,能否分析的细致些~
blueskyy
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  • 2010-7-27 10:26:57
 
我觉得王工说的对:
1.关于吸收如何满足工程上的需要,东方先生的分析观点(换流思想)值得借鉴。http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=19907
2. 关于驱动,王工已经说的很清楚了,没有补充的。下面帖子可以参考:http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=18740
3.关于气息:本身知识不够,无法提供更详细的解答
4. 二极管恢复特性以什么样的物理形式存在,我也迷茫。http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=18889
jinlai
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  • 2010-11-10 19:12:26
 
好谢谢
chengjian98
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  • 2011-1-6 14:10:27
 
这个帖子要收藏一下 感谢
mmc_21
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  • 2013-11-25 12:35:28
 
好贴
zkybuaa
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  • 2010-7-27 10:24:36
 
能否就 反向恢复与电容的关系,说得更细致些。我印象中,反向恢复的软硬,和二极管寄生电容中的势垒电容所占比重有关。
阿甘
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副总工程师
  • 2014-8-24 16:54:25
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我用低压肖特基做副边整流时就是这样,肖特基的结电容越大,振荡越厉害,最后不得已更换结电容小的管子。
sunxj_007
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  • 2010-7-27 12:46:57
 
1. 气隙加还是不加是个问题。这个我觉得还是你自己比较一下吧,变压器温度损耗能在承受范围才行。我做的是加了气隙的,其中一个目的是调整了下效率。2.如果你单纯在整流二极管两边并R,C,我想你的移相“谐振”点,你的R,C肯定对原边造成了很大的影响。吸收最好加在滤波电感两端。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-27 12:54:39
 
关于R C吸收,还是加在整流管两端的比较多吧。
加在滤波电感两端可行吗?没实际搞过,不好下结论。
副边加的R C对移相谐振点,能有什么影响呢?
超前桥臂的零电压开关,已经不可以看作是谐振了,近似一个线性充放电电路。
滞后桥臂的零电压开关,靠的是漏感或者谐振电感与MOS的Cds或者并联电容谐振,但这时候,次级整流管全体导通,嵌位变压器初次级为零,次级并联的R C无法折算过来,如何产生影响呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-27 13:21:28
 
加在电感两端也是可行的,输出滤波电容相对高频振荡来说也是一个低通回路。
jiaosheng1981
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高级工程师
  • 2010-7-27 20:15:18
 
各位老师好,我是做逆变等离子切割机的,输出电压比较高,电流比较大,参数为:120A/128V。输出二极管必须要加RC吸收,可是我的参数实验的不好,经常坏二极管,我也请教过很多人,可是都没有很好的计算办法和实验办法,不知道各位老师有什么好的设计方法吗?谢谢。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-27 20:34:52
 
大电流的情况下就不仅仅是简单的RC吸收了,你最好从你整个布局的工艺性上着手解决,然后最后再考虑吸收。
晶纲禅诗
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  • 2010-7-31 21:27:10
 
这个难题的确不易解决,关键是二极管选型问题与保护措施问题。
allen-leon
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  • 2010-7-28 09:05:08
 
張兄,移相全橋沒有怎么接觸過。。移相全橋是否視為正激的延伸??
第二個問題:二极管寄生电容與外圍漏感的的振蕩,可視為“L-C”振鈴回路??LLC也遇到了類似的問題,還沒解決呢。。。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-28 10:16:03
 
移相全桥也属于BUCK类的,不过它不是通过调节占空比来稳压,而是通过调节占空比的相移来稳压。
话说就移相控制方式而言,就有九种。我们现在常用的是其中一种。。
关于震荡的问题,第一楼有贴图,通过RC吸收可以解决。不过,能用其他方式解决的,还是不要加。
我加了个3W 200欧 332的电容,震铃减小,随着功率的加大,时不时会冒烟。。。。。
allen-leon
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  • 2010-7-28 10:54:17
 
332太大了,改為102如何?? 輸出電壓幾伏特??
加RC算是最后一步動作了。。
zkybuaa
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  • 2010-7-28 10:58:07
 
我等会改改看。
你加的是什么参数的?电阻功率多大?
allen-leon
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  • 2010-7-28 11:07:49
 
跟輸出電壓有關。。。輸出12V的,加102+51歐姆/1/4W,目前看起來并無異常。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-28 11:24:17
 
你的输出电压多少V的,是不是冒烟跟输出电压关系可相当大。
zkybuaa
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  • 2010-7-28 12:23:30
 
28V额定输入,250V输出。
现在22V左右开始稳压。
这个吸收电阻的功耗,该怎么计算呢?我看好多吸收回路,先算吸收电容的大小,然后根据震荡频率去选电阻。而对这个电阻上的功耗,缺乏分析。
allen-leon
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  • 2010-7-28 12:30:24
 
250V輸出這么高啊。。建議,C盡量比681小,R 3W應該夠了;
你上面的冒煙估計是C太大了。。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-28 12:36:02
 
难道电阻上的功耗,只与C值大小有关,而与电阻阻值本身无关?
allen-leon
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  • 2010-7-28 12:38:51
 
當然有關,C一定時,R大,經過的電流小,損耗小;R小,流過R的電流大,損耗大。。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-7-28 12:44:37
 
R上的功耗=R*I*I。
话说R大了,电流小,R小了,电流大,还是摸不准它的功耗啊。
兵羽96
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  • 2013-11-10 14:57:43
 
要按照能量来算,W=CU2/2,一个周期内电阻平均功率为P=W/T,跟阻值没关系,发热冒烟主要是电容大小决定的,我试过各种阻值下发热量差不多
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-28 12:42:02
 
你想想一下,电容上的电压是个方波的话,那么方波的能量如果都通过电阻释放,按照这个思路就可以计算电阻的损耗了。
zkybuaa
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  • 2010-7-28 12:45:08
 
它要是方波就好了,关键它不是方波。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-28 13:06:11
 
不是方波近似方波,如果连近似也不是,那应该是你的电阻取的太大了,最终的损耗是小了,吸收效果将不好。RC吸收我记得在NC965的帖子里,东方先生有详细的计算方法。
zkybuaa
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  • 2010-7-29 09:36:07
 
王工的意思是:吸收回路电容上的电压近似方波吗?
这个倒还没注意看过,只注意加吸收后的效果,以及电阻冒不冒烟了。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-29 11:44:25
 
RCD吸收的肯定不是,但RC吸收的我应该是方波吧?我也没测量过,也是认为,呵呵。
zkybuaa
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  • 2010-7-29 09:38:18
 
这个是滞后桥臂的驱动波形及其DS两端电压波形。
高手来看看有啥不足之处没,如何改进?
我感觉DS电压波形有些震荡。看阮新波老师的书上,波形那才叫一个漂亮。

allen-leon
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  • 2010-7-29 10:39:20
 
看起來好似驅動能力不足,關掉太慢了。。有加圖騰柱么?
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-29 10:58:30
 
你的驱动电压一格5V?驱动电压是不是有些太低了?
blueskyy
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  • 2010-7-29 11:38:18
 
是呀,有同感....
allen-leon
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  • 2010-7-29 11:51:02
 
5V/格也有7V左右的驅動能力。。。應該還好
YTDFWANGWEI
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  • 2010-7-29 12:09:44
 
7V的驱动电压,不知道采用的是什么MOS管,即使是低开通电压的,也低了点。怎么也得10V吧
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-7-29 20:36:20
 
驱动电压加到10V,波形没有太大变化,还是老样子。
兵羽96
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本网技师
  • 2013-11-10 15:00:27
 
好像驱动能力不足,你用的IGBT还是MOS管,驱动电阻换小点试试看,我用MOS管也出现了这个问题,换成IGBT就好了
zmqshizu
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本网技师
  • 2014-7-2 10:16:09
 
师兄你好,请问下你的滞后管DS两端波形的震荡是如何消除的啊?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-7-2 10:28:07
 
你看看你的母线是不是也有这样的震荡。
threetigher
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  • 2013-7-29 23:17:07
 
"话说就移相控制方式而言,就有九种。我们现在常用的是其中一种。。"

愿闻其详,有否资料等明示,谢谢lz!
好帖顶起!
tianyuandifang1980
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助理工程师
  • 2014-8-11 15:37:20
 
直接加电容二极管会非常烫的,加RCD比较可靠。
nc965
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  • 2010-7-29 21:27:13
 
好贴, 严重学习了
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 08:56:23
 
我现在调试 超前桥和滞后桥,都实现了软开关。
但满载效率,还是在80%左右,愁人啊。
难道移相全桥,不适合用在低压升高压的场合,只适合用在降压场合,而且是高压输入的场合?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 17:24:53
 
我传几个波形上来。
1、这个是 滞后桥臂上管的驱动波形及其DS两端电压,(这个应该是移相全桥最难实现软开关的一个管子了)。

2、这是其拉伸后的波形,可以清晰看到,它确实是零电压导通。

3、这是桥式整流后 滤波电感前的电压(在滤波电感上加了RC吸收的)

总体来说,波形还算凑合,为何效率只有82%呢~
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 17:48:27
 
因为工作的电脑不联网,usb口也没有,电路图就不方便上传。
整体的电路,就是个传统的移向全桥,可参考下 TI提供的典型电路。
输入28V,输出250V/2A。
变压器变比1:12,初级电感200uH,漏感0.2uH,我又加了个谐振电感0.2uH。
次级采用桥式整流,IXYS的DSEE15-12CC。
现在就是效率上不去,我开始怀疑是不是这个拓扑不适合搞升压的~
happjsh
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副总工程师
  • 2010-8-3 09:40:10
 
ok
你也吃过苦头了
全桥移相不适合升压
我为了这个差点丢了饭碗
教训啊 选错一个拓扑 一个产品失败了
现在什么职务都丢了
tianyuandifang1980
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助理工程师
  • 2014-8-11 15:49:19
 
为什么?请详解一下
海山
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高级工程师
  • 2014-8-16 11:13:13
 
是啊?为什么移相全桥不适合做升压?我见过一款波形也是振荡的特别历害!
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 20:50:50
 
问题之所在:初级电流波形
对角管共通的时刻,存在电流尖峰,不正常。

请继续关注~
最终会有一个结果。
晶纲禅诗
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  • 2010-7-31 21:35:42
 
哈哈...你的变压器咋绕制的?帖个结构与参数出来...
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 22:19:16
 
变压器是外协的。
平面变压器,应该是罐型。
初级6匝,电感200uH,次级72匝。
晶纲禅诗
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  • 2010-7-31 22:47:08
 
原副边是啥线材?原副边是怎么交叉换位的?72匝咋绕的?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 23:07:12
 
原边是铜箔,次级是多线并饶。至于怎么交叉换位的,就不清楚了。
大师不妨给个具体的做法
我让我们的供应商重新提供样品。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-7-31 22:59:38
 
莫非 移相全桥变压器的绕制,还有啥特殊的窍门和要求?
请晶大师不吝赐教~
晶纲禅诗
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  • 2010-7-31 23:25:51
 
大师就不敢当了!
对于升压比较大的变压器而言,高电压输出的副绕组要注意分布(电容)参数问题,否则会影响效率。
如72匝为平密一层包一层的绕法,就容易使损耗增大。当然原边的分布电容(在用铜箔时)也需注意,都会影响到效率。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-1 08:14:19
 
副边是不是有一个较大的RC吸收,C是多大的?把RC去掉或采用较小的C看一下原边电流波形。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-1 12:28:52
 
我现在初步确定,整个电路效率低,就是这个变压器的问题。
回王工的话,RC吸收,是加在滤波电感两端的,电容471,电阻400欧,电阻上面的损耗惊人。
至于不加这个吸收,原边电流什么样,可以参考一楼的电压波形。这是不加吸收,桥式整流之后电感之前的电压。
可见,如果不加吸收,这个变压器次级电压不正常。
就如晶大师所言,可能是变压器的分布电容过大,引起的震荡。这时候的母线供电电压,波动很小。可见,震荡主要还是变压器自身的原因。

这个变压器是外协的,初级电感200uH,初级漏感0.2uH,只有千分之一。漏感越小,分布电容就会越大,对不?
我对磁性器件的设计,很缺乏工艺上的经验,设计变压器,也主要是看赵老师书上的理论知识。
这个变压器,我当初提的参数是
工作频率100kH,初级电感200uH,匝比1:12。初级电流平均值20A。
剩下的就是供应商去搞定了。
所以这个变压器,具体是怎么绕制的,我一无所知。
以前做的移相全桥,都是降压,所以按照那种方式外协的变压器,没出过什么问题。
现在是第一次用移相全桥来稿升压,升压变压器的绕制,应该有很大的学问。
烦请晶大师和王斑竹,能就这个升压变压器该如何设计和选材、绕制工艺,提供详细具体的看法和意见,谢谢~
allen-leon
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  • 2010-8-1 19:30:33
 
都是高手对话,不错。。没做过移向全桥,在这里启蒙了。。。
晶纲禅诗
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  • 2010-8-1 21:35:48
 
对移相全桥的变压器,的确与一般变压器有不同的要求(与电路参数密切相关,并需互相匹配,否则软开关范围变窄);
而升压与降压变压器又有所不同;铜箔绕组也有特别需要注意的地方,所以这个变压器是需要花点心思了.....
zkybuaa
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  • 2010-8-2 08:42:05
 
大师不妨明言具体~
allen-leon
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  • 2010-8-2 08:46:41
 
大师不会在钓我们胃口吧?快些讲课。。
zkybuaa
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  • 2010-8-2 12:24:06
 
晶大师在蓄势。。。待发中。。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-2 13:12:40
 
1、已经确定不是死区的问题了?
2、变压器实在不行自己先绕一个实验以下,如何绕要看你72匝绕几层。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-2 13:57:55
 
确定不是死区的原因。
初步确定是变压器分布电容过大,次级电压波形震荡的厉害。
虽然加了吸收,可以让波形正常,但吸收电阻上功耗巨大:20瓦。
因为是特制的无感电阻,所以才没有冒烟。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-2 13:58:50
 
我现在打算手工绕这个变压器看看。
让我们的供应商再供个样品的话,没有半个月,他提供不出来,黄瓜菜都凉了~
allen-leon
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  • 2010-8-2 14:46:40
 
样品问题,大家都困扰。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-2 20:30:52
 
呵呵,出问题了吧?俺从来都是自己先绕变压器,调试没问题了才找厂家做样品。因为自己绕完成后把指标及绕制方法给厂家,厂家处理起来也方便。
晶纲禅诗
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  • 2010-8-2 21:11:51
 
隔山买牛,我只能先提个醒:对于40KHz~45KHz以上的频率,单组铜箔绕组的匝数最好能控制在2~3匝以内。
虽然用铜箔绕组能获得低的漏感,但匝间分布电容很大,绕组的高频损耗也会增大。如匝数较多,则层间间距
需要控制。或采用2匝+NS+2匝+NS+2匝的原夹副绕法;或NS+2匝+NS+2匝+NS+2匝+NS的副夹原绕法;当然
实际操做起来会很麻烦,某些条件下则根本无法操作。另外,变压器的漏感是否是预先算好的,以满足谐振要求?
如条件许可,多槽结构的变压器升压效果比较好的。
斜阳古道
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  • 2010-8-2 23:16:52
 
其实还是那个老问题,移相全桥解决的是开关损耗,但存在环路。因而,适用于降压型电路。对于升压型应用来讲,很可能环流再加上导通损耗已超过了开关损耗。没看到你究竟做到了多高的效率?
happjsh
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-3 09:42:56
 
原来如此啊
我感觉升压的时候
副边二极管的尖峰电压不好处理,尤其升压比高的时候
晶纲禅诗
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  • 2010-8-3 09:59:05
 
的确,古道大师的分析也很有道理。
斜阳古道
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  • 2010-8-6 23:23:14
 
升压输出时,整流管的耐压管较高,这样的管子结电容很大,就是造成副边尖峰电压的主要原因。

目前的软开关技术主要针对降压拓扑来讲的,很少提到用于升压的电路。目前我有点初步的想法,就是原边开环工作,副边再使用MOSFET来实现ZVS;或者结合原边、副边做移相控制,应该也可以实现副边的软开关。
兵羽96
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本网技师
  • 2013-11-10 15:07:38
 
看驱动波形应该是驱动能力不够,光耦驱动峰值2-3A,mos管驱动的话峰值电流需要3A到4A之间,碰到过这个问题,提醒下
zcyyytc
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高级工程师
  • 2011-1-6 14:47:57
 
移相全桥做升压电路确实不是非常合适的。
金华龙
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LV6
高级工程师
  • 2011-1-9 10:03:10
 
还请高手详细道来,你是如何解决上述提到的驱动、吸收变压器的问题。谢谢!!
学习中。
wpl215
  • wpl215
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LV4
初级工程师
  • 2013-6-28 09:30:49
 
你好,您能告诉我,移相升压采用一个变压器和两个变压器并联各有什么优劣吗。
xuewei208
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助理工程师
  • 2013-11-25 09:23:27
 
楼主在么,现在的那个升压的方案还可行么?
luweiwei
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高级工程师
  • 2015-7-24 16:02:59
  • 倒数4
 
自己新手一枚,在做一款DC750变DC28V的充电机,用的也是是移相全桥,倍式整流。现在效率始终卡在88%上下,很难提高到90%。看到前辈们当年也遇到类似问题,很是感慨啊。
斜阳古道
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  • 2010-8-2 23:31:33
 
1。加与不加气隙都可以,看你要实现怎样的性能。一般实际量产中,不加的更多一些。
2。副边整流二极管的反向恢复特性大致可以用二极管两端并电容来模拟,也就是这个结电容与副边漏感及走线寄生形成了高频振蒎,而RC就是压这个频荡的。
3。有关驱动芯片的选择可参考我的另外贴,基本上这样的思路:根据Vgs电平的高低,再结合功率MOS的Q-Vgs曲线来确定所对应的Q值,由Q/Vgs得到的Cg远大于MOS规格书的数值;再根据所要求的MOS开通时间,结合i=Q/t,即可算出。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-3 09:47:52
 
多谢斜阳大师。
关于第2条,变压器次级的高频振荡,
我这个电路,震荡太严重了。
可看下一楼的整流波形,不加吸收,就是那个样子。
我感觉是 次级匝数多,层数多,分布电容大,引起的震荡。
不知对否?
fan-jk
  • fan-jk
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高级工程师
  • 2010-8-4 09:22:45
 
关注
zkybuaa
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  • 2010-8-4 09:33:54
 
老兄多指教啊。
有用移相全桥做过 低压升高压电路的,多多指点~
斜阳古道
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  • 2010-8-6 23:25:22
 
移相全桥用于升压,副边尖峰的问题可能没有很好的方案,只能通过RC的方式压下去,但可以参考一些无损吸收电路,把这种尖峰能量转移至输出。
ZFSUN
  • ZFSUN
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LV8
副总工程师
  • 2013-7-13 16:55:50
 
请问老兄,你的电流波形不好解决了吗,我们现在也碰到相同的问题,请指点一下谢谢。
car537
  • car537
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高级工程师
  • 2014-9-17 09:06:42
  • 倒数8
 
我做了1個case 10V BOOST 56V 用PSFB


的確副邊的 Vspike超高.. 接近300V ,一次側電流波形雜亂


後來就放棄。
allen-leon
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版主
  • 2010-8-4 11:31:15
 
大师分析的第二条很有道理,很不错。。
comandos
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LV4
初级工程师
  • 2010-8-5 22:03:33
 
学习
haiyzngzhixin
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LV3
助理工程师
  • 2010-11-3 21:51:13
 
多谢大师.学习了.
koostiya
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LV3
助理工程师
  • 2010-8-13 10:31:20
 
问题解决得怎么样了,给你顶上去!
xyjflydream
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LV3
助理工程师
  • 2015-11-27 16:21:04
  • 倒数3
 
顶起来希望更多人可以学习下
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2010-8-17 10:29:56
 
老兄,你的project进展如何了?
有个帖子:http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=22051
里面的RC 吸收效果仿真可能有帮助。
HolyFaith
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LV8
副总工程师
  • 2010-9-4 11:43:35
 
通过仿真的话是不是有些参数咱们会考虑不到,听有的人说是怎么试验得出C,然后求出R的
HolyFaith
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-17 20:25:51
 
学习移相全桥呢,来学习一下
koostiya
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LV3
助理工程师
  • 2010-9-4 07:51:56
 
有时候器件的参数会制约你的电路设计,达不到想要的效果
HolyFaith
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LV8
副总工程师
  • 2010-9-7 14:58:59
 
这个帖子,我只关注讨论的结果 呵呵 大家快讨论哦
cheyne
  • cheyne
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LV6
高级工程师
  • 2010-10-31 14:18:29
 
zkybuaa大师,这个公式怎么解释呢?
zcyyytc
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LV6
高级工程师
  • 2011-1-8 22:33:03
 
[size=14.399999618530273px]关于副边的无损吸收,效果还是不错的。
YTDFWANGWEI
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积分:110060
版主
  • 2011-1-9 08:19:18
 
变压器副边直接串联后整流?你说的吸收式指整流后的RCD吸收吗?如果输出电压高,这个R的损耗可是会很大的。
Deshine
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积分:3587
LV8
副总工程师
  • 2013-8-8 08:56:28
 
很好的帖子,这都是实际中常遇到的问题。
Bodoni
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积分:12335
LV10
总工程师
  • 2013-9-17 09:49:03
 
关注。学习

zhanmin975
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积分:2129
LV8
副总工程师
  • 2013-9-22 15:35:48
 
变压器原边需要谐振电感,一般都开气息利用变压器的漏感当这个谐振电感,如果漏感太小,可以再串联个谐振电感。
Bodoni
  • 积分:12335
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  • 主题:253
  • |
  • 帖子:5180
积分:12335
LV10
总工程师
  • 2013-9-22 20:29:41
 
是否有隔值电容?
zhanmin975
  • 积分:2129
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  • 主题:51
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  • 帖子:493
积分:2129
LV8
副总工程师
  • 2013-9-23 08:23:00
 
有的
Bodoni
  • 积分:12335
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  • 主题:253
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  • 帖子:5180
积分:12335
LV10
总工程师
  • 2013-9-23 09:31:12
 
这个隔直电容怎么选?、
我看典型电路没有这个电容, 有何差异?
fjfhandw
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积分:271
LV3
助理工程师
  • 2013-9-28 09:10:45
 
来学习的,没做过大功率电源
海山
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LV6
高级工程师
  • 2013-9-29 11:19:59
 
这个问题怎么没有结论啊?我见过48V输入、输出280V-380V可调的ZVS全桥电源,效率有0.9啊。
ZFSUN
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副总工程师
  • 2013-10-9 10:08:24
 
你好,有没有样机,我们想买一台。测试一下。
xuewei208
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助理工程师
  • 2013-12-2 11:26:02
 
你好,你的样机是如何产驱动波形?用的是什么控制电路

zzjjhh250
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本网技师
  • 2014-9-13 20:44:14
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1. 变压器加气息 PSFB这种BUCK类的ZVS 拓扑,一般有两种可能 1-工厂需要,加上气息,励磁电感量控制CPK容易。 2- 加气息 励磁电感量减小,励磁电流增大,在轻载时 可以有利于扩大ZVS范围,即轻载可以通过拉大死区,靠励磁电流给Lagging leg 实现ZVS,但本质上不能解决PSFB 轻载无法实现ZVS的本质;


2.次级电路工程上肯定会加吸收,这是确保在各种条件下,spike不过管子规格的要求。震荡无法避免,二次侧反向恢复和COSS,他们在电路中的体现是一样的。


3-加上吸收的电路本质上是,在相同条件下可以使用更低电压规格的整流管,从而间接提高效率。 有源无损吸收电路是有的,只是没有使用罢了。


4 驱动电路,开通 关断均希望快些,不要让增益损失在上升下降沿上。

rancho
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本网技师
  • 2015-4-24 14:03:09
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减少母线电容也可以减少这种振荡
lanyuye00
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高级工程师
  • 2021-9-16 19:03:38
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低压大电流升高压,这个变压器的绕制确实需要好好研究下才行。
glory_eagle
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初级工程师
最新回复
  • 2021-10-29 16:34:02
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好帖!!!!
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