| | | | | 布线不良,驱动器和MOS的耦合点不合理,MOS换流时di/dt在走线上引起的电压震荡波或者电压尖峰有一部分被耦合到G-S
对策:驱动器的参考地端不要出现在脉动大电流走线上;MOS的D-S间加吸收 |
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| | | | | | | | | 下管的驱动地要单独走一根,真胸都给你说了!你把下管的驱动地浮在功充地上了! |
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| | | | | | | | | | | 我已照您的方式將驅動地線用絞線連接單獨走一根,
實機測試時,輸入側低於150v,確實可改善其問題, 但是將輸入側電壓提升至250v後,此現象依然還存在,輸入側再往上提升就燒了2個IGBT了... ,請問是否有其他可供參考之解決辦法,小弟輸入側需到400v ((好漫長阿... ,謝謝前輩們的幫助 |
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