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对三极管饱和条件的质疑

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ddxxmm_001
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  • 2015-3-24 15:03:00
摘 要在电子技术基础理论中,我国多数教材[sup][1]-[5][/sup]认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部发射结和集电结都是正偏的。本文从理论和实验两个方面证实,在三极管处在饱和状态时,其集电结仍然是反偏的,并将其在实际中的应用作了举例说明。

关键词:饱和;电桥;零偏电压;集电极电流


详细讨论请参阅附件。 对三极管饱和条件的质疑.pdf


000123
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LV8
副总工程师
  • 2015-3-24 15:20:41
 
现在的论文全是抄,最有意思的是抄都能错、
ddxxmm_001
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  • 2015-3-24 15:47:25
 
诚心欢迎各位专家、学者发表各自高见。学术讨论,对事不对人。
admin
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管理员
  • 2015-3-24 15:22:12
 
版主可是原创的
荨麻草
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  • 2015-3-24 15:23:46
 
对致力于基础学科研究的学者,我一直是心存敬意的...先赞一个
ddxxmm_001
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  • 2015-3-24 15:53:02
 
谢谢!欢迎赐教。
lahoward
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  • 2015-3-24 15:25:40
 
关注中。。。
greendot
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  • 2015-3-24 18:16:03
 
首先讃一下版主的名字,有出处啊。
对于三极管的偏,是偏压,纯粹是电压的概念,本来就与电流无关,
电压的正偏/反偏,并不意味着电流的方向,
所以三极管饱和时,说集电结正偏是木有问题的,只是版主似有误解罢了,个人观点。

ddxxmm_001
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  • 2015-3-24 19:49:40
 
任何一个名字都是有出处的,您的也一样吧?
关于正偏/反偏,一般的理解似乎是:
1.正偏就是指加正向电压,反偏就是指加反向电压;对于三极管的偏,是偏压,纯粹是电压的概念,本来就与电流无关,”没错,但三极管的外部偏压却决定着其三个电极电流,即流过三极管的电流是与其外部偏压有关的。
2.对PN结而言,正偏就是加正向电压,此时PN结的P区接外部高电位端,N区接外部低电位端,PN结呈低阻状态,有较大的电流通过,称PN结导通;反偏就是加反向电压,此时PN结外部电压与正偏时相反,PN结呈高阻状态,只有很小的电流通过,近似为零,称PN结截止。
3.对电路中的用电器,尤其对PN结而言,偏置电压固然与电流无关,但其电流的大小和方向显然与受外部偏置电压有关。这里偏压是条件,电流是结果,而且在正向导通以后,正向电流与偏置电压具有一一对应关系。所以由电流的方向,可以反过来推出PN结的偏置状态——正偏或反偏。
上述见解,不知当否?
greendot
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专家
  • 2015-3-24 22:50:54
 
我意思是贵名有典故啊,出自礼记的礼运大同篇。
一个二极管的PN结,正偏就意味着正向电流,
但在三极管里,虽然物理上集电结是个PN结,但工作时(饱和与否),集电结并不是一个二极管,所以不遵从二极管特性,正偏(习惯仍然是P+,N-)不需要有正向电流
不饱和时,集电结偏是正是反?
荨麻草
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  • 2015-3-24 23:12:27
 
厉害,这么冷门的文学知识,g老师居然都知道...
选贤与能,讲信修睦,故人不独亲其亲,不 独子其子,使老有所终,壮有所用,幼有所长,矜寡孤独废疾者,皆有所养。
luoli52
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本网技师
  • 2015-3-25 11:33:14
 
科普下
ddxxmm_001
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  • 2015-3-25 13:22:00
 
还是您的国学精到,一下子把俺抬高了。
ddxxmm_001
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  • 2015-3-25 13:04:31
 
其实当初起名字时,也没想那么多,算是误打误撞。
1. “在三极管里,虽然物理上集电结是个PN结,但工作时(饱和与否),集电结并不是一个二极管”说得没错。三极管不能看作是两个二极管的简单组合。只是,传统教材通常以三极管内部两个PN结的偏置情况作为判断三极管工作状态的充分必要条件。对放大状态和截止状态的判断依据,没有异议。但对饱和状态的判断,我人为不妥当。

<span style="font-size:14px;">2.一般认为,三极管饱和时,其内部的两个PN结均是正偏的,我以为这是值得商榷的。以熟悉的NPN型三极管为例,当其饱和时,虽然UCE
wyizao
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  • 2015-3-28 15:23:44
 
对,三极管饱和时,说集电结正偏是木有问题的!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:10:03
 
请问:“集电结正偏时,集电极电流该怎么流动?是该从P区经PN结流入N区呢,还是该从N区经PN结流入P区?”
wlq47
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  • 2015-3-24 23:33:39
 
没有完全看懂版主的意思,在饱和状态时,三个电极之间的电流关系IE=IB+IC,它们并非是2个二极管的连接,应该整体看作是一个3端的器件,三极管是电流控制器件,并非是电压型控制器件,它不同于电子管,根据电流关系IE=IB+IC,所以认为正偏应该是从整体看的吧!不宜从PN结看,从PN结看似乎不合理。你的看法 颠覆了整个原理了
ddxxmm_001
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  • 2015-3-25 13:11:01
 
对饱和时的情况,是有点“颠覆了整个原理了”。希望能仔细看看我上传的PDF文档,我真的是希望有充分的理由来证明我的观点是错误的。学术讨论,各抒己见,请不吝赐教。
wyizao
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  • 2015-3-28 15:25:16
 
刁修睦提出这样荒唐的问题,本身就证明他是一块不可雕的朽木!
lahoward
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  • 2015-3-27 10:09:09
 
Rbb'有多大?是线性电阻还是非线性电阻?在饱和时其阻值有多大?电压降有多大?
ddxxmm_001
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  • 2015-3-27 15:31:18
 
基极体电阻在多数教材上的取值大约为200欧姆或300欧姆,一般理解为线性电阻,我没有过多思考和研究。按照本实验设计2,理论上能够测量,不过当时没有记录微安表A左侧电压以及微安表的内阻。这可能是一个新的话题,粗略阐述一下个人观点:
1.如果按照公认的二极管正偏特性——正向开启电压约为0.5V,正向导通电压约为0.7V,保守估计一下:0.5V对应于实验2的第一个实验数据(基极电流为4.90微安,开始导通);0.7V对应于最后一个实验数据(基极电流为100微安,已经导通)。由于实验2各次测量对应的零偏电压在15.6mV~7.29m之间,均远小于开启电压0.5V,零偏电压近似为零,所以可保守估计一下基区体电阻在100千欧到7千欧之间。这个值显然比教材上的公认的取值(200欧姆或300欧姆)有太大的出入,这却是我始料未及的。
2.上述估计的结果应该算是二极管的直流电阻,一般教材上说的基极体电阻应该是交流等效电阻,这是其一。其二,上述估计所依据的实验数据对应的集电极电流均为零,与放大的情况也是不一样的。
您有何高见,请不吝赐教。
lahoward
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  • 2015-3-27 15:57:08
 
楼主认为的三极管模型复制如下:

如果Rbb'是个线性电阻,假设为200欧姆,那么对B-C或B-E通以100mA电流,那电阻上岂不是要有20V的压降?但实际上B-C 或 B-E 的特性仍然符合硅二极管的特性,与普通的硅二极管的正向特性无异。
Rbb'的测量通常是要用高频信号才能测量,比如5MHz的信号,用直流电压或电流怎么测能有个测量示意图吗?
ddxxmm_001
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  • 2015-3-27 17:03:16
 
1.我同意您“Rbb'的测量通常是要用高频信号才能测量,比如5MHz的信号,”因为教材中给出的Rbb'是在放大交流小信号模型中给出的,用直流电压和电流测量肯定是不妥的。至少从实验2的数据分析看,是有很大差别的。关于这个电阻的问题,我也觉的有许多问题值得探讨,线性还是非线性?取值范围多大?欢迎各位发表高见。我的小文只能确定三极管的基极b和b'之间有个不可忽略的电阻存在。
2.先撇开Rbb'是否线性不论,您说:“假设为200欧姆,那么对B-C或B-E通以100mA电流,那电阻上岂不是要有20V的压降?”这里有个实际问题请考虑:一般普通三极管正常应用状态下,基极电流一般只有几十个微安,早在100mA之前就已经过流烧毁了。这与大功率三极管可能有很大区别。
lahoward
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总工程师
  • 2015-3-28 02:04:47
 
1, 你的“对三极管饱和条件的质疑”是以Rbb'为基础的,如果对Rbb'没能弄清那质疑就无从谈起了。
2, 3DG12的B-C或B-E通过100mA会不会焼我想你一定没有试过,3DG12是个很老的管子了,我这里能找到的最小功率的三极管是2N5551,于是分别对D-C、B-E进行100mA电流试验,结果都没有损坏,电压降约0.8V。
3, 这是著名的 Ebers-Moll models 三极管模型,这也是仿真软件中用的模型,不知你是否研究过。
ddxxmm_001
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  • 2015-3-28 09:19:51
 

1.我想,不论Rbb'是线性还是非线性,只需明确b与b'之间有一定电阻存在,就不影响小文的讨论。关于三极管的电阻问题,我打算另外发一贴讨论,这也是我的一位老同事(我更愿意称其为导师)很关心的一个话题,你有什么高见,望能看到。
2.关于这一点,我们可能在理解上有点出入,“分别对D-C、B-E进行100mA电流试验,结果都没有损坏,电压降约0.8V。”您既然试过,我也不否认其正确性。而我是指其在通常说的放大状态或饱和状态,稍微详细点说:首先给三极管合适的偏置,让其工作在最佳放大状态,然后逐渐改变基极偏置电阻,让工作点逐渐由放大区向饱和区移动。您不妨这样试试,看看基极电流还能不能达到您所说的100mA电流,而三极管依旧长期不会损坏。很期待您的实验结果!
3.谢谢您给出这个著名的模型及相应的公式。我没有查相应的资料,走点近路,向您请教一下:这两个电流公式是不是也该有测量使用前提?如果我没理解错的话,应该分别是以集电极C和发射极E开路为前提的吧?若不对,请明示。谢谢!
4.如果方便的话,麻烦给出该图和公式的出处,以及图中其它参数的公式、定义、相互关系等,能发个PDF更好。我也很想看到有关晶体管仿真模型的建立原理及参数设置方面的论述。谢谢!
lahoward
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  • 2015-3-28 09:33:24
 
关于Rbb',我的实验证明这个电阻在直流状态下与你的模型不符。我已说了,你的质疑是以Rbb'为基础的,如果你不能正确解释Rbb'则质疑无从谈起,所谓皮之不存毛将焉附?
关于这个模型,你可以网上搜一下Ebers-Moll models,其论述之多之详细不是我能说得清得。我不理解你说的“这个电流公式是集电极C和发射极E开路为前提的”。开路怎么还有电流?
ddxxmm_001
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  • 2015-3-28 09:56:26
 
1.我是说只需承认在b和b'之间有电阻,不管这个电阻是什么性质,就不影响小文的讨论。关于三极管的模型,是有很多种的,这要看具体条件和具体要求,您说呢?只要有利于问题解决,并与实验相符,模型就不算是错,但离开了具体条件,就该另当别论了,这也是非线性元件的一个共性吧?
2.
,算我没有说清楚。
我的意思是说第一个公式是在集电极开路的前提下给出的,第二个公式是在发射极开路的前提下给出的。当然,这只是我的猜测。愿闻其详!
lahoward
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  • 2015-3-28 15:10:13
 
关于Rbb'我要说的已都说了。关于公式和模型你如有兴趣再研究研究,毕竟你是搞模拟电子的,如有什么心得还望与大家交流。
关于三极管饱和时为何B-C为正偏但电流依然从N区流向P区,我整理了一篇文章,英文的,由于文章较长,因此放在附件里,下载看看希望能释疑你的“质疑”。

Saturation mode current Direction.docx
ddxxmm_001
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  • 2015-3-28 17:55:21
 
如此先谢过!不过,不好意思,您是不知道,我的英文水平都不及格,您的大作真是难以读懂。有一小小请求,你还是用中文写吧,这也不是英文网站,您说呢?弄不好把您的意思弄错了,反而适得其反。
wyizao
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  • 2015-3-28 19:14:13
 
近日曾经有朋友与楼主刁修睦讨论电子学,一个超级简单的问题,尽管那位朋友十遍八遍地与他反复解释,都口干舌燥了,但他还是转不过弯来。真是对牛弹琴。
今日楼主总算道出实情了:原来号称electronics专家,末了却不懂Englishi!
ddxxmm_001
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  • 2015-3-28 19:34:48
 
,与标题无关的内容请不要再发。我从来没有“号称electronics专家”,这与我懂不懂“Englishi”也没有多大关系,你如果觉得懂一点“Englishi”就很高端大气上档次,建议您还是去英语版论坛。就别在这里炫耀了。你的帖子,再与主题无关,我只好把你当xx躲着,恕不奉陪。
wyizao
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  • 2015-3-28 20:30:24
 
你看这搜狗拼音,也真是的,想打刁修睦,可是跳出来的偏偏是雕朽木!
集电结不是正偏就是反偏,二者必居其一,哈哈。
刁修睦,晶体管饱和时集电结不是正偏,那么就是反偏了哈,举个例子,某晶体管三点电压为6V、0.7V、0V,按照刁修睦的理论,这个管子就是饱和了呀!
wyizao
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高级工程师
  • 2015-3-28 20:45:58
 
集电结不是正偏,那么就是反偏”,难道不是与主题息息相关,难道不是楼主极尽其力号召的吗?
lahoward
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  • 2015-3-29 02:51:05
 
不是我的大作,我只是编辑一下而已,应该对你很有参考价值的,如果你无法阅读我就爱莫能助了。
你的“质疑”一文我认为是不严谨的,如果你要将你的“质疑”教你的学生希望能将我上传的附件也给你的学生看看,否则恐会误导你的学生。
Rbb'不是你想象的那么简单,看看如下计算公式便知:




ddxxmm_001
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版主
  • 2015-3-30 10:19:06
 
1.非常感谢您的帮助!
2.我的学生大都是普通本科,甚至是专科生。由于是质疑,我在教给学生时也是很注意的,判断工作状态,不按传统观点(以两个PN结的偏置状态为依据),而是结合输入、输出特性曲线,从外部偏置条件(各电极电压、电流特点)进行判断,不知当否?
3.您给出的两个公式,是我第一次看到,给我提供了一个很好的思路和方向。如果您手边有关于Rbb'的英文原版资料,很希望您能割爱共享。
4.您的附件资料,我会努力去读懂,不过还是希望您能抽时间写一篇国语资料,以免因我外文水平的瓶颈,误解了您的一番好意和良苦用心,也便于与其他专家交流。辛苦您!
5.附件传一个关于BJT三极管工作状态判断方法(电压电流特点)的PPT,有不妥的地方,请指正,谢谢! BJT的三个工作区.ppt


lahoward
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  • 2015-3-30 14:11:15
 
1,只是交流因此没什么需要感谢的,说帮助也不敢担
2,关于您的“质疑”一文我认为是不妥的,我的的附件里基本上也说明清楚了
3,两个公式摘至于一本晶体管制造的书里,中文版的,明天会上传供参考,我没什么研究
4,我的附件您可以请学生什么的翻译,翻译的过程也是一种学习,如翻译过程有什么疑问我们可以再对译文探讨
,或者过段时间我再抽空翻译一下,也许还可以给其他网友提供参考
5,关于您的附件我看过没发现有问题,其实您是这方面的专家,我平时并无太多的研究,只是需要时找些资料看看而已
lahoward
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总工程师
  • 2015-3-30 15:15:07
 
ddxxmm_001
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  • 2015-3-30 19:58:23
 
谢谢,谢谢!
ddxxmm_001
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  • 2015-3-30 19:57:26
 

非常感谢您的耐心回复!
一直希望有一本真正适合初学者的电子技术基础读本,但我知道自己水平有限,故很想有个这方面的专家能多进行请教。我有一个信念,经典电子技术理论肯定可以找到电路基本原理的依据。
希望早日看到您的翻译!
wyizao
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  • 2015-4-4 18:09:03
 
楼主主帖所言“在三极管处在饱和状态时,其集电结仍然是反偏的”,正如37楼第2条指出的,是极其不妥的,会误人子弟的。 希望读者提高警惕,不要上当受骗!
ddxxmm_001
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  • 2015-4-12 22:17:55
 
1.学术讨论是要有理有据的,还是请指出不妥的具体原因,或者直接指出文章具体不妥之处。如果只是凭感觉去评论,或者人云亦云,哪像个教授?怎么叫人信服?
2.郑重的告诉你,本人从今天开始也不再对你的任何评论发表回复,你不值得我去浪费时间。
3.我会随时关注你所谓的新作,并想尽一切办法将你的歪理邪说公之于众,不能让你继续毒害无辜的初学者。请放心,我会有理有据,不像你,没的说了就知道个人攻击,乱咬一通。
wyizao
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  • 2015-4-20 21:49:06
 
大凡学过模电的人都知道,三极管处在放大状态时,集电结反偏,处在饱和状态时,集电结就改为正偏。
世间只有你刁修睦一个人说在三极管处在饱和状态时,其集电结仍然是反偏的”
自己错了,还不听众人好言劝告,说你是一块不可雕的朽木,不是骂你,是真的,恰如其分的!
不听老人言,吃亏在眼前!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:17:04
 
请问叫兽:“从放大到饱和,集电结既然从反偏转为正偏,那么集电极电流为什么没有从流入转为流出?”
cdzx11
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  • 2015-5-4 21:28:01
 
我说,现在的氛围根本不适合讨论学术问题,你的这个问题没必要在这里拿出来讨论了。
要吵架就直接吵就好了,和学术问题混在一起不合适。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:59:01
 
也是,和这种人,根本无法正常交流,简直就是个学术流氓,疯子!
wyizao
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  • 2015-5-17 07:12:42
 
兽从口出,想必刁修睦(雕朽木)就是那兽养的!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-24 20:05:18
 
您传给我的资料初步拜读了。
1.这个模型我没什么异议,我觉得在IB支路加上基区体电阻,也不会与该模型冲突,但却可以清楚解释饱和时集电结的偏置问题。
2.等效电路中有两个受控源,其两端电压不能由自身决定,对讨论PN结偏置无多大意义。
3.我还想了一下,质疑中的那个体电阻应该是静态瞬时直流电阻,不应该与交流等效分析时计算rbe的公式中的rbb/等同,它是交流等效电阻的一部分,应该比质疑中说的等效电阻小很多。当然,只是这么想而已。
cdzx11
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  • 2015-4-20 22:29:55
 
有意思的讨论,可惜没赶上。
说三极管饱和的时候集电结是正偏的或许不是十分准确,但要说集电结仍然反偏肯定是错误的。
或许,三极管饱和的时候,可能从某种意义上讲集电结不存在了,从基极注入的过量的载流子已经在一定程度上把发射极和集电极混同在一起了。
ddxxmm_001
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  • 2015-4-20 22:40:18
 
赶得上,希望能仔细看看原文,指出到底错在哪里。
cdzx11
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  • 2015-4-20 23:04:14
 
不用仔细看就可以得出结论:
首先,我们要搞清楚的问题是“偏置”这个词的含义。
所谓“正偏”、“反偏”是指的“正向偏置”和“反向偏置”的简略说法这点没有异议吧?
所谓“名正言顺”,实际上就是说“名”——词汇和“实”——概念之间能够达成共识,然后讨论才能顺利进行。


所以,请问你认为“偏置”这个词对应当概念是什么?
cdzx11
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  • 2015-4-21 00:23:57
 
原文拜读了,我认为你的错误首先在于你不该采用集总参数模型来分析这个问题。
请问一个问题:你怎么理解饱和压降低于发射结的结压降?
ddxxmm_001
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  • 2015-4-22 20:22:09
 
1.实验室在静态(直流)条件下进行的,我觉得用集总参数模型是应该的。你认为该用什么参数模型?请说明理由。
2.“饱和压降低于发射结的结压降”的解释文中也有说明,望指出不当之处。
3.模型是为了解决实际问题的,模型的等效性是对外部等效。本实验设计尽量克服了仪器内阻导致的系统误差,光点式电流计的电流精度最高可以达到10的负10次方安培。模型与实验结果也有很好的吻合。
cdzx11
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  • 2015-4-22 22:58:52
 
你的模型里面,集电极电流都没地方走
ddxxmm_001
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  • 2015-4-23 15:16:18
 
我没明白您的意思,您是指哪个实验吗?
cdzx11
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  • 2015-4-23 16:39:56
 
你的推理不是基于那个双二极管的模型吗?
我认为不该用这个模型,就这意思。
ddxxmm_001
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  • 2015-4-23 17:22:00
 
哦,用这个模型可以用实验得到很好的验证。您觉得该用哪个模型?
cdzx11
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  • 2015-4-23 17:25:04
 
我认为三极管本身就是最基本的了,不用模型,直接分析半导体内部
ddxxmm_001
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  • 2015-4-23 21:43:42
 
这里存在一个明显的矛盾:以NPN三极管为例,一方面,饱和时集电极电位低于基极电位,集电结似乎是正偏,那么,流过集电结的电流应该是正向导通电流,即从集电结的P区经PN结流到N区;然而饱和时,集电极的电流仍然是从集电极流进的,也就是从集电结的N区经PN结流到P区。
您怎么看这种矛盾现象?
cdzx11
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  • 2015-5-2 15:34:42
 
三极管内部工作机制比较复杂,说起来本人也不是了解的很透彻。
关于饱和状态,我们大概可以这样认为:
从饱和状态来看,集电极电流实际上并没有通过发射结,否则无法解释饱和电压低于发射结的结压降。
所以,基极载流子注入,实际上是在发射区和集电区之间(基区)形成了一个电流通道(好像这里应该描述成从发射区注入基区的载流子),集电区电流是从这个通道流向发射区的,这些电流并没有通过任何一个PN结。
在饱和状态,因为集电结反偏,电流从基极流向集电极完全是可能的,我们没有证据证明这个电流不存在,是吧?
wyizao
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  • 2015-5-2 16:16:16
 
世人都知道,BJT在饱和状态,集电结正偏。LZ偏说"饱和状态,因为集电结反偏"!
LZ和楼主,都是反潮流的大英雄啊!
佩服、佩服!
wyizao
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  • 2015-5-2 16:17:49
 
LZ到潍坊学院当校长,刁先生就当院士了!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:34:53
 
叫兽!别光知道嚎叫,拿出点真观点来!这可是学术论坛!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:32:02
 
1.饱和时,集电极电流的路径应该是:集电极流-集电区-集电结-基区-发射结-发射区-发射极。由此可以肯定,饱和时,集电极电流肯定通过发射结。
2.饱和时,集电极的电流并未与放大时的流向相反,即电流方向没有改变。这就没有理由说集电结会从放大时的反偏转为饱和时的正偏。对吧?
ddxxmm_001
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  • 2015-4-22 20:10:00
 
所谓“正偏”、“反偏”是指的“正向偏置”和“反向偏置”的简略说法这点没有异议。
wyizao
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  • 2015-5-2 09:13:29
 
看楼主ddxxm_001刁修睦的口气不凡。实际上呢,搜了一下潍坊学院信息与控制学院,教授副教授名单没有,博士硕士名单也没有,都快50岁了,恁的还在讲师的岗位上徘徊着!


cdzx11
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  • 2015-5-2 13:32:04
 
刁先生就算是讲师又如何?职称高低不是问题,甚至水平高低也不是问题。
起码刁先生是个正常人,可以和他交流、沟通。
再怎么比,也比某些学术流氓强,比某些疯子强。
wyizao
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  • 2015-5-2 14:30:13
 
大家就看LZ如何与刁修睦先生取得一致了!
wyizao
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  • 2015-5-2 14:37:54
 
大家都认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部发射结和集电结都是正偏的。
所有的考试也是照此来判断是对的。
只有刁修睦鸡立鹤群,认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部集电结不是正偏!
cdzx11
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  • 2015-5-2 15:25:43
 
所以要说某人是学术流氓呢,根本不看别人的观点,只要和自己不一致就开骂。
不知道我哪里赞同楼主这个帖子的观点了,我明明反对的啊。
哦,对了,楼主是刁先生,可不是本人。


有错误的观点没什么奇怪的,我不知道这世界上还有不犯错的人。
认知有错,并不等于这个人有什么不好。
起码,刁先生可以和人心平气和的讨论,知道有理说理,达不成一致也不会因此气急败坏,胡搅蛮缠。
wyizao
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  • 2015-5-2 16:30:15
 
只是善意提醒学生不要上当受骗而已。难道像某些人一样与错误的观点沆瀣一气,并且误导年轻人才算好?
wyizao
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  • 2015-5-2 17:52:08
 
LZ到https://bbs.21dianyuan.com/209623.html的250楼看看去,刁修睦究竟是心平气和,还是气急败坏!
何况,楼上只是客观地解了一道题,并没有过错!
cdzx11
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  • 2015-5-2 18:09:20
 
一个巴掌拍不响,起码刁先生和别人讨论问题没吵起来。
楼上呢?好像在这儿每次都在和人吵架。
和一个人吵,可能是别人的问题;如果和每个人都会吵起来,总不至于这些人都有问题吧。
人啊,首先要尊重别人,才能得到尊重。
wyizao
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  • 2015-5-2 18:26:22
 
LZ你看清楚了,https://bbs.21dianyuan.com/209623.html的243楼只是客观地解了一道题,纯粹的学术活动,刁修睦就在250楼“气急败坏”了,把最脏的词儿从他那经常讲课的嘴巴里喷了满地
因此,那个帖子已经由盛名的admin锁定了,白底黑字,历历在目!
LZ,21dianyuan的副总工程师,这究竟是谁的过错呢!
LZ,你这“21dianyuan的副总工程师”,说话要是太离谱了,怎么能得到大家的尊重呢!
cdzx11
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  • 2015-5-2 20:00:32
 
别人是否尊重我?说实话,我也不是很清楚。但我清楚你说了不算。
至于你的尊重,我受不起。
wyizao
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  • 2015-5-2 21:48:53
 
刁修睦满嘴野兽充斥,LZ装作看不见,就以为大家也看不见!
好一个掩耳盗铃的现代版!
wyizao
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  • 2015-5-2 14:43:54
 
21dianyuan是学术圣地,可是在LZ眼里,职称高低不是问题,甚至水平高低也不是问题。”!
wyizao
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  • 2015-5-17 07:15:11
 
“刁先生是个正常人”?
学术圣地,“兽”字挂在嘴边,好像就是那兽养的!
好一个“正常人”!
荨麻草
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  • 2015-5-2 20:35:08
 
跑题了,就事论事,不该拿资历说事儿……没有意义
cdzx11
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  • 2015-5-2 21:16:13
 
我这不是看不惯吗。
这人说不过就乱来,谩骂、揭短,完全就是个斯文败类。

wyizao
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  • 2015-5-2 21:59:38
 
难道让大家都学LZ“护短”,甚至掩人耳目、颠倒黑白不成?
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  • 2015-5-2 21:51:19
 
拿资历说事儿,只是告诉大家一些相关事实而已,怕啥呢!
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  • 2015-5-2 21:54:20
 
优秀人物,很多30多岁上下就成为正教授了。
都快50岁了,还在讲师的位子上蹭着,与他在这里屡教不改的表现很一致嘞!
说实话,要是在部队院校,早就被转业处理掉了!
wyizao
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  • 2015-5-2 21:57:39
 
而且楼主刁修睦的人品很差劲,到https://bbs.21dianyuan.com/209623.html的243楼、250楼看看去,243楼只是帮他磊楼,可是刁修睦他自己盖的楼,都给他自己糟蹋成啥脏样子了,脏不忍睹呀!
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  • 2015-5-17 07:20:18
 
看这个雕朽木、刁修睦,已经在这里给大家包围了,没有一个人赞成刁修睦的! 为什么,学术观点站不住脚。
看看他的历史,原来50多岁了,还是一个老讲师!
从小看大,难道不应该?
也就是地方院校。要是在部队院校,这样的人,早就给踢了,免得他一直误人子弟、祸害学生!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 12:47:33
 
,我就是讲师。但我从来没有以此为耻!我站在讲台上,丝毫不感觉愧对我的学生!
wyizao
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  • 2015-5-3 15:18:15
 
基本共射放大器效率,别人说是8.6%,就是错了;刁修睦说是8.6%,就是对了!
这就是潍坊学院信息与控制学院的刁修睦!
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  • 2015-5-3 15:19:51
 
要是在部队院校,刁修睦,你呀,早就被踢到罗布泊里吃黄沙去了。
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  • 2015-5-3 15:20:13
 
你也就是沾在地方院校的便宜,糊弄那些齐鲁大地的学生罢了
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  • 2015-5-3 15:20:49
 
不过,你就铁定了在讲师的椅子上坐一辈子了!
wyizao
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  • 2015-5-3 15:34:21
 
把讲师的椅子坐穿,也是便宜了你呢。
换在部队院校,早给你开到罗布泊吃黄沙去了!
wyizao
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  • 2015-5-2 09:23:16
 
请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 07:23:37
 
,你除了讽刺挖苦别人还会点别吗?我开始怀疑你那个8.6%的效率是舶来品!
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  • 2015-5-3 07:26:38
 
请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
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  • 2015-5-3 13:18:16
 
请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
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  • 2015-5-3 15:37:23
 
看你的QQ个性签名“沉睡的狮子已经醒来”,再看你书还没有写出来,就到处张扬要写出一本旷世奇书来,让别人看了还以为你是一个院士呢!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 17:15:43
 
,你就是这样胡乱联系吗?难道心虚不成?
wyizao
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  • 2015-5-3 15:39:08
 
晒晒你的老底子,让大家认清你的真面目别上当,也使你清醒清醒,很有必要呢!
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  • 2015-5-3 15:41:16
 
诸位朋友,到https://bbs.21dianyuan.com/209623.html的250楼看看去,看看楼主ddxxmm_001,就是潍坊学院信息与控制学院的刁修睦,是怎么“净化论坛空间”的?
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  • 2015-5-3 15:42:54
 
刁修睦,潍坊学院的刁修睦,说的比唱的都好听,做的比熊猫一边吃一边拉还丑陋!
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  • 2015-5-3 15:45:26
 
至于这个帖子,自打3月24日开贴后,本友早在3月28日就来过了。
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  • 2015-5-3 15:46:29
 
这是公众场合!谁愿意来谁就来!任何人不得干涉。
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  • 2015-5-3 15:47:05
 
就是看看楼主刁修睦每天都喷什么,然后给大家建言以便上当受骗!
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  • 2015-5-3 07:28:35
 
那个基本共射放大器8.6%的效率,是科学。科学发现,又不是哪一个人的专利。
科学发现,谁都可以搞的!

wyizao
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  • 2015-5-3 07:30:06
 
请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
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  • 2015-5-3 07:30:50
 
必将受到法律的惩处!
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  • 2015-5-3 07:32:31
 
不知好歹,不辩是非,跟着那几个坏人进攻一个正直的教师,迟早一起受到法律的惩处!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 15:01:53
 
你抄袭个8.6%的效率,顶多也就算是抄袭。可是你自作多情的发挥出个最大输出功率为0.0625U2/Rc来害人就是你的不对了。看看你的杰作(你的魔电修订版P84):





先附上你在P83页给出的式3.2.3b:


你可能要问了,不就是求个导数吗,有什么不对的?
别急,回头看看你在P82页说的:


很显然,你的式3.2.3b中的变量x是和集电极电阻RC相关的变量。然后你只对x求导,而默认Rc不变,这样求出的极值有实际意义吗?高数咋学的?你这不是在害人是干什么?还大言不惭以教授自居呢。鄙视你!
wyizao
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  • 2015-5-3 15:49:38
 
是你第一不懂英语,第二不会数学,看不懂而已!第三不懂人性,肆意污蔑!
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  • 2015-5-3 19:40:46
 
刁修睦,下贱东西,不糟践你一顿,心里就痒痒的慌!
刁修睦,你就是那齐鲁大地的破小车子,每天都得用榔头使劲敲打,心里才舒服!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 21:52:16
 
怎么啦?叫兽,叫不出来了!?
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  • 2015-5-3 15:51:57
 
大一学生都能看出来,设Rc/RL=x,就可以以Rc为基准来研究RL的变化对放大器效率及负载最大功率等的影响。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 17:26:32
 
那应该对RL求导,你为何要对x求导?说你数学不行咋了?你不懂什么叫独立变量吗?真是连个大一学生都不如,还教授呢!
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  • 2015-5-3 19:28:38
 
哈哈,刁修睦承认了,都50岁了,可惜那思维能力还比不上一个大一学生!
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  • 2015-5-3 19:30:30
 
看起来,潍坊学院给刁修睦一个终身讲师的椅子坐坐,一点儿也不委屈呢!
wyizao
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  • 2015-5-3 19:33:35
 
言归正传,x=Rc/RL,对x求导,与对RL求导,就求函数极值来说,又有啥区别呢!
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  • 2015-5-3 19:36:52
 
难道f(RL)有极值,f(Rc/x)就没有极值了?
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  • 2015-5-3 19:37:37
 
刁修睦,难道你把f(Rc/x)的极值给偷吃了?
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刁修睦,快快把你偷吃的f(Rc/x)的极值吐出来!
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请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
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  • 2015-5-3 19:43:57
 
刁修睦,f(Rc/x)的极值消化不得,快快把你偷吃的极值吐出来!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 08:28:29
 
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ddxxmm_001
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  • 2015-5-4 19:26:31
 
你倒是正面回答呀?
wyizao
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荨麻草
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  • 2015-5-5 19:26:35
 
每天点开消息提醒,满屏幕的吵架,而且吵得还那么没水平,真让人心里堵得慌...
还真如马云所言:细节做得好的人,一般格局都差。
我佩服两位对技术上的细节研究地细致入微,但处世的胸怀气魄真的有待改进,作为学术界的同行,就非得文人相轻?某种程度上讲,正是这种文人相轻的封建残留,拉低了中国电子工程教育的整体水平

真诚希望楼主和元教授都能为中国的电子工程教育做出贡献,人到了知天命的年龄,比的是学识、气质、修养...对错真的有那么重要么?都几十岁的人了,咋觉得还没有一个二十多岁的人看得开?
cdzx11
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  • 2015-5-5 21:13:02
 
楼主起码可以和他正常讨论,不会因为意见相左就吵起来。
你把两人相提并论我觉得不怎么公平。
如果我是管理员,我早把某人给封了。此人根本不允许别人反对,哪怕是学术上的异议都不能接受,多说两句就开骂,纯粹一个斯文败类。
如果你不信,你和此人讨论一下问题试试就知道厉害了。
荨麻草
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  • 2015-5-5 21:23:33
 
sorry,实在无法忍受,冲动了一下。。。
荨麻草
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  • 2015-5-5 21:30:32
 
至于讨论问题就算了,不吃那碗儿饭,不操那份心...俺还是安安静静地做一个屌丝吧,文化人的事儿,太深奥了,搞不懂
zhaohua2764
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  • 2015-5-6 06:34:55
 
[size=14.399999618530273px]怪事啊。。。
[size=14.399999618530273px]感觉学会会员比教授修养好,难道人要有个官方身份就不同的?
[size=14.399999618530273px]嗯,多学学马列思想,加深点政治觉悟,比做学术强。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-6 10:58:46
 
秀才遇上兵了,木有办法!见谅
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  • 2015-5-6 14:05:09
 
嗯嗯 希望 大家都互相尊重,共同讨论技术问题。分享探讨结果给坛友们,谢谢。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-6 11:12:42
 
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  • 2015-5-3 15:54:25
 
也别以为掩了耳就可以盗铃!
davidwang
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  • 2015-5-3 11:19:46
 
单一的将两个二极管放到一起,那不是BJT,拿只是供极的二极管;可以先找BJT工艺看看。在童诗白主编模拟电路中讲的比较清楚。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 13:10:57
 
这不是问题,我们一直都在用童老的书。我希望您能仔细看看我的几个实验,看看有没有错误或者不恰当之处。我觉得这几个实验还是经得起推敲的。为了提高精度,特设计了电桥法,精度也可以满足要求,最高可以达到10-10A的数量级。从设计实验到完成测试,前后用了几个月时间,原始数据也比文中列出的多得多。期间还充分考虑了长时间测量由于温度过高可能导致的不利影响,故大电流测试时,是断续多次测量的。虽然过去了十多年了,但我依然对这篇小文有信心。
wyizao
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  • 2015-5-3 15:56:05
 
正因为你如此短视,所以即使再过十年,直到你退休了,你也还是坐讲师的冷板凳!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-3 17:29:34
 
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  • 2015-5-3 19:22:49
 
哈哈哈,没看错你吧,刁修睦,你也就是做一辈子讲师的材料!
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  • 2015-5-3 19:24:56
 
教授的大衣,你是披不上了! 教授的帽子,你是戴不上了!
wyizao
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  • 2015-5-3 19:25:49
 
那葡萄,这狐狸是注定吃不上了!
wyizao
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  • 2015-5-3 19:26:25
 
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zj19841027
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  • 2015-5-5 18:42:27
 
不管对于错,口头攻击也是不对的了^_^
“对于BJT编辑 因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.BJT在饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量(Ic=Vcc/RL,式中的Vcc是电源电压,RL是负载电阻),而与输入电流无关(即这时已离开了放大状态);该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式,相应于开关的开态.”--来自度娘
而楼住的



我是个小兵:说的不好不要责怪,楼住的概念是(对于NPN型):Ub(0.7v)>Uc(0.3V),这个是集电结反偏(不知道是不是这个意思)。
我的理解是集电结正偏不等与Uc>Ub,而是P结的电压大于N结的电压,所以,在饱和状态下,如果Ub(0.7v)>Uc(0.3V)(对NPN),在这个时候即P结电压大于N结的电压(0.7>0.3),正偏
ddxxmm_001
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  • 2015-5-6 12:53:45
 
,闻道有先后,术业有专攻。
如果如你所说:“在饱和状态下,如果Ub(0.7v)>Uc(0.3V)(对NPN),在这个时候即P结电压大于N结的电压(0.7>0.3),正偏”,那么集电极电流是应该从集电结的N区流出呢,还是流入?(这里假设你说的“P结”即通常所说的“P区”,“N结”即通常所说的“N区”,不知可否?)
我觉得您说的前半句:“集电结正偏不等与Uc>Ub,而是P结的电压大于N结的电压,” 的真实意图是想说:“集电结正偏等于Ub>Uc,也就是P结的电压大于N结的电压”,对吧?
zj19841027
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  • 2015-5-6 14:29:16
 
“集电结正偏等于Ub>Uc,也就是P结的电压大于N结的电压”对于NPN是这样,
如果是PNP型,就是Ub<Uc(P结的电压大于N结的电压),个人的理解
ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 23:18:15
 
如果不考虑三极管内部电阻的影响,你这么说是没有问题的。问题是内部电阻,比如基区横向体电阻,是不能忽略的。
zj19841027
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  • 2015-5-6 15:28:07
 
楼主:你好
'''那么集电极电流是应该从集电结的N区流出呢,还是流入?''
我根据个人的理解画了个图(不准确,不是很了解它的内部,会应用



如果把C说成是水库的上游,E看成水库下游,B看成控制水库闸门的控制阀门(内部机关不知道),当水库有库成水的时候,向B来注如小的水流来控制水库闸门,当向B注的水流到一定度,即B的水面高与C的水平面(比喻NPN),这时闸门完全打开,再向B注水,水库闸门也不会变大,E的地势最低,水往低处流,就流向E了,至于B里面的水是不是往C里面流(内部机关不了解),有可能有几滴水,但大多数都流往地势最低的E
ddxxmm_001
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  • 2015-5-7 08:29:15
 
图画得很清楚!
按照您的图。是否可作如下推理:
由于是NPN型管,所以
1. 图中C区(即集电区)是N型区,B区(即基区)是P型区,E区(即发射区)是N型区。
2. 三个区域相互的交界面处均形成PN结,CB之间的PN结称集电结,BE之间的PN结称发射结。
3. 饱和时集电极电流流过三极管的内部的路径:集电极-C-集电结-B-发射结-E-发射极。所以,流过集电结的电流是从N区到P区的,即流过集电结的电流为反向电流。
4. PN结的导电特性可知:当PN结的电流为反向电流时,其两端电压应该是反向电压,即反向偏置。
由此可知:饱和时,集电结仍然是反偏的。
至于为什么反偏电流可以很大,是由三极管结构及工作条件共同确定的,另述。
以上叙述,不知当否,请斧正。
triaco
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  • 2015-6-12 21:48:42
 
triaco
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  • 2015-6-12 22:11:01
 
二极管必须串联阻抗,使自身压降不超过0.7V,
但其实这个0.7V只是二极管模式所需,扩散电流有0.2V就能动了。
triaco
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  • 2015-6-13 11:28:26
 
上图很清楚地表达了BJT的三层架构,电流的成份和分配,
下图应该也是个BJT,不过只画出发射结,以他的话来说,BJT的跨导 近似于发射结(二极管)的伏安特性,
如果在红区顶头加上普通的电极,则这电极上的电压跟左边是一样的,如果不给『空穴』过,只让『电子』流,所需的电压反而不用那么高(集电区就有这效果,但基极仍是二极管,要吃0.7V)。
ddxxmm_001
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  • 2015-6-13 22:04:23
 

是不是以为给个图就觉得表达很清楚了?
BJT的哪三层架构,什么电流成分?如何分配?
这么丰富多彩的一幅图,你这不同颜色各代表什么?你说的红区是哪个红区?
不要只自己觉得清楚,其实让看的人去猜谜。
你到底要说什么?请说明白一点好不好?

triaco
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  • 2015-6-13 22:21:12
 
340楼上方那个是阁下在262楼的图的其中一个,而那个图你自己贴上来的嘛,你不理解的应该是下面那个去掉集电区的彩图吧?
ddxxmm_001
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  • 2015-6-13 22:29:01
 
也不全是
1.我讲三极管结构,会让学生简单记住一句话:三区、两结、三电极。不知您所说的三层架构是哪三层?
2.我想不只是我一个不理解下面那个彩图吧?您到底是要说明什么? 不同颜色各代表设么意思?
triaco
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  • 2015-6-14 21:54:47
 
首先来个正向的PN结,两区(层)一结,
然后,在上面加N就成NPN,在底下加P就成PNP,都是BJT,三区(层)两结。
ddxxmm_001
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  • 2015-6-15 12:30:05
 
triaco
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  • 2015-6-14 22:07:04
 
集电经永远反偏,但饱和时Uce却是小于Ube的,144楼的图也许能解释这个矛盾现像,这可能是因饱和时 Ie 过剩在基区堆积造成类似MOSFET沟道而致。
cdzx11
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  • 2015-6-14 22:12:16
 
ddxxmm_001
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  • 2015-6-15 12:36:22
 
这笑后暗藏玄机啊!何不明说?
triaco
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  • 2015-6-15 17:22:14
  • 倒数8
 
26楼cdzx11| 副总工程师 (5422) | 发消息 2015-06-14 17:58倒数5 事实上,基极范围内,接收了大量电子的区域,电子密度完全可以大于空穴的密度,这时候,这部分区域完全可以认为不再是P型半导体了(类似MOSFET的沟道)……。


这是《主题: 双极型晶体管饱和关断速度问题——是不是和二极管反向回复有关?》中的回复,而本帖349楼的发布时间是22:07,他指出这观点的时间比我早了几个小时哩。
ddxxmm_001
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  • 2015-6-15 17:40:32
  • 倒数6
 
。原来是这样!
ddxxmm_001
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  • 2015-6-15 12:35:05
 
1.“集电经永远反偏 ”,这里的永远是指什么?你若不说明白,别人可就有可乘之机了。
2.BJT和FET是有相似之处的。有兴趣可以私聊。
triaco
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  • 2015-6-15 22:30:26
  • 倒数5
 
BJT与MOSFET
ddxxmm_001
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  • 2015-6-15 23:05:14
  • 倒数4
 
不是很明白,似乎也没有这么简单!
king5555
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  • 2015-5-14 16:20:43
 
雙極性電晶體是電子學歷史上具有革命意義的一項發明, :79其發明者威廉·肖克利、 ..... 飽和區:當雙極性電晶體中兩個PN接面均處於順向偏壓時,它將處於飽和區, ...
(这是维基百科的解释,刚来第一次回帖,练习一下。順便打个招呼,好久不見了,您好!。)


ddxxmm_001
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  • 2015-5-14 18:13:52
 
这解释的来源不会有什么质疑。但有些时候,权威并不见得都是正确的。这里也许只要举个特例,就可以看出维基百科的解释的局限性:
我们把C、E两极接在一起,然后在B、E极间接正向偏置电压,则双极型晶体管内部的两个PN结均处于正向偏置,但我们一般不能说此时的三极管处在饱和区。原因很简单,此时集电极的电流方向与三极管饱和时的方向正好相反。
king5555
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本网技师
  • 2015-5-14 22:17:48
 
您这样变成二极管不能与具有电流放大的三极管相提并沦,再者这种探讨饱和特性当以共射极回路进行。若要符合您的概念,不妨将标题改成:共集极回路时之....。这样才恰当!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-16 22:12:14
 
您大概不会否认三极管输出特性曲线的横坐标是从UCE=0算起的。此时的三极管难道不是等效为两个二极管并联?试问,当UCE等于多大时,才不能看作是两个二极管并联,而成为真正的三极管?集电极的电流又是从什么时候开始由流出变为流进的?
wyizao
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  • 2015-5-16 07:03:28
 
davidwang
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  • 2015-5-9 14:37:14
 
好好看看BJT的工作原理,你话一个最简单的放大电路来看,一个电源一个BJT一个电阻,电阻放在基极和集电极之间。这样情况下分析,估计就会好分析一些。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-9 15:23:08
 
哦,
1.不知道您是什么观点,这样做是想说明什么问题?
2.按照您的做法,除非电源足够小,否则很难出现三极管工作在饱和区的情况。只会发生两种可能:
(1)在电源电压VCC不大于UCEO的前提下,且确保电阻不会太小,则始终会有UCE=VCC。
(2)在电源电压VCC不大于UCEO的前提下,若电阻阻值太小,则集电极电流足够大,当大到使IC>=ICM,或者使UCEIC>CM时,则会导致三极管被烧毁。
davidwang
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  • 2015-5-13 17:47:36
 
你可以看一下半导体的构成;按照你的理解,当CE极对调时,是不可能工作的,但事实可以工作的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-14 07:35:30
 
您说的工作是不是指放大?我不知道您是怎么按照我的理解推得:“ 当CE极对调时,是不可能工作的”?
按照我的理解,也是公认的理解,当CE极对调时,也是可以放大的,只是放大能力很小而已。
cdzx11
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  • 2015-5-14 11:49:56
 
有种三极管叫双向三极管,EC交换之后参数差异是由规范的,一般要求控制在10%以内。
事实上,早期的合金型锗三极管(比如3AX31,3AG1等)结构上EC是完全对称的,交换EC完全都能正常工作。
lahoward
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  • 2015-5-14 11:52:36
 
交换EC完全都能正常工作就不太对了,能工作但谈不上完全正常,放大倍数会很小。
cdzx11
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  • 2015-5-14 16:57:29
 
你用过这种管子吗?这类晶体管在结构上是完全对称的,没有任何差别。


时间过去很久了,具体数据我不记得了,在我印象中,这种晶体管EC交换之后,放大倍数在同一个数量级。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-14 17:59:47
 
早期的合金型三极管,C、E极的差别可能小点,但肯定会有差别的。这不是本帖讨论的主要问题,感兴趣的可另外发帖讨论。各位以为如何?
cdzx11
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  • 2015-5-14 23:43:45
 
楼主还应该做一个实验:
IB为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压是多少V?
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 11:18:20
 
这是一个不错的建议,值得一做!其实也不难做,有结果必分享。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 13:00:01
 
这是用Multisim12软件仿真的结果,精度应该也算足够。
该结果与本帖观点不矛盾。在误差范围内,当IB=102uA时,UBE=0.776V,而UCE=0.088V=88mV。当IB=11uA时,UBE=0.715V,而UCE=0.081V=81mV。两次测量中集电极电流只有约0.014uA,远比基极电流小,可近似为零,但注意而且方向是流出的。这也与本帖结论相符合。

在误差范围内,B、E间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
lahoward
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  • 2015-5-15 13:21:46
 
有一种精神叫执着,也有一种精神叫固执,说的直白一点固执就是顽固,如果年纪大一点就叫老顽固。
对楼主用这种不着边际的方法验证出的荒谬的结论表示很无语。楼主在高校做教师,想必这种错误的观点已影响了不少学生,贻害无穷。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 22:56:12
 
1. 其实您用不着这么激动,也不用担心我会贻害学生。在教学过程中我只不过是避开现行教材的说法,但不会把存疑的观点强加给学生。
2. 请注意看看本贴的题目,本身也没有对观点武断地肯定,而是质疑。学术讨论,还是用事实说话比较好,不着边际的发牢骚没有用,你说呢?
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  • 2015-5-16 07:05:48
 
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  • 2015-5-17 07:24:22
 
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  • 2015-5-15 13:33:32
 
楼主能不能先别急着下结论?
首先,这东西不适合仿真。
其次,就算有了试验结果,你这样急于下结论也是错误的。


你认为电压大部分都在基区电阻上,你有充分的理由吗?
如果大部分电压降是在基区提电阻上,这个电阻大概多大?
我们把基极电流加大到1mA,这时候VBE该多大?
你别告诉我:这个电阻是会大范围变化的,电流越大,电阻越小。


另外,PN结的结压降是可以用公式(肖克来公式?)计算的,你别告诉我说这个公式是错的。
事实上,只有明显比公式给出的数值大的那一部分电压才是PN结上串联电阻的压降,这在二极管伏安特性上可以很明显的看见——当电流大到一定程度之后,伏安特性曲线会明显的偏离计算值。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 22:40:20
 

1. 您批评的有道理,也许我真的不能急着下结论,也许这东西不适合仿真。
2. 我想说的是,这个仿真是按照您的思路做的,仿真结果与本帖观点不冲突。我也相信这个仿真结果可以通过实验得到验证。您如果也做过,很希望能看到您的实验结果和正确的解释。
3. 本帖并未具体讨论基区体电阻的大小,只是认为这个电阻存在,并通过实验得到验证。所以不能简单从BC极的电位高低来推断集电结的偏置状态。反过来,不适合将三极管的三种工作状态与内部两个PN结的偏置状态相联系。
4. 另外,我承认自己的半导体理论知识有限,真心希望能得到您的指导。把深奥的理论通过简单的方式正确传授给学生,是我一直追求的一个目标。

lahoward
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  • 2015-5-15 14:12:43
 
楼主的这种荒谬的理论已毒害了其本人几十年,为了终结楼主这种搞笑的科学实验,现上传两篇文档,一篇为英文原版,附加一篇译文,请楼主好好研究,译文如有不当之处以英文原文为准。


Saturation mode current Direction.docx

晶体管饱和时的集电极电流.docx
cdzx11
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  • 2015-5-15 16:56:33
 
楼主肯定是错的,但有必要说的这么激烈吗?有理不在声高。
像你这样简单的说他不对,其实不如不说,因为说了也没有用。
如果你没心思说服楼主,你不理睬就好了。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 23:12:15
 

的确,有理不在声高。
把问题提出来,是为了把问题搞清楚的。大家各抒己见,集思广益,才可能取得一致。真理是不怕辩的,只能越辩越明。不管是谁,只要说的有道理,令人心服口服,都是值得肯定的。坚持对的,不盲从于权威,这不仅是对自己负责,更重要的是对学生们负责。得过且过,我也不赞同。
lahoward
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  • 2015-5-16 02:46:06
 
大哥所言差矣,论坛的精神重在参与怎可说不理睬就好。
大哥说我简单的说他不对,更是有失偏颇,我上传的文档说得还不够详细?
大哥认为这种无厘头的问题讨论起来很有意思吗?
wyizao
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  • 2015-5-17 13:39:27
 
真是一场毫“无厘头”的崂山论锄!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-15 23:01:21
 
先谢过!
一定好好拜读。我隐约觉得你的确是一位高人。如果有时间,恭请您看看我的另一篇关于基本放大器效率的阐述,并斧正。
lahoward
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  • 2015-5-16 02:55:04
 
楼主可知“斧正”是什么意思?那是自认为自己是高手与别人切磋。
澄清:我不是什么高人。只是认为楼主不应该沉溺在自己挖的坑里,并津津乐道。
wyizao
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  • 2015-5-16 07:10:39
 
ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 09:56:35
 
您的意思是我自封高人,自命不凡了?那算我用词不当,郑重收回,请您多多指教!!
您说我“沉溺在自己挖的坑里,并津津乐道”,首先这个坑不是我挖的,目前大多数模电教材中一直都有。明显的矛盾一直没有解释清楚,甚至有可能是错误的叙述,总的有人出来澄清。
细说起来,这观点最初不是我的个人观点,是我原先的老同事(我更愿意称其为导师)的观点,老先生也是个善于钻研的老学究,最初工作的几年,从他那里学了不少东西。本帖的几个实验就是依据他的理论思路而设计的,自以为和他的理论能很好的符合。有机会把他的早期论述整理一下与大家分享。
元叫兽都说了,我这近20年的讲师应该觉得很丢人。但人不能和兽一般见识,我估计如果他现在仍然像我一样是讲师的话,可能把全人类灭了的心都有。跑题了,您别介意。
lahoward
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  • 2015-5-17 12:18:17
 
关于“斧正”一词您想多了,仅仅是认为用词不当,别无他意,您不必在意。
关于您的“质疑”,不知哪本模电书上有矛盾的说法?
关于那个什么叫兽,您似乎很在意他对您的言辞,其实大可不必。
wyizao
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  • 2015-5-17 13:16:18
 
总算看到啥是狼狈为奸了,哈哈哈哈哈哈哈!
两只野兽勾结—— 狼狈为奸!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 18:57:33
 
一方面说饱和时集电结正偏,另一方面又说集电极电流从集电结的N区流到P。这不是矛盾吗?
我早就把那叫兽看透了,就让他叫吧。
cdzx11
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  • 2015-5-17 19:20:21
 
那个人你无视他好了,他说话你就当没看见。
饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
你要明白这么一个道理:在三极管工作的时候,基区的一部分实际上并不属于基极,而是成为了发射级和集电极之间的电流通道。
还有一个问题:PN结正偏的时候,结压降是一个可以确定的数值。如果电流是从集电极到基极,然后再从基极到发射级,那么集电极电压永远不可能低于发射结的结压降。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 23:09:44
 
哦哦,
1.还是第一次听到这种观点:“饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
我的理解,基极并等同于基区。基极是从基区引出的一根电极引线,而基区是一种杂质半导体区域。由于半导体工艺的原因,在饱和时(以NPN型为例),基区(P区)的导电特性会有显著的变化。但终究不是发射区(N区),集电极电流不可能从集电区(N区)不经基区(P区)直接进入发射区(N区)。
其实真正形成集电极电流的载流子是发射区的自由电子,按您所说的,饱和时发射区的自由电子岂不是从发射区(N区)直接流向集电区(N区),并未经过基区(P区),你觉得这样说合适吗?
2.只要是基区横向体电阻不为零,并保证B-E之间的外部电压UBE使发射结正偏,那么UBE就一定大于发射结的电压。电流从集电极到基极,然后再从基极到发射级,集电极电压UCE虽然永远不可能低于发射结电压,但完全可以低于基极电压UBE
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-18 18:05:27
 
你好像总对基区横向体电阻感兴趣。
事实上,在低频小电流的时候,这个电阻上的压降基本上是可以忽略的。这时候它的主要作用大概是对内部电流的分布起作用吧。
PN结的结压降主要是载流子通过势垒的能量损失。在电流不大的时候,PN结电压几乎和电阻无关——包括体电阻、引线电阻等。
半导体的类型(P型或N型)本来就不是一成不变的。比如,MOSFET的沟道就是在静电场作用下,半导体类型变化形成的。在双极晶体管内部,有类似的状况出现并不奇怪吧?
ddxxmm_001
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  • 2015-5-18 20:37:21
 

可能是我们各自的的着眼点不同的缘故吧,暂时只能各持己见了。
在我看来,MOSFET的工作原理在本质上与BJT是一致的。附件里有关于这方面的阐述,与一般教材不同的是,这里我把MOSFET内部的PN结在不同状态下的分布及偏置情况明确画了出来。您不妨看看,觉得不对的地方,请不吝赐教。 场效应管.pdf
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-19 00:24:49
 
有想通的地方,但肯定不完全一致。
晶体管饱和电压具有明显的非线性,而场效应管小电流的时候基本是个线性电阻。


你坚持“各抒己见”我只能觉得你有点过于固执。
二极管的肖克来方程显然不应该用“电阻”来解释。虽然实际的PN结的伏安特性和理想二极管有明显偏差,但和肖克来方程描述的趋势始终是一致的——如果你对这个事实视而不见,说实话,要进行深入讨论是很困难的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-19 08:35:57
 
1.在输出特性曲线上,BJT的饱和区与MOSFET的可变电阻区是对应的。我的理解是二者的主要差别在与其电阻特性的差别,具体讲:
(1)在BJT的饱和区,对应于不同基极电流的输出特性曲线基本是重合的,集电极电流几乎只与集电极电压有关,而且成良好的线性,而不是非线性。这一点从公开的的BJT输出特性曲线上可以清楚看到。当然,这里是指BJT饱和时的电阻特性,而不是放大特性。
(2)MOSFET的可变电阻区,对应于不同栅极电压的输出特性曲线基本是完全分离的,但对确定的栅极电压,该区的输出特性曲线也呈良好的线性,即电阻呈良好线性。显然这个电阻是明显受栅极电压控制的,这或许是把该区称为可变电阻区的的真正原因吧。
2.您很崇尚肖克莱方程,我也是。但要清楚该方程只是对PN结的讨论,并未考虑与其串联的电阻。这与本帖讨论问题不冲突。您说呢?
cdzx11
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  • 2015-5-19 23:32:54
 
汗,我不崇拜肖克来方程,这个方程只不过是PN结伏安特性的初步近似而已。
事实上,一个PN结的伏安特性往往是3个以上的指数曲线来合成,如果要求精度高,甚至需要更多曲线,这里每条曲线的物理意义基本上都是可以分析出来的,并不是纯理论的东西。有趣的是,这些曲线几乎都服从指数特性。


我并不反对二极管或者三极管内部包含有电阻,但这些电阻在电流不大的时候,对电压降的贡献是有限的。这时候电压降主要还是由PN结的伏安特性决定的。
另一方面,半导体的体电阻大致上仍然是线性的。之所以说大致上,是因为耗尽区尺寸的变化,会导致半导体P区和N区尺寸的变化。至于电流导致温度变化引起的电阻变化,并不能说明体电阻是非线性的,这是另一个问题。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-20 07:29:20
 
这些观点基本赞同。只说一点
BJT的饱和区,C-E电压肯定是很低的,但集电极电流是可以很高的。当集电极电流很高时,基极电流必然是相对很大的,在基区横向体电阻上的压降是不容忽视的。 本帖无意证明体电阻的大小及线性程度,但足以证明:深度饱和时基区横向体电阻上的压降远比发射结上的压降大。
wyizao
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  • 2015-5-18 10:56:19
 
希特勒猖狂,也不过想把苏联灭了而已!
看看这狂妄丑陋的刁修睦,都想“把全人类灭了”
wyizao
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  • 2015-5-18 11:00:01
 
吃草的兔子三瓣嘴,看看这丑陋的刁修睦有几瓣嘴!

看看这潍坊学院的50岁大讲师刁修睦是如何肆意污蔑他的前辈的!





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  • 2015-5-17 07:29:48
 
基本共射放大器效率8.6%,别人用半页就推导出来了,刁修睦却用了洋洋洒洒10页16开纸!
据闻刁修睦正在写作旷世模电书,哈哈,就把你这比那懒婆娘的裹脚布还要长的大作写在书里,世界第一长,好漂亮呀!
wyizao
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  • 2015-5-16 07:08:20
 
给一个已经声明不懂英语的上传英语文档,无异于……
ddxxmm_001
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  • 2015-5-16 22:18:04
 
你这叫兽啥时候又睡醒了?一边歇着去!别在这里污染环境!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 09:34:37
 
再次感谢,您上传的文档已经拜读过,我丝毫不怀疑您的翻译水平。有几点看法供参考:
1. 应该承认,我们国家的电子技术无论是理论层面还是应用领域都是与国外有一定差距的,但在学习的同时也不应照单全收。
2.我英文水平不好早就说过了,所以读的英文原版资料有限。您所上传的一篇文档为英文原版,可明明是用.docx文件编辑的。里面的配图也是您自己手绘的吧?我有点怀疑,这是经过您重新编辑过的,或者说是节选的部分内容。
3.您的译文中用光电二极管类比三极管的饱和。其中提到:“在一个光电二极管内部,二极管是正向偏置的(anode +, cathode -),但电流却是从阴极流向阳极。
请问:您使用光电二极管时是让它加正向电压吗?光电二极管正常工作时流过的电流是正向电流吗?如果您同意这篇英文原版的观点,那么目前关于光电二极管的原理及应用岂不是错的?
4.你在译文中还提到:“。。。晶体管CB结的饱和是因为有了大量的由发射极注入的少数载流子。

为了解释c-b结反偏时的电流流向,。。。
这段译文前半句没有什么问题,问题是后半句“为了解释c-b结反偏时的电流流向”。既然你和英文原著都觉得饱和时c-b结是正偏的,那么接下来“解释c-b结反偏时的电流流向”会有助于理解饱和时集电极的电流流向吗?您不觉得前后矛盾吗?
lahoward
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  • 2015-5-17 14:14:59
 
回楼主4个问题:
1、空话,无实际意义。
2、不知你怀疑什么?
3、看了一下原文,应该是“一个光电池内部。。。”提醒一句不同的偏置不同的用途。
4、请仔细读几遍,没有什么矛盾。
请楼主不要舍本求末。如果该文不能说服楼主也没有办法了。我已经说过,有一种精神叫执着,另有一种精神叫顽固,希望楼主不是后者。


ddxxmm_001
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  • 2015-5-17 18:44:22
 

那么回答您后三个问题:
1.你的第2、4个问题,我怀疑您给的英文原文中间有删节,具体指
“ In the case of the CB junction of a saturated BJT it is because of the large number of emitter-injected minority carriers.

To explain how current flows in a reverse biased c-b junction, consider the following.”

如果红色字体中间无删减内容,那么只能说明原作者逻辑思维混乱,与您无关。前面明明强调说饱和时c-b结正偏,后面接着说c-b结反偏时的情况,您觉得这是在解释为什么饱和时c-b结正偏吗?这不是逻辑混乱又是什么?
2.回答您第2个问题:
您的翻译没有问题,就应该翻译为“光电二极管内部”。如果较真的话,可以翻译为光敏二极管,这才与一般的光敏电阻、热敏电阻等的叫法相一致,它们同属对外界条件变化敏感的电路元件。只是大家都习惯叫光电二极管而已。
您提醒得很对,光电二极管其实分两类,除了光敏二极管外,还有一类光电二极管叫光电池(这是为了与光敏二极管相区别)。但需说明的是,光电池基本原理是光生电动势,它是谈不上偏置的。偏置是外部偏置(电压)的简称。在外部加偏置电压和内部的光生电动势,绝对不是一回事。从电路元件的角度看,光敏二极管归属用电器,消耗电能;而光电池归属于电源,向外提供能量。
顺便问一句,您不会认为,光电池工作时,需要加外部偏置电压吧?
lahoward
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  • 2015-5-18 07:51:02
 
不要无端猜疑。
您摘录的两句哪一个词是”正偏“?
光敏二极管、光电二极管、光电池、太阳能电池,请弄清其区别,如果连这些都不懂真该说声惭愧了。


该说的我都说了,如果你还坚持你的”质疑“一文的立场,那就由你了。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-18 10:33:49
 
难道你不是认为饱和时集电结正偏的吗?摘录的第一句之前难道不是都在力图说明饱和时集电结正偏的吗?从第二句开始突然说反偏的情况,这难道不是前后矛盾?至少是画蛇添足,根本无益于前面的观点。
其实,用光电二极管来类比饱和时的集电结,正好可以佐证饱和时集电结仍然是反偏的。

存疑的问题,谁也无权把自己的强加给别人,在取得一致之前求同存异很正常。如果有时间请关注一下公开发表的关于饱和时的工作状态的文献的,您会发现,持集电结依旧反偏的观点者,并非本人自己。也就是说,这种存疑并非本人自己心血来潮,空穴来风。

事实只有一个,如果原来的说法真的有问题,哪怕是再小的错误,也是不应该一直存在下去的。
cdzx11
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  • 2015-5-19 23:38:44
 
我是有点明白你的困惑。
但说实话,用“正偏”、“反偏”来描述这个问题本身就是错误的。
原因很简单:当P区电位高于N区,那么这个PN结就是正向偏置的;反之,PN结就是反向偏置的。


记得我叫你做的实验,你做了之后,我们再继续讨论集电结的状态问题不迟。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-20 07:00:09
 

你这么理解,我也就没什么说的了。
1.用“正偏”、“反偏”描述这个问题本身的确是错误的,因为它与BJT的三种工作状态不存在一一对应关系。遗憾的是,现行教材大多还沿用这种方法。
2. 动生电动势是绝对不能与外部所加电压划等号的。很明显的,讨论二极管的(PN结)的单向导电性,是绝对不能把内外、电场混为一谈的。二者道理一样。 这里“偏置”的“偏”字不是随便给出的。
3.您说的实验,我做了仿真,我您相信您早就做过实验的,能不能分享一下呢? 期待。
cdzx11
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  • 2015-5-20 20:26:50
 
我没做试验,但结果我可以想得到。
之所以叫你做这个实验,是为了告诉你:在饱和的情况下,集电结肯定存在PN结正向电流(从基极流向集电极),至于这个电流的大小,取决于两个PN结的电压差和两个PN结的反向饱和电流。
根据你过去的试验,普通晶体管两个PN结(发射结和集电结)几乎平分电流,这就是说两个PN结的反向饱和电流大致相等。所以饱和状态下,从基极直接流向发射级的电流和基极流向集电极的电流取决于两个PN结两端的电压差。
在存在集电极电流的情况下,我们要证明集电结存在正向电流是比较困难的,除非有办法直接测量三极管内部的电流分布。
在集电极开路的情况下,集电极如果有电压,这个电压只能是从基极流向集电极的电流,再从集电极流向发射级的时候,在集电极和发射级之间的饱和电压——如果没有前面说的这个电流,我们很难解释集电极电压是怎么回事儿。
如果证明了有从基极流向集电极的电流,你还反对集电结是正偏的吗?
ddxxmm_001
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  • 2015-5-20 22:52:27
 

1.您既然没做实验,那还是别轻易下结论为好。
2.我的哪个实验证明两个“PN结的反向饱和电流大致相等
3.是您自以为在饱和的情况下基极电流可以流向集电极吧?我可没这没说。
4.三极管内部的电流分布是很明确的,您如果不清楚,那这问题就很难讨论下去了。
5.还是第一次听说,BJT还有这么一种工作状态:内部电流可以从基极流向集电极,再从集电极流向发射极!您了解BJT的结构吗?
6.您是不是以为按您的实验就可证明饱和时有基极电流流向集电极电流?您还是先做了再说吧。
PNBJT看似简单,却是整个半导体技术的基础,有一些问题很有必要进一步明确。
传两个附件,希望能对您有所帮助。不对之处,多多指教。

半导体三极管.pdf


半导体三极管的伏安特性曲线.pdf
cdzx11
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  • 2015-5-21 09:46:57
 
你把发射级和集电结都接地,测量两者的电流这个实验啊,你还画了表格,两者电流大致相当。
之所以叫你做实验,而不是我自己做,是因为这是你的疑惑不是我的。
虽然我没做过实验,但我从理论上分析,这是必然的结果(悬空的集电极上会出现一个不太大的电压)。
是否通过实验证明或者证伪你的观点是你自己的事情。


前面你的仿真结果倒和我的分析相符,但我知道要用仿真的结果来说服你肯定是不够的。
如果经过试验,证明了我的推论,但还不赞成我的解释,那么你不妨尝试一下有没有其他方法解释这个现象。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-22 07:22:11
 
哦哦,请您思考一个问题,按您的思路,饱和时BJT内部的电流是要拐弯的,为什么会拐弯?什么时候拐弯?在哪里拐弯?
我们都不否认实验结果的正确性,只是有截然不同的理论解释。而且谁也不能说服对方。到此为止吧。
cdzx11
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  • 2015-5-22 09:41:31
 
呵呵,我没看见你的解释。
至于说拐弯,原因很简单啊,那里点位低,电荷就会往哪儿去,就会有电流。
电流从那里走电压降最低,电流就趋于往那里走。
最终电流的分布是由各处的伏安特性和输入电流来决定的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-22 11:04:48
 

1.没看到我的解释?还是再好好看看原帖吧。那个简化的三极管模型本身就是很好的解释。只要承认三极管横向体电阻的存在,一切都可以得到很好的解释。
2.如您所说,电流的流向决定于电压的高低走向,那么,如果集电结零偏,则集电结电流为零,您不会反对吧?若不反对,您现在还会说饱和时,集电结正偏吗?若正偏,集电极电流该怎么流过集电结?您不会说饱和时集电极电流不流过集电结吧?
cdzx11
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  • 2015-5-22 11:28:51
 
为什么让你做实验?
就是让你看见集电极有电压。
有电压有没有电流?
如果有电流,电流路径如何?
ddxxmm_001
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  • 2015-5-22 16:56:57
 
仿真结果很清楚了。而且我敢肯定仿真的精度比您做实验的精度要高出许多,因为电表内阻带来的系统误差基本消除了。仿真的结果:
1.集电极电压很低,几到几十个毫伏而已
2.电压既然有,当然会有电流,但电流大小同样非常低,只有零点几个微安而已!!
3.不管电压、电流如何小,关键是有!而最关键的是电压是正直!也就是说电流是流出的!!
4.这个流出的电流从哪里来的?当然是从集电极来的,从内部看,当然是从基极-基区-集电结-集电区来的。
5.这时候集电结是什么偏置的?回答当然是正偏的!不止是集电结正偏,发射结也一定是整片的。但请您注意:此时的三极管所处的状态不叫饱和状态!!为什么?
6.三极管的饱和状态,不仅仅是集电极电压很低就可以,集电极电流还要很大(远大于基极电流),方向是流入集电极,而不是流出集电极(NPN为例)!!!
cdzx11
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  • 2015-5-22 19:22:27
 
仿真的时候,集电极电流往外流,流到哪儿去了?仿真电路里面,电压表是理想电压表,阻抗无穷大。就算做实际实验,你顶楼的文献里面也提供了不吸收电流测量电压的方法。
集电极有电压,那么集电极到发射级为什么没有电流?就算基极到集电极电流是微安量级,甚至PA量级,如果电流没有去处,那么随电荷积累,集电极电压最终平衡电压肯定应当相当于基极电压。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-22 20:23:28
 

这点事您都理解不了?!您不知道电流流到哪里去了?!
实际电压表内阻很大,但不可能是无穷大,这个您难道不懂?!如果真的无穷大,那还会测出电压吗?!
在我给出的仿真里,测输出电压的电压表内阻设置为1000T,我敢说任何一个实际的电压表都不可能达到这个精度。但也不是无穷大,您也不可能设置为无穷大,那样根本就无法进行仿真了,软件肯定会报错。就算您能够设置为无穷大,然后又能测出一个结果,那么您测出的结果也无任何意义。
实际电压表的内阻不可能为无穷大,只要能测出电压,就会有电流通过!!这个电流肯定很小,但绝不会是零!电压表内部产生的电压(显示的电压)也同样遵从部分电路欧姆定律!!
什么是电压表?从电路元件的角度看,它其实是一个可显示自身两端电压的很大的电阻,该电阻很大,以至于把它并联到闭合电路有电位差的两点之间的时候,产生的分流可以在误差范围内忽略不计。注意是忽略不计,而不是没有!
电阻是耗能元件,它不是电容,它不会储能,也不会有电荷积累!!
按照您的实验设计,如果您真的能测出集电极电压最终等于基极电压,那么整个半导体理论或许真的要重新改写了!!
建议您还是静下心来,认真读一下本帖的几个实验,结合三极管的物理模型(其实这个模型不是我创造的),好好体会本贴提出的质疑。想通了,再发表看法吧。
cdzx11
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  • 2015-5-23 12:08:05
 
仿真电路里面的电压表难道不是理想的?如果是,你是认为仿真有问题还是你的理论有问题?
实际电路,我说的是你用检流计+分压电路,用电桥的方式测量电压,这样在检流计的误差范围内,可以认为不分流被测电压——近似无穷大内阻。


你就知道让我看你的实验,问题是你的实验根本不够完善,根本证明不了你的论断。
当然,你肯定不信,不服气。但问题是,你成功说服了谁?好像在这儿没有一个人承认你的结论。
如果你一点要认为你比我们所有人都高明,说实话我只能说你是牛黄丸。


我前面的推论,纯粹都是理论上的,逻辑推理。我怀疑你就没有试图顺着我的思路去理一遍。
除了现实中没有内阻无穷大的电压表之外,你认为还有什么矛盾的地方吗?无论是自相矛盾,或者其他矛盾。


就电压表来说,你认为接电压表,电流可以从电压表漏掉。那么不接电压表的时候又是什么状态?集电极电压等于基极电压吗?


说到底,就是一些简单的判断……
到此为止
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 18:30:49
 

一、仿真里的电压表是理想的?亏您说得出口,您了解仿真多少?您做过吗?您知道仿真参数可以调节、该怎么调节吗?
仿真如果真的如您说的那么不可信,那人们为何要用它?人家做都做出来了,自己用都不知道怎么用,于是就说仿真不靠谱,这是自欺欺人,还是夜郎最大?
给您个简单的例子您不妨做做看:两电阻串联,用一个电源供电,参数您随便给,只要不太离谱。为了便于分析计算,又具有一般性,建议您电阻均设为1K,电源电压设为12V。然后用电压表测其中一个电阻两端的电压。您不要说这个实验太简单,不值得做!请您耐下心来作三步仿真:
1.电压表内阻选默认设置,你可别说默认值是无穷大!
2.将电压表内阻设置为软件允许的最大值
3.将电压表内阻设置为与选用电阻阻值相当,比如就设置为1k。当然现实中,您不可能找到内阻为1k的电压表,这就是仿真的魅力所在了。
你做完这三步仿真,分析一下结果,看看电表内阻带来的系统误差。您可别说您不会分析这个系统误差!
电流表内阻带来的误差防此进行。把您的分析结果和仿真结果对照一下,看看仿真结果到底值不值得您信赖!
二、不接电压表时的集电极电压我已经通过仿真告诉您了,只有大约几十mV。你难道没看到,还是根本就不屑一看?你不接受这个结果,那么请您把您的结果告诉大家是什么?您的理论结果该是么?实验结果又该是什么?您该不会只知道提问题,让别人去瞎琢磨,然后又回过头来抱怨别人不按您的思路考虑问题吧?
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-23 18:38:30
 
仿真软件无法仿真无穷大阻抗的电压表!
你以为仿真软件里面真的是模仿的真实电压表啊?仿真软件里面各处的电压都是计算出来的,直接把计算值给出来出来就是仿真中的电压表的示值。

ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 21:19:32
 
难道实际中有内阻无穷大的电压表吗?内阻真的无穷大了,还能测出元件两端电压吗?实际中既然没有内阻真正无穷大的电压表,你仿真即使能仿真无穷大内阻的电压表,它还有实际意义吗?
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-23 18:43:44
 
还有,仿真软件在通常情况下结果都是有效的。
但通常情况有效,并不等于所有情况都有效。
仿真软件的结果取决于仿真模型,但所有仿真模型都不是100%完善的,所以出现仿真结果不准确不足为奇。
就这里讨论的问题而言,你认为编写仿真软件的公司也认同你的论点吗?如果不是,你用仿真软件来证明你的论点,是不是有点缘木求鱼?
cdzx11
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总工程师
  • 2015-5-23 18:45:36
 
好了,不跟你玩了,不再回复这个帖子了,你爱怎么认为就怎么认为吧。

ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 18:48:28
 
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 21:12:35
 
仿真源自实际,高于实际。
1.仿真软件里电压表内阻可以在0和最大值之间任选,实际电压表是不可能的。虽然可以任选,但极端值是不能选或者选不了的。也就是你不能选内阻为零,那会什么也测不出来。你也不能选内阻为无穷大,因为根本就没有穷大内阻选项。你只能选软件约定的最大值(说心里话,这个值我也不知道,这受软件和计算机硬件所能表示的最大值限制),这个最大值再大也是一个具体数值,而不可能是理想的无穷大。
2. “仿真软件的结果取决于仿真模型,但所有仿真模型都不是100%完善的,所以出现仿真结果不准确不足为奇。” ”这么说没错,但这不影响仿真结果对实际工作的指导意义。除非你设计理念不对,或者模型参数与实际参数相差甚远。
zj19841027
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  • 2015-5-23 10:48:50
 
楼主:
你好!
‘’如果集电结零偏,则集电结电流为零‘’--------(NPN)这种状态也属于截止状态了
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 11:01:51
 

你说的没错。
其实,从输出特性曲线上很容看到,截止区和饱和区在坐标原点附近是有交叉的。当UCE电压很低,电流也很小的时候,也就是交叉区域,就应该划归截止区。
东方
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  • 2015-5-26 11:49:35
 
157楼是个好主意。
XW:有啥好啦?
东方:要楼主测集电极开路时的集电极电压。
XW:派啥用场?
东方:cdzx先生断定是有电压的,而且就等于基极电压。那么就来下一个问题:楼主你不是说基区电阻大,b'点电压拉低,怎么集电极开路电压这么高呢?
XW:使出一套组合拳对伐?但楼主也不是戆大,会中招吗?
东方:你这是以小人之心度君子之腹,人家是潜心开发新理念,立志攀上更高峰。没你那些私心杂念。
XW:蛮高尚的啦。结果啥样?
东方:做了仿真,集电极开路电压出乎大师的意外:当IB=102uA时,UBE=0.776V,而UCE=0.088V=88mV
XW:这有啥好奇怪的?
东方:怎么不等于基极电压呢?cdzx11先生不乐意呀。楼主可高兴了:
楼主:在误差范围内,BE间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
XWC先生吃瘪啦?组合拳没派上用场,反而中了一枪……几家欢乐几家愁。
东方:怎么会?人家会出招也会变招。
XW:还有杀手锏?
东方:这当中Lahoward先生也没有闲着,一会儿教授也醒来了,论坛一片欣欣向荣的景象。还开展仿真有效性大讨论。
185wyizao:一场毫无厘头的崂山论锄!
XW:来轧轧闹忙
东方:你不要添乱。大师岂是等闲之辈?就在189楼著名的cdzx理念横空出世,如惊雷震响环宇,似闪电划破夜空,在一片黑暗中指明前进的方向。
189 Cdzx11:饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
东方:我选择我喜欢。我点100个赞!
190 楼主:还是第一次听到这种观点:饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
XW:第一次听到就对了,如果以前就有,那就不能叫cdzx通道了。对不啦?
东方:这回你讲对了。以后就是东方参与的了,按cdzx理念提示,引进R23等效电路,一举解决了质疑,得出明确的结论。此非东方之力实乃cdzx之功也!这里也要感谢楼主精美的实验数据和仿真结果。也要感谢论坛诸位同仁的鼎力相助。更要感谢世纪电源网给我们搭建的技术平台……
XW:你这是怎么啦?别忙发表获奖感言!就你那个等效电路没人认可。而且要你变成Y接法你行吗?这可是非线性电路,能等效变换吗?侬倒好,说结题后另开新帖变给他看。
东方:重在参与,这不还没开新帖嘛?不着急。先巩固本帖讨论的成果。
266 楼主:这个( R23)是真的不喜欢!
几个事实:
1. 集电结和发射结在物理空间上是两个各自独立的内部结构
2.集电极和集电结在同一电流路径上
3.在基极和发射极之间加正向偏置电压,集电极开路,不可能有集电极电流,自然也不可能有集电结电流。
可是,可是,东方兄非得在CE间等效出个不大的电阻,而又不让集电结擅离岗位,这不是为难人家嘛?你说集电结该怎么办?只好遵命啊!
XW:这不是你喜欢不喜欢的问题,楼主可以不喜欢,但你的对手不会不喜欢。
东方:当然要把人家十几年的传统观念纠正过来,得有个过程。相信楼主也会觉醒的。



ddxxmm_001
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  • 2015-5-26 12:14:52
 
时间肯定会说明一切,但这似乎与时间又无关。
糟糕!怎么又前后矛盾了!!?
挨。。。。。。
没完没了,没完没了,没完没了了。。。。。。
东方
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  • 2015-5-26 15:22:38
 
因为爱着你的爱
因为梦着你的梦
所以悲伤着你的悲伤
幸福着你的幸福
因为路过你的路
因为苦过你的苦
所以快乐着你的快乐 追逐着你的追逐……
东方:楼主是一个有思想的人,也是追求梦想的人……
XW:只要有这点精神,就是一个高尚的人,一个纯粹的人,一个有道德的人,一个脱离了低级趣味的人,一个有益于人民的人。
东方:说谁哪?谁低级趣味了?
XW:我伲弄堂口那老李,你不认得……
东方:是吗,但是楼主被R23折磨得不轻。
XW:得帮帮他走出困境。你要证明这R23是存在的,不是“我喜欢”可以强迫他的。搞不好产生逆反心理。
楼主:在基极和发射极之间加正向偏置电压,集电极开路,不可能有集电极电流,自然也不可能有集电结电流。
东方:如果真的是没有R23,确实是这样。

XW:还是不知道到底有没有R23的啦!
东方:还有推论,如果没有R23I[sub]B[/sub]为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压就会很高,比较接近于Ub。大大超过0.088V
XW:这只能算你的“东方猜想”,没办法证实。
东方:可以做实验嘛,很简单,取两只二极管,搭试成上述电路,下管100μA,测量一下上下管两端电压就知道了。
XW:是多少V
东方:估计是0.7Uce>>0.0079V 比如说是0.4~0.5V
XW:这又说明什么问题呢?
东方:很清楚如果没有R23,开路时集电极电压也应该是0.45V左右。也说明没有R23的等效电路是不符合实际的。
XW:楼主说还有rbb’呢,你这里没有。
东方:楼主可以按他自己的喜欢加上任意阻值的rbb’,也不可能把电压降到几十mV
XW:加上R23,开路时会得有集电结电流吗?
东方:那就有了。

东方:集电极开路,Ic=IceIbc=0 Ice=Ibc0 这里Ibc就是集电结电流。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-26 16:04:42
 
,讨论的可以继续,唱歌的请先歇会儿,还不到该唱的时候。呵呵,又扯远了!
还是事实说话比较好。

请东方兄仔细阅读以下实验,看后发表高论:
(实际是仿真,但精度比实验要高,呵呵)
实验一、已经发布过,重新发一次而已
实验二、B、C之间并联一个与集电结反向的二极管,不用急着看,先分析一下会有什么变化,再看不迟。











实验三、B、C之间并联一个同相的二极管,同样先想想再看。












东方兄,啥感想?其实这是你早就预料到的。别急,请继续看:

实验四、把集电极开路,再测一次。记着先分析后观看哦。









哇!这个是cdzx11早就预料到的结果。不过还没完,还有关键一步:
实验五、再来看悬空的B、C之间是啥情况。还是先猜哦!













实验六、 若还觉得不够,再来个综合一点的,加个电表,同时测集电极电压。













唉,耽误您这么长时间,您该歇歇了。有什么新感想,请继续发表高论。

温馨提示:
1. 看图时,请注意各显示数值的单位!
2. 图五、六中,U5的示数均为0.688V,可能不是很清楚,您也可以亲自仿真,以便验证。

东方
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  • 2015-5-26 18:05:18
 
谢谢楼主发来这么多仿真图片,请先介绍一下几块表的功能,如图一,U2是电流表,U6是电压表吧,U3是什么表?
ddxxmm_001
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  • 2015-5-26 18:18:31
 
1. 表有两种,一种是电流表,一种是电压表,表的左侧有个标志,电流表标A,电压表当然是标V了。
2. 为尽量提高精度,对电压表的内阻参数我做了一些改动,尽可能让它大一点,具体数值也在图中有相应的显示,电流表内阻已经不足以影响测量结果,故未动。
3. 一会儿再补充进一个综合一点的测试,请一并指教。
东方
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  • 2015-5-27 09:01:33
 
仿真的结果很好。全部的数据指向同一个方向:R23等效电路可以解释所有的现象,反之,去掉R23就会矛盾重重。
楼主:传统观点认为发射结正向导通电压与二极管接近,硅管大约0.7V,而实验结果却显示发射结导通时,结电压只有大约几十mV。仿真结果也与实验结果基本一致。为什么?
东方:因为你没有考虑R23的存在。
XW:有了R23不还是几十mV吗?
东方:那几十mV就不是发射结电压,而是集电结和R23的分压,就应该这么低。
XW:嗯。你再分析几个仿真结果好不啦。
东方:实验三。
[数据]Ub=0.883V U2=0.103mA Uc=0.382V
D2正偏使集电极电压提高。U[sub]D2[/sub]=0.5V刚好是PN结的导通电压。这也证实了R23的存在,把D2送过来的电压拉低。0.382V 就是D2和R23的分压值。
XW:如果没有R23呢?
东方:那就是实验四,集电极开路,切断了D2和R23的联系。
[数据] Ub=0.778V U2=0.102mA U7=0.776V

集电极开路,D2没有电流,压降极小,U7只比Ub降低2mV
XW:这时D2导通吗?
东方:没有电流当然是不导通的。
XW:那U7的电压是怎么过来的?
东方:这么说D2还是导通的。如果是根玻璃棒就不会有电压过来了。
XW:UD2=2mV二极管能导通吗?不是说发射结几十mV也不能导通吗?
东方:这个问题还是留给楼主和cdzx先生讨论吧,他们有一套说法。但楼主要做出选择,而且不管是喜欢不喜欢都要选择:是选择R23的△等效电路呢,还是坚持Y形等效电路?,选择R23△电路的好处是没有矛盾,和仿真完全符合。缺点是楼主“真的不喜欢”。
楼主:流过集电结的电流始终等于集电极电流,因为它们始终处在同一支路里。
东方:这就是你的Y等效电路的观点,事实不是这样的。R23和集电结不是同一支路,这样矛盾就没有了。
楼主:集电结电流明明从N流向P,却为什么非的说它是正偏的理由,给出一个令人信服的解释。
东方:还是一个道理:按楼主Y电路,就自然出现这个矛盾,就没有“一个令人信服的解释”。肯定是这样的结果。
XW:那按R23电路呢?
东方:很好解释啊,Ic有两条支路路,一条是“集电结电流从N流向P”,另条路是R23从C流向E。而集电结是正偏的。仿真也完全证实了这一点。只有楼主拒不承认,非要把两条支路并在一起,这样倒行逆施没有不跌跤子的。
XW:这件事情老奇怪了,楼主一方面坚持Y电路,另一方面又不断提供数据支持R23△,但就不肯承认,真弄不懂。
列*宁:几何公理要是触犯了人们的利益,那也一定会遭到反驳的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-28 00:24:52
 
这都是些啥表情?悲喜交加,喜怒无常啊!

东方兄别急,我这是说自己呢。

首先知道(或者说是合理推理)东方兄是电子方面专家,要不也不会给出如下图所示这么对称协调的图表。







各位看清楚了,该表可是连BJT反置的情况都包含在内了,不能不说是全面、系统。但是不是真的无可挑剔,我想解决了本帖的质疑也就揭晓答案了。

闲话少叙,言归正传。

首先感谢东方兄对仿真结果的认可。窃喜

可没想到是,高兴的太早,一不留神,自己的仿真结果却被用来解释别人模型的正确性,真是自取其辱了!!!

楼主是百思不得其解!像东方兄这样的电子高手,竟能做出如此的答复!!!难道国人真的都是这样的???专家都是这样的吗????

唉!发牢骚没用,还是说正事吧,群里可有很多双眼睛在看着呢!

本贴专题:

BJT的发射结正偏,集电极开路时,集电结两端有偏置电压吗?集电结中有电流流动吗?用什么模型是可行的?

其实这个论题早就开始了,有两个可谓截然不一样的观点:

观点一:楼主认为,集电结两端没有电压,并称其为零偏;既然没有偏压,也就不可能有集电结电流。楼主给出了相应模型电路(东方称其为Y模型),并在273楼作了六项仿真实验予以充分验证。

观点二:东方等认为,集电结两端有电压,而且是正向偏置;既然是正向偏置,也必然有集电结电流。东方等给出了一个与楼主的模型完全不能等效的模型(东方自称为D 模型,却也用楼主的仿真结果进行了验证。

于是问题来了,同样的数据怎么会同时支持完全不一样的观点呢?要是真的分不出个真假对错来,怎么对得起下面那么多双渴望的眼睛!怎么有脸在这世纪电源网论坛里混!

世纪论坛,难免不会有老外偶尔光顾,那更是让他们笑掉大牙!事关国体,不能不说!!!!!!

虽说BJT是非线性元件,非线性会难倒无数英雄好汉!但对于“BJT在发射结正偏,集电极开路时,集电结偏置情况”这个问题,用不着那么纠结、害怕、恐惧!一个简单的欧姆定律足矣!初中生都学过的一个基本电学常识。

下面是楼主和东方兄关于这个问题的对话整理,为了便于理解,适当的时候会引用楼主在273楼的仿真结果,并把图重新给出,新图中元件标识可能与仿真图不同,但测试数据会一样,不防碍阅读和理解。但为了不致引起误解,重画图时,数据作了合理近似:电流精度精确到1mA,电压精度精确到1mV。这个精度,我希望东方兄可以接受,也希望看帖各位可以接受。


首先给出东方和楼主各自的BJT模型






东方说,他的模型中,引入的电阻R[sub]CE[/sub]阻值很小。问题来了,我们讨论的问题,条件之一是“集电极开路”,请问东方:您引入这个很小电阻之后,集电极还能够开路吗?还没开始讨论呢,条件就已经变了,错误的前提下的模型,还有继续讨论的必要吗?

各位有所不知,东方可有名言,叫做什么“我选择,我喜欢”,不是很准确,但意思不会错。唉!作为专家,说玩笑也就罢了,若玩起真的也这么任性,就该考虑一下了。

本来想逐条和东方讨论的,无奈东方拉来个助手,弄得我插不上话。只好先让他们说,打断人家不礼貌。适当的时候插上几句。

为了各位方便阅读,把二人对话提到的楼主在273楼的仿真电路分两种模型重画如下。其中一个是楼主给出的电路三:


另一个是电路四:





注:

1.电路中的BJT已经分别替换为楼主和东方的两个模型。

2.图中红色二极管是在B、C两电极外部并联的二极管,下文中称为D。

3.图中数据最大限度尊重仿真结果(保证足够误差精度);

说明:

1. 二者对话中引用楼主数据有误的的地方在文中用红色字体标出,正确数据以图中数据为准。对话中所用符号为和新图对应,作了必要修改,但不会改变对话观点。

2. 也非常愿意相信对话中所引错误数据是东方一时疏忽,毕竟仿真图不是很清楚,这也是我的一个错。而且巧的是,8665的确容易混。所谓无巧不成书,看一下图和二者对话,各位就明白了。

真啰嗦!赶快进入正题吧!

嘿嘿,我想也是,马上!

以下为东方和助手XW(楼主猜的,嘿嘿)二人的精彩对话,蓝色字体标出。黑色为楼主在可以插话的地方的观点。


仿真的结果很好。全部的数据指向同一个方向:R[sub]CE[/sub]等效电路可以解释所有的现象,反之,去掉R[sub]CE[/sub]就会矛盾重重。

楼主:传统观点认为发射结正向导通电压与二极管接近,硅管大约0.7V,而实验结果却显示发射结导通时,结电压只有大约几十mV。仿真结果也与实验结果基本一致。为什么?

东方:因为你没有考虑RCE的存在。

XW:有了RCE不还是几十mV吗?

东方:那几十mV就不是发射结电压,而是集电结和RCE的分压,就应该这么低。

XW:嗯。你再分析几个仿真结果好不啦。

楼主:讨论前提之一为集电极开路,加个很小的电阻RCE上去后(不管是从内部所谓等效出来的,还是在外部单独外接的),条件已经不再满足了,你就是使出吃奶的劲,集电极也不会开路了。后面的讨论已经没有意义了。此乃东方模型错误之一。XW还以为很对,东方更是信心十足呢。他们继续了:

东方:实验三。

[数据]UBE=0.883V I[sub]B[/sub]=0.103mA UCE=0.382V

外接二极管D正偏,使集电极电压提高。UD2=0.5V刚好是PN结的导通电压。这也证实了RCE的存在,把D送过来的电压拉低。0.382V 就是DRCE的分压值。

楼主:首先UBE数据引用错误,正确数据为UCE=0.683V,对UD电压的推理自然不对,不是0.5V,而是只有0.401V,传统理论认为此时PN结尚未导通。电流也将很小,这个很小电流流过很小的电阻RCE怎么可能产生0.382V的电压?难道是RCE有孙悟空的本事,会自己变了不成?

其次,实验显示,此时A1示数已经不再是IB了,此乃又一引用数据错误。

其三,实验数据显示,当UD=0.401V时,流过的电流ID=101mA,这与传统理论似乎矛盾,那么到底那个对呢?东方没有对此提出异议,但正确的只会有一个。建议东方做个仿真验证一下吧。实验呢,就不建议做了,说真的,我不认为东方会做出满足误差精度要求的实验结果。什么结果?就是实际测一下,一个二极管加0.401V的正偏电压,会产生多大的正向电流?

各位,负责任的说:仿真数据是真实可靠的!为什么?真正的专家来不说自明。不赘述!

其四,按照东方的观点,没有外接二极管D的时候,由于UCE很小,只有88mV(仿真一的数据)RCE很小,对集电结正偏电压的抵消作用有限(683mV88mV的关系),所以集电结和发射结近似平分基极电流,然后,东方给出的RCE阻值然也就有了。东方早就算得很清楚了,约为1.76kΩ。具体一请参看其在238楼的分析。之后,还是在238楼,东方又拼命把其降低为0.073 kΩ。理由充分与否,各位看后自有评说,不表。这里呢,就以东方按仿真数据计算出的、这个他自己也以为偏大的值,来计算一下,在实验三的情况下,集电极电压会有多大?咱给他望大里算啊,不防认为发射极电流全部从RCE流来(唉,这还要两个PN结干啥呢,东方?)。则:

UCE=1.76 kΩ×103mA=181mV

有人说了,楼主真啰嗦,初中物理用得着在这里显摆了吗!

唉,有什么办法,东方一直很善于这种计算。这里重要的不是过程,是结果!什么结果?按照东方模型显示,此时集电极电压只有不到181mV。而楼主的仿真结果是382mV。可是,东方一直认为它的模型正好解释楼主的仿真结果。

其四,仿真实验三是在仿真一的基础上,仅仅在东方模型的结集电结上同相并联了一个二极管。按照传统观点分析,该二极管应该和集电结平分集电结原先的电流,也就是两个电流各自大约为51。仿真结果怎么样呢?请看:

ID=101mA,由此推出IB=103mA -101mA=2mA。继续推理,集电结和发射结的电流又该是多少?唉!可能东方还会认为我的数据有力支持了他的模型。这不,他们谈性未减呢。[sub][/sub]

XW:如果没有RCE呢?

东方:那就是实验四,集电极开路,切断了DRCE的联系。

[数据] UBE=0.778V IB=0.102mA UCE=0.776V

集电极开路,D没有电流,压降极小,UCE只比UBE降低2mV

楼主:这是第三个引用数据错误,仿真显示UBE=0.776V=UCE,唉!木有办法,它们飞得在误差范围内相等,各位说该怎么办?还是看二位咋说吧

XW:这时D导通吗?

东方:没有电流当然是不导通的。

XW:那UCE的电压是怎么过来的?

东方:这么说D还是导通的。如果是根玻璃棒就不会有电压过来了。

楼主:亏得东方是专家,反应就是快,还举出这么恰当一个例子。可是,可是,东方先生想过什么是半导体吗?什么是非线性吗?什么是。。。。,唉!别什么,什么了,我知道在下面静观各位,有不少在此也糊涂了。还好,这不是重点,略过。二位等不及了呢

XWUD=2mV二极管能导通吗?不是说发射结几十mV也不能导通吗?

东方:这个问题还是留给楼主和cdzx先生讨论吧,他们有一套说法。但楼主要做出选择,而且不管是喜欢不喜欢都要选择:是选择RCE等效电路呢,还是坚持Y形等效电路?,选择RCE电路的好处是没有矛盾,和仿真完全符合。缺点是楼主真的不喜欢

楼主:东方啊,你可不是要坚持不住了?把球踢给我也就罢了,怎么也踢给cdzx11(这才是人家的真马甲吧)了?要知道cdzx11先生可是站在您的阵营中的哦。到现在还说您的模型处处和我的仿真结果符合,内心是不是也该开始发毛了?

楼主:流过集电结的电流始终等于集电极电流,因为它们始终处在同一支路里。

东方:这就是你的Y等效电路的观点,事实不是这样的。RCE和集电结不是同一支路,这样矛盾就没有了。

楼主:集电结电流明明从N流向P,却为什么非的说它是正偏的理由,给出一个令人信服的解释。

东方:还是一个道理:按楼主Y电路,就自然出现这个矛盾,就没有一个令人信服的解释。肯定是这样的结果。

楼主:唉,亲爱的东方,你是怎么从我的模型推出“集电结从N流向P,而集电结还必须是正偏的”这个矛盾的?你这是在肯定我的模型,还是在否定您自己的模型?

XW:那按RCE电路呢?

东方:很好解释啊,Ic有两条支路路,一条是集电结电流从N流向P”,另条路是RCEC流向E。而集电结是正偏的。仿真也完全证实了这一点。只有楼主拒不承认,非要把两条支路并在一起,这样倒行逆施没有不跌跤子的。


XW:这件事情老奇怪了,楼主一方面坚持Y电路,另一方面又不断提供数据支持RCE,但就不肯承认,真弄不懂。

楼主:唉,唉!没完没了了!!!按照您的模型,IC当然是可以有两条支路了,而且是您创造性的发明了一条RCE支路,关键的是您让它避开集电结而独立存在!!!!!!

*宁:几何公理要是触犯了人们的利益,那也一定会遭到反驳的。

楼主 看来东方还真不愧是电子老专家,能背诵列宁语录的,就算是当代才俊也很少会有这等高的休养啊!


各位稍等,还没完。


既然东方用到了实验四的数据,就不得不多说几句,为什么会给出实验三、四?就是为了说明单独的二极管和BC内部有本质的差别,基极体电阻不能被忽略!如果是二者是一回事,那么实验三、四仿真数据就该是一样,至少是差不多!

可是,可是,可是,。。。。。。东方专家就是视而不见,各位说该怎么办?

难道这么点小事,真的要没完没了,没完没了了。。。。。。??????


至于楼主的仿真结果如何支持楼主的模型,如何解决看似矛盾的问题,273楼的六个实验已经足以说明一切,不再赘述。有疑问请的继续提出,欢迎赐教,包括东方专家。

最后,对本帖中可能的不雅、不当之措辞,若伤及到东方专家。还请东方您大人不记小人过,先给您道个歉!请多包涵!




东方
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  • 2015-5-23 08:14:30
 
看了楼主的观点,有自己的想法,东方以为是应该鼓励的。其实很多时候不是没有问题,而是不去多想,不少人糊里糊涂也就过去了,难得楼主这样执着地质疑,才发现原来没有仔细想过。包括有人问整流后的脉动直流有流分量吗 XW:他说什么呢?
东方:说整流后就是直流,没有交流成分。
XW:这不是无理取闹吗?怎么有这样的想法?
东方:是在定义上把自己搞糊涂了。但讨论也有意义,使大家知道基础是从定义开始的。
XW:本帖会不会也是这样?
东方:没有仔细看,也许吧。好像讨论饱和时集电结是正偏还是反偏?
XW:什么叫集电结?

东方:三极管有三个电极,基极B、发射极E和集电极C,有两个PN结,一个是发射结,电压U[sub]BE[/sub]一个是集电结,电压是U[sub]BC[/sub]
XW:这楼主会不懂吗?
东方:懂就好。还有什么叫正偏,什么叫反偏?
XW:以NPN型为例,U[sub]BE[/sub]0叫正偏,U[sub]BC[/sub]0叫反偏。
东方:很好。看看饱和的情况,试举一例:U[sub]B[/sub]=0.7VU[sub]C[/sub]=0.3VU[sub]E[/sub]=0不就是发射结U[sub]BE[/sub]0,集电结U[sub]BC[/sub]0,都是正偏!难道还有问题吗?
XW:楼主为什么要质疑呢?
楼主:如果集电结正偏,则电流必然从P型区流向N型区
东方:这句话有待质疑。不能简单地把集电结看成二极管。就像放大状态,集电结反偏,就不能说“如果PN结反偏,必然没有电流”。
XW:也就是说,三极管的集电结,不符合二极管PN结的规律。
东方:是的,反偏时电流可以由NP,而正偏时电流也不一定PN,而可以是NP
XW:反正是NP
东方:也不是。有时是PN。见东方以前帖子里对三极管四种工作状态的分析:


晶体管的四种工作状态


东方:注意“反置”状态时,集电极作为发射极用,这时电流PN
XW:就是说,正偏、反偏也就是一种说法,具体是不是有电流,电流方向怎样,还要分析。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 09:46:50
 

许多看似高深的东西,其实都遵从最基本的原理。把这些最基本的东西交代清楚了,就会减少很多无谓的争吵。
您似乎还有话说?
东方
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  • 2015-5-23 12:13:56
 
那就再讲几句
东方:如说PNU0是正偏,但硅管U=0.4V一般还没有电流。不能说正偏时一定有电流PN XW:正偏是二极管导通的必要条件但不充分。
东方:所以说楼主认为“集电结正偏,电流必然从P型区流向N型区”也是不对的,还要看电压高低,饱和时,UBC=0.70.3=0.4V,也不可能有正向电流的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 12:39:55
 

若从工程的角度看,东方兄的表述更加合理。
在工程上,一般认为当电流比正常导通以后电流小到可以忽略时,就认为是没有,也就是截止了。这正是从伏安特性曲线上看,一般称为的正向死区。
但从原理上看,又不是很严密。本人认为,事实应该是:只要PN结正偏,就会有正向电流。区别在于电流的大小、以及电流增加的速度不同。在正向电压较低时,正向电流很小,小到一般仪器的精度测不出来的程度。
cdzx11
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  • 2015-5-23 12:45:22
 
呵呵……饱和时,我认为电流是会从集电结反向流动的。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 17:58:58
 
不只是您这样认为吧,我也这么认为,大家都这样认为。您还是先看清楚别人说什么以后再发言比较好。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 10:57:05
 
三极管的集电结同样遵从PN结的规律!
1.PN结加正向偏置电压导通,电流由PN;PN结加反向偏置电压截止。这里截止的真正含义电流很小,近似为零,但并不是说反向偏置真的没有电流,只是电流很小而已。反偏时很小的电流方向一定是从N→P,绝不是从PN。
2.从电路元件的角度看,一般的二极管(不包含光电池)在电路中是用电器,而不是电源,也就是耗能元件,在稳态情况下,可等效为电阻,通过的电流方向和外部偏置电压极性之间的关系受欧姆定律约束,方向必然是一致的。在一定电压下,电流的大小取决于其电阻大小,或者说取决于其内部可参与导电的载流子数目。不管电流大小,方向肯定与电压方向一直,否则,它就不是用电器,而是电源了。
3.三极管的集电结导电规律同样离不开上述约束。具体讲,集电结外部偏置电压与通过集电结的电流方向之间的约束不会改变。正向偏置,电流由PN;反向偏置,电流由N→P。电流的大小同样取决于可参与导电的载流子数量。
4.放大时,集电结反偏,都没有异议;集电结(极)的电流由N→P也没有异议;反偏的集电结(极)电流为何还很大?原因很简单,放大时,由于发射结正偏导致很薄的基区少数载流子数量急剧增加,自然会使集电结的反向漂移电流急剧增加。其实,这也没有异议。
5.饱和时,集电结同样是反偏的,这就有异议了!本帖就是对一般以为饱和时集电结正偏的质疑。其实,在一般的输出特性曲线的饱和区,集电结存在正偏和反偏两种截然不同的状态。其分界线也很清楚,那就是对应于集电结零偏,集电结电流也为零的点。实验测定,在发射结正偏的前提下(UBE=0.7V附近),使集电结零偏需要的集电极电压UCE只有大约几十个毫伏。远远低于发射结的正向导通电压几百个毫伏。
6.输出特性曲线的饱和区的绝大部分区域,集电结都是反偏的,集电结电流由NP,大小可以远大于基极电流。而两个PN结均正偏的情况只占传统输出特性曲线饱和区很小的一部分,该区域对应的UCE电压很小,只有约几十个毫伏,只有在这个很小的区域内,集电结才是正偏的,集电结电流由PN,数值小于等于基极电流,这部分区域的特点,实际更接近两个二极管并联时的情况,不属于一般认为的饱和状态。这就是本帖的观点。真实的输出特性曲线形状示意图,本帖附件里有。

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  • 2015-5-23 12:16:30
 
楼主说“三极管的集电结同样遵从PN结的规律”。这点依据不足。 XWPN结的特性是单向导电性,正向导通,反向截止。但集电结可以NP导电,就和二极管的PN结不同。
楼主:截止的真正含义电流很小,近似为零,但并不是说反向偏置真的没有电流,只是电流很小而已。
东方:但集电结反偏时可不是近似为零,而是电流很大。这就不是二极管PN结的性格。不能说遵从PN结的规律。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 12:25:59
 


请恕表述不严只过。原本的意思是:集电结反偏时的电流与电压同样受部分电路欧姆定律约束,这包括大小和方向两个方面。这样更正,您看如何?
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  • 2015-5-23 13:03:45
 
"集电结反偏时的电流与电压同样受部分电路欧姆定律约束"这个当然没有问题,但这里是三端网络,就不能单独把集电结孤立出来考虑。这可能是关键。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-23 17:52:24
 
请注意“部分电路”的真正含义,集电结是集电极回路中的一部分。它的导电特性固然受发射结偏置情况的影响,但不妨碍其服从欧姆定律的约束。
关于饱和区的实际情况,本帖附件所述有一个总结性的图五(b),重新·给出如下:

最近,对该问题用Multisim12进行了仿真,得出同样的结果,具体如下:
注:下面所有贴图的电路及仿真参数完全一致,只是为了观察通常所说的饱和区的细部特征,而对坐标刻度作了不同调整。具体参数在贴图中一并给出。
1.这是按照一般理解设置坐标参数的结果:横坐标-0.01V~5.5V,纵坐标-50uA~16mA。

该图线与传统的输出特性曲线几乎没什么区别,不过别急,请看:
2.将纵坐标参数修改:横坐标1mV~5.5V,纵坐标-5mA~16mA,会看到明显的反向电流。




3.将横坐标展开:横坐标-0.01V~700mV,纵坐标-5mA~16mA。可以看到明显的反向电压和反向电流。

4.将横坐标再展开一点:横坐标1mV~200mV,纵坐标-5mA~16mA。会更加清楚


仿真结果结果显示,只要精度足够高,就可以将UCE足够小时的集电极电压、电流情况精确的测出来。结论与本帖叙述观点完全吻合。
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  • 2015-5-23 22:08:19
 

XW:225楼讲的三端网络,那按三端网络怎样分析?
东方:最常用的等效电路是这两种:你用哪一种?

XW:哪种好?
东方:没有最好,只有更好。反正是可以等效变换,随便用吧。不过适合楼主的应该较好。
XW:看看楼主是怎么用的?
东方:楼主和cdzx11已经吵不清楚了。他被问了一个问题:
Cdzx11楼主还应该做一个实验:I[sub]B[/sub]为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压是多少V
楼主:当I[sub]B[/sub]=102uA时,U[sub]BE[/sub]=0.776V,而U[sub]CE[/sub]=0.088V=88mV
Cdzx11:应该等于基极电压。
XW:用等效电路行吗?
18lahoward:楼主认为的三极管模型复制如下:


东方:那就和左图结构相同,是星形接法。但不能用两个二极管这样近似。实验时I[sub]B[/sub]=100μAU[sub]CE[/sub]=88mV
楼主:BE间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
东方:我们看一看问题出在哪里?基区电阻rbb’是可估算的,一般用300Ω(或者更小),那么压降是多少呢?300×0.1=30mV,可知发射结上的电压还有776-30=746mV,不可能“大部分电压降在基区体电阻上”!
XW:楼主对体电阻寄予厚望,就靠它把集电结降成反偏呢。
东方:如果真的“大部分电压降在基区体电阻上”,发射结只有几十mV,这个PN结就还没有进入导通状态。哪里来的100μA
XW:愿望很美好,现实很骨感……可是,楼主的试验怎么解释呢?
东方:试试右图的等效电路吧。
XW:好。令1是基极B2是集电极C3是发射极E



东方:注意这个等效电路出现了CE间的电阻,为什么集电极开路时U[sub]CE[/sub]很小呢?
一定是R[sub]23[/sub]很小,U[sub]BE[/sub]0.7VUBC0.7V,但和R23一分压,U[sub]CE[/sub]就只有几十mV了。
XW:关键是,这时的集电结是正偏还是反偏?
东方:当然是正偏。
XW:集电极有电流吗?
东方:没有。
XW:如果集电极有电流怎么样?
东方:列出关系式:
I[sub]E[/sub]=I[sub]BE[/sub]+I[sub]CE[/sub]
I[sub]B[/sub]=I[sub]BC[/sub]+I[sub]BE[/sub]
I[sub]C[/sub]=I[sub]CE[/sub]I[sub]BE[/sub]
解之得:I[sub]E[/sub]=I[sub]C[/sub]+I[sub]B[/sub]
XW:这什么意思?
东方:如果集电结反偏,I[sub]BC[/sub]=0,是放大状态。
XW:关键是饱和时……
东方:饱和时集电结正偏,有I[sub]BC[/sub]出现,符合楼主讲的全电路欧姆定律。
楼主: 如果集电结正偏,则电流必然从P 型区流向N 型区。
XWI[sub]BC[/sub]正是如此!可是……为什么不是“ 集电极的电流从集电极流出晶体管”?
东方:这是因为集电极电流是两部分组成,I[sub]CE[/sub]I[sub]BE[/sub]大得多。按照少数服从多数的原则,于是电流流进了晶体管。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-24 10:05:21
 

可谓有理有据!

有个问题请问东方兄:这个三~星变换没有错,但是适用于2、3端开路时的情况吗?如果适用,此时的R2仍然还是R2吗?如果不是R2,那该是多大?如果不适用,还需要(或者说还用得着)星~三转换吗?
讨论终于走向了正轨!!!我先谢谢!
请继续。
cdzx11
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  • 2015-5-24 11:39:22
 
我不如东方。
跟我讨论问题,懂的自然就懂了;不懂的还是不懂。
1. 要有数据,比如基区体电阻,有数据很容易就说清楚了。
2. 要画图,我就是懒得画图,嫌麻烦。
东方
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  • 2015-5-24 12:56:00
 
cdzx11先生谦虚了,画的图漂亮得很,彩色3D风力发电机图。
东方也是受先生的启发:
cdzx11:集电区电流是从这个通道流向发射区的,这些电流并没有通过任何一个PN结。
XW:所以你就加了一个电阻R23,形成了cdzx11通道!但现在楼主要你讲出R23到底多大?
东方:有这么多资料,估算出来大概也是可以的吧?
XW:楼主说的“23端开路时的情况”是不是指的集电极开路?
东方:也许吧。如果23端都开路,就只剩基极光杆司令,电流没法流呀。
XW:但是集电极开路不就是双端网络,还有R23吗?
东方:我以为是有的。你保留端口,把C开路看成Ic=0的特殊情况。
XW:此时的R2仍然还是R2吗?如果不是R2,那该是多大?
东方:你这个问题提得好……
XW:不是我,是楼主……
东方:不论谁问的,也要回答。这里R23不是一个常数,究其本质,是个受控电流源。
XW:楼主关心R23是多大?
东方:可以。受控源在静态时可以等效于某个电阻。
XW:楼主说:当I[sub]B[/sub]=102uA时,U[sub]BE[/sub]=0.776V,而U[sub]CE[/sub]=0.088V=88mV。这时的R23多大?
东方:可以估算一下,由于假设R23很小,粗略讲I[sub]BC[/sub]I[sub]BE[/sub]不会有多大的误差
I[sub]B[/sub]=I[sub]BC[/sub]+I[sub]BE [/sub]可得I[sub]BC[/sub]50μA
R23=0.088/0.05=1.76kΩ
XW:这个电阻也不是非常小呀?
东方:在微安级的电流目前,也不算大。而且和楼主的数据有关,不用仿真,按实际数据:
Ic=0
I[sub]B[/sub]/μA
4.90
9.90
15.1
25.5
35.4
50.9
61.0
71.0
81.0
91.0
100.0
U[sub]CEZ[/sub]/mV
15.6
13.6
12.3
10.6
10.0
8.78.
8.30
7.99
7.49
7.46
7.29
I[sub]B[/sub]=100μAU[sub]CEZ[/sub]=7.29mV
求得:R23=7.29/0.05=145.8Ω
XW:这还差不多。如果集电极有电流R23是多大呢?
东方:设Ic=4.6mA U[sub]CE[/sub]=335mV R23=0.335/4.6=0.073kΩ
XWR23更小了。
ddxxmm_001
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  • 2015-5-24 14:09:08
 
不管咋说,也算有理有据。
1.“R23=0.088/0.05=1.76kΩ”,这个结果是根据仿真结果算的,看似正确
2."R23=7.29/0.05=145.8Ω",这个结果是根据“质疑”文中实验数据算的,似乎也无问题。
继续问东方老兄:
1.当“I[sub]B[/sub]=102uA时,U[sub]BE[/sub]=0.776V”时PN结是不是正常导通了?如果算正常导通,当其两端电压在此基础上较小88mV,你以为通过PN结(集电结)电流还会是I[sub]B[/sub]的一半吗?如果不是,您的这个估算还有效吗?
2. 按您的说法,我给出的电路是一个星型等效电路,您给出的是一个三角形等效电路。请注意,这是对线性电阻网络而言的,而且是在两端口都存在电压和电流的情况下(既不能开路也不能短路,这些情况根本用不着变换)的等效变换,是对端口外电路的等效。对非线性元件或受控源电路,您怎么等效?您以为能等效,那么这个变换公式是什么?你可别说和线性电阻网络的变换公式一样。
3.如果我们两个给出的电路无法等效,那么您的推导、证明还有意义吗?
4.“设Ic=4.6mA U[sub]CE[/sub]=335mV R23=0.335/4.6=0.073kΩ”,照您的模型这么算,饱和时集电极电流既不用流过集电结,也不用流过发射结了。
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  • 2015-5-24 16:06:47
 
楼主:1.“IB=102uA时,UBE=0.776VPN结是不是正常导通了?如果算正常导通,当其两端电压在此基础上较小88mV,你以为通过PN结(集电结)电流还会是IB的一半吗?如果不是,您的这个估算还有效吗? 东方:PN结是正常导通,电压低,电流就小,但因电压仅低了10%,不算太大,可以忽略不计。这不是主要矛盾。你看按仿真和实验结果,计算R23的大小相差十倍,楼主也认为可以接受,还去计较这10%,有意义吗?
XW:人家精益求精,一丝不苟。
东方:一定要算准也是不难的。有公式,问你们老师就知道了

其中U[sub]T[/sub]26mV
XW:这个好办,楼主就是老师,我向他请教。
楼主:我给出的电路是一个星型等效电路,您给出的是一个三角形等效电路。您怎么等效?
东方:没法等效。
XW:啊?不要太失望了。
东方:一定要等效,就有条件。
XW:那还差不多。什么条件?
东方:把二极管分段线性化,变成电阻和电压源。就可以参与变换了。
楼主:如果我们两个给出的电路无法等效,那么您的推导、证明还有意义吗?
东方:有意义,证明有一个电路是对的,另一个电路是错了。
XW:哪个错了?
邓爷爷:实践是检验真理的唯一标准。
楼主:照您的模型这么算,饱和时集电极电流既不用流过集电结,也不用流过发射结了。
东方:这是cdzx11先生说的。我选择我喜欢。楼主可以有不同意见。不过真理只有一条,且不以你我的选择为转移。
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  • 2015-5-24 16:22:32
 
选上一个看不见的图
等待一扇不开启的门
善变的眼神
紧闭的双唇
何必再去苦苦强求
苦苦追问


Vt≈26mV
ddxxmm_001
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  • 2015-5-24 17:18:01
 
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  • 2015-5-24 17:13:28
 

痛快
1. “PN结是正常导通,电压低,电流就小,但因电压仅低了10%,不算太大,可以忽略不计。这不是主要矛盾。你看按仿真和实验结果,计算R23的大小相差十倍,楼主也认为可以接受,还去计较这10%,有意义吗?
问:正常导通的二极管,两端电压降低10%,不算太大,那么由此引起的电流怎么变?也只有10%吗?能够忽略不计吗?
2.我的仿真结果和实验结果差了10倍,是按照您的思路算时能够说得过去。事实上,我压根就没承认您这个模型,这个计算有意义吗?
3.你给的图无显示。不过这个公式、方法可以推断得出,不表。
4.“把二极管分段线性化,变成电阻和电压源。就可以参与变换了。”
请问:您怎么分段?分几段?要给出多少条件?要给出几个等效模型,要做几次变换?理论上谁都会说,问题在于可不可行!
退一万步,就算可行,我一个电路,您给出几个,甚至是无穷多个,您是不是觉得很有意义?就算是可行,您这个R23,在不同电路中的取值是不是一样?不一样,甚至差很大,您觉得是不是有意?您又怎么解释这种差别?
5.“我选择我喜欢”就是您的回答吗?
饱和时,C、E间可以等效为一个很小的电阻我赞同,这是一种综合外部等效。但有了这个等效电阻后,您要再把两个PN结这么硬生生的按上去,就有点问题了(关键是安的方式不对)。请问:
您不否认饱和区和放大区是连续衔接的两个区域吧?如果是,可以有如下推理:
首先保证发射结正偏,使其有足够的基极电流,然后将UCE从很小开始逐渐增加,那么三极管会从饱和区逐渐过渡到放大区。按您的观点,集电结也必然经历从正偏到反偏的过程。如果您没异议,那么再请问:
(1)在这个过程中,按您的模型,集电极的电流是怎么随着电压的增加,在您给出的R23和集电结之间重新分配的?
(2)到了真正的放大区域,这个电阻是否还存在?若存在,是不是还像您说那样很小?
(3) 若不存在,或者说大小变了,或者说这个模型不再适用了,从什么时候开始不适用的?
(4) 若仍然适用,您又怎么用这个模型解释放大状态的恒流性?
您不会在这个连续变化的过程中突然给出另一个截然相反的模型吧?连一点衔接也没有的突然给出。难道正应了你那句“ 我选择我喜欢”吗?
东方
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  • 2015-5-24 18:16:41
 
XW:看来楼主对“我选择我喜欢”不喜欢。 东方:那总不能按不喜欢的选择吧?
XW:换一个说法,叫做“谁主张谁举证”。
东方:也行。楼主说“三极管是典型的非线性元件,在不同的状态可用不同的模型进行等效分析。”



XW:且慢,楼主不是担心“我一个电路,您给出几个,甚至是无穷多个,您是不是觉得很有意义?”怎么他给出的也不止一个呢?
东方:我不介意,其实是我只给出一个电路,就是有cdzx通路的那个。他多给几个电路不重要。关键是要起作用。楼主的几个电路都没有cdzx通路,不可能是有效的。
XW:他要求你把两个电路等效变换。
东方:这真是让我为难,因为……这两个电路不等效。咋整?
XW:这是个难题,但这个难题很好解决,只要在他的b图中加个电阻就一样了。



东方:这……人家不干!不喜欢!
ddxxmm_001
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  • 2015-5-24 18:27:53
 

非线性元件不同条件下等效为不同电路不算为奇吧?等效电路(d)可以用来很好解释饱和时BJT的工作特点,而且可以很清楚的解释由饱和区过渡到放大区的整个过程。并与实验结果有很好的符合度。用您的模型试着去解释一下看看,会不会在哪里卡壳?
东方兄继续,您总不能对别人的问题只做选择性回答吧?
东方
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  • 2015-5-24 18:28:15
 
XW:不一定楼主就不喜欢。 楼主:CE