| | | | | 顶一个!楼主现在选的碳化硅MOS规格多少啊,价格呢?现在做到什么程度了,最终效率多少啊?
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| | | | | | | SIC的MOSFET和普通MOSFET最大的区别在哪里呢?使用中有什么需要注意的不?
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比较
我们比较了1200V SiC 和650V CoolMos的参数。 从中我们可以看到,SiC的寄生电容,开关速度以及反向恢复电荷都比较小,那么同样开关频率下,开关损耗小,thermal性能更好。
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| | | | | | | | | | | 1.频率再跑高点,现在的60K太低了,优势不明显!你跑个100K以上的,效率x体积优势可明显看出,整个电路简单可靠,目前唯一劣势是成本,SiC MOS现在成本比Si MOS贵不是一点点! 2.你可以将原边全桥改为两个半桥interleaving,二次侧电流纹波很小,也许优势更明显哦
3. 600V Si MOS不用三电平也可以做到,对于一些大的公司以数量为主的公司,那样的方案更具有优势!
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| | | | | | | | | | | | | 频率是160K 不是60K 是看错了吗?
母线800V, 用600V的MOS 不用三电平是怎么做的?请教一下。 用两个两电平串联吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | 将输入DC 800V分裂成两个400V,后面就是传统的400VDC输入电路的处理,成熟,模块化!,唯一缺点是需要增加均压措施,可以通过PFC实现,也有D2D diode clamping, 或者通过D2D均流控制。
BTW:但是这类电路有专利,不知道过期没有,不确定哦
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么对电容均压?有资料方便传一份看看吗?谢谢!!!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 三相维也纳PFC+交错LLC。三相维也纳PFC通过采正负母线电压,加入均压环调节即可。交错LLC自身也有调节均压的功能
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| | | | | | | | | | | | | | | PS:参考文献,顾亦磊,吕征宇,钱照明,《三电平LLC谐振型DC-DC变换器的分析与设计》,2004年
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| | | | | | | | | | | | | | | 感觉三电平 flying capacitor 需要加额外预充电电路!
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| | | | | | | nc965- 积分:102218
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- 主题:115
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- 帖子:29445
积分:102218 版主 | | | | | | | | 最好别用三电平的,复杂很多,况且这个应用普通600V单电平应该可以解决,只要从前级控制母线电压为相电压而非线电压即可。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 8 KW的相电压,供电局的同志可能会找你麻烦吧,通常单相供电功率不超过3KW。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不至于吧?现在很多空调都不止这个功率了,家用电器都是单相
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| | | | | | | | | SIC的MOSFET不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
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| | | | | | | | | 1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。 2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。 3、要求驱动器具有双路输出端口。 4、支持高开关频率(开关频率支持400KHz) 5、支持高安全隔离电压
碳化硅MOS
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| | | | | | | | | SIC碳化硅MOS高耐压,低导通电阻,高工作频率,耐高温,抗辐射等优良性能(TO-247-4可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现)。 ASC30N650MT4.pdf (1.23 MB, 下载次数: 0) ASC60N650MT4 -PDF.pdf (784.38 KB, 下载次数: 0) ASC30N1200MT4 -PDF.pdf (655.17 KB, 下载次数: 0) ASC60N1200MT4 -PDF.pdf (664.75 KB, 下载次数: 0) ASC100N1200MT4 -PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB, 下载次数: 0) ASC100N1700MT4-PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ASR50N650MD88 -PDF.pdf (668.12 KB, 下载次数: 0) ASR50N1200MD88 -PDF.pdf (638.33 KB, 下载次数: 0) ASC20N3300MT4-PDF.pdf (580.92 KB, 下载次数: 0) 发来贺电!
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| | | | | | | 选用的就是图上的C2M0160120D, 价格我得问销售了,呵呵。 现在样机测试完成了,效率98.4% 包括风扇损耗的情况下。
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| | | | | | | | | 1200V的SIC和600V的MOSFET不太具备可比性啊,不过看反向恢复时间,确实很有优势,不知道比CFD的MOSFET如何了?
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| | | | | 鹏源代理CREE的SIC,你这个不是CREE的文档吗,有样机免费申请不
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| | | | | | | 您可以留一下联系方式,我请我们的业务联系你。 样机申请 要经过他们的:) |
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| | | | | | | | | 请问你们这个样机的谐振电感和LLC电感是什么规格磁芯啊?
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| | | | | SiC MOS驱动电压在使用负压关断时需要注意,CREE VGS最大值-10/+25,推荐值-5/+20。
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| | | | | | | 为什么不能跟MOS似的正负压相同?是因为材料还是工艺的问题导致不能做到?
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| | | | | | | | | 这个应该是工艺上的问题,也可能和成本有很大的关系。
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| | | | | | | | | | | SiC器件的驱动gate oxide(栅氧化层)与硅器件不同,做不到正负对称。 不过我们做应用的,把驱动设计在Spec范围内,保证它的正常工作就是了。 话说到这里,在LLC桥式电路里,上下管驱动最常用的驱动方式就是用隔离变压器驱动,但是用隔离变压器驱动,正负电压是对称的,我们用什么样的线路来解决这个SiC驱动电压不对称的要求呢? 大家有什么想法? |
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| | | | | | | | | | | | | | | LLC的变压器驱动可以加二极管隔离负压的,如果需要适当的负压,稍微的修改驱动电路也是可以做到的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 加二极管隔离负压 是指用二极管阻断负压回路吗? 然后再加放电电路?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,如果你需要一点负压的话,电路也可以适当的修改一下,看过飞兆的一款电路可就是这样的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有没有线路看一下? 阻断了负压之后,又要产生一定电平的负压,我们的线路上是实现了。 不过负压的建立需要时间....
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个我找一下,以前看到的的,就是一个电容,启动的时候确实需要一定的充电时间。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是这样的话 应该是稳压管并联电容, 稳压管决定电压的高低,电容用来保持电压。 我们增加了一点线路来加快电容电压的建立。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | SIC 用驱动变压器驱动还能体现它的优势吗?有和SI MOS 做过对比吗?同样用驱动变压器驱动
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| | | | | | | 实物我见过,记得没错的话应该是NCP1395,变压器是PQ65的
本帖最后由 chaos2008 于 2015-11-15 20:30 编辑
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| | | | | | | | | | | 对于SiC来说,驱动电路非常重要。 而对于LLC变换器来说,它的工作区域以及电路中磁性器件的选择,谐振参数的确定是核心问题。 熟悉的朋友都知道, LLC变换器最好设计在升压区,这样不仅原边MOS管可以实现ZVS,副边二极管也可以实现ZCS。从而使整个变换器的效率最好。 |
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| | | | | | | | | | | | | SiC-MOS的驱动和传统SI-MOS有特别之处吗?
比如在LLC半桥或全桥回路应用里。
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| | | | | | | | | | | | | | | 原来听CREE的FAE说,SIC MOS 最好要有个小负压关断
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| | | | | | | | | | | | | | | | | SIC最好是有个负压才能完全关断,可靠性方面才能更好。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,现在碳化硅MOS的驱动电压+18-20V,-3V
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 现在的驱动信号都是叠加在正负电压轨上的,+15、-3.3V等等
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| | | | | | | | | | | | | 看楼主的电路,原边串,副边是并的,原边高压的。8KW是可以做的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵 是一个全桥LLC变换器。
对于LLC变换器来说,可能参数有很多种可能,怎么样找到比较好的工作点? 谐振电感和励磁电感如何选择? 大家有什么看法?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 励磁电感的选择:励磁电感量的大小决定了励磁电流的大小,也是MOS管实现ZVS的关键。 在轻载时候,基本就是励磁电流来实现MOS的ZVS。 但是励磁电流如果太大,白白增加了线路的RMS电流 以及磁芯本身的deltaB. 所以 理想状态下,我们会根据MOS管的结电容以及开关频率等参数,来计算出励磁电感的大小。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个要看你追求哪一方面的参数了,如果是为了效率,无疑励磁电感需要大一些好,如果是宽范围的输入电压,就不一定了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 宽范围的输入电压,就需要宽的频率范围,根据你Lm,Lr的选择。 因为频率范围和开关增益的原因,很多时候不得不根据Lr来选择Lm的值。 所以有很多情况下,Lm会比正常实现ZVS所需要的值小很多。 导致励磁电流比较大。 这个也是LLC变换器设计痛苦的地方之一。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 同频率范围的话,如果选择合适的K值,牺牲Lm,也可以获得很好的增益的啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没错啊,很多时候我们不得不牺牲Lm来获得期望的增益。 问题是,是不是刚好满足增益的K值就是LLC谐振参数的最佳选择呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 之前做过一次微型逆变系统,用的LLC结构(升压式),在设计参数时,考虑了变压器副边漏感,然后退出传递函数,进行归一化,然后利用mathCAD画出它的增益图,最后根据在谐振频率点的最大增益选择的K值和品质因数Q值。本人也是新手一个,参考了很多资料都是这么做的,不知道大家在做实际产品的时候,一般怎么考虑这个K值得选取。
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| | | | | 8KW LLC 模拟芯片就用一个NCP1395就行了?
驱动放大器用什么?
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| | | | | | | | | | | 8KW的确实用数字控制的比较多,设计起来比较灵活。话说到这个功率级了,成本压力还好。
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| | | | | 你是深圳鹏源的吗?
650-800对应输入是多少的AC,还是PFC出来的范围
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| | | | | | | 从楼主的实物图看,楼主只有后级部分,与前级的接口直接就是DC直流,这个可以自己外接直流电源或者使用PFC
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| | | | | | | | | 是的 这个设计是DC/DC部分,它的输入应该是三相PFC的输出,通常会在800V左右。
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| | | | | | | | | | | 想请教一下,为什么功率上了这么大后电网要求要三相供电?谢谢!
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| | | | | | | 我是鹏源的, 这位兄弟知道鹏源? 有空 可以来我们实验室看看。
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| | | | | | | | | 我认识你们几个销售,问一下,你们现在除了这个还有哪些KW级方案在推吗?
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| | | | | | | | | | | 我们还有20kW逆变器,10kW以及50kW Boost DC/DC.
我们正在开发的3kW PFC+DC/DC的方案 以及50kW 隔离DC/DC方案。
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| | | | | | | | | | | | | 我们正在开发的3kW PFC+DC/DC的方案
这个进行到哪了?
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个板子很快回来了。 调试好后,我会另开个帖子给大家介绍一下这个方案。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 看一下我们的测试波形:700Vdc 输入 270V输出,满载输出时,上下管驱动,两个桥臂中点电压以及谐振腔电流。
测试波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 半载和满载都是谐振点, 从增益曲线上看, 如果LLC变换器真的刚好工作再fr=fsw的时候,负载大小跟工作频率已经没有关系了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我最喜欢设计临界点,我的LLC全部是调整这样的波形,效率最高,温度最低。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我以前做过一个1000W的LLC 开环的,专门来优化效率,结果发现效率最高点并不是fr=fsw,也就是上面这样的波形。而是fsw比fr小一点点的时候,电流波形上看到一点平台。 事实上就是Tsw=Tr-Td的时候效率最高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,翻看了此帖,受益良多!
对于此处,如果fsw<fr,则Tsw>Tr,所以Tsw是不是应该设置为:Tsw=Tr+Td呢?望指教!!!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个也是模拟IC做的半桥LLC吗?
输入800V,那MOS得用多大啊?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是NCP1395做的全桥LLC,两只12A的管子并联,共8只。这个12A是100度的电流值
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| | | | | | | | | | | | | 请问你们这个方案有成本估算吗?主要是SiC还是有些贵的
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| | | | | 楼主可否提供原理图参考一下?最近面试一家公司老板直接跟我说先设计个5KWLLC电路 |
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| | | | | | | 你可以留下联系方式, 详细的原理图在这里不太方便发。
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| | | | | | | | | humao_1990@163.com, 请发给我一份,谢谢。
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| | | | | 碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。
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| | | | | | | 你好,请问这个demo板的PDF资料在哪儿可以找到啊,方便发一份吗,谢谢!
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| | | | | | | | | 我有,以前鹏源下属分公司的销售给的。给我一个你的联系方式。私信联系。 |
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| | | | | | | | | | | 谢谢哈,我已经在CREE网站下载了一些资料了,过段时间如果要购买demo板或者SiC的时候再联系你哈,谢谢!
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| | | | | | | | | | | | | 我又不是他们的销售,DEMO你在深圳可以申请测试几天,买一个应该很贵,估计得几万。管子大概几十到几百人民币一只 |
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| | | | | 在做一个50kw的LLC,也是用CREE 1200V的SiC 频率200k 和楼主蛮像的~可以学习学习~哈哈
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| | | | | | | LLC 倒是比较容易设计,大功率情况下,散热搞定应该就问题不大
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| | | | | | | 50KW,这么大的功率,太厉害了,请问是单机吗?成品出来了吗?这个功率的DC/DC模块,我可能比较合用,能不能看一下原理图?输出电流可以受CAN协议控制吗? |
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| | | | | 楼主您好,怎么看不到上面的图片呢?我想请教下这么大功率的LLC用什么方法控制的呢?能否把原理图分享一下呢?非常感谢!我的邮箱是 hw521125@126.com。谢谢! |
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| | | | | | | | | | | 资料能发给我不,想买SIC MOS 什么联系你的业务员?
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| | | | | 请问下你们的驱动电路是如何设计的呢?
我是在校学生,实验室里面还没有很多做SiC MOS应用的,想请教一下,谢谢!
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| | | | | SiC形式的充电模块,频率与现在的LLC频率差不多,是不是从结构上减少了并联或串联的个数实现大功率而减小尺寸的。比如15kW,是用两个7.5kW的并联实现。而SiC只要一级就可以。
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| | | | | 楼主真是太强大了,这个方案可以做15KW吗?现在充电模块一般就是15KW一个。我也想要原理图看看,给我一份行吗?发邮箱: dzy724@126.com,非常感谢!另外请问成品什么时候可以出来?
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| | | | | | | 很久没看到楼主露面了,不知怎么回事。我有他们这个DEMO的原理图,但是实话说用在充电模块上不是很适合。不过他们应该有充电模块方案,去年就听说已经开发一段时间了。直接找鹏源的销售问问吧。不过规模小的公司可能是比较痛苦的
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| | | | | 想请教一下,这个充电桩输出的电压、电流是多大的?
如果是大电流,怎么没有人关心变压器的设计与制作工艺呢?
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| | | | | | | 这个变压器是PQ6560,可立克做的,工艺不错。另这个只是DEMO,不是成品。工作频率比较高,大约200多K。 |
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| | | | | | | | | 有两套7.5KW的,有PFC + LLC谐振,散件,谁要的,请联系
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| | | | | 楼主用什么主控啊,我看了下现在很多的后面都采用同步整流了啊;
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| | | | | | | 300V输出用氮化镓MOS做同步整流都够呛,而且超贵。普通的能胜任?
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| | | | | | | 深圳鵬源電子有強大的技術支持,可指導應用,已經是很成熟的方案了,早些年就和他們董工交流過,感興趣的可找他們要點資料。
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| | | | | | | 我们的3KW全桥LLC100KHZ的都是PQ65了,所以8KW有点怀疑。。。我的产品图片放不上来,不过市面上很多我们的产品有兴趣的可以拿来研究的。
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| | | | | 麻烦楼主发一下方案和原理图,邮箱:237123885@qq.com,谢谢!! |
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| | | | | | | 现在正在学习LLC,麻烦楼主发一下方案和原理图,邮箱:415021544@qq.com,十分感谢!!
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| | | | | | | | | 顶,CREE 好样的,鹏源也是很有技术实力的代理商!如果文档能公布在群里,很是感激!
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| | | | | 不知道现在还有没有人关注这个帖子
求助这个主变压器PQ65的骨架 磁芯参数为PQ65/54/40
用的联丰磁业的磁芯 第一次用这个厂家的 或者PQ74/70/43 的骨架 如果没有 只能自己粘一个临时用了
各位骨架厂家有推荐的吗 |
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| | | | | 张工你好,在学习大功率开关电源。这个8kw llc变换器的相关资料麻烦能发我一份么?谢谢
65270545@qq.com |
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| | | | | 请问下张工,副边整流使用碳化硅的优势在那里呢,我认为设计的工作点处在谐振频率以下,副边二极管也是软开关;另外碳化硅的导通压降较快速二极管也没有优势。我认为副边整流没必要使用碳化硅,但我没实际验证过这点,只是个人观点,一起探讨 。 |
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| | | | | | | 你说的没错。
但是很多情况下, 尤其是充电器这样的应用,输出电压范围变化很大, 不可能副边二极管一直都可以ZCS状态。 这种情况下,还是用SiC好一点。
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| | | | | 你好,群主,我是LLC初学者,现在的DCM模式环路用TYPE3感觉很难调,你能简单的说下调试步骤吗 |
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| | | | | SIC碳化硅 - 深圳市炫芯微电子有限公司- SIC碳化硅二极管SIC碳化硅MOS专家 http://www.dc-micro.com/index.php?m=content&c=index&a=lists&catid=65
二代碳化硅二极管
产品型号 | 主要功能说明 | 封装形式 | G2S06503A | 650V/3A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S06504A | 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S06505A | 650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S06505C | 650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-252 | G2S06510A | 650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S06520A | 650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S06520B | 650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G2S06530A | 650V/30A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S12002C | 1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO252 | G2S12005A | 1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G2S12005C | 1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-252 | G2S12010A | 1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 PIN C4D08120A C4D10120A | TO-220-2 | G2S12010B | 1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 PIN C4D10120D | TO-247 | G2S12020A | G2S12020A 1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C4D15120A C4D20120A | TO-220-2 | G2S12040B | G2S12040B 1200V/40A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C4D30120D C4D40120D | TO-247 | G2S17010A | G2S17010A 1700V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | 三代碳化硅二极管
产品型号 | 主要功能说明 | 封装形式 | G3S06503 | G3S06503 650V/3A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C3D01060A C3D02060A C3D03060A | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06504 | 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06505 | 650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06506 | 650V/6A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06508 | 650V/8A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06510 | 650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S06520A | 650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S06520B | 650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S06530A | 650V/30A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S06540B | 650V/40A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S06560B | 650V/60A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S065100B | 650V/100A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S12002 | 1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S12005 | 1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S12010 | 1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS | G3S12010B | 1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S12020A | 1200V/20A SIC碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S12020B | 1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S12040B | 1200V/40A SIC碳化硅肖特基功率二极管 | TO-247 | G3S17004A | 1700V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S17005A | 1700V/5A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S17010A | 1700V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | G3S17015A | 170V/15A 碳化硅肖特基功率二极管 | TO-220-2 | 一代碳化硅MOS
产品型号 | 主要功能说明 | 封装形式 | G1M12080E | 碳化硅MOS 1200V/40A Silicon Carbide Power MOSFET |
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| | | | | 请教下,这个LLC用了几只mos管,我看贴说是用了8只,那么8只的LLC和三电平比较的话是否还是有管子数量少的优势 |
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| | | | | LLC用Sic可以做到50KW,我们现在也在做一个60K的用Sic,不过是硬开关的,没有敢用软开关。 |
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| | | | | 能否提供一些原理图和设计资料,学习学习!lqm860702@163. com. cn |
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| | | | | 张工您好,最近我在做一个3.3KW,汽车DCDC,用的是移相全桥的拓扑DC300降DC24,(ˇˍˇ) 想~请教一下,这类产品EMI的设计及选型,看过鹏源的几个方案,有的用差模电感+共模电感,有的只有共模电感,有的还串联两路共模电感,想请教,输入为电池,需要加差模电感+共模电感,还是只需共模,参数如何计算,谢谢
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| | | | | | | SIC 碳化硅MOS管及功率模块,耐压650V-3300V,电流20A-100A,适用于汽车新能源,军工电源,DFN8*8超薄封装应用在PD大功率快充,车充,DC-DC模块等
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| | | | | 有没有哪家公司在做100kW的LLC电源呢,输出1000-1800V |
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| | | | | 顶一个,现在都再用SIC技术,楼主后端目前用过同步整流能分享下吗? |
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| | | | | 变压器电感生产企业; 公司官网 http://www.v-young.com.cn/ 环球资源 分公司 北京威扬永源科技发展有限公司 北京威扬永源科技发展有限公司赤峰分公司 (生产大批量) 成都威扬磁电科技有限公司 (主生产军工,平板) 威扬永源科技(东莞)有限公司 (做当地市场) 威扬永源电子(天津)有限公司 (做京,津市场)
诚祝时祺!
-- 威扬永源(东莞)有限公司 地 址:广东省东莞市茶山镇卢边村联成大厦6楼
联 系 人:雷震 电 话:0769-86860786 移动电话:013241620510 QQ : 632367070 微信:13241620510
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| | | | | | | | | 3KW用全桥LLC很常见的,你随便买一台拆一下不出意外,只是要用LLC肯定都是全桥。
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