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| |  |  | | | | | | 请教个问题,如果接入的是直流电压,那个C1可以去掉吗?
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| | |  |  | | | | | | | 此图为示意图,图中Ui为直流电压,后面的C1容量较小,如果输出改交流输入,需要加整流电路+C1,C1的容量较大,一般宽范围输入,按照功率/容量比为:1:3uF,窄范围比为1:1uF。 |
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 宽范围一般是85~264Vac 或者90~264Vac,更有甚100~277Vac等等窄范围一般176~264Vac 187~264Vac以及195~264Vac,或者347 +/-20%等等
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| | | |  |  | | | | | | | | 反激变换器,在轻载时的原边主功率MOS管的应力为啥还比满载时的大 呢?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 你指的应力是电压还是电流,推测你指的电压应力。
你的这个说法不符合理论依据,或者是没有调试好的个例,有图吗?
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| | | |  |  | | | | | | | | 请问C1这样决定的依据是? 新手上路,想从头到尾拜读
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 上面那个是示意图,直流的话容量比较小;交流的话前面加整流电路,容量看具体的拓扑和功率等等
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| | |  |  | | | | | | | C1的作用与交流和直流没关系。 线路上没有电容,电源会有暂降和巨幅波动。效率、EMC 性能指标会较低
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| | |  |  | | | | | | | 前级有PFC线路和大电容,C1应该可以去掉。如果输入直接是直流电压,前级没有大电容,次级抽载会导致初级直流电压波动较大
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| | | |  |  | | | | | | | | 那就是个反激示意图而已,大家不要在这方面讨论了,把重点放到其他点上。
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| | |  |  | | | | | | | 去掉这个滤波电容应该不行,开关管工作的时候,回路必须提供一个交流通路!
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| | |  |  | | | | | | | 还是留着好,“不让高频跑进电源里” ,
此话,上世纪的书已有这样写着,现在知道,这其实就是 去耦,不过,电解电容的去耦能力太差劲了。
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| |  |  | | | | | | 楼主,你好!请教:反馈电压是如何选取的?和输出电容规格的选取标准?谢谢! |
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| | |  |  | | | | | | | 自供电电压我一般选取12V,输出电容的规格需要在计算变压器的时候看输出的有效值电流,CLC滤波的话,第一个电容纹波电流满足输出有效值电流,L后的C一般会比前一个电容小一些。
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| |  |  | | | | | | 你好,我想请教下,关于反激变压器同名端的问题;目前发现有两种标注方式,从原理上来说是不是两种都是正确的呢?
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| |  |  | | | | | | 请问
反激变压器 绕组电压 不按变比来 主反馈绕组电压是准的 起它绕组比计算的理论值1.5-2倍升高 是什么原因?
谢谢
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| |  |  | | | | | | 我们在实验室做的直流输入的,前面没有滤波电容,直接到变压器,老师你们最后做的是怎么样的?
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|  |  | | | | | 反激式电源,工作在CCM模式,变压器如何计算?能否举个例子说明,比如说,一个反激式的电源,Vin=90~264vac Vo=12V 2A 频率65KHz,磁芯推荐使用PQ2620, 这个变压器的参数,该如何计算,能否详讲一下,谢谢。
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| |  |  | | | | | | 你通读一下整篇关于变压器的设计,就好了,有例子的。
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 |  | | | | 反激相关技术内容的大家都可以跟帖交流,记得先收藏哈,学习机会,不能错过。
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 |  | | | | 老师讲讲现在流行的反击恒流,包括单级PFC恒流,BUKC-PFC恒流,BUCK-BOOST-PFC恒流,无PFC-BUCK恒流,无PFC-PSR恒流等等 ,顺便撸一下L6562D这类的BOOST PFC谢谢啊 |
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|  |  | | | | | 本帖是专讲反激的,关于反激的恒流有很多,最常规常见的就是后面 检测电阻+运放恒流;其他PFC恒流需要看IC本身是否支持;PSR原边反馈恒流目前做的有两种模式,一种是在MOS管关断漏感引起震荡后面平台的那段电源取点来实现恒流,另一种方式就是在电流斜线上升的过程中取点恒流,无非就这两种,具体的看哪家的IC了。
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| |  |  | | | | | | 那大师能否撸一下单级PFC,小弟一直看不懂,上次电子古董大师也讲了下没讲清楚,楼倒了,谢谢大师 |
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| | | |  |  | | | | | | | | 老师,有开单激PFC的贴子吗?想学习相关的知识,谢谢!
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| |  |  | | | | | | 非常感谢楼主;这是我第一次进论坛;看完楼主精辟的见解和大家的讨论,有种豁然开朗的感觉!真的很感谢大家!
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|  |  | | | | | 不好意思,今天刚抽出时间来,滞后了,抱歉。
讲反激变压器之前,先说明两个定义:
1.Vor定义为反射电压。
2.Krp定义为电流的波峰比,即峰峰值:峰值。
反激是由Buck-Boost电路演变而来,最苛刻的点为最低输入电压,输出满载时,所以我们要选择这个点来设计。
一、选定反射电压Vor
选反射电压就是确定最大占空比
D=Vor/(Vor+Vs),D为占空比,Vor反射电压,Vs最低输入电压(此电压一般为输入的交流Vac*1.2,因为整流后的电解电容不会无穷大)。
此公式由以下推到可得:
当开关管开通的时候,原边相当于一个电感,电感两端加上电压,其电流值不会突变,线性的上升,有公式上升了的I=Vs*Ton/L,这三项分别是原边输入电压,开关管开通时间,和原边电感量。在开关管关断的时候,原边电感放电,电感电流下降,同样要尊守上面的公式定律,此时有下降了的I=Vor*Toff/L,这三项分别是原边感应电压,即放电电压,开关管关断时间,和电感量.在经过一个周期后,原边电感电流的值会回到和原来一样,不可能会变,所以,有Vs*Ton/L=Vor*Toff/L,,上升了的,等于下降了的,上式中可以用D来代替Ton,用1-D来代替Toff,移项可得,D=Vor/(Vor+Vs),亦是最大占空比。
二、确定原边电流的参数值
无非三个值:平均值、有效值、峰值。
上图为原边电流波形图
前面已经说过,Krp的定义,我们来解方程吧,今天先说到这,方程如下:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:01 编辑
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| | | |  |  | | | | | | | | 没有办法,公式和图片都上传不上来,只能文字继续。
开关频率的选取不用讲了吧。
三、选定变压器磁芯
选磁芯有两种方法,一个是用AP法计算,这个计算繁琐,而且也不是太准确,二是经验法,我一般靠经验。如果没有经验也没有关系,先选一个磁芯如果不行在换大一点的,慢慢经验积累起来以后,就好了。
四、计算变压器原边匝数、线经等
计算匝数、线经首先要选一个B值,这个B值一般选取在0.1-0.25之间,当然了要以最后核算的B值为准,一般情况不要超0.3,特殊情况可以,一般作为锰锌铁氧体,B值也就到4800GS,即0.48T。说到这里有个法拉第电磁感应定律公式,V*T=L*I=N*B*S,各个字母代表意思就不用说了吧。
线经的载流密度一般4-10A/mm2,如果是铝基板的那种或者强冷风散热另当别论,如果多股线的话,最好不要超过0.4mm并饶,趋肤效应。
五、计算变压器次边匝数、线经等
所有的公式和第四步基本一样,载流密度亦同。
六、计算变压器反馈绕组匝数
计算匝数原理同上,线经选取0.2mm的即可,因为IC一般吃电流也就几个mA,线太细了容易断,太粗了成本受不了。
七、计算变压器电感量
公式还是法拉第电磁感应定律公式。
八、核算以上参数
至此变压器设计基本算完毕。
下面把用到的公式看看弄成PDF格式是否可以上传。
图片可以上传了:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:05 编辑
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 最后大家自己编一个表格,根据上面我的公式,这样变压器设计基本就完成了。
我只能给出模板,PDF的,大家自己动手做。
图片可以上传了:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:07 编辑
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 大体看了下,反射电压的选取和KRP略有差异,不做太多评价,环路那部分的计算取值以及穿越频率和相位裕度,理论值,和实际在板子上测试的有很大出入,所以还是以实际实物作出后,用环路分析仪测试穿越频率和相位裕度较准确一些。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 贴主,我现在就是想问那说的那个反激式开关管的频率是依靠什么来选取的,小白刚学习,望回答一下
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 看EMC 要求,或者板子尺寸决定。尺寸小就得频率高点这样变压器小。EMC 要求较高就选40K左右,EMC要求稍微宽松就选65K左右,EMC没要求就可以100K左右
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 好像不是你取的这么小的频率哦,,现在的MOS管频率都一般不会太低的,,不过确实,频率高了辐射不好搞定,想想办法,努努力还是可以的嘛
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 你好,想请教一下前辈:您给的表格中 其中那个输出电流有效值, 气息长度,电感系数,都是如何计算出来的啊,怎么算都不对啊
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 谢谢楼楼分享,小白一个,可以问下CCM和DCM哪种更通用吗? |
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 只能说是看了一遍了,如何计算还是一头雾水,下次继续。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 撸主,辛苦了!
问一下,初级线圈匝数是否可以通过以下公式计算?
Np=Lp*Ippk/(B*Se)
初级线圈电感Lp,可以用下面公式计算吗?
Lp=Uin*Ton/Ippk (我是根据基本的关系L=U*dt/di 来计算的,Uin是 220v*1.414)
不知道Lp这样理解对不对。撸主给的公式,还有krp。为什么要加这个系数,不是很明白。
Np和Lp的计算有差别,请大师指点。
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | Krp=1是临界模式,<1是CCM模式,>1是DCM模式。
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 断续模式下,电流波形“虚线”在0基线以下,画梯形后,根据Krp定义,习惯上我们认为是>1。
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 波形无法上传,等我研究下是什么原因,上传波形后就一目了然了。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 虽然套用的是法拉第电磁感应定律,但是对公式没有理解透,电流是上升的电流,非峰值电流,Np=Vs*Ton/Bset/Se来算,这个时候你还没有到计算电感量的那一步,另外Lp=Vs*Tona(核算后的)/[Ippa(核算后的)*Krp],Ippa*Krp才是上升的电流,我们前面已经定义了,Krp为峰峰值/峰值电流。
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 恩恩,学习了。这种设计方法,已经有投入市场的产品了吧?
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | CCM模式,Krp一般在0.6左右设计,不能一概而论的。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 楼主,我现在用的就是你这种方法,但是我就是不知道怎么取Krp的,我现在所有反激都用0.4。楼主有什么经验吗
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 你好,CCM的Krp一般取0.6,那么DCM的K值一般选多少呢?还有根据那个图K=Ippk/Ipk , DCM模式下K大于1,那么Ippk大于Ipk,是不是可以理解成开关管导通瞬间,电感电流是反向的,然后慢慢变为0再增大到Ipk值???望大师解惑,谢谢! |
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 我从2009年开始和我老恩师学电源(学了整整一年),就一直用这个设计方法,设计了无数款反激电源了,到现在2016年了,久经沙场了,放心用。
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 大湿,非常感谢。我也用你的公式,验证了我们公司的一些开关电源部的参数。很接近。
受益匪浅。
还有两个问题,还请分享一下:
1)国内常用的开关电源ic有哪些阿?
非隔离和隔离电源,我常用罗姆和三肯(sanken)的,其他的没有用过,有机会想买来自己做做。
2)不知道大湿在pfc 这块有没有搞过。
我只知道提高功率因数和过高周波实验的时候最好有这回路。但实际参数设计并不了解。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 1.如果是初学者建议把3842吃透,然后无论哪家的IC原理都差不多,只不过集成了很多其他的功能,如OLP\OTP、软启动等等的。用哪家的IC无所谓,关键IC的datasheet你的吃够,这样就OK了。
2.PFC在2009年学习的时候就玩过了,当时玩的MC33262和NCP1654,前者是CRM模式,后者是CCM模式的,无论哪种,把datasheet看懂,然后自己编写一个表格方便以后用。
本帖是讲单端反激的,如果想听PFC方面的,以后我会在开新贴。
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 变压器的设计是反激的核心,不过从回帖来看,貌似大家不敢兴趣,或者没有问题,下周开始讲除变压器外的元器件的设计。
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| | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | 恩,辛苦楼主分享了。
我比较感兴趣,哈哈~。~
技术这东西,多吸收点肯定是好的,哪怕自己很熟练,看看别人怎么搞,也是一种历练。
支持!
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| | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器设计到此基本就讲完了,没有问题,下周开始讲其他部分了。
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| | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | 终于捉到大虾一只,你是想被红烧还是清蒸..... 
楼主,请问反射电压Vor 如何选取,有么有理论依据,
饿是电源小白....
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| | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 生吃是否可以? 
选取反射电压的过程也是选取最大占空比的过程,上面已经有说明,在着重说明一下:
反射电压的选取和以下因素有关
最低输入电压,如果你电源是85~264Vac输入,那么85*1.2=102Vdc(一般电解电容由于成本的问题要*1.2,如果电解不惜成本可以*1.414,看情况了,这个电压是整流滤波后的电压,它是有纹波的,按照波谷考虑),我们选取100Vdc,D=Vor/(Vor+Vs),如果你反射电压选取80V,那么占空比D就是80/(80+100)=0.44,一般在最低输入电压的时候最大占空比不要超0.5,超了0.5,会有个右半平面零点,必须加斜坡补偿来抵消,环路不好调试,初学者建议不要尝试,有经验了可以设计最大占空比大于0.5,那么Vor可以选大点,但是选大Vor有一问题,在最高输入电压的时候264Vac,264Vac*1.414=374V,如果你反射选取的大,在MOS管关断的时候可以计算峰值电压为:374V+Vor+漏感和杂散电容谐振引起的尖峰=...,MOS的耐压就要选的高一些,这样成本又上去了,当然你可以选择RCD+TVS的方式做吸收,这个还是折中的问题,性价比最大化是根本。
现在这种反激电源,恨不得能省个贴片电阻,绝不加贴片电阻,成本拼的太厉害了。
综合考虑,如果还有不明白的,我在“被生吃”,哈哈
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| | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢楼主热心回复,  还是Vor取值的问题,按照楼主的说法,我只需要根据给定参数中的最低交流输入电压就可以计算Vor取值,
我不是使坏,只是想把楼主给定的输入电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac,
按照上面的取值方式,Vin_dcmin=138Vac*1.2=165.6V, 我取Vor=160V( 这种取法没问题吧),
Dmax=Vor/(Vor+Vin_dcmin)=0.491,.....
啊, Semiconductor, TI...他们的3845不能用了耶(duty_max<=0.46/0.47),
我好想说错了什么
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac,这个不是包括的关系么,直接按85V计算不就好了,干嘛非得按138V来计算
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| | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | NO, No, No...
给定参数里要求最低电压138Vac才能开机,不可以吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 138V开机不开机这个是由于IC有输入电压检测吧,IC检测到低于这个电压就不开机,与计算变压器关系不打我觉得,你85V占空比估计0.46那138V的时候占空比小点了啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一个是设计变压器的时候,138V输入的时候就在重启,这个点是需要反复设计几次的,以前给青岛某公司设计的一款电源就是这样。
要不就加输入欠压保护电路低于138Vac的时候不启动,只有高于这个值才启动,办法很多。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按照 你的计算方法 算出来的数据 用saber 2007 仿真 老是出现图片里面的错误 求老师指教
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是不收敛了,你的把仿真参数设置一下,步长/时间/以及后面很多参数都要设置,瞬态仿真前,先DC方针,无问题在瞬态仿真。
我saber早卸载了,哪天装上我在看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢 老师 我先去设置设置参数看看 不懂得 在请教您
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 在吗 您有空能教教我saber2007 仿真时 参数设置吗 自己捣鼓好几天啦 还是出现不收敛错误 谢谢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我找了saber软件,不再电脑上,等我抽空下载个,装上。
你先别急,最近我太忙,会抽时间教你设置参数。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | saber2012的安装包,我们21电源网就有啊,你搜一下,只不过破解步骤麻烦,你耐心点就可以破解,如果破解有问题,可以找我远程给你破解。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我saber2012已经装上了,也仿真了,给你截图看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你能把你仿真的文件发给我吗?我研究研究 谢谢· |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 我用你给的附件 仿真 得不到 你给的仿真截图的结果 求指导 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是你参数设置问题,你先找找网上资料,仿真设置那一块多看多揣摩,相信就好了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你好 你能把你设置的参数截图给我看看吗?解决了好长时间 都没出来结果 跪谢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你给我的文件老是出现图片中的问题 我从网上找啦好多 解决这个问题的方法 还是不行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先运行DC分析,然后在运行瞬态分析,主要是设置参数的问题。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师有没有系统讲这类电源的书籍,我想从基础开始看,有些词汇我都不懂,没法继续 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3845要求占空比不大于0.5,实际使用的时候不能超0.46,这个很多产品都验证过了。
如果经验丰富,MOS管不惜成本,吸收回路不嫌麻烦,效率又不要求很高,反射电压可以取到130-150的,这个没问题。
反射电压,是你自己选的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,已经是热帖了呀 
选择反射电压的过程就是选择最大占空比的过程,那么问题来了:
a. 要用3845,使用时最大咱空比一定要<=46%, 取Dmax=0.4,那就可以得到一个Vor值是不啦?
b. 主开关我用650V或者老板任性可以用900V(除了薪水),那么Vds> Vin_dcmax+Vor+Vlk+margin
一般margin取100V, Vlk取0.3Vin_dcmax(实际上非常反感一般,二班的取值,又是经验值  ),
则也可以得到一个Vor值?
难道没有一种理论支持的方式,根据输入电压大小或者是功率大小选择一个很小范围内的Vor吗,
而且Vor=n*(V0+Vd), 就是用来找出原副边匝比的关系(先挖个坑).看似也没什么用...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我已经说过,选取反射电压以最低输入电压D不超过0.5最好,而且兼顾吸收回路、MOS管耐压值来衡量,如果非的死板硬套这个反射电压给确定的值,肯定给不出来确切的值,80V可以,70V可以,等等(85-264Vac常规输入),这就如同,人吃饭一样,我吃一碗米饭比较好,吃一碗多点也行,多半碗也行,但是你吃3碗肯定不行,把胃撑坏,不知道这个比喻是否合理。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这几天天拧螺丝,手上皮都脱了  ,
谢谢 楼上楼 hotdll先生指点,
那本书中提到的选取Vz/Vor=1.4,为最优比应该以原边能量损耗小给出的(page97),本质上是以MOSFET DS耐压为依据选取的过程,
其中Vz是副边导通期间MOS Vds电压, Vor 反射电压(就这货最坏),
这种情况下,取得Vor值有一个小问题,不明白:
a. DCM或者DCM+CCM模式(轻载)时,当副边整流二极管关断后,mos Vds电压波形会是什么样的呢?
Vor > Vin_dcmin,这时会出现Vds 为负值的情况吗, mos体二极管钳位-0.7V?(这是在猜测)
另外,关于D取小于0.5的占空比,容易实现环路调整(这个坐等楼主好戏)  ,
反激可以看作是buck-boost变形对吧,
针对电压增益VO/VS 与原边MOS 导通占空比的关系可以看出大概在D=0.7左右是仍然是线性变化的过程,这个是不是也可以选取ne?
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Vz
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如果出现Vor反射电压大于最低输入电压整流后的,并且漏感和砸散电容谐振后的波谷低于0,这个时候必须加反向二极管,不至于电流反向流;但是常规我们设计的时候不会选择反射电压大于最低输入电压整流后的,偶尔会大于,但是已不能谐振波谷低于0或者接近0为好,不能倒流。
占空比大于0.5,会出现右半平面零点,需要加斜坡补偿的,这个资料网上一搜会很多,所以初学者不建议占空比D大于0.5。
反激是由buck-boost演变来的。
至于反射电压选取多少,我前面已经说过了,至于你的选取方法,我不做评价。每个人都有一套理论。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-4-26 23:33 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢楼主,之前看到很多选择Vor等于80~100V, 输入电压范围标注的是85ac~265ac, 这就很是疑惑,输入变成升高或者降低时Vor是否仍不变,
现在我理解选择Vor时:
a. 尽量控制占空比 D<0.5,此时Vor<Vin_dcmin;
b. 根据所选的控制IC允许的占空比选择一个尽可能大的占空比,此时原边电流Ipk会小一些.
另外,楼主能否在详细讲解下B的取值问题?
B值得选取在0.3以下,以铁氧体来说,与磁芯形状,功率大小关系如何呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈 DCM MOS关断的时候 为什么Vds会出现台阶了 就是红圈里面的 台阶
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚下课,所以来简单的回复一下,如果最低输入电压是85Vac,那么直流电压我们一般是85*1.2,因为后面的电解因成本问题不会太大,一般*1.2,反射电压的取舍,一般以最大占空比和MOS管耐压兼顾选取,如果Vor>85*1.2了,并不一定会出现反向流,的看具体的情况主要还是漏感和砸散电容谐振的波谷会不会振到0以下,具体看实际情况。
B值的选取,已不大于0.3为宜,但是有的可以到0.4,也不能一概而论。 反正铁氧体一般到0.48就饱和了,而且在60度左右是个最低点,高于60度,会越来越严酷,一般夏天很热,而且加上本身的磁损热,可能铁氧体到了100或100多度,这个时候就危险了,所以我们一般选取别高于0.3,当然你的看我那个表格,最后面核算后的B值,不大于0.3.
B值和磁芯的形状以及功率基本无关系,这个B值先选取一个,到最后有一个核算,以核算后的B值为准,具体见我上几楼的附件。
对了Vor反射电压,一旦砸比确定了,Vor=Vout*n,是个定值,不会随你输入电压的高低而变化的。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-4-26 23:42 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别的先不说,楼主,大半夜去上课,应该是学习吧  ,
身边总有一些,工作方面很优秀还很努力的人,这日子没法过了,  ,我摔,
如果楼主还比我们帅,只能排队去天台了.....
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈 85*1.2 那个1.2和后面的电解 有什么关系啊 为啥要*1.2了 是和后面的哪个电解有关系啊
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主建设社会主义现代化去了,
那个85*1.2是交流输入经过全波整流后滤波电容两端带载的电压结果,若空载就是1.414倍关系,因为滤波电容不是非常大,所以一般是在1.2~1.4倍关系
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 事实上,可以得到精确的整流后电压波形的最大及最小值
已知参数是输入交流电压,滤波电容容值,输入功率
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问这个有计算方式吗?输入滤波电容两端有时候会并联大电阻和小的陶瓷电容,这个有选者的依据吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有计算公式的,贴子里有专门的计算方法
并电容是减除高频纹波,一般是EMI的对策之一
加电阻是为了关机放电,现在一般是不加的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对了Vor反射电压,一旦砸比确定了,Vor=Vout*n,是个定值,不会随你输入电压的高低而变化的。 这一句是点睛之笔,解决了我的疑惑。Vout包含次级整流管压降吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 今天在从头到尾看有漏网未读信息,看到这个,版主,这个Vor是个定值,输出电压是你设置好的,输出电压怎么会变呢?在乘以咋比,就是Vor了。输出电压为定值,砸比是定值,所以Vor是定值。
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积分:102400 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你使出蛮荒之力设置好了它也会变,比如恒流、比如空载、比如短路、比如开机、比如温度、比如雷击。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我只能呵呵了,恒流/空载下反射电压是定值,短路 开机瞬态 雷击这些异常状态如果也纳入的话,那反激还咋玩啊? 版主,关于反射电压的问题,就到此吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 他这个是静态分析,兄弟不要纠结,动态分析要牵出高等数学, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 貌似不能把反激变压器看成一般的变压器,mos开通的时候,次级是不会输出能量的,只有在mos关断时次级才有电流.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是二般?呵呵。先把反激基本原理去理解透,理论搞懂了,设计反激才会知所以然。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vor=N*(Vo+Vfo),确切的加二极管的压降,定性分析的话,就是输出电压*砸比。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vor 从计算公式来看 不就是只与初次级匝比 以及输出电压有关系么???
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 弱弱的问问,你这个图片咋贴出来的,我怎么贴不出来?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我也是这个步骤,但是其他格式的只能以附件的形式附上,不能直观的看出来,我在学习英语。
不要想歪了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在变压器设计完成的情况下,反射电压是不是指反馈回路电压VF*匝比呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器定了,反射电压就定了,Vor=n*(Vo+Vd),Vo是输出电压,Vd是整流二极管正向压降;电源的最低输入电压决定了最大占空比,Dmax=Vor/(Vor+Vdcmin);电源的最大输入电压是为了选MOS的耐压,即最大输入电压下,MOS不能击穿。比如700V的MOS,留100V的余量,也就是Vdcmax+Vor+Vis<=600V,Vis是漏感尖峰电压。
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| | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,CCM模式下duty大于0.5会有次谐波震荡问题,现在一般的IC都会带有谐波补偿来消除次谐波震荡的问题,而右半平面零点在CCM模式下都会存在,和duty大小无关,而DCM模式又不会有这个现象了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,我先假设Dmax=0.45,等算出Np,Ns,n,和辅助绕组后再去重新计算Vor和Dmax。再利用新生成的Dmax算线径啊!这种方法可不合理。
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| | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还不是很明白Vor的来源根据,好像大家都有自己的取值方式! 本帖最后由 jaxon 于 2016-5-25 11:45 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实大多是根据实战得出的结论或是经验值
有的人是先假设Vor,有的人是先假设Dmax
其实都一样
当明白为何很多资料会建议Dmax=0.4-0.5,也就明白为何Vor要在80-120V之间
本质就是为了平衡初级MOS和次级DIODE的电压应力
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个公式是基于宽电网2-3uF/W 和窄电网1uF/W of PIN 的算法,你的电容取小了,按照飞兆的说法,你的是宽电网输入,电容应该取2-3UF/W,你的电容应该是32-48UF,按照这个来算,你的 VDCmin=90-104V。
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| | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大湿,在反激式多路输出的变换器方面有没有这方面的书本提供参考??求推荐。
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| | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,  。
有问题直接联系我即可,不用客气,我会抽时间解答。
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| | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主 你好,有个疑问,在你上面的表格里 d是小于0.5的krp取0.7 这个krp的取值该怎么确定呢?一直觉得d小于0.5 dcm模式下,krp=1
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 高PF和低PF的计算一样还是有区别?有区别又该怎么计算?
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 低PF值,一般是没有加PFC矫正电路的,波形见相关图片,所以只有0.5-0.6,如果加PFC矫正电路,一般PF值达到0.92以上很轻松。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 感觉Krp的选值对输入电流有效值影响不大,看我发的mathcad画的图
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 微积分推导出来的公式中含有Krp,但是这个值的选取,对最终的有效值的数值,影响小而已,看公式就能知道,开篇有计算有效值的公式。
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 我想问一下大师,为什么在CCM模式下设计反激变换器时,要用最低输入电压,满载的情况下来设计电感。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 这个问题在开始有很多人问,其实已经回答过。 反激是由buck-boost演变而来,在最低输入电压,输出满载,是最苛刻的点,主要是考核变压器的ΔB,变压器不能饱和。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 是否是这样?CCM模式Lp=Uin*Ton/△I
DCM模式为Lp=Uin*Ton/Ippk
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 你好,这个公式里Bmax验证这一步按照你上面的计算,能确定是你原来的值?依CCM模式来计算。若不加Krp的话,验证值不对吧?请指教。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 您好,对于一个变压器来讲,磁通密度B以及面积S分别应该是指什么呢,还有气隙应该是怎样设计呢?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 您好老师
请问老师,公式(6)中的Vfo不是很懂是什么量,是整流二极管压降吗?还有公式(7)中出现的Ippa与之前的Ipp是一个量吗?学生党一枚,刚接触电源不久,请老师不吝赐教。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 你好,我想请教一下,这里第一步求最大占空比,那个反压是Vor=Vin+(Vo+Vf)*N 那么匝比N 是怎么来得啊
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 选最大占空比,就是选取反射电压,这个反射电压是你自己选的,以最大占空比不超0.5为宜,当然有的为了获取大的占空比,要到0.6几,这个时候我们需要加斜坡补偿。
Vor=(Vout+Vf)*N
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 有个问题。你上面说的那个B,是△B还是峰值B?看你的公式应该是变化量吧?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 总共,您好,这个是反激式变压器CCM状态的计算公式吗?那初级线径,次级线径怎么计算?我看里面有个参数Ipp,还有个Ippa,这两个是同一个参数吗?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 从式子(2)开始,能把推导过程展示出来吗?想推导最大占空比一样。菜鸟一枚,要一步一步看才懂。谢谢哈
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 后面的式子就是梯形基本公式推到,以及法拉第电磁感应定律推导过来的式子。
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| | | |  |  | | | | | | | | 图片能看到了,楼主你来了,我兴奋呀 
但是图片上标注看不到
本帖最后由 小白he小黑 于 2016-5-4 18:57 编辑
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 真不好意思,过了个五一假期,滞后回复大家了。
刚吃饱饭,一一回复。
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| |  |  | | | | | | 老师请教您一个问题
就是大家都说输入电压最低时,应力最大
为什么呢?
非常感谢哈
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| | |  |  | | | | | | | 输出功率一定的时候,输入电压最低的时候,输入电流最大,无论是平均值,有效值,还是峰值,当然了和你取的Krp等参数有很大关系,总体趋势是这样,然后这个时候变压器磁芯最容易饱和,所以反激需要取最低输入电压,简单来说是这样,这是定性分析。 也可以这样理解,反激是有Buck-Boost演变来的,是个升压电路,既然是升压,当然是在最低输入电压的时候应力最大了。
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| | | |  |  | | | | | | | | 另外,大家都不用这么客气,什么大师之类的称呼,不敢当,我只是近我微薄之力来帮助大家。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 单级PFC兼顾一部分PFC理论,所以这个我会在另开新帖在后面PFC精讲里面讲解,包括CRM CCM等,耐心等待。
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| |  |  | | | | | | 老师你好,
请教您一个问题
如果先设置好了反射电压
那么最大占空比就已经定死了
那为何按《开关电源设计第三版》的设计方法,要先假设45%的最大占空比呢?
非常感谢哈
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| | |  |  | | | | | | | 我没读过这本书,我只能推测,占空比先假设45%,应该是这个占空比大部分选取反射电压后,都在这个值附近(宽输入电压范围例如85-264Vac)先假设也未尝不可,只是思维逆向,只要不影响计算,而且后面的计算是正确的,也是可以的。
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| |  |  | | | | | | 楼主,你126楼回复的问题,我拿到上面来请教了  ,
既然反激变压器最恶劣的条件是在最低输入电压,最大负载时,那么:
a. Kr取值的前提就该是最低输入电压条件对应的是吧?
b. 若非要任性使变换器轻载工作在DCM,重载工作在CCM,分界条件是不是选取Kr对应临界模式呢?
c. 若是变换器CCM+DCM工作,此时选取Kr值需要考虑哪些因数呢,换句话说,区分重载与轻载在变换器中需要考虑哪些因素呢?
d. Kr如下图描述,应该与楼主说的是一个参数吧  :
Kr
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| | |  |  | | | | | | | 我们设计反激变压器的点是:最低输入电压,输出满载,所以这个时候选取Krp<1,就是工作在CCM模式下,随着负载慢慢减小,肯定会有一个点为Krp=1,这个点就是CRM模式了,即临界模式,负载在减小,就是DCM模式。
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| | | |  |  | | | | | | | | 谢谢楼主,一般最大150W输出功率的反激变换器大概在多少时定义为重载与轻载的区分点呢?有没有特别的要求或者是需要考虑的因数,尤其是负载中有非线性负载存在时.这样我可以选取这个点为临界模式.
还有一个问题,因为是在最低输入电压条件下确定的临界模式,例如设备正常工作时,输入电压是Vin_dcmax,不会工作在低压范围或者仅在启动时,输入为低电压,这样变换器可能就会完全工作在DCM 模式,这种情况下,如何设定Kr呢?另外楼主你提到的一般CCM时Kr取0.6,这样对应的梯形波Ia_avg=0.43*Io, 而delta I / Ia_avg=0.86?(是不是我算错了  )
本帖最后由 小白he小黑 于 2016-5-4 22:31 编辑
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| |  |  | | | | | | 亲,请解释一下为什么最苛刻的点时输入电压最低的时候?为什么苛刻呢?会影响什么?小白刚接触反激,望大师耐心讲解
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| | |  |  | | | | | | | 反激是从Boost演变而来,是升压,压差最大的时候是输入最低的时候,简单理解是这样。
举个例子,个子矮的打篮球,投篮肯定不如个子高的,道理类似。
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| | | |  |  | | | | | | | | 反激明明是从buck-boost演变来的。。。另外,为什么压差最大就苛刻,感觉没说到点上呀。苛刻在哪里?还有,输入最小的时候谁说压差大了,很多时候明明是输入小的时候压差小。求大师不忽悠。 本帖最后由 gy200812 于 2016-9-1 14:39 编辑
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 我们说Boost,Buck-boost也好,原理是一个意思。
建议你翻看张占松的开关电源书籍,看看基础知识吧,论坛上我们是兼顾有一定基础的,希望理解。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 这样吧,比如输出是5V 2A的电源,输出功率Po为5*2=10W,假设效率为0.8,那么输入功率Pi=10/0.8=12.5W,假设PF值为0.6,那么输入电流为12.5/0.6/输入电压,所以输入电压越低,输入电流越大,相应的MOS管开关的峰值电流会越高,当然和你的Krp等等参数的选取有关,我只是定性分析,峰值电流越大,变压器就越容易饱和,一旦变压器饱和就成了空心电感,是要“炸鸡”的,不知道这么讲你是否明白,在最低输入电压下最苛刻了。
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | “这样吧,比如输出是5V 2A的电源,输出功率Po为5*2=10W,假设效率为0.8,那么输入功率Pi=10/0.8=12.5W,假设PF值为0.6,那么输入电流为12.5/0.6/输入电压,所以输入电压越低,输入电流越大,相应的MOS管开关的峰值电流会越高,当然和你的Krp等等参数的选取有关,我只是定性分析,峰值电流越大,变压器就越容易饱和,一旦变压器饱和就成了空心电感,是要“炸鸡”的,不知道这么讲你是否明白,在最低输入电压下最苛刻了。”
一口气读完以为你要表达这个意思。
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | PF值低,是由于大约在90度角左右的时候,二极管才导通,电流波形严重畸变,和电压不同步,造成的PF值低,波形示意图如下。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-9-2 14:32 编辑
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 输入电压越低,峰值电流就越大吗?我本着就事论事的态度,呵呵,没有恶意。
我以为讨论反激的设计之前应该明确是准备工作在哪种模式,如果以定频DCM为例的话。只要输入功率确定,不管输入电压大小,那么原边电流Ipeak应该是定的,因为P=0.5*L*Ipeak2*fs. 可见,这种模式下Ipeak根本和输入电压没关系。所以不能用“输入电压越小,输入电流峰值越大”来解释吧。
本帖最后由 gy200812 于 2016-9-2 17:03 编辑
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 输入电压越低,峰值电流越大是没错的。Ipk=Pin/(Vdcmin*D)+ΔI/2
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | hwx哥,我说的是定频DCM模式下,这个模式下Ipeak不随Vin变化。你说的这个公式是定频CCM模式的,并且不是反激的,我推了一下,应该是buck在CCM模式下计算Ipeak的公式。
本帖最后由 gy200812 于 2016-9-5 09:48 编辑
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 建议你先看看我的那个word文档,以及里面的公式,如果你理解这些,基本就会明白反激的设计了。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 说实话,我一直是做光伏逆变器的,呵呵,  。小的开关电源我一个都没有动手做过,  。但是所有的公式我几乎都推过,也都用仿真软件仿过。所以就是实干的经验几乎没有。
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 反激电源公式适用于DCM和CCM的Ipk=Pin/(Vdcmin*D)+ΔI/2
ΔI=K*(2*Pin)/(Vdcmin*D)
K=1时为DCM
K>1时为CCM
了解下其原理,再推导下你会明白的
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | Ipp=Iavp/[D*(1-0.5*Krp)],Ipp为输入电流峰值,Iavp为输入电流平均值,D为最大占空比,Krp为峰峰值比峰值电流,即电流波峰比。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 分解下公式。Pin/(Vdcmin)=Iin 输入平均电流 Iin/D=IL 斜波中心值
IL+ΔI/2=ipek
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 这一部分的计算公式可以看我的那个图片计算平均值 有效值 峰值那部分文档,  。
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 哥们,你这是峰值功率,你没有搞清楚平均功率和峰值功率。
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| |  |  | | | | | | 大师您好!能说说后面两个公式怎么推出来的,或者那本书上有详细的推导过程,谢谢!
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| |  |  | | | | | | 高手你好!看了您发的帖子很受用。我现在在做一个5V2A、PSR、ACDC,有一些问题想请教一下,望不吝赐教。1.开关电源系统的工作频率选多大合适呢,因为计算变压器的时候会用到。网上有的说65KHz比较合适,单芯片规格书上最大支持100KHz,有什么限制因素吗?
2.变压器计算的时候初级匝数有个公式Np=Vinmin*Tonmax/(Ae*deltaB),
这个公式中Ae指的是哪个值呢?deltaB我看网上有的说0.2~0.3T,有的说0.1~0.25T该如何取值呢?
在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢?3.变压器计算的时候初级匝数有个公式Np=Vinmin*Tonmax/(Ae*deltaB),
这个公式中Ae指的是哪个值呢?deltaB我看网上有的说0.2~0.3T,有的说0.1~0.25T该如何取值呢?
在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢? |
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| | |  |  | | | | | | | 年会刚回来,明天回家,提前祝大家春节快乐!
1.关于B值得问题,以严格状态下,不超0.3为宜,当然也不能一概而论,还是具体问题具体分析,比如你的环境条件等等。
2.65K的频率开关损耗会小很多,但变压器的体积会大一些,频率高了开关损耗会大,但变压器的体积会小,这个还是折中的问题,以及一些其他的差别。
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| | | |  |  | | | | | | | | 在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 你这个式子,不清楚是怎么来的。
如果是变压器磁芯选定了(Ae定值),初级匝数的多少直接反映你所选deltaB的大小,是个反比关系,匝数越少,B值所选越大,磁损会增加,铜损减小,磁芯会在短路时容易出现饱和情况,常规我们一般核算后不要超过0.3,如果匝数越多,B值所选越小,磁损减小,铜损增加,磁芯不容易饱和,但是有的时候变压器会绕的很慢,而不得已“压件”。这两个有个交叉点,为最低损耗……
单独讨论Np影响变压器或电源系统啥特性,感觉这个问题很模糊……
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| |  |  | | | | | | 菜鸟问下,你这里最大占空比Dmax=VOR/(VS+VOR)=TON/(TON+TOFF) 这里的TON+TOFF不一定等于T啊,在断续模式这个小于T吧。 |
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| |  |  | | | | | | 想问一下这个原边感应电压是不是就是反射电压?如果是为什么你在这里称呼它为原边感应电压??
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| | |  |  | | | | | | | 对于初级电感单独作为研究来说,我们就说是原边感应电压,对于整个变压器来说,这个原边感应电压就是副边的反射电压,即Vor=N*(V0+Vf),分别为反射电压,匝比,输出电压,输出二极管压降。
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| |  |  | | | | | | 楼主Krp 和 峰峰值,峰值不是一个概念。Krp=△I/IL,也叫纹波系数,三哥认为对于CCM模式,取0.4最佳,但是在飞兆的设计里认为0.2最佳。Krp=1,(for DCM);Krp=2,(for BCM);Krp<1,(for CCM);Krp>2,(for FCCM)
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| |  |  | | | | | | 老师,你好,请教一下这里的Ton为什么能用D来代替,Toff为什么能用1-D来代替,还请不吝赐教。谢谢 |
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| |  |  | | | | | | 大师 请问 反射电压怎么选?是经验还是百分比? 谢谢!
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| | |  |  | | | | | | | 反射电压我楼上有讲到,可以参考。
初学者,对于输入宽范围85~264Vac的电源,选取反射电压就是选取最大占空比,以选取的反射电压占空比不大于0.5为宜,如果是有经验的可以设置到0.6几都可以,兼顾MOS管的耐压等等因素。
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| |  |  | | | | | | 老师你好
刚接触反激电源这一块,有些基础的东西不是太理解,跟你请教一下。
看你这边的讲解和其他资料上的原边电流波形都会看到:在开关管开通的时刻,MOS或者变压器原边有一个初始电流,MOS关断时电流为0。
我理解的是,在MOS开通时,因为原边作为一个电感,此时的电流不能突变,电流会是从0线性上升,而不是有一个初始电流。
以上疑惑,希望能帮我解答,谢谢!
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| | |  |  | | | | | | | 这个要看你是工作在CCM模式还是DCM模式。
拿CCM模式为例:当MOS管开通瞬间,其实是副边的二极管关断瞬间,副边的电流是从“某个值直线下降到0”,所以倒影到原边的时候,电流是“从0直线越到某个初始值的”,这样不知道你是不是理解。(你可能存在某些疑问,需要理解对于单个电感磁通不能突变进而电流是不能突变,而对于变压器你理解为互感或者多个电感来说其实它是满足安匝不能突变)
DCM就好说了,原边电流都是从0开始以一定的斜率上升到某个值。
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| | | |  |  | | | | | | | | 非常感谢,是我的想法先入为主了。从磁通不能突变去理解就很容易想通了
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| | | |  |  | | | | | | | | 你举的例子应该是临界模式的情况,实际上在CCM模式下面,不管是原边还是副边,电流都不是从0开始的。在MOS动作瞬间,两侧的电流应该满足N1*i1=N2*i2的关系(忽略漏感)。我这样理解对吗?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 建议你先买本电源书,然后先从基础学起,慢慢的去理解会好一些。
如果一股脑的去给你灌输,你最终还是不理解,每个人都有这个阶段。
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| |  |  | | | | | | Vor的能量是由谁产生的,是因为MOS管开通时初级传递给次级的能量,关断时,次级的漏感感应过来的电压吗?
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| | |  |  | | | | | | | Vor为反射电压,等于(输出电压+输出二极管压降)*匝比
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| |  |  | | | | | | @ xueyiranpiao, krp 是峰峰值还是?是定义为Vpk 与平均值的比值呢?方程没有看到。
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| |  |  | | | | | | 大师您好!小弟想请教您几个问题,希望您能解惑一下。谢谢!
1.计算交流转换成直流输入电压的时候为什么我看见有很多人都用Vac*1.414的,而也有的人像您这样是Vac*1.2倍的计算来的。这个到底是用1.414倍精确点还是用1.2倍来计算精确点呢?
2.原边电流下降公式I=Vor*Toff/L,公式中的L指的是原边的电感量还是副边的电感量呢?
3.计算原边的平均电流、峰值电流、有效值电流的这几条公式都适用于DCM、CCM和BCM工作模式的电路吗??
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 |  | | | | 第一次登陆,怎么看这个精讲反激电源,在哪呢,是下面的评论里……  |
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|  |  | | | | | 请教老师:在第一的那个反射电压中讲的,最大占空比是临界状态时的占空比么。那断续和连续时的该如何计算呢?
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| |  |  | | | | | | 我这方面确实是小白,可能问的问题相对各位有点简单。开关管关断时,此时原边电感电流最大时,那后面的电流的流向哪了?是钳位电路么?还是通过变压器传递到了副边。如果是传递到了副边那这个公式I=Vor*Toff/L又是怎么回事呢?
本帖最后由 fhpdxgd 于 2016-4-23 16:12 编辑
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| | |  |  | | | | | | | 这是两个问题点:
先简单说一下,反激就如同一个水缸,先把水缸注满水,然后把水缸的水倒出;即MOS管开通的能量储存在,分两派,一派是储存在变压器气隙里面,很多资料讲过论证过程,貌似有道理,另一派是针对能量储存在气隙里面的反对派,说能量还是储存在电感里面,我们无需纠结到底存在哪里,不过我们从初中学习电感储存能,我们先认为MOS管开通时储存在电感里面,MOS管一管断,这部分能量会绝大部分耦合到次级,极少部分漏感能量丢失,所以反激要控制漏感,并且,在MOS管管断时,在MOS管D极,漏感和砸散电容谐振,引起的尖峰很高,如果没有吸收电路或者MOS管耐压低,极有可能会击穿MOS管,回归正传,MOS管管断后,能量耦合到次级,次级释能。
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| | | |  |  | | | | | | | | 反激,能量的呑吐是交替的,负载吃的,是电感吐的,电感吃得少,负载得到的也少,这很合理,但是,电感吃得愈久,吐的时间就愈少,负载得到的也多不到哪儿去,这就是『右半平面零点』现像的缘由,大概是这样吧?
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 我们可以用伏秒积的模式来理解,就是MOS管开通的那段时间*V=MOS管关断那段时间*V,当然两个V是不同的,看面积,这两个参数的乘积面积始终想等。
反激在MOS管开通这段时间内,完全靠次级储能电容来提供负载能量,至于右半平面零点的出现,传递函数中分子的一个部分,零点为正,所以叫右半平面零点,(如果在左边的话为负),我高数以及数字信号处理学的不怎么好,所以在建模以及传递函数方面爱莫能助。
环路这部分,我都是实际测试,不是理论计算,就算是理论计算完毕,最终得到的补偿参数和实际值大相径庭,我是实干家,不是理论家,  。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 向实干家致敬。
能否介绍下反激电源是怎样实战来确定环路稳定的,从示波器波形 负载动态,还是其他的什么办法呢???谢谢!!
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 在不同的输入电压不同负载下,如果听到很尖的叫声(变压器叫),一般会是环路不稳造成,可以示波器交流档,测试输出看是否有次谐波,然后测试频率是多少,一般是环路太快导致。
解决办法:如果是修改431补偿的话,一般把电阻减小,或者电容增大都能很好的改善,光耦4脚对地电容加大也可以改善。
一般取值:431补偿,电阻串联电容型,电阻在1K-几十K取值,电容一般473-225取值,光耦4脚对地电容152-104取值。根据不同的情况调试最佳状态。
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 谢谢你的回复,现在刚好遇到另外一个问题,是一个充电器,输出5V 5.4A,在空载或者轻载时有较大音频噪音,带负载0.05A就没有的,在整个输入电压段,和大于0.05A的电流段,都不在有声音。怀疑是IC的绿色模式跳频引起。对于这样的空载(轻载)声音,应该通过修改哪些地方减小噪音。再次表示感谢。
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 如果是进入BURST模式的这种芯片,频率已经进入到人耳能听到了,发声一般是变压器发声,中柱点软胶,然后浸漆多浸一些,一般可以解决。
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 高工,您好,看到补偿这块有个问题向您请教一下,TL431那的PI补偿那个电容(即环路补偿那的电容)加大,往往更容易稳定,小弟的觉得是不是这个电容会增加稳定余量,降低动态性能呢?从您回复中,将与电容串联的那个电阻减小也能改善,降低电阻也会增加余量吗?问题比较基础,您给回复一下,谢谢
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | TL431的补偿有I II III种类型,常见的是II型补偿,即一个电容//电阻串联电容,去看II型补偿的传函,我里面有讲到,如果看式子分析不好分析,可以实际自己动手试试,电阻加大或者电容减小,环路会变快,电阻减小或者电容增大,环路变慢,单独并联的电容,修改数值不太明显。
网上II型补偿,很多资料,最好是看一些国外的资料,很多资料翻译成中文,会引起人的误导,英文不行就google翻译。
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 如果把光耦第四脚对地的电容加大,那响应速度变慢后对各种短路过流保护机制是不是有影响。此电容一般取多少范围合适。
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| | | |  |  | | | | | | | | 楼上说的另一派,是觉得漏感值很小,电感值相比很大,才是储能的主力军吧。 |
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 关于派系就不纠结了吧,哈哈,因为这些都是人眼看不见,也是摸不着的。 就像电流是从正流向负,只是人为规定。
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| | |  |  | | | | | | | 反激的伏秒积平衡,V*T=L*I,即Vs*Ton=L*I(上升),Vor*Toff=L*I(下降),在一个周期里面,I(上升)=I(下降)。
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| | | |  |  | | | | | | | | 那个这Vor就应该不只是有反射电压了吧,应该是反射电压再再上Vs之和吧?我是这么觉得的,不知道对不对。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 不对,我想明白了,应该就是Vor。谢谢前辈啦,我差不多明白这点了。但是如果有原边电感的电流的周期内变化状态图和副边电流变化状态图对比就更清晰些了。因为关断时钳位电路也会导通,这时也会有电流,我开始有点弄混淆了。呵呵,谢谢啦  |
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| |  |  | | | | | | 那个是CCM模式下的,宽范围输入电压的一般都是CCM模式,窄范围的,有极少设计者选择DCM,即Krp>1,查看Krp的定义,上面有讲解,不明白的话我在具体回答。
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| |  |  | | | | | | CCM CRM DCM定义是:
Krp<1,CCM模式,Krp=1,CRM模式,Krp>1,DCM模式。
计算按照我的那个表格计算就好了,如果想叫电源工作在CCM模式下,Krp<1即可,即我们定义是这样定义的;如果不想叫它工作在CCM可以选取Krp>1,工作在DCM模式下。
关于什么时候设计Krp<1什么时候>1,一般情况下宽范围输入的时候Krp<1,如85-264Vac,窄范围Krp可以设计在Krp>1,如176-264Vac。
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| | |  |  | | | | | | | 您好,请问一下,我是要设计一款15V转150V(就是直流转直流)的反激电源,那么其中所用到的反激变压器也可以按照你所说的设计方法进行设计吗?
期待您的回复,谢谢。。。
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| | | |  |  | | | | | | | | 是滴,可以,不好意思,帖子太长了,有时会遗漏,已经站内回复你了。
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| | |  |  | | | | | | | 大师您好!为什么你说的跟我看到的这份资料的有点不一样呢?
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|  |  | | | | | 这个反激电源的讲解,是分块讲解的,先讲变压器的设计,后面会讲解,防雷、EMI滤波、吸收电路、整流滤波、控制IC、反馈环路以及保护电路等等等等。
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| |  |  | | | | | | 从明天开始会陆续增加其他部分,先讲防雷和浪涌部分。
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| | |  |  | | | | | | | 本人觉得楼主有关:1 :变压器的存储能量及释放过程。圈数很少初级线圈相当是电感,电流不能突变。。。。等等有关开关管动作形成的电流变化过程的观点是根本站不住脚的,无法用实验证实的。并且原边电流波形图也看不见!电工学原理:一个变压器存储的无功电能只能向上级变压器线圈释放。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-25 17:30 编辑
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 你这个图不对,整流后没有滤波电解电容,所以那个波形是“馒头”,正常加滤波电解电容,是个有纹波的直流电压(或者你从saber软件里面直接放直流电压源),后面仿真的波形就都不对了。
回家给你个saber的3842的反激图,你仿真下吧。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 这个图应该是我2011年玩saber的时候画的,仿真的是整个反激电源的,如果电脑速度够快,可以把穿越频率 相位裕度都仿真出来。
有什么问题随时沟通。
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| | | |  |  | | | | | | | | 我画了图,打印成了PDF格式了,手工画的,不是很工整,可以下载看看具体的波形,这个波形是理想的波形,如果画实际的,太费时间了。
贴出波形来了
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 20:55 编辑
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 画出电源工作的输入波形图没有什么必要,因为电路元器件参数设计和输出负载不同,电源可能工作在开路、轻载、重载、过载保护等等不同状态下。不存在什么理想波形。一种电源的输入、输出特性都是个体化的。所以实际测试电源的电流特性用来了解电源的工作过程的可信度才高。比如用示波器用最小的负载效应介入电源回路获取电压电流坐标来解释电源工作原理,
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 想要实际波形,我回去给你整套的白盒测试波形,你说的这些只是冰山一角。
我上面的理想的波形,是个示意图,只是用来说明问题的,并不是其他用途。
如果讨论技术,我双手欢迎,但是我现在不是很明白你的具体目的,你具体想学习反激的设计,或者来讨论技术,还是其他目的?
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 当然是讨论技术。我的问题是AC-DC电源。AC-DC普遍性的情况输入电流的脉宽是多少ms。输出电阻在什么范围下电源进入保护状态。什么电阻范围处于截止状态?这几个基本问题弄清楚再讨论问题就不会错。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-27 10:09 编辑
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 还有为什么AC85V, 开关电源开始启动。电源在供电85V--260V范围内。输出为什么是一样的。工作原理是什么?波形如何?这是讨论技术问题的关键点。
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 史厂长?
现在不都叫CEO或者CTO吗, 公司公司老板也有时间关注论坛, 
中午休息聊一句,
还是好好开整吧。
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 回复在下面,我开贴是为真正想设计开关电源的人而开贴,其他人员请绕行,谢谢。
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 日本电压是110Vac 美国是120Vac民用 工业是277Vac 欧洲是230Vac,如果不考虑美工工业电,那么85-264Vac是宽范围电压的通用范围,输出为什么一样,工作原理,我楼上已经讲了,去看变压器的设计,以及我发的附件公式,和遍的表格,波形链接也给了你,你不看我没有办法。
建议你先看看开关电源的设计以及工作原理,推荐书籍 张占松的书。
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