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【会议资料】西安龙腾-陈桥梁 功率MOSFET对开关电源EMI影响分析

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世纪电源网帅帅
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高级工程师
  • 2017-1-6 13:10:39
2016年12月17日,由世纪电源网主办的第七届千人大会·高性能电源技术分享与实战技术研讨会在深圳马哥孛罗好日子酒店圆满落下帷幕,在此感谢广东省电源学会对本次会议的大力支持!
世纪电源网已连续七年在深圳成功举办“高性能电源技术分享与实战技术研讨会”,每年超过1000名工程师参会。本届会议汇聚多位业内知名专家、千名电源业内工程师,共计人数超过1300人。在本次会议上,来自西安龙腾的陈桥梁先生为工程师们分享了MOS管对EMI的影响,参会工程师们认真听讲直到会议结束,全场座无虚席!

基本内容
•MOSFET的关键动态参数解读
•MOSFET开关瞬态过程分析
•MOSFET外围电路对EMI源特性影响分析

资料下载
2.西安龙腾-陈桥梁:2016-12-17-功率MOSFET对开关电源EMI影响分析(print).pdf.pdf (2.4 MB, 下载次数: 962)
额滴神呐
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  • 2017-1-19 09:59:09
 
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wy3090100854
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djy2018
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谢谢
peterai
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  • 2019-2-27 14:03:22
 
IPA60R099P6

fyttad
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爱电源的小青年
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本网技师
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xue111000536
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多谢分享,下载学习下
shtjsd
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  • 2020-6-27 23:12:55
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feng04329
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  • 2020-6-29 23:19:39
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很好的学习资料,感谢楼主的分享,大家共同进步。
kanxingdeqingwa
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高级工程师
  • 2021-1-28 22:25:40
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duoxie分享。。。。
fyttad
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流水阐心
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PNWZDL
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caomaomao
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