| | | | | 只要变压器绕得下,且不饱和,
就可以,B变压器温度肯定高些
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| | | | | | | 也就是说半桥下变压器的利用率和全桥是一样的(除了半桥下磁芯铁损厉害一些之外)?不是说全桥拓扑比半桥具有更高的利用率吗?
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| | | | | 大致做了下计算,不晓得对不对:
假设HB-LLC所有的参数下标H,FB-LLC所有的参数下标F。 要保证设计参数一致,即Ln一致,Q一致
计算过程和结果不知道对不对结果却发现,峰值磁通密度居然没变,变的只是全桥LLC相对于半桥LLC原边匝数增大一倍,但谐振电流减小一半,那么线径可以减小
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| | | | | | | 计算没有那么复杂吧,对变压器来说全桥和半桥都是双向工作模式,差别只是一次侧秒伏数全桥比半桥大一倍,那么要保证相同的工作磁密一次侧匝数就要增加一倍。一次侧电流虽然小了但圈数增加了结果是欧姆损耗几乎一样,另外圈数增加导致电感量指数地增大,磁芯可能需要更大的气息,涡流损耗增加。不管是铁损和铜损,全桥都不见得比半桥更有优势,所以想问一下楼主,变压器利用率一说,又是什么原理呢? |
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| | | | | | | | | 一直有个疑问:对于LLC的变压器,由于是磁集成,有两个磁通密度B,一个是变压器的的B值,另外一个是谐振电感的B值,计算B值以哪个为准?假设LLC的工作在串联谐振区域,如果按照变压器的B值来设计LLC变压器,那么我负载无穷大或者很大变压器也不饱和?
我的理解不晓得对不对:谐振电流包括两部分,一部分是励磁电流,一部分是负载折算电流,而励磁电流部分的B值也就是理想变压器的B值,按照谐振电感和谐振电流参数计算其B值是最合理的
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| | | | | | | | | 这个说法我也是在一本资料上面貌似见过,我当时也是很疑惑,并且一直都没有可以折服的说法说服自己,所以只好将这个问题来请教一下大家
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