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| | | | | | | 现在TI与很多DC-DC的降压、升压之类的单片集成的芯片,是不是可以理解这样一个片上系统加上外围的电容、电感、电阻就可以完全代替早些年的开关电源呢?
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| | | | | | | 单管电压等级高,导通内阻大,损耗大。而采用双管,可以采用电压等级低,导通内阻更小,导通电流大。
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| | | | | | | | | 请问电压“等级高”是什么意思?双管是如何将内阻减少的?
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| | | | | | | | | | | 单管就要承受全部的输入电压,采用双管,一个管子就只承受一半的输入电压。MOSFET的内阻与耐压成正比,耐压越高,内阻越大。 评分查看全部评分
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| | | | | 这几年压力大一直在忙,很少上线。这种状态在持续中。所以回复不能及时,请见凉
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| | | | | 输入电压范围很宽比如AC65-265V,输出几十瓦,一般就考虑用反激来实现了。 |
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| | | | | 输入电压还可以再举出大约范围,根据设计过的不同拓扑案例
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| | | | | | | 理论上可以有无限范围,但受各种器件影响受到很大限制。前些时间看到有网友在做输入25-900V,范围大了难度成本都会越来越难以接受
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| | | | | | | 很多小功率的DCDC模块是采用RCC实现的,也就1W左右那么小的功率
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| | | | | 双管反激功率比单管大的原因为,单管反激由RCD吸收电路,吸收功率随设计功率的变大而变大;
双管反激采用二极管钳位电路,能量反馈给母线,故功率可以大些。 |
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| | | | | 表格把双管反激范围搞到最宽,这个不太合适吧。双管反激反射电压也最大为输入的一半,范围还是很受限制的。
就实际使用而言,双管反激用的比较少,还是dcm比较合适,ccm的时候,还是有比较强的反向恢复和尖峰(个人使用经验而言)。
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| | | | | | | 常规设计双管反激反射电压不能超过母线电压,否则有炸机风险。由于这个原因限制了输入电压范围。
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| | | | | 不明白为什么双管的EMI要好于单管,因为没有反射电压,峰值电压低嘛?
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| | | | | 楼主每个拓扑都配上原理图和时序图对着图说他的优劣点会更加直观 |
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| | | | | 我非常好奇,一些涉及复杂度之类的数据是怎么统计出来的呀?
比如总成本比,楼主你拿各自完整的BOM核算过了吗?
总成本比 1 1.3 1.3 1.6 1.9 1.7 2
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| | | | | | | 这也就是经验值大概估的吧,谁有那个闲空去搞个真机,然后出BOM,然后再对比性能和成本。
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| | | | | | | | | 嗯嗯,我个人的意思是,如果是估算的话,就没必要给出这么精确的数字吧。哈哈。使用一些等级比较的词语就好,比如非常高、很高、高、一般、低,这些有层次感的词语就好嘛。
对工程师来说,数字应该是很敏感的吧。
个人想法,不喜勿喷。
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| | | | | | | | | | | 既然说是经验值,就仅供参考了,没有必要太较真。
每个人的经验值还不一样呢。
给这样的数字呢,估计也是为了有个比例关系吧。
如果只是打个 A,B,C,D 的话,那有可能不知A和B差多少。
是只差10%呢,还是差个50%,甚至 100% 。
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| | | | | | | | | 呵呵 就算是这样比也比不出。每个技术人员做出来的结果差距都比较大。我这些成本也是基于我本人的一些经验列出来的,只给大家参考用
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| | | | | 推挽的针对低压输入的,一般低压输入范围多少比较合适?
实现输入DC150V-375V,输出50V2A有点难度吧
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| | | | | | | | | | | 推挽,比如13.5V输出,功率最大一般能不能做到800W甚至以上。
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| | | | | | | | | 输出电压高的可以用反激,成本比较好控制。输出电压低的还是正激好,纹波好控制,效率也好整些
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| | | | | | | DC150-375/50V2A不建议用推挽,800V以上的管子成本没优势,正激反激都可以
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| | | | | | | 大家不好意思,本来后续还有很多话题。但实在是太忙了,做实业真的很累,还不赚钱
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