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 |  | | | | 趁PCB板还没到，先把变压器绕一下，准备工具，胶带、小刀、骨架、自制骨架模具
我绕变压器一般先不计算，直接上，看初级一层能绕多少圈，次级一层能绕多少圈，确定后再反推变压器参数
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|  | | | | | | 准备绕变压器，
初级：0.24mm的漆包线绕满一层为：30Ts，那么三层就是90Ts
次级：0.5mm的三层绝缘线一层可以绕6Ts，那么算下来匝比是15，ME8329这个芯片带QR功能，所以匝比适当提高
so，次级减小1Ts，改为5Ts，初级考虑到生产，初级减小到87Ts，最终匝比为：17.4
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| | | | | | | | | 次级用的是4根0.5的线，整体变压器绕完后，绕的有点紧
推算了一下电感量，临界模式为1.05mH，DCM模式为1.1mm，先磨个1.2mm后面看情况微调
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| | | | | | | | | | | 1.问下楼主那个ME8514 3脚要接哪里？ 是不是直接接输出端Vout+
2.ME8329 1脚那个VDD不加限流电阻，启动的时候会不会容易烧坏，还是芯片本身自带软启动？
3.Q7用什么型号，最近老想找点便宜的同步整流管子，找不到。
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| | | | |  | | | | | | | | 1.问下楼主那个ME8514 3脚要接哪里？ 是不是直接接输出端Vout+
答：对，3脚接Vout+
2.ME8329 1脚那个VDD不加限流电阻，启动的时候会不会容易烧坏，还是芯片本身自带软启动？
答：可以不加限流电阻，启动不会烧坏，芯片本身有带软启动功能
3.Q7用什么型号，最近老想找点便宜的同步整流管子，找不到。
答：Q7目前用的是NCE6012AS 60V/12A，或者S6040 60V/18A，后者效率稍高一点点，可以找耐压45V的
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| | | | | 上电看了一下，效率只有88.8%，估计是同步的MOS用小了，现在用的是12A60V的，打算找个18A的看下
另外观察了一下波波，发现开关频率偏低，看来整机参数还需要调整
黄色是同步驱动波形，绿色是高压MOS的Vds波形
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| | | | | | | | | 先将就着调试先，后面变压器还要再优化，那个震荡主要部分还是漏感引起 |
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| | | | | | | | | | | 变压器要不要三明治，整层绕，这样漏感小一点。加个屏遮铜箔试下，效果挺明显的。
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| | | | | | | | | | | | | 已经是三明治了，估计是我每层用一了层胶带隔离，用来减小寄生电容，目的是为了减小开通瞬间的电流尖峰，
没想到暴露出了漏感大的问题
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| | | | | 同步的MOS改大了一点，用18A的，效率提升到了89.37%，距离目标效率还差很远，可能要动变压器了
微调了一下CS电阻，开关频率变化不大
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| | | | | | | 接下来再绕一个变压器，调整匝比，上面测试数据的匝比是17.4，打算改为14.5，对比看看效率有什么差异
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| | | | | | | | | 小白 想请问大佬 ，变压器是有什么公式 来确定匝数，和电感量的吗
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| | | | | | | | | | | 原来变压器漏感是33uH，变压器优化后降低到24uH
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| | | | | | | | | 变压器，这是最关键的点，请问匝数由87：5 改为多少了？ 次级还是0.5的4根并绕5圈吧，是把初级线径放粗，圈数减少了吧了吗？
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| | | | | | | | | RCD 换成TVS，能不能能不能加点效率？省点热损耗。空间太小普通散热器可能不能用。散热可以定制散热器，或者自己割点铝板用硅胶粘下。问下工友版主
1.ME8329的启动电阻 R1 取多少？
2.ME8411 的旁路电阻 Rd1 取多少？
3.那个R13和R14要多少？
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| | | | | | | | | | | 1. 启动电阻2M+2M 1206贴片电阻
2.8415的Rd1取10K
3.R13和R14通过计算分压值在2.7V左右，上拉47K，下拉56K
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| | | | | | | | | | | 关于主控芯片的温度问题，我得去某宝买个测试温度的来测测
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| | | | | | | | | 是吗，这140度是怎么计算的  ，这芯片热阻是74度/W
好好算算
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| | | | | | | | | | | 感觉这电路的瓶颈还是变压器上，变压器弄好了，主控芯片的温度自然会降下来和稳定。
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| | | | | | | | | | | | | 打算把效率提高到91%，同步的MOS还能用好一点的。但是成本压在这不敢动
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| | | | | | | | | | | | | 集成内置mos芯片温度一般都不低，不过10W左右温度还是可以接受，没做过20W。那个微盟芯片me8329网上找不到datesheet.20W这种长时间运行真怕烧芯片。一般充电要1小时左右。
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| | | | | | | | | | | | | | | 抓了几张波形图，得到了以下参数：
T：19.35uS（图P15）
T：19.35uS（图P15）
Ton：3.7uS（图P16）
Ton：3.7uS（图P16）
Vcs：0.614V（图P17）
Vcs：0.614V（图P17）
Fs：51.9KHz（图P18）
Fs：51.9KHz（图P18）
tr：110nS（图P19）
tr：110nS（图P19）
tf：84nS（图P20）
tf：84nS（图P20）
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芯片导通损耗计算：
Pton=Ids_rms^2*Rds_on
=0.2A^2*3R=0.12W
其中：
Ipk=Vcs/Rcs
=0.614V/0.774R
=0.793A PCB上的Rcs用的是1.6R和1.5R并联
Ids_rms=Ipk*sqrt(D/3)
=0.793*sqrt(D/3)
=0.2A 其中D=Ton/T=3.7/19.35=0.1912
芯片开通损耗计算：
开通损耗非常小，可忽略不计
芯片关断损耗计算：
Prf=0.5*Vds_pk*Ids_pk*tf/T
=0.5*503*0.793*84*10^-9/19.35*10^-6
=0.866W
芯片总损耗=0.12W+0.866W=0.986W
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那个Vcs波形震荡是示波器探头导致的，不是真实的震荡
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 芯片内阻：74度/W
环境温度25度时，芯片的温度为97.9度，环境温度40度时，芯片的温度为112.9度
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 示波器头焊接一个小的空心线圈，可以改善很多问题。 我记得上大学的示波器头都是这样，后来才明白怎么回事。 几圈就够了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是在探棒的负极夹子线上穿一个空心磁环吗，我到时试试看
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| | | | | | | | | 有空PCB，包括小板PCB都有，要的可以联系我，免费的哦
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| | | | | 找了个TYPE-C接口的手机，C口能正确识别并充电，很快就充满了
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| | | | | | | | | ME9804就是握手协议，但是没有PD协议，不能支持PD快充，只能输出5V/3A最大的充电电流
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| | | | | 研究了一下同步整流的相关波形，如下两张图是在115V空载状态下的测试结果
可以看到每间隔2.68mS一个脉冲，频率373HZ
展开后，
C1黄线（同步MOS的Vgs）
C2红线（同步MOS的Vds）
C3蓝线（同步的Vdet脚）
C4绿线（一次侧MOS的Vds）
从波形可以看到，低于蓝线台阶电位不会打开同步驱动，从而判断出这是同步MOS检测机制之一
从另一个现象可以反映出，空载期间同步MOS驱动次数越多，产生的损耗越多，从而导致待机功耗也高。而这个震荡波形跟同步MOS的Vds基本一致，所以需要尽可能的减小这一个震荡，最好尽可能的使同步在空载或轻载的情况下关闭同步驱动
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| | | | | | | 以下两张图为230Vac输入测试的结果
C1黄线（同步MOS的Vgs）
C2红线（同步MOS的Vds）
C3蓝线（同步的Vdet脚）
C4绿线（一次侧MOS的Vds）
展开后，可以看到在高压时Vdet台阶只有一个，另外高压情况同步的驱动导通时间比低压的要大很多，所以在高压时驱动损耗加重
这个需要尽可能的使这个驱动消失（黄线），从而可以提升待机功耗。
跟低压一样，也是2.68mS一个周期，所以有很大的待机功耗优化空间
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高压230Vac满载5V/4A
C1黄线（同步MOS的Vgs）
C2红线（同步MOS的Vds）
C3蓝线（同步的Vdet脚）
C4绿线（一次侧MOS的Vds）
同步MOS驱动开通死区时间840nS，在一次侧MOS关断期间内，由同步MOS的体二极管提供能量
可以看到Vdet检测电压到零后，延迟一段时间驱动打开，从一次侧MOS关断到同步MOS开通死区时间是840nS，提供了一个安全期，防止一次侧MOS还未关断就打开同步MOS，有效避免共通现象
在一次侧MOS即将导通时，同步驱动提前关断，从波形中未能看出关断检测机制，这个还请各网友帮忙解释一下。
同步MOS关断期间内，由体内二极管提供能量，直到一次测MOS导通，这段死区时间为1.76uS，也是提供了一个非常安全时间，防止一次侧MOS导通时，同步MOS还未关断，有效避免共通现象造成炸机风险。
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| | | | | 温升数据出来了，220V输入 的温升和计算出来的结果相差不大
ME8329芯片的温度78.9度 。
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| | | | | | | OCP 4.3A 起机电流4.25A，低压效率88.1，要比高压低1个多点
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| | | | | | | | | 变压器，这是最关键的点，请问匝数由87：5 改为多少了？ 次级还是0.5的4根并绕5圈吧，是把初级线径放粗，圈数减少了吧了吗？
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| | | | | | | 看71楼的温度测试数据，5V/4A老化2个小时，芯片温度79度不到
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| | | | | 低成本，高性价比的充电器，不知道稳定性可靠性如何呢？
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| | | | | 楼主人呢，最近刚好要做一个A+C的充电器，和这个类似 |
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这个AE值挺大的，效率也高
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