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| | | | | | | | | mos管关断瞬时间漏感所产生的电感电流会在DS之间产生一高压,此高压有可能将管子击穿。通过吸收回路,可以将此电流分流。降低Vds的电压峰值,同时保护管子。 |
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| | | | | | | | | | | 还有,我看你的D3阴极现在是连到中间下面的mos管,应该连到最右边的mos管的吧。 |
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| | | | | 我觉得就从电容特性来理解吧,本来RC串联就是用来选频的,就是把一部分不需要用的干扰波给过滤掉的
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| | | | | | | | | 我觉得前面是电感,高频开关关断的电压尖峰通过RCD来限制VDS保护上桥臂的管子。 |
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| | | | | 个人感觉电容的作用是应对电路中的高的dv/dt的(吸收电压尖峰),电阻的作用就是限制电流的防止TVS管由于电流过大而烧毁,但是还是有一个疑问,这个防护电路应该在驱动桥臂和地之间也应该有相同的电路,这样可以完全避免下桥臂开关引起的高的dv/dt。
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| | | | | 你的电路画错了吧,这种吸收没有多大用处(开机瞬间一次有用),电容没有处放电,相当于没有用.
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| | | | | 这种电容和电阻一起和管子并联的就是吸收的,抑制关端电压尖峰
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| | | | | 当IGBT关断时,电流迅速减小,回路中的电感却不允许电流突变,将会在寄生电感上产生一个叠加电源电压的尖峰电压试图阻碍电流突变,这个尖峰电压很容易击穿IGBT或者其他开关管,于是在IGBT上并联一组阻容吸收,至于串联一个二极管,是因为我们只需要吸收正向尖峰电压,igbt因为有反并联二极管是不承受反向电压尖峰的.
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