 |  | | | | 第一张是没有加的，第二张三张是一样的，加了负压驱动。
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| | | | | 如果楼主线路没有错误的话 或许负载过大或后级输出功率欠佳可能会造成这种情况
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| | | | | Mosfet加负压驱动，就相当于驱动加了快速关断。
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|  | | | | 这个不出奇，设MOS内的gate resistor =Rg，驱动电阻=Rdr，gate 极测量得的平台电压Vm1实际上是真正的平台电压Vm经由这两个电阻的分压。
假设负驱电压= -Vdr，Vm1 的变化 = -Vdr*(Rdr/Rgg -1) 。 Rgg=Rdr+Rg.
一般没负驱时，On和Off的平台都不一样，On的高，Off的低。
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 | | | | | 我同意3楼的观点，你的仿真不准，MOS电容设置合理么？有没有负压时的驱动电流大小一致么？
说驱动电阻影响的，我不同意，驱动电阻的阻抗和输入电容的阻抗没有可比性，在输入电容的阻抗面前，栅驱动电阻的影响可以忽略。
另外，米勒平台的电压肯定高于阈值电压呀，这是一定的，阈值电压的定义可是沟道电流尚处于很小值的时候哟。
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