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薄膜电容器

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1
呼呼
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本网技工
  • 2019-4-9 14:09:27
10问答币
IGBT吸收电容:
在BDV击穿后测试对比前后数据,有如下疑问:
1.有一个产品损耗变大,容量也变大?
2.击穿为什么会影响绝缘电阻IR?
3.有产品绝缘电阻变小,但是其他参数都正常,这算正常的击穿吗?为什么呢?
tini1234
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副总工程师
  • 2019-4-9 14:34:59
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产品绝缘电阻变小肯定不行了,会漏电。

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tini1234
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LV8
副总工程师
  • 2019-4-9 14:37:05
  • 倒数4
 
有一个产品损耗变大,容量也变大,是的,这个因为机器测试的原因,漏电的容量也计算在电容容量中。
nc965
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版主
  • 2019-4-9 15:21:28
  • 倒数3
 
重点在于不让它击穿
呼呼
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本网技工
  • 2019-4-16 16:13:34
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我击穿测试击穿电压,重点不在击穿请问在于什么?
nc965
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版主
最新回复
  • 2019-4-16 17:07:05
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就是电容要与你的电路匹配的意思,电路有没有意外高压的意思
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