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| | | | | | | | | SIC碳化硅MOS发来
ASC30N650MT4.pdf
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ASC5N1700MT3.pdf
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ASC100N1200MT4 -PDF.pdf
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ASR160N1200D88 -PDF.pdf
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ASC30N1200MT3-PDF.pdf
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ASC60N1200MT3-PDF.pdf
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ASC100N1700MT4-PDF.pdf
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ASC20N3300MT4-PDF.pdf
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贺电!
基于国产碳化硅SiC MOS器件的单相三电平 AC-DC变换器
基于SiC器件的单相三电平 AC-DC变换器.pdf
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基于国产碳化硅 Sic 器件的电力电子变流器研究
基于Sic器件的电力电子变流器研究.pdf
(4.29 MB, 下载次数: 2)
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| | | | | 感谢楼主的分享.看过之前英语版本的,再看看中文版的
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| | | | | | | 感谢分享,中文版本的看着舒服多了,也方便很多。再次感谢分享 |
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| | | | | 多谢楼主无私奉献! 增益公式我推啦好久跟网上的资料还是有差异,这下可以仔细研究看看啦!
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| | | | | 文章写得非常好,但它的计算结果好像不是很对,有点偏差。fmin我计算是67.7KHz,上面给的是80.6KHz。英文看的很累,非常感谢分享中文译本。
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| | | | | | | | | 公式63,Mmax在中括号内是什么成分?不像是分母,不知道怎么计算。
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| | | | | | | | | | | | | 还有些问题不明白,还望前辈您多多指点咯!
1)重新计算的fmin也只有76KHz,小于80.6KHz
2)文档中,修正的匝比nt为1.07,从第一步开始,重新代入计算,最小增益大于1,λ得到负数了。请问这是什么原因造成的?
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| | | | | | | | | | | | | | | 无法猜测你的问题,你是不是不把最小增益设计成大于1了,截个计算图吧。实际匝比是用来绕组变压器,计算时要用理论匝比
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 1)设计举例中,n=0.975,Mmin=0.93,nt=1.08,用nt代替n,重新计算Mmin=1.028,大于1。请问大于1是不是有问题,还是不能把nt代n重新计算Mmin?
2)fmin还是没计算出来。还有fmin是用来设计控制器L6599的最小工作频率吗,就是设计fmin=1/(3*CF*RFmin),选择正确的电阻和电容?
3)λ的取值问题。看了很多资料都是大于0.1的,但是公司的机器基本上是0.05以下。不知道前辈的公司一般取多大值?最主要影响什么参数?
4)Designing an LLC Resonant Half-Bridge Power Converter的文档能否上传以下,好像TI官网没找到,嘿嘿!
问题有点多,嘿嘿!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1)设计举例中,n=0.975,Mmin=0.93,nt=1.08,用nt代替n,重新计算Mmin=1.028,大于1。请问大于1是不是有问题,还是不能把nt代n重新计算Mmin?nt是通过n和λ计算出来的,实际绕制匝数,你要代回去验证还得用n,不是nt,计算都是用n,只有绕变压器时用nt,如果不是把漏感集成在变压器内,漏感用单独电感的话,变压器的n=nt
2)fmin还是没计算出来。还有fmin是用来设计控制器L6599的最小工作频率吗,就是设计fmin=1/(3*CF*RFmin),选择正确的电阻和电容?
计算的fmin要大于fmin=1/(3*CF*RFmin),如果小于fmin=1/(3*CF*RFmin),电路无法稳定,举个例子,如果你把fmin=1/(3*CF*RFmin)设成大于谐振频率,那样的话,你的产品就不会进入容性模式,安全了,但是增益永远<1。电压跌落或波动输出无法稳定,如果有要求HOLD time,电容要很大的。
3)λ的取值问题。看了很多资料都是大于0.1的,但是公司的机器基本上是0.05以下。不知道前辈的公司一般取多大值?最主要影响什么参数?
我猜你们公司的产品应该是用在负载变化范围不大的场合,这个值没有绝对的范围限定,λ大,产品效率低些,安全区域大些,反之亦然;λ大,相位差越大,相位差越大,无功=U*I*sin(相位差)有功=U*I*cos(相位差),如果要保证输出功率不变(有功),相位差越大,I就要越大,同样的输出功率I越大,效率就差,λ越大越利于ZVS的保障,负载范围变化时,频率变化范围小。激磁电感和负载并联,但是也可以等效成电感和负载串联,只要实部等于实部,虚部等于虚部;顺便提一下,工作在谐振点时,上、下管开通时,关断时的电流都是相等的,等于激磁电流的峰值(λ越大,励磁电流越大),和负载电流的大小无关,但是负载电流越大,相位差会越小,也就是说负载重,ZVS反而难保证;举个极端的例子,短路也是重载,如果工作在谐振点,此时是无法ZVS的。我们通常设计都是LLC,如果要做一个隔离的LC谐振,怎么设计呢?λ无穷小(通常我们说的K值无穷大)就是LC谐振。还有就是要去相明白,Lm在LLC中起了哪些左右。
4)Designing an LLC Resonant Half-Bridge Power Converter的文档能否上传以下,好像TI官网没找到,嘿嘿!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢前辈耐心细致的解答和附上的珍贵资料。前辈说要理解 Lm在LLC中起了的作用,回去我看了资料,说下总结的几点
(1)在漏感集成的情况下,Lm影响最终的匝比nt=n(1+1/k),1+1/k要开根号(写不上去)
(2)空载时,Lm影响电压增益点设置,M=k/(1+k)。必须保证最小增益大于该增益。可据此验证最小增益值。
(3)空载时或次级开陆时,此时Lr和Lm串联后和Cr谐振的谐振频率,该频率也收k值影响
(4)还有一点,应该会影响原边的激磁电流,使原边电流大小受影响,过大激磁电流会降低效率。
还有些疑惑就是:
(1)ST的参考设计中的半桥中点的寄生电容Czvs只有350PF,而公司的MOSFET的Coss,一颗就650PF,上下管加一起就1300PF,还不包括线路寄生的部分。
(2)按照您的说法,是不是Lr和Lm的值越接近,输入谐振电路的无功比例越高,从直流电压处获得的电流越大,而LLC的效率越低,ZVS更有保障;负载变化时,频率变化越小。是这样理解吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有些疑惑就是:
(1)ST的参考设计中的半桥中点的寄生电容Czvs只有350PF,而公司的MOSFET的Coss,一颗就650PF,上下管加一起就1300PF,还不包括线路寄生的部分。估计是你理解错了规格书,难道你的MOSFET是好几十安培的?
(2)按照您的说法,是不是Lr和Lm的值越接近,输入谐振电路的无功比例越高,从直流电压处获得的电流越大,而LLC的效率越低,ZVS更有保障;负载变化时,频率变化越小。是这样理解吗?
是的,要想负载变化时频率变化范围小,就要增大无功功率。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 注意测试条件,VDS是25V,你的VDS是400V左右,不一样的,电压越高Cgd是不一样的,电压越高,PN结的截止区域越宽,相当于两个极板间的距离越大,距离越大,电容自然就小了,百度搜搜变容二极管。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图中,绿色是谐振电容电流波形,蓝色是同步整流Vds,黄色是LLC半桥中点电压波形,请问波形1不如波形3谐振的程度深?波形4和波形5这种,谐振电流大小和频率一直变化的,应该不属于谐振,而是属于限流了吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 波形3比1频率低,都是高于谐振点,波形图1的负载应该比3轻,请问波形1不如波形3谐振的程度深(不明白这个问题)波形4感觉负载在跳动,波形5环路应该没有稳定。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谐振程度深的意思是,过谐振。我也不知道什么是过谐振,哈哈,见笑了。在网上看见有人这么说。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LLC谐振后面是同步整流,同步整流的上下半周的驱动不一样,一路有米勒平台出现,一路没有,好像LLC的驱动也有一点点。请问前辈,这是什么原因产生的呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是次级绕组耦合不好,或是你挂脚有问题,比如一个绕组是8.1圈,一个是7.9圈
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好像匝比也有影响!同样51匝的,两台机器都有这个问题,52匝的就没有。还有要请教下纹波问题。图1的纹波(蓝色)会震荡,图2相对正常。绿色是谐振电容的电流波形图。想请前辈指点下,这个震荡一般可能的原因有哪些?谢谢!
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图2.jpg
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图1
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图一.jpg
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输出没电感。输出同时又作为一个BUCK电路的输入,在BUCK电路的输入和输出都加了电感。但是公司的一款机器和我这个的电路是一样的,没有问题。就是下面的那个波形。只在带载是会有一些低压脉冲杂波。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我这边新打样了一款变压器,紫色是输出纹波,整体轮廓是对了,但有些毛刺尖尖是什么原因造成的?是不是LLC的驱动?黄色是谐振电容的电压波形,绿色是谐振电容的电流波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是你后级的DC-DC BUCK影响的,LLC的负载是BUCK,BUCK的输入电流是变化的(BUCK电感有纹波电流),且BUCK的频率和LLC的频率也不一致换句话说,由于你的后级有BUCK,LLC输出侧的负载是个动态负载
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样的话,需要调节输出的动态响应速度就可以解决了吧?公司老产品是不会有这个问题的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 紫色的是你LLC输出级的纹波,还是你末端(输出到负载)的纹波?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LLC再接同步整流输出,是同步整流输出端的纹波,同步整流输出端接负载。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 示波器设置20MHz,交流,探头不用盖子,夹子上并10uF电解电容和0.1uF瓷片电容,直接夹子探头上,另一端的夹子夹在输出端,线长约10cm。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我们老大说调输出环路。前辈有没有TL431的环路调节的资料,供参考学习?谢谢!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上次您提供的资料里,有一句我觉得比较重要。觉得自己翻译不是很有把握,想请前辈帮我翻译这句话,可以吗?谢谢! The normalized frequency correspond-ing to the resonant peak(fn_c0,or fsw=fc0) is moving with respect to a change in load and thus to a change in Qe for g given Ln.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的理解是:对于一个给定的Ln;峰值增益点所对应的频率随负载变化而变换;换句话说,对于一个给定的Ln;峰值增益点所对应的频率随Q值得变化而变换,负载变化,Q值也是相应变化,看第八页公式22,关于Q的定义。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢前辈的细心翻译指导。感谢!to a change in load and thus to a change in Qe我将这段翻译为负载的变化和Qe的变化,前辈翻译为负载变化引起Qe变化。总是感觉有点不通。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是这样翻译,但应该是这样理解,如果谐振元件的参数确定了,那么引起Q值变化的就是负载。
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| | | | | 谢谢大师无私分享,后辈受益良多,不过有个观念不太清楚 :
图10 变压器的APR(原边等效)模型:
公式
n=k*sqrt(L1/L2)
而真正变压器模型(含副边漏磁电感),图9 变压器的物理模型
此时的nt修正为:
nt=sqrt((Lm+Lr)/Lm)
这之间是如何推导的,请各位指导指导小弟
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| | | | | | | 这个要从测量上去理解,集磁变压器,你测量的是Lp(Lp是漏感Ls和激磁电感Lm之和,无法直接去测量Lm),实际等效匝比是根号下(Lm/Ls);初次级的等效匝比N是基于激磁电感量和副边电感量的关系:Lm=N^2*Ls; Ls值次级绕组的电感量。
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| | | | | 资料很不错,楼主理论扎实。有没全桥LLC的AN应用和翻译?
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| | | | | | | 全桥和半桥类似的,基波电压是4/PI,其他都是类同的
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| | | | | | | | | | | PI=3.14, 全桥的中点电压的基波电压是4/3.14*Vbus,其他后续计算类似
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| | | | | | | | | fn大于fo2 fn不是等于fs/fo2吗?
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下载.png
(99.09 KB, 下载次数: 85)
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| | | | | 普通半桥变压器是VIN/2,但LLC是VIN/2还是VIN .VIN=400V |
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| | | | | 手推很重要 ST的的确写的不错,但是在求解增益表达式难住了,不知道怎么分解 |
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传递函数H(s)中已经包含匝比n了,为什么算电压增益的时候,还要再乘上一个n呢,帮忙解答一下,谢谢。
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| | | | | | | | | 似乎明白了,M(fsw)指的是谐振腔的增益,再除以匝比n,就是等于传递函数,我理解的对吗?
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