大师,你好~
谢谢解疑,下面几个问题帮忙解疑:
0:若是变压器漏感做到很小,测试Mos管Vds波形,若是满足DS - 2 端电压小于 0.85*MOS最大耐压 ,是不是可以不加RCD电路??
1:我设计的Vor是90V,可能略微偏小,效率是有点低 在 75% 左右。。。
2:我现在使用的是1N4007,这个二极管反向恢复时间很长,所以,在计算功率的时候,可能就不能用 “您在上面提到的论坛说的功率1/2"的结论去计算
因为这个二极管反向时间的问题,把电容上大部分能效释放掉了,若是使用1N4007 ,这个时候该如何去用理论计算R和C??
我现在用的方法 是用电容一一去试的, 最后使用 0.47nF + 75K 这样的参数;
3:把二极管改成 US1M ,这个时候电容上的波形,就不像之前的样子,下降不是太多,见下图,最后我取的参数:0.47nF + 33K,
电容C的值,现在理论计算使用Fairchild 文章中的计算公式,(见附件Pdf),但是计算出来的值 大概2.2nF,我想还是太大,因为测试Vds的波形,
上升沿还是比较缓,可能效率还是偏低,所以想问问 理论计算如何 取值? 实际调试后,C的选取的标准是什么 ?
4:我楼上提到C的波形,我是这样认为的,在 次级传输能量的时候,C 上的电压不能低于
反射电压Vor,不然会消耗能量,降低效率
所以我现在C的取值,一般是保证,次级传输之前 , C 两端的电压值不能低于 反射电压Vor;
有点多,请大师讲解一下