 |  | | | | 刚问了供应商，CS电阻0.15R氧化膜电阻是有感电阻，改用无感的话，应该会有改善吧。现在没有好的示波器，也抓不到瞬间波形。
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|  | | | | | | 如果确认启动是DS尖峰有超高的现象应该确认一下MOS管电流：1，启动时电流应该会顶到限流值，关断时的尖峰和MOS电流的关断点关系很大，你可以先测试一下启动时MOS电流尖峰和满载正常工作时的电流峰值比较一下，如果相差比较大可以适当加大CS电阻，减小启动时的电流过冲，DS过冲尖峰就会降下来，同时不会影响正常工作满载。
2，变压器确认下复位自绕组的绕法，最好是复位绕组和主绕组双线并绕，可以提高耦合度，减小漏感。
3，芯片部分想办法加长软启动时间，同样可以降低启动冲击电流
另外CS电阻是否无感会影响采样，另外也可能产生过高负压导致芯片损坏。至于电容的损坏，有点像是大电流冲击导致
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| | | | | | | | | 感谢，先尝试下增大CS电阻，这款没有复位绕组，用的RCD嵌位。
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| | |  | | | | | | 这个电压等级不宜做单管正激，必定炸机，要吗换成1000V器件，要吗反激。
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| | | | | | | | | 典型的元件耐压参数选择不当造成的 如果楼主要进行维修的话建议彻底查一下MOS管关联元件的性能
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| | | | | 请上原理图，如果是国内的PC电源功率MOSFET的耐压估计不够，炸机瞬间的电压与电流波形有没有观察到？
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| | | | | | | 原理图在5楼了。做的是LED电源。炸机瞬间的波形就没有。就是抓好的机子波形，空载启动瞬间，DS尖峰达到了700V。如果是带载的话，尖峰就没那么高。另外DS并的电容炸飞，可能就是楼上有位工程师说的那样，冲击电流造成的，该电容耐压2KV，只能是电流过大炸烂的。
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| | | | | 1.MOSFET反向电压选择不合理.一般带复位的正激结构，VDS 大致=2*VIN+V漏感 按输入230V电压，=230*1.414*2 =650V。还不算漏感引起的振铃。
有源钳位VDS = VIN x 1/(1-D),按0.5,也与此相差不远.
2.MOSFET DS间并联4700PF,按照 MOSFET关断再开通,假定U=500V,周期30uS,电容交换能量功率为1/2*C*U^2 /T .=0.5*4700PF*(10^(-12))*500V^2/(30us*10^-6) .
交换功率大致在20W,电容不热才怪.
3.电容钳位,降低VDS,导致电容发热,电容裂失容,VDS少吸收,VDS上升,超出VDS,暴.
电容不裂,电容对MOSFET N结充放电,也会导致MOSFET发热,增加损坏风险.
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| | | | | | | 感谢回复！
MOS耐压是考虑到成本问题，正常启动后，DS波形大概560V左右。另外你这个并联DS电容算法应该是有问题的，20W的功率，不可能这么大，损坏也是开机瞬间就坏了，如果正常启动后老化几天都没有坏电容。原本用的是222/2KV，看到一些资料，说增大容量可以降低DS尖峰，才增大了容量，也看到别人用过472。
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| | | | | 分2种情况分析： 开机空载， 如果开机空载 炸机，这与尖峰无关。 输出无电流情况下，尖峰很小。达不到MOS极限。
带满载开机： 带载开机炸机，也可以拿到尖峰数据，从小载到大载慢调，就可以拿到尖峰数据
从楼主都拿不到尖峰数据情况下，炸鸡，应该是空载炸鸡。观摩一遍电路图，从细节上判断。首先要调整是电路细节不合理缺陷。比如TL431电源电压环，431电路 采样两端在L1电感之外，而且D4并联在431两端目的是什么？，开机初期，L1感抗+D4是否会影响输出响应。会不会是开机占空比由这个原因失控。可以调换L1位置试试。正激输出电感放正端和放负端都可以，431采样在电感之外，本人没有这样做过。
从吸收的角度分析：DS电容直接并联222容值，这么大容值会不会给MOS管带来的急促的开关电流。
上面所说的2个问题LZ可以去用常规的方式纠正。
正反激电路，大家都看了不少。常见的电路一般是比较合理的设计。 只要没有离谱的特别变化。 一般不会有什么严重问题，在工作稳定这前提下，去优化尖峰，效率这才是正道。在正常工作的电源身上去摸索优化过程，才能感悟经验。
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| | | | | | | 感谢回复，mos尖峰就是空载开机测的，瞬间700V左右，还是做IC的FAE带了几万的示波器，过来现场测的。带载情况下，满载，DS尖峰并不高，600V都不到。431环路，正激几款机子都是这么用的，还没发现有问题。目前想到的办法就是按照3845手册，增加软启动电路。
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| | | | | | | | | | | 感谢回复，建议最终都是以实践来检验的，真实测试的为准。
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