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|  |  | | | | | 测过PFC MOS 的DS波形，正常时，能测到1.2KV左右的尖峰，但是MOS能抗住；在MOS挂的时候，最后一个波形有一个 -1.3KV的负尖峰电压，峰峰值达到2.2KV左右；
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| |  | | | | | | | 另外，如果从整流桥后的差模滤波电感端，再拉一个旁路二极管直接到大电容正极，
炸机时，SENSE电阻不会炸飞掉，只是驱动电阻会有点烧坏；
但还是扛不住。
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| |  | | | | | 布局有点参考“三圈两地”，起初怀疑过是不是整流桥的地与大电解直接相连所致，换成常规的地走线，一样炸MOS管
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| | | | | 输入共模电感每个线圈都加FDG1先打4KV过来再打6KV. 评分查看全部评分
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| | | | | 考虑要么换个抗冲击能力强的电阻，要么加吸收器件不要让驱动电阻承受那么高的电压
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| | | | | 把CY4去掉，D3连到C2上面，C3上再并联一个471或561的压敏电阻
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| | | | | 1.如你所说一个负压然后突然一个正的尖峰，很怀疑是驱动被误触发了。看您的驱动下拉电阻是15Ω，建议可以改小试试。2.驱动电阻烧坏，通常是管子先被击穿了，然后从D级流入，打坏了驱动电阻。
3.还有一种理论是分析Dg端的很高的dV/dt经过Cgd导致的驱动误触发，这个和1相似的处理方法
4.您的输入可以再整流桥后面再加一级的压敏电阻进一步减小进入主功率的电压浪涌。
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| | | | | 能打三次, 说明布局还OK, 压敏电阻本就有耐受次数限制, 建议楼主更换规格更高的压敏电阻试试 |
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| | | | | IC有没有坏？关键还是走线，并且MOS管要用好点的。17年弄的一款板子，共模15KV都抗住了，到设备极限测试条件了。今年弄的一款共模能抗12KV，往上13KV就把Y电容打爆了，就没接着加电压测试了。
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| | | | | MOS在关断时，驱动受到干扰被误触发。有两点原因供你参考：1. MOS的驱动电流回路从R1,R74... 再经过sense电阻R10,最终回到VCC电容EC3，C11,这个回路正好把dv/dt的部分包围在内，容易受干扰。
2. 驱动走线位于MOS 漏极正下方，PCB上的寄生电容Cgd变大，surge测试时，高压能过Cgd误触发驱动。
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