| | | | | 一般来说,数字地和模拟地要分开,最后用0R电阻或者磁珠连接起来就可以了,希望能帮到你
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| | | | | 看了一下楼主的资料 建议楼主还是采用模 数 地全隔离的方式
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| | | | | 地线要按电流分类分别布置,一段一段的,来龙去脉要搞明白,也不要大面积敷铜,即使做屏蔽也是单独一块一点连接,特别不建议在地线上(串磁珠)退耦,你还搞个ESD?没看懂了事!
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| | | | | | | 1. 图中的+12V-A/GND1分别经过两个贴片磁珠后得到+12V-B/GND3这种做法,是在某个电源大厂原理图实物看到的,我之前也没有这样用过;
2. 那两个串联的二极管,型号为ES1D(不是ESD管),将GND1和GND分开,也是在那个原理图上看到的,看得也莫名其妙,之前也没有见过。
所以想请各位大虾们指导一下。
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| | | | | | | | | 地线上串了任何东西,你都把它想象成一个干扰源来分析。
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| | | | | | | | | | | 版主的意思是不赞同文件里面这个多种“地”的处理方法?
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| | | | | | | | | | | | | 当然是多个地,一个芯片一个地,一个单元一个地。重要的是它们的连接关系,所有连接关系组成一个接地网络,其中每一段连接都有电流,如果电流是脉冲的,那这段地线就是一个噪音干扰源(噪音电平可能高达几十V),你要设法不让这个干扰源影响到别的地的电平(尽管都是地)。
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