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未解决

PMOS做控制输出与防倒灌

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大浪淘沙123
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  • 2019-11-15 09:48:31
10问答币
各位路过可以看下,有没有需要优化和修改的。主要是看输出正母线上的4个PMOS管。
Q8、Q12并联用于控制输出,Q9、Q3并联用于控制防反接。
DC+对GND输出范围是15V~60V,输出电流20A。由于PMOS很少用,不知道这么接行不行。这颗PMOS单科80A电流肯定够,主要是内阻21mR损耗有点大,所以就并联的2颗。
驱动直接从母线通过MOS形成负压,由于不是高频开关,所以觉得应该没啥问题。但总觉得哪里可以优化,主要是很少用PMOS,一直都是用的NMOS。
2个10V二极管用于防止PMOS管子GS低压低于-20V烧管。

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anthony
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  • 2019-11-15 17:27:03
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防止反灌不需要那么多MOSFET.

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大浪淘沙123
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  • 2019-11-15 18:11:33
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我知道,后面一个MOS是防反灌的,前一个是DSP控制是否输出的。
l0ve-
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  • 2019-11-16 11:02:17
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防反灌和控制输出一个mos管就可完成了,电池接反电压会高出很多,检测这个变化可得控制信号,另外用nmos成本更低

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st.you
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  • 2019-11-15 18:11:38
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MOS是双向导电的,不能防倒灌

大浪淘沙123
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副总工程师
  • 2019-11-15 18:28:59
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怎么不能,不开通就是了啊,靠体内二极管。这个DSP驱动控制输出低电平,后面电池反接不会烧,正解也没有对电解有冲击电流。
st.you
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  • 2019-11-15 18:42:20
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好吧,电路能
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