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| | | | | | | 李版,今天看了你的电源布板EMC的讲座,受益匪浅,在这里表示感谢。
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| | | | | 对此问题一言以概之
IGBT更适用于高压大电流,频率相对较低(20KHZ左右)
MOSFET更适用于高频小电流(几十KHz-几MHz)
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| | | | | | | 但是,比如说我现在用的这个FGH40N60SMD,这个管子的参数我认为是相当不错的呀。
随便查了几款相同耐压的MOS,感觉MOS的参数还不如这个IGBT呢
是因为这款IGBT比较特殊就是能做高频?还是说能不能做高频不能只看这几个参数?
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| | | | | mos可以使用更高的频率,同时具有更低的导通电阻,效率更高一些,但是成本高一些;IGBT使用频率一般为40K以下,大电流使用比mos有优势,成本较低。 |
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| | | | | | | 当然,选择导通电阻低一些的MOS确实能有效降低导通损耗,但是我的应用里,管子经常工作在感性或者容性状态(不确定),所以对体二极管反向恢复要求高一些。但是我看了看低导通电阻MOS的体二极管的反向恢复时间都不怎么好。而且这个管子好贵呀,二三十块。
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| | | | | | | 可能是刚接触这行时受老工程师的影响,就说这个体二极管容易导致发热,所以必须选反向恢复时间短的。之前也没注意过。就在刚才我分析了一下,发现只要开关频率不高,就算是容性或者感性,对反向恢复时间要求并不高呀,反而正向压降还有热阻才是关键。不知道想的对不对
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| | | | | | | | | 英飞凌CFD7的MOS,恢复时间很短,专门用在谐振零开关场合的
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| | | | | | | | | | | 请教一下,在什么情况下,要求体二极管反向恢复时间短?
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| | | | | | | | | | | | | 体二极管导通参与谐振的拓扑都要求反向恢复快。还有同步整流
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| | | | | 这是国产管和进口管子的区别,有懂行的来说说,这个区别在哪里
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