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关于IGBT和MOS的选型

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budaoweng6789
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  • 2019-11-19 20:17:41
想想接触有关电源行业已经有几个年头了,自己动手做电源也有四年了。从零开始,确实学了不少。不过大部分还是停留在理论阶段,种种原因吧,感觉懂得太皮毛。比如到现在我还不知道如何根据实际需要选择一款合适的IGBT/MOS,其实目前只是用到两款,1000w以内的用的是MOS FQA24N50,做半桥。1000W-3000W用的全桥,FGH40N50。别问我怎么选的这两款管子,我也不知道。。。
大部分时间都花在控制,软件,PCB布线方面,当然也浪费不少时间。驱动最近打算好好研究,但是发现还不知道管子怎么选型。这两天看了看这两个管子的手册,怎么看都是40N50参数要好,包括上升时间关断时间,延迟,等等包括体二极管的参数。
问题一、速度上MOS也不占优势呀?但是为什么一直说MOS可以高频IGBT却不能呢?疑问,,,
问题二、什么时候选MOS,什么时候选IGBT,有没有啥准则?
问题三、看手册MOS的节电容一般都比较大,是不是说米勒效应会比较明显?
问题四、比如我输入电压AC220,想做3000W,全桥,散热良好的情况下,一般选一个多大电流的管子呢?

可能这些问题很幼稚,但主要是我想通过这个平台能更快速的去了解这些知识,以后在验证起来也就轻松不少。希望各位同仁不吝赐教

nc965
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版主
  • 2019-11-20 15:31:29
 
初选:拓扑Ipk≤器件标称电流

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budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-24 20:40:22
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说法不一呀,有的说是峰值电流的一般
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
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  • 2019-11-27 09:37:27
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李版,今天看了你的电源布板EMC的讲座,受益匪浅,在这里表示感谢。

wangdongchun
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专家
  • 2019-11-20 22:07:11
 
对此问题一言以概之
IGBT更适用于高压大电流,频率相对较低(20KHZ左右)
MOSFET更适用于高频小电流(几十KHz-几MHz)

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budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-24 20:48:56
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但是,比如说我现在用的这个FGH40N60SMD,这个管子的参数我认为是相当不错的呀。
随便查了几款相同耐压的MOS,感觉MOS的参数还不如这个IGBT呢
是因为这款IGBT比较特殊就是能做高频?还是说能不能做高频不能只看这几个参数?
微信截图_20191124204205.png
malelion_99
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助理工程师
  • 2019-11-21 16:48:53
 
mos可以使用更高的频率,同时具有更低的导通电阻,效率更高一些,但是成本高一些;IGBT使用频率一般为40K以下,大电流使用比mos有优势,成本较低。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2019-11-24 20:53:08
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当然,选择导通电阻低一些的MOS确实能有效降低导通损耗,但是我的应用里,管子经常工作在感性或者容性状态(不确定),所以对体二极管反向恢复要求高一些。但是我看了看低导通电阻MOS的体二极管的反向恢复时间都不怎么好。而且这个管子好贵呀,二三十块。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-24 21:05:00
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可能是刚接触这行时受老工程师的影响,就说这个体二极管容易导致发热,所以必须选反向恢复时间短的。之前也没注意过。就在刚才我分析了一下,发现只要开关频率不高,就算是容性或者感性,对反向恢复时间要求并不高呀,反而正向压降还有热阻才是关键。不知道想的对不对
微信图片_20191124205527.jpg
hpf0532
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-26 10:21:59
  • 倒数5
 
英飞凌CFD7的MOS,恢复时间很短,专门用在谐振零开关场合的
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-26 13:16:34
  • 倒数4
 
请教一下,在什么情况下,要求体二极管反向恢复时间短?
hpf0532
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-26 15:14:47
  • 倒数3
 
体二极管导通参与谐振的拓扑都要求反向恢复快。还有同步整流
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-27 09:21:25
  • 倒数2
 
嗯,知道了。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2019-11-25 11:46:02
  • 倒数6
 
这是国产管和进口管子的区别,有懂行的来说说,这个区别在哪里
3b9ab05afc03c5c586758ea3e54110f.jpg
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