| | | | | 有两个原因可至这种情况发生 一来G D两极间无电容泄放电阻 二来或许是由于烧毁IC的质量有问题
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| | | | | | | 输出端D极并联100UF/100V陶瓷电容,G极是没有接。之前使用的是AO4611,没有问题,但由于水货太多,买不到原装的,换成AO4612,就出现S极被击穿现象 |
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| | | | | | | 你好!是不是加在S1,S2上的电压不一样,一个5V,一个12V,开关时间快慢,导致击穿?
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| | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 这电路,压根没算过
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| | | | | | | 驱动互补MOS,用两个AO4611组成桥路,有推荐典型电路吗?学习
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | |
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| | | | | 没有理清。J1 J2, J4 ,接什么, S2 组干啥呢/ 桥非桥驱, 单非单驱? |
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| | | | | | | J1 J2 接常闭开关。行程保护用的,两个AO4611组成桥路,控制电机正反转
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| | | | | | | | | 那这个电路的驱动芯片1,2脚接个电阻提高阻抗。 R13 R26并个104电容,提高上电和正反控制切换的桥臂交叉速度。,避免桥臂误差直通。
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| | | | | | | | | | | 1脚,2脚之间串一个电阻,作为下拉电阻?提高阻抗?不太明白
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| | | | | | | | | | | | | MOS管的GS结用1只电阻G-S连接,防止G端有任何潜在的电荷, 加速GS结电容放电。养成一种习惯。
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| | | | | | | | | | | 你这做法相当于加大了mos管输入电容,,只能使mos管开关速度变得更慢,mos管更容易烧坏了
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| | | | | | | | | | | | | 是的,目的就是延时开的速度,与上管拉开所谓的(死区)。不考虑反转的关闭。 因为反转由控制系统控制。必须由延时机制,减低转向惯性。
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