| | | | | 在图A中把电阻串联在集电极,发射极接地,从集电极取控制信号去控制MOS管。你那两种电路控制都有问题。
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| | | | | 都不行,Vb根本不能大于Ve,MOS驱动电压得十多伏。可以考虑G接三极管的C,三极管开通MOS关闭,三极管关闭MOS开通
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| | | | | 楼主所提供的的电路,是三极管的射击跟随的思路,所以驱动电压是小于5V的,驱动开启电压12V的MOS是不行的。可以参考二楼朋友的思路,三极管的开关电路的用法,但是这也是取反的电路,所以单片机低电平才能保证给锂电池提供一个放电回路,这样可以实现。如果锂电池的放电电流相对较小,可以选择低开启电压的小功率MOS管,用单片机直接驱动。单片机驱动应用偏少,可能是对于单片机的保护,推荐楼主使用三极管的开关驱动方式。 |
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| | | | | A,B 两图都是一样意义上的电路, A图才是正确的,但还是有不足,开的电流冲击也会损坏小MOS,串个RE(100-1K)射极电阻对MOS限流,工作在低频开关是可以的,MOS必须有GS放电电阻。 B图 MOS关闭会出现问题,也可以说是错误的。 MCU 5V可以串个Rg直接驱动小MOS是足够的,对大功率MOS驱动会出现开关速度的不足引起管子开关损耗发热,因此 。MCU到大功率MOS之间加个图腾柱驱动是必要的。
不管是三极管,或MOS, 控制极对地都需要加电阻,确保稳定。
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| | | | | | | MOS的驱动电压要12V. 要改成共发射极电路,电压才能接近到12V. 你现在的两个图, MOS管G基的电压是5V-Vbe的值,都不对 |
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| | | | | 你这两种电路中的三极管都是跟随器,你要知道跟随器的射极输出电压Uo=Ub-Ube的吧;所以,当你的控制信号为5V时,Uo=5V-0.7V=4.3V;
如果你想有效控制输出MOS,关键要看你的MOS的栅极电压多少V开启的;一般低压MOS的开启电压都是2-4V,这个电路显然是没问题的
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| | | | | 建议你直接用MCU(串个限流电阻)驱动,5V电压足矣。
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| | | | | 参考电动车MOS驱动电路即可,用三个三极管就可以完成12V驱动MOS |
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| | | | | 两款电路都 不行,不可能输出12V电平。只能输出低于5V的电平。通常电路如下:
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这个图比较省元件,在不追求驱动速度的场合是合适的,需要注意的是,MCU低电平时MOS导通,高电平时MOS关断,相位是反的。
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