| | | | | 1、MOSFET不耐冲击,建议勾上电的冲击电流看看。DC源会自己限流,最好用电池。输入低压(24V/48V)的时候才用MOSFET.高压一般用继电器。
2、MOSFET上应该阻并联一个电阻,先通过电阻给电容充电。这样第一次上电没问题,但后续上电有很大风险。很不可靠。
3、用专门的IC控制MOSFET,启动时让MOSFET工作在线性区限流.像TI的热拔插IC。
我只知道这么多,不知道有没有帮助。
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| | | | | 版主回复:电路不能作为软启动, 软启过程中,mos损耗很大,容易挂,
你可以看看Rdson的变化曲线,mos工作过程不在开关状态,处于放大状态,
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| | | | | MOS需要很大的功耗的才行,太贵了,还不如用继电器+功率电阻 的方式。 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | |
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| | | | | 本人感觉有两个原因 一个是MOS管的耐压值恐怕不够或者所用元件存在质量瑕疵 另一个是结电容放电电阻取值过大 应该换为10K为宜
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| | | | | MOS上并个电阻,充电靠电阻,MOS只用做电容充电后短路电阻。
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| | | | | 1、最可能的问题:你MOS两边的地没有规范,这是常犯的低级错误,你要把这个地一直向前追溯到电网(及其接地)、向后追溯到隔离电源及其所有负载(包括通讯)的任何连接(包括机架和外壳),排除任何短路的可能。
2、次可能的问题(也就是电路上的问题):输入端没有电容,这也是低级错误,输入连线也许很长,其寄生电感在电流突变时会产生高压,能量唯一出路就是击穿。需在此增加一个电容,让它和一个输出电容、MOS这三个器件形成最短连接的等腰三角形,可再无此虑。
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| | | | | 根据波形看出,关闭时出现严重拖延,大家都知道,开关管损坏2种情况,1是过流过温, 2就是开或关的电流应力损坏。 也可以怎么说,开关电源炸鸡,基本是开与关的瞬间炸鸡较多。过温与过流已经在设计时就梳理过了。
虽然此电路MOS管工作在电源开关状态,不存在频率问题,但也不可以忽略,开与关的上下沿速度。简单的偏置驱动不能解决这个问题, 建议在NMOS管驱动G极上加个15V稳压和限压开关(用11V稳压管限位和NPN +PNP 三极管)做为驱动前级驱动开关,无论是开或管都能限制在10V以上的驱动幅度完成,这样就完美的驱动MOS管很好工作。 设计电路不但理论上能通过,实际更要注重的单元电路的细节问题,加强可靠性。
上楼版主提出的建议也是不可忽略, 可以在MOS的DS间并联个电容,建立输出与输入间的平衡电位。
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| | | | | MOS基级的驱动电阻分别加一个,另外主电路的VIN加上电容滤下波形。MOS基级10uF的电容是不是大了,这样很容易导致MOS开启速度过慢,导致过热烧坏。建议减小。另外MOS的DS,建议加上吸收电路,如果条件允许的话。
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