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未解决

NMOS放在地线上作softstart,出现不定期烧MOS的情况,急,求大佬。

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1
Mr_gaobaba
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LV2
本网技师
  • 2020-3-23 17:32:50
10问答币
线路参数:左侧输入端口,通过DC Source供电DC110V,右侧输出端口接DC-DC隔离电源砖,其内置输入电容为7uf。
线路的设计初衷是通过延长MOS的GS之间电压爬升速度,延长MOS的导通时间,从而实现softstart。
但是现在发现在启动过程中会出现烧MOS的现象,具体表现为:GS阻抗基本为0,DS之间阻抗在100欧姆左右甚至直接击穿。
1.起初是认为MOS的GS电容过大,导致SOA扛不住,但是将C47减小,10uf=>1uf=>0.47uf=>47nf,均会出现烧MOS情况。
2.如果两颗MOS同时上件,一上电就击穿。但是只上一颗MOS,需开关机多次后才会出现击穿MOS的情况。
3.抓双MOS击穿时的,VDS与ID的波形,并未超过MOS的SOA。
4.但是在启动时,VDS的波形显示,在MOS未导通时,VDS稳定后能达到约200V(很奇怪,不知道为什么),峰值偶尔能超过MOS的BVDSS,但是有更换700V的MOS,依然会出现烧MOS的现象。

上述情况为我试验得到的一些现象,跪求各位老哥指点指点,是在头大。

线路

线路
vds-id.png
heye111
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LV6
高级工程师
  • 2020-3-24 14:45:27
  • 倒数10
 
1、MOSFET不耐冲击,建议勾上电的冲击电流看看。DC源会自己限流,最好用电池。输入低压(24V/48V)的时候才用MOSFET.高压一般用继电器。
2、MOSFET上应该阻并联一个电阻,先通过电阻给电容充电。这样第一次上电没问题,但后续上电有很大风险。很不可靠。
3、用专门的IC控制MOSFET,启动时让MOSFET工作在线性区限流.像TI的热拔插IC。
我只知道这么多,不知道有没有帮助。

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admin
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管理员
  • 2020-3-24 15:42:48
  • 倒数9
 
感谢楼上的建议
admin
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管理员
  • 2020-3-24 15:43:20
  • 倒数8
 
版主回复:电路不能作为软启动, 软启过程中,mos损耗很大,容易挂,
你可以看看Rdson的变化曲线,mos工作过程不在开关状态,处于放大状态,
st.you
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LV10
总工程师
  • 2020-3-24 15:54:57
  • 倒数7
 
MOS需要很大的功耗的才行,太贵了,还不如用继电器+功率电阻 的方式。
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2020-3-24 16:19:12
  • 倒数6
 
右侧端口的DC-DC接没接?
wangdongchun
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LV12
专家
  • 2020-3-24 17:37:13
  • 倒数5
 
本人感觉有两个原因 一个是MOS管的耐压值恐怕不够或者所用元件存在质量瑕疵  另一个是结电容放电电阻取值过大 应该换为10K为宜
Coming.Lu
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版主
  • 2020-3-25 08:27:02
  • 倒数4
 
MOS上并个电阻,充电靠电阻,MOS只用做电容充电后短路电阻。

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nc965
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版主
  • 2020-3-25 20:58:45
  • 倒数3
 
1、最可能的问题:你MOS两边的地没有规范,这是常犯的低级错误,你要把这个地一直向前追溯到电网(及其接地)、向后追溯到隔离电源及其所有负载(包括通讯)的任何连接(包括机架和外壳),排除任何短路的可能。
2、次可能的问题(也就是电路上的问题):输入端没有电容,这也是低级错误,输入连线也许很长,其寄生电感在电流突变时会产生高压,能量唯一出路就是击穿。需在此增加一个电容,让它和一个输出电容、MOS这三个器件形成最短连接的等腰三角形,可再无此虑。
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2020-3-26 08:43:34
  • 倒数2
 
根据波形看出,关闭时出现严重拖延,大家都知道,开关管损坏2种情况,1是过流过温, 2就是开或关的电流应力损坏。 也可以怎么说,开关电源炸鸡,基本是开与关的瞬间炸鸡较多。过温与过流已经在设计时就梳理过了。

虽然此电路MOS管工作在电源开关状态,不存在频率问题,但也不可以忽略,开与关的上下沿速度。简单的偏置驱动不能解决这个问题, 建议在NMOS管驱动G极上加个15V稳压和限压开关(用11V稳压管限位和NPN +PNP 三极管)做为驱动前级驱动开关,无论是开或管都能限制在10V以上的驱动幅度完成,这样就完美的驱动MOS管很好工作。 设计电路不但理论上能通过,实际更要注重的单元电路的细节问题,加强可靠性。

上楼版主提出的建议也是不可忽略,  可以在MOS的DS间并联个电容,建立输出与输入间的平衡电位。
yzpc05d_x04
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版主
最新回复
  • 2020-3-27 09:58:49
  • 倒数1
 
MOS基级的驱动电阻分别加一个,另外主电路的VIN加上电容滤下波形。MOS基级10uF的电容是不是大了,这样很容易导致MOS开启速度过慢,导致过热烧坏。建议减小。另外MOS的DS,建议加上吸收电路,如果条件允许的话。
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