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| | | | | | | 这个公式里面,假定LP不变,NP越大,Bmax越小,越不容易饱和。
但是LP是磁导率和匝数N的函数;
LP=u0ur*N^2*Ae/L
u0ur是等效磁导率(与磁芯磁导率和气隙大小有关,气隙越大,等效磁导率越小),Ae,L是磁芯的参数:截面积和磁路长度。
如果假定LP不变的情况下讨论,则磁导率与N^2成反比;所以要降低Bmax,需要增大NP,同时要开更大的气隙保证LP不变。
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| | | | | | | | | 如果没有LP不变的提前,
BMAX =u0ur*H
=u0ur*N*IP/L
气隙不变,匝数越大,越容易饱和。
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| | | | | | | | | | | | | 这个结论需要假设【气隙不变】【峰值电流Ip不变】,跟楼主的第4点和6楼得出的结论是一样的,应该没有问题。所以看上有些反经验,
举个例子:
一个QR Flyback,满载峰值电流IP为1.2A,设计励磁电感量为500uH,Np为50T,用AE 40mm^2的磁芯,对应Bmax=0.3;
如果增大变压器的圈数Np到100T(匝比不变),此时,励磁电感量为2000uH(估算),QR的工作频率相比之前会很低,此时对应的Bmax=0.6;
如果磁芯的饱和磁密度B为0.48,那就饱和了。
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| | | | | | | | | | | | | | | “如果没有LP不变的提前,
BMAX =u0ur*H
=u0ur*N*IP/L
气隙不变,匝数越大,越容易饱和。”
气隙不变,假定匝数翻倍,则:电感是原来的4倍,电流是原来的1/4倍,BMAX =u0ur*H
=u0ur*(2*N*)*(1/4*IP)/L=(1/2)*u0ur*N*IP/L(磁通密度是原来的一半)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你是默认在定频系统,频率不变,IP下降为原来的1/4。
QR 反激的变频的,IP是不变的。
我这个例子是想表达,不改气隙,只增大圈数,变压器励磁电感Lp的饱和电流减小了。
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| | nc965- 积分:102159
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积分:102159 版主 | | | |
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| | | | | 同样感量,匝数少的容易饱和(同磁芯规格,不同气隙)。
同样的磁芯(气隙也一样),匝数多的容易饱和。
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| | | | | 举个例子,假设变压器感量低了根据L=N 2*Ac/Lg可通过增加匝数N来增加感量,当匝数N变大后根据B=μ*N*I(μ=Le/Lg)变压器容易饱和,
为了防止饱和只能增加气隙Lg,再看第一个式子当Lg大了后感量又降低了如此循环下去……
这种设计方法是比较片面的看不出变压器的总体工况,而以变压器的总功率入手进行设计会比较清晰。
恒定功率下变压器磁芯的Bm和绕组的Jm跟匝数的关系如上图,匝数越大绕组处理的功率越多极限情况是空心电感,反之如果有高Bm的磁芯则绕组绕一圈就够了。
根据上图关系可以先选出一个合适的匝数,当匝数定下来之后再根据需要的感量来计算气隙,此时计算出来的气隙一定是满足要求的因为功率已经满足要求。
(图中公式仅供参考)
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| | | | | | | 请教个问题,你说的JM是指什么?
看了半天不知道这个JM代表什么,谢谢!
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| | | | | 反激变压器是需要储能的,所以不是正统意义上单纯的变压器
首先要保证选定的磁芯能够满足储能要求,即L*(Ip2-IDC2)*f为定值
同时又有V*D/f=L*(Ip-IDC)= Bm*Ae*Np
所以 Bm*Ae*Np*(Ip+IDC)*f为定值
对于选定的磁芯,Ae就确定不变了,要使磁芯不饱和,那么Bm根据磁性材料的特性也需要小于某个值
现在剩下4个变量:Np,Ip,IDC,f
如果是DCM模式,IDC=0,那就是3个变量,Ip,Np和f
所以DCM模式,在Ip和f不变或增大的前提下,增大Np可以让磁芯更不容易饱和;如果Ip和f有一个或者两个都变小,那么增大Np还是有可能让磁芯不饱和的,但要看减小和增大的比例能否最终平衡
CCM模式多一个IDC,情况会更复杂一些,但不管怎么说,在传递功率一定的条件下,增加Np总是有助于降低Bm的
如果增加了Np还是出现了饱和,那是因为其他变量因为Np的增加出现了改变导致的,增加Np不会是直接原因
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