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碳化硅MOS/SIC模块让电机驱动/控制器,车载逆变器,大功率电源更小更轻...

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stevenqian
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  • 2021-3-6 11:48:35
SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
那么, SIC MOSFET对门极驱动器(驱动光耦、容耦、磁耦等)的有何设计要求呢?
1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。
2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。
3、要求驱动器具有双路输出端口。
4、支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz
5、支持高安全隔离电压
63-5V的负压关断,开启要18V-20V
针对如上的要求,Silicon Labs Si827x容耦隔离驱动芯片可以轻松满足设计需求。
高达4A峰值驱动电流,-40~125度宽温度范围,通过AEC-Q100认证。
业界最高的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁免疫能力(400kV/μs),支持超快速开关。
最大60ns传输延迟,非常低的抖动200ps p-p,这里需要说明一下,传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关.财富热线钱生:15919711751微信同号,欢迎咨询指导。

碳化硅MOS选型表

碳化硅MOS选型表

DFN8*8适用PD-快充

DFN8*8适用PD-快充

SIC模块

SIC模块

SIC模块结构

SIC模块结构
stevenqian
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  • 2021-3-16 15:32:27
 
碳化硅MOS有DFN8*8的封装,让 PD -快充 的体积更小更轻

碳化硅MOS封装DFN

碳化硅MOS封装DFN

QLH2021
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  • 2021-3-26 13:33:43
 
顶起来!!!
stevenqian
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  • 2021-4-2 16:30:19
 
牛气冲天!!
stevenqian
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  • 2021-4-16 18:18:39
 
供应链的本土化采购的必然趋势。
Apache0208
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本网技工
  • 2021-7-26 17:37:16
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封装进一步优化成Clip,导通电阻可以进一步减小。
stevenqian
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  • 2021-10-18 11:59:14
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好建议
stevenqian
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副总工程师
  • 2021-9-22 12:13:56
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SIC  MOS驱动原理

PCB

PCB

sch

sch

sch

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stevenqian
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  • 2021-5-10 11:02:18
 
可以替换IGBT
stevenqian
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  • 2021-5-15 10:18:21
 
深圳AST品牌SIC MOS,供应链的本土化采购的必然趋势
stevenqian
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  • 2021-7-6 15:12:46
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ruohan
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  • 2021-7-20 11:04:28
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泰科天润(GPT)的碳化硅二极管GAS06520A有人用吗
stevenqian
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  • 2021-8-21 10:46:44
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stevenqian
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副总工程师
  • 2021-11-12 18:11:41
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AST品牌碳化硅MOS为例。其量产碳化硅MOS管,单管耐压最高可到3300v,导通电阻最小做到15毫欧,完成从650V,900V,1200V,1700V,3300V全系列产品线。产品大批出货用于新能源汽车,工业电源及消费类领域。联系方式  钱生QQ:641226513  VX/ Mob:15919711751, 提供方案资料和芯片测试欢迎咨询。
宝乐
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  • 2021-12-19 16:35:48
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SIC驱动方面的技术,全面
QLH2021
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  • 2022-1-26 21:15:40
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ASC20N3300MT4-PDF.pdf (580.92 KB, 下载次数: 2)
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