SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。 那么, SIC MOSFET对门极驱动器(驱动光耦、容耦、磁耦等)的有何设计要求呢? 1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。 2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。 3、要求驱动器具有双路输出端口。 4、支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz) 5、支持高安全隔离电压 6、3-5V的负压关断,开启要18V-20V。 针对如上的要求,Silicon Labs Si827x容耦隔离驱动芯片可以轻松满足设计需求。 • 高达4A峰值驱动电流,-40~125度宽温度范围,通过AEC-Q100认证。 • 业界最高的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁免疫能力(400kV/μs),支持超快速开关。 • 最大60ns传输延迟,非常低的抖动200ps p-p,这里需要说明一下,传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关.财富热线钱生:15919711751微信同号,欢迎咨询指导。
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