世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
未解决

碳化硅导通和关断

[复制链接]
查看: 1634 |回复: 4
1
beyond_笑谈
  • 积分:3332
  • |
  • 主题:235
  • |
  • 帖子:789
积分:3332
LV8
副总工程师
  • 2021-3-7 23:21:12
10问答币
请问在高压产品中用碳化硅替代IGBT,碳化硅的导通和关断有什么需要注意的吗?尤其是针对IGBT的拖尾现象,碳化硅也需要注意吗?
谢开源
  • 积分:11754
  • |
  • 主题:81
  • |
  • 帖子:2934
积分:11754
LV10
总工程师
  • 2021-3-8 11:01:03
  • 倒数4
 
关注中
nc965
  • 积分:92921
  • |
  • 主题:115
  • |
  • 帖子:27154
积分:92921
版主
  • 2021-3-8 17:52:02
  • 倒数3
 
现在的IGBT已经没有拖尾了,更何况碳化硅
浩工
  • 浩工
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1251
  • |
  • 主题:94
  • |
  • 帖子:310
积分:1251
LV6
高级工程师
  • 2021-3-20 17:37:19
  • 倒数2
 
SiC和Si的驱动和关断电压原理差不多,没有拖尾现象
yyy3400462929
  • 积分:2781
  • |
  • 主题:21
  • |
  • 帖子:129
积分:2781
LV8
副总工程师
最新回复
  • 2021-9-6 11:10:37
  • 倒数1
 
碳化硅MOSFET的驱动电压是正18-20V负3V
01.png
02.png
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号