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未解决

半桥mosfet驱动问题

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travellerxuqi
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LV6
高级工程师
  • 2021-3-9 20:18:04
10问答币
刚接触,本人小白。在选择半桥mosfet驱动芯片的过程中,发现主要分为隔离型和自举型。对一些问题感到困惑?
1、隔离型的是不是在功率回路出问题时不容易把前面的主控芯片芯片烧掉?
2、自举型的(如图所示,lmg1210,主控芯片和功率的地接到一起),是不是与前者相反,会存在前述问题?如果我一定要用自举型的该怎么避免这个问题?

lmg1210.png (53.88 KB, 下载次数: 43)

lmg1210.png
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nc965
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版主
  • 2021-3-9 22:24:06
  • 倒数5
 
没看懂你什么问题
travellerxuqi
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LV6
高级工程师
  • 2021-3-9 23:05:17
  • 倒数4
 
自举非隔离型的坏处是不是容易把驱动芯片和控制芯片都烧掉?因为他们的地都接一起,没有电气隔离。
nc965
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版主
  • 2021-3-10 00:11:51
  • 倒数3
 
自举驱动是久经考验的电路,没你说的问题,其电压隔离是要靠那只自举(快恢复)二极管的反向耐压来实现的,只要它的耐压没问题,放心使用,不用担心。
st.you
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LV10
总工程师
  • 2021-3-10 10:11:16
  • 倒数2
 
一般来说,如果半桥MOS挂了,一锅端。隔离的没用过,不过一般能做到3KV以上的隔离电压,应该只是端半锅吧
tigerzhang100
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LV8
副总工程师
最新回复
  • 2021-3-10 16:25:33
  • 倒数1
 
隔离驱动肯定更耐抗,不管是变压器隔离还是独立供电隔离驱动,因为驱动不共地,所以在功率管损坏时,主电路高压与驱动不会形成回路,不会将高压能量从基极反灌入驱动电路。但是自举驱动,高端驱动是通过驱动内部开关,将驱动信号抬升,一旦功率管损坏,驱动就直接和主电路想通,形成回路。且阻抗会迅速下降,会导致驱动过载烧毁。
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