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| | | | | 对电路的设计影响大了去了。最主要的一点就是设计驱动电路的驱动能力和频率的关系。一般来说会先确定电路的工作频率,因为电路会有一定的功率密度要求,我们就要根据功率密度选择合适的元器件的体积,比如变压器,电感和滤波电容,确定了体积就确定了工作频率。然后电路还有效率要求,我们就要根据允许的开关损耗计算MOS的开关速度了,要把MOS驱动到这个速度,我们就要在驱动电路的驱动能力和MOS的这些参数做一个平衡选择,力求达到这个开关速度了。一般来说MOS这些参数越小是越容易驱动的,但是也不是越小越好,因为越小的往往越贵,电磁兼容也越难处理。也不能太大,太大了就需要很高的驱动电流,驱动电路的设计会越困难,驱动损耗也越大影响效率。所以有经验的开发人员往往从这些方面选择合适的MOS.
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| | | | | | | 请问下CM100DY-24A这款IGBT模块可以帮忙算下驱动电阻多少合适吗?TIP41C+42C图腾输出
频率23.4K EG8010芯片
CM100DY-24A.pdf
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| | | | | | | | | 粗略地看了下手册,RG=3.1R的时候tf可以驱动到350ns,但是tr只有70ns,所以需要调整开通电阻比较多,关断电阻比较小。和电流也有关系。根据经验20K附近开关速度宜100-300ns,实际电流应该不到100A,所以3.1R驱动电阻应该差不多。所以驱动电流最大应该在5A左右。 TIP41C+42C应该是可以的。开通电阻应该在10-15R附近。然后就是搭出电路根据实际调整了。 |
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| | | | | 如果用作开关管的话,Q和C是影响开关损耗的重要因素。我一般只关注Q,比较少看C,因为两者趋势是一样的。计算过程中Q更常用。Q越大,开关损耗越大。一般的电源设计书上都会有介绍如何计算。此外,Q还影响驱动电路的设计,Q越大,开关MOS管需要的充放电电荷量越大。
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