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未解决

场效应管

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AS-AS
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LV8
副总工程师
  • 2021-6-14 11:40:01
10问答币
附件图中场效应管的C 和Q的参数对于电路设计有什么影响吗?值是大了好还是小了好?谢谢

场效应管.png (125.78 KB, 下载次数: 79)

场效应管.png
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nc965
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版主
  • 2021-6-14 20:29:11
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对设计没影响,对电路有影响
xzszrs
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高级工程师
  • 2021-6-30 21:15:55
  • 倒数5
 
对电路的设计影响大了去了。最主要的一点就是设计驱动电路的驱动能力和频率的关系。一般来说会先确定电路的工作频率,因为电路会有一定的功率密度要求,我们就要根据功率密度选择合适的元器件的体积,比如变压器,电感和滤波电容,确定了体积就确定了工作频率。然后电路还有效率要求,我们就要根据允许的开关损耗计算MOS的开关速度了,要把MOS驱动到这个速度,我们就要在驱动电路的驱动能力和MOS的这些参数做一个平衡选择,力求达到这个开关速度了。一般来说MOS这些参数越小是越容易驱动的,但是也不是越小越好,因为越小的往往越贵,电磁兼容也越难处理。也不能太大,太大了就需要很高的驱动电流,驱动电路的设计会越困难,驱动损耗也越大影响效率。所以有经验的开发人员往往从这些方面选择合适的MOS.
ZHIYIyunmeng163
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LV8
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  • 2021-7-2 23:24:23
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请问下CM100DY-24A这款IGBT模块可以帮忙算下驱动电阻多少合适吗?TIP41C+42C图腾输出
频率23.4K EG8010芯片 CM100DY-24A.pdf (425.17 KB, 下载次数: 3)



xzszrs
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高级工程师
  • 2021-7-5 23:44:40
  • 倒数2
 
粗略地看了下手册,RG=3.1R的时候tf可以驱动到350ns,但是tr只有70ns,所以需要调整开通电阻比较多,关断电阻比较小。和电流也有关系。根据经验20K附近开关速度宜100-300ns,实际电流应该不到100A,所以3.1R驱动电阻应该差不多。所以驱动电流最大应该在5A左右。
TIP41C+42C应该是可以的。开通电阻应该在10-15R附近。然后就是搭出电路根据实际调整了。
Allen_Sh
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LV8
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  • 2021-7-3 15:48:26
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设计电路时需要考虑到驱动能力
chenzhimin
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LV2
本网技师
最新回复
  • 2022-4-5 17:06:02
  • 倒数1
 
如果用作开关管的话,Q和C是影响开关损耗的重要因素。我一般只关注Q,比较少看C,因为两者趋势是一样的。计算过程中Q更常用。Q越大,开关损耗越大。一般的电源设计书上都会有介绍如何计算。此外,Q还影响驱动电路的设计,Q越大,开关MOS管需要的充放电电荷量越大。
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