请教个采用负压关断碳化硅MOSFET驱动器的问题-综合电源技术-世纪电源网社区

susu27

susu27
离线
LV6
高级工程师

积分：767
|
主题：89
|
帖子：186

积分:767

LV6

高级工程师

2021-6-16 19:17:19

30问答币

碳化硅MOS要负压关断，开通栅压也要大于18V，驱动比较麻烦，请教各位个问题下图官方这个驱动DEMO，VCC的电压到底是多少V？说明书上没写，X3这个±12V输出的模块电源是否让VCC变为了24V，这样SiC MOS开通电压是不是太高了？

还有一个问题，图上在驱动SiC MOS的时候使用IXDN609这块芯片，各位在驱动碳化硅MOS有没其他驱动芯片的选择？国内有这样的驱动芯片吗？SiC MOS对驱动芯片有特殊要求吗？

图上这种驱动板能用于高压上桥的MOS吗？

收藏0

		2 wszdxp2004 wszdxp2004 离线 LV10 总工程师积分：10241 \| 主题：85 \| 帖子：1251 访问空间发消息积分:10241 LV10 总工程师 2021-6-16 19:22:18 倒数5
		mark 21.6.16 回复 \| 举报 \|

		3 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131408 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131408 版主 2021-6-16 20:39:25 倒数4
		真瞎搞！栅负压驱动会导致导通电阻上升。18V驱动将没油承受短路能力。所以；Vcc直接取15V标准值即可。回复 \| 举报 \|

			6 能源消耗能源消耗离线 LV10 总工程师积分：14116 \| 主题：54 \| 帖子：3311 访问空间发消息积分:14116 LV10 总工程师最新回复 2021-9-6 13:02:57 倒数1
			我这么也看不懂这图，回复 \| 举报 \|

		4 yyy3400462929 yyy3400462929 离线 LV8 副总工程师积分：2789 \| 主题：21 \| 帖子：129 访问空间发消息积分:2789 LV8 副总工程师 2021-9-6 11:08:25 倒数3
		碳化硅MOSFET管的驱动电压正18-20V负3V 回复 \| 举报 \|

		5 yyy3400462929 yyy3400462929 离线 LV8 副总工程师积分：2789 \| 主题：21 \| 帖子：129 访问空间发消息积分:2789 LV8 副总工程师 2021-9-6 11:09:21 倒数2
		国产碳化硅MOSFET管和功率模块，可定制产品规格 01.png (452.98 KB, 下载次数: 35) 下载附件 2021-9-6 11:09 上传 02.png (207.4 KB, 下载次数: 33) 下载附件 2021-9-6 11:09 上传回复 \| 举报 \|

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145