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| | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | |
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| | | | | | | 不明白,Coss放电怎会影响驱动的上升沿?请详解。好像是米勒平台抖动厉害
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| | | | | | | | | 纳米平台的产生应该是,当驱动信号电压开始对Cgs充电,充电到导通点时,MOS开始导通,MOSd源极电压迅速下降,Cgd导致驱动原有的驱动电压幅度被拉动,驱动波形出现下滑,理想的时候下滑不是很厉害,这短短时间出现几次波动(这就是MOS开通前期不稳定因素),看似出现平台为理想状态。
以我理解,解决这个办法只有足够的驱动电流来保证不出现严重下滑。 渡过这个阶段。 在这个阶段同时出现DS开关波形震荡尖峰。 就是平时看到开噪音,关也是这个临近关闭出现这个关噪音,开关噪音。 第一个波形图就是这个现象。
结果:MOS管的Cgd电容越小越好,但它不可能做到不存在。 选择MOS管是可以参考。
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| | | | | 该芯片PWM输出驱动0.8A, 反灌0.5A,驱动能力不是很强。 也就是说,匹配的功率MOS灌 结电容需要小,大功率MOS需要外加驱动。
根据规格书电路,可以在输出端加并联以及图腾柱驱动,或更换MOS匹配。注意驱动信号电压幅度需要15V,该芯片(9-28V供电)
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| | | | | | | 有道理。目前IC供电是20V,驱动会被钳位在14V左右。14V/500mA=28ohm,明天试试改大驱动电阻为33R看还会不会振荡。
目前Mos Qg=16nC,以500mA充电的话,上升沿时间t>16nC/500mA=32nS.
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| | | | | | | | | | | 115Vac 20V | | | 115V aging 8Mins | | | | | | | | | | | Actual Io | USB_Vbus | Uo_cable front | Uo_cable end | Po_PCB | Pin | Fsw | Eff_Vbus | Eff_cable front | Eff_Cable end | AV Eff | Spec | 3.25 | 3.225 | 20.129 | 20.032 | 19.622 | 64.6032 | 72.08 | 158 | 89.63% | 89.63% | 88.47% | 89.01% | 89.00% | 2.4375 | 2.405 | 20.127 | 20.054 | 19.743 | 48.22987 | 53.72 | 136 | 89.78% | 89.78% | 89.58% | 1.625 | 1.5975 | 20.108 | 20.062 | 19.85 | 32.049045 | 35.95 | 156 | 89.15% | 89.15% | 89.73% | 0.8125 | 0.79 | 20.11 | 20.092 | 19.984 | 15.87268 | 18.4 | 111 | 86.26% | 86.26% | 88.24% | 0.325 | 0.3025 | 20.138 | 20.135 | 20.088 | 6.0908375 | 7.76 | 4/118 | 78.49% | 78.49% | 84.13% | | 79.00% | | | | | | | | | | | | | | 230Vac20V | | | 230V | | | | | | | | | | | Actual Io | USB_Vbus | Uo_cable front | Uo_cable end | Po_Vbus | Pin | Fsw | Eff_Vbus | Eff_cable front | Eff_Cable end | AV Eff | Spec | 3.25 | 3.18 | 20.077 | 19.979 | 19.499 | 63.84486 | 70.64 | 151 | 90.38% | 89.94% | 87.78% | 88.19% | 89.00% | 2.4375 | 2.4 | 20.109 | 20.034 | 19.732 | 48.2616 | 53.1 | 140 | 90.89% | 90.55% | 89.18% | 1.625 | 1.5937 | 20.118 | 20.07 | 19.865 | 32.0620566 | 35.94 | 155 | 89.21% | 89.00% | 88.09% | 0.8125 | 0.7875 | 20.154 | 20.127 | 20.024 | 15.871275 | 17.98 | 43.5 | 88.27% | 88.15% | 87.70% | 0.325 | 0.3 | 20.15 | 20.141 | 20.103 | 6.045 | 7.48 | 5.5/135 | 80.82% | 80.78% | 80.63% | | 79.00% |
明天抓Vgs和Vds,Ids看振荡有没有引起损耗加大 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 目前發現可能是級聯的GaN導致震蕩的。
原三明治變壓器效率高一點,但Ycap電壓太高約9V. 加了一層屏蔽後Ycap電壓將至1.5V但效率降了約1%,真頭痛。不知有什麼好建議
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | GaN的话带线得满足coc tier2 89% ,线损1.5-2%
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 用了GaN的话,就可能是共模干扰,尤其是高压条件dv/dt更高
功率地和信号地要严格单点接地,而且驱动芯片下面不能大面积铺铜接地
仔细检查PCB,优化布局走线
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