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未解决

NCP1342驱动问题

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谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-17 20:32:12
10问答币
NCP1342驱动问题:下图是驱动和FB波形左图是90V满载,有图是264V满载,请问为什么振荡如此厉害?驱动电阻0-33都无变化

微信图片_20210617202737.jpg (158.8 KB, 下载次数: 58)

264V满载驱动及FB波形

264V满载驱动及FB波形

90V_20210617203021.jpg (145.94 KB, 下载次数: 49)

90V满载驱动及FB波形

90V满载驱动及FB波形
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tmcent
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LV10
总工程师
  • 2021-6-17 22:05:01
 
感觉还是驱动信号有问题,仔细检查一下
xiaoyao929
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LV3
助理工程师
  • 2021-6-18 09:57:23
 
驱动电阻后面加电容试下
xkw1cn
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  • 2021-6-17 23:01:30
 
Coss放电而已。电压越高放电越狠。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-18 21:23:09
 
不明白,Coss放电怎会影响驱动的上升沿?请详解。好像是米勒平台抖动厉害

能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2021-6-19 09:09:25
  • 倒数7
 
纳米平台的产生应该是,当驱动信号电压开始对Cgs充电,充电到导通点时,MOS开始导通,MOSd源极电压迅速下降,Cgd导致驱动原有的驱动电压幅度被拉动,驱动波形出现下滑,理想的时候下滑不是很厉害,这短短时间出现几次波动(这就是MOS开通前期不稳定因素),看似出现平台为理想状态。
以我理解,解决这个办法只有足够的驱动电流来保证不出现严重下滑。 渡过这个阶段。   在这个阶段同时出现DS开关波形震荡尖峰。 就是平时看到开噪音,关也是这个临近关闭出现这个关噪音,开关噪音。 第一个波形图就是这个现象。
结果:MOS管的Cgd电容越小越好,但它不可能做到不存在。 选择MOS管是可以参考。
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2021-6-18 09:08:50
 
该芯片PWM输出驱动0.8A, 反灌0.5A,驱动能力不是很强。   也就是说,匹配的功率MOS灌 结电容需要小,大功率MOS需要外加驱动。
根据规格书电路,可以在输出端加并联以及图腾柱驱动,或更换MOS匹配。注意驱动信号电压幅度需要15V,该芯片(9-28V供电)
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-18 21:39:58
  • 倒数9
 
有道理。目前IC供电是20V,驱动会被钳位在14V左右。14V/500mA=28ohm,明天试试改大驱动电阻为33R看还会不会振荡。
目前Mos Qg=16nC,以500mA充电的话,上升沿时间t>16nC/500mA=32nS.
nc965
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  • 2021-6-18 21:09:29
 
先看Vds波形和效率
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-18 21:24:16
 
高压时效率偏低,温度高10C
nc965
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  • 2021-6-18 21:28:31
  • 倒数10
 
没看见Vds波形和效率
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-18 21:47:27
  • 倒数8
 
115Vac 20V115V aging 8Mins
Actual IoUSB_VbusUo_cable frontUo_cable endPo_PCBPinFswEff_VbusEff_cable frontEff_Cable endAV EffSpec
3.25
3.225
20.129
20.032
19.622
64.6032
72.08
158
89.63%
89.63%
88.47%
89.01%89.00%
2.4375
2.405
20.127
20.054
19.743
48.22987
53.72
136
89.78%
89.78%
89.58%
1.625
1.5975
20.108
20.062
19.85
32.049045
35.95
156
89.15%
89.15%
89.73%
0.8125
0.79
20.11
20.092
19.984
15.87268
18.4
111
86.26%
86.26%
88.24%
0.325
0.3025
20.138
20.135
20.088
6.0908375
7.76
4/118
78.49%
78.49%
84.13%
79.00%
230Vac20V230V
Actual IoUSB_VbusUo_cable frontUo_cable endPo_VbusPinFswEff_VbusEff_cable frontEff_Cable endAV EffSpec
3.25
3.18
20.077
19.979
19.499
63.84486
70.64
151
90.38%
89.94%
87.78%
88.19%89.00%
2.4375
2.4
20.109
20.034
19.732
48.2616
53.1
140
90.89%
90.55%
89.18%
1.625
1.5937
20.118
20.07
19.865
32.0620566
35.94
155
89.21%
89.00%
88.09%
0.8125
0.7875
20.154
20.127
20.024
15.871275
17.98
43.5
88.27%
88.15%
87.70%
0.325
0.3
20.15
20.141
20.103
6.045
7.48
5.5/135
80.82%
80.78%
80.63%
79.00%
明天抓Vgs和Vds,Ids看振荡有没有引起损耗加大
nc965
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  • 2021-6-19 10:00:11
  • 倒数6
 
感觉芯片还不错,还有优化余地,晒晒电路图和变压器
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-22 13:08:23
  • 倒数5
 
目前發現可能是級聯的GaN導致震蕩的。
原三明治變壓器效率高一點,但Ycap電壓太高約9V. 加了一層屏蔽後Ycap電壓將至1.5V但效率降了約1%,真頭痛。不知有什麼好建議

old transformer design.jpg (145.01 KB, 下载次数: 56)

old transformer design.jpg

new transformer design.jpg (118.88 KB, 下载次数: 47)

new transformer design.jpg

級聯GaN.png (46.25 KB, 下载次数: 41)

級聯GaN.png
nc965
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  • 2021-6-22 14:03:44
  • 倒数4
 
两级有这效率可以了,优化余地不大
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2021-6-22 14:33:32
  • 倒数3
 
GaN的话带线得满足coc tier2 89% ,线损1.5-2%
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2021-6-22 14:40:40
  • 倒数2
 
用了GaN的话,就可能是共模干扰,尤其是高压条件dv/dt更高

功率地和信号地要严格单点接地,而且驱动芯片下面不能大面积铺铜接地

仔细检查PCB,优化布局走线
开关电源12138
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LV3
助理工程师
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  • 2021-8-17 16:43:39
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原理图来一份我看看
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