2021 高性能电源&新能源汽车技术研讨会 特邀讲师:裴雪军教授、林苏斌副教授、王议锋副教授、朱飞老师 主办单位:21Dianyuan
【会议介绍】 2021年10月23日,21Dianyuan特邀华中科技大学裴雪军教·授、天津大学王议锋副教·授,在武汉举办高性能电源技术研讨会,现场分享EMC设计、SiC器件应用、GaN器件应用等内容,帮助工程师提升设计水平,拓宽设计思路,增强个人竞争力。
【会议大纲】 高性能电源的EMC设计—裴雪军 1.高性能电源的电子兼容问题
2.高性能电源关键部件的建模
3.影响EMI滤波器的主要因素
4.EMI滤波器的设计方法
SiC器件在电气化交通系统中的应用研究—王议锋
1. SiC发展概况
1.1 SiC特性
1.2 国产化进程
2. SiC应用的若干问题
2.1 驱动问题
2.2 去耦及振荡消除
2.3 散热问题
2.4 测量问题
3. SiC在氢能DC-DC中的应用
3.1 拓扑架构
3.2 磁性元件
3.3 样机实现
高频、高·效、高功率密度(3H)中的GaN器件应用研究—陈材
1.GaN器件的预测式动态死区时间调节方法
2.GaN器件的高频单相无变压器逆变器
3.GaN器件的高功率密度隔离可调DC/DC变换器
【讲师介绍】 裴雪军
华中科技大学 教授 毕业于燕山大学电气工程学院,电力电子与电力传动专业硕士。长期从事逆变电源设计开发,高功率密度特种电源设计开发,超级结MOSFET的应用及失效分析,低压SGT MOSFET的应用及失效分析。
王议锋 天津大学 副教授 2011年毕业于哈尔滨工业大学,2015-2016弗吉利亚理工大学CPES访问学者。研究方向包括:高频高效电能转换技术,高效软开关技术,磁集成技术,高频数字控制技术,数字镇流器及LED驱动电源技术,直流配用电技术与系统。
会议时间:2021年10月23日(星期六)
会议酒店:武汉华美达光谷大酒店(5F 西湖厅)
会议地点:武汉市洪山区珞瑜路726号
交通信息:距光谷广场地铁站300米 步行4分钟
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