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感谢您的回复,我按照您给的方法:tr+tf+toff+ton=350多ns,就按500ns算
1/0.0000005=2000000,是不是意味着它理论上是可以支持2M的频率?
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| | | | | | | | | | | | | 空载的时候可以这么算,带上MOS就不对了,特别是不同MOS、不同工况还有很大的区别
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还好,MOS的结电容很小, 上电后,在1M 频率下观察PWM 的上下沿, 和芯片温升情况就可以有结论。
不过1M频率, 自举电容1UF 太大了,用104-224 无极性电容,,对这电容要求较高。自举升压二极管需要用超快速,SS 系列。
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | 这款MOSFET在48V配600V驱动工作在1MHz?
射频电源是为射频组件供电的电源,而不是发射射频啊。。。
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| | | | | | | 医疗射频电源就是用来产生射频能量的哦, 作用就是让射频能量穿透表皮层直达皮肤真皮层,刺激胶原蛋白再生和重组,电压大概400V以下,所以2010耐压不够
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | 这是美容射频电源。主业是去皱。
主频是800kHz,最高1MHz。软开关工作,可以用IR2113。但需要注意散热。
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| | | | | IR2110最大频率500K,实际上优良的使用是200K一下
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| | | | | 驱动芯片的功耗限制,直接限制了开关频率,Pd=Qgtotal*Vgdrive*fsw。
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| | | | | | | 谢谢!那能上到1M频率且电压到500V的驱动芯片推荐吗?
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | IR2113本就可用,而且已量产。为啥不试呢?
除此;新一代驱动更好用。到英飞凌、TI官网搜下,满把的。再给你个栗子:
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