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未解决

关于栅极驱动芯片的频率上限的疑问

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kinghsuai1016
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助理工程师
  • 2021-7-8 16:45:09
10问答币
本人菜鸟一个,在设计一款1M的医疗射频电源,用MCU产生两路相位相差180的PWM信号经两片IR2113来驱动IRFP440组成的全桥,现还是模拟阶段没有实际画板,但现在对IR2113是否可以工作的1M频率产生了疑问,看手册没有给出具体的工作频率,只提供了tr,tr,toff,ton等几个个人认为与工作频率相关的参数,在网上大概看了一下这几个参数的介绍,但还是没能理解这几个参数具体怎么计算工作频率的。忘大神不吝赐教。。。。


微信图片_20210708164236.png
nevou
  • nevou
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LV6
高级工程师
  • 2021-7-8 17:33:42
 
trise+ton+tfall+toff=T
kinghsuai1016
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LV3
助理工程师
  • 2021-7-8 18:42:27
 
微信图片_20210708183533.png
感谢您的回复,我按照您给的方法:tr+tf+toff+ton=350多ns,就按500ns算
1/0.0000005=2000000,是不是意味着它理论上是可以支持2M的频率?
nc965
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版主
  • 2021-7-8 20:14:43
 
IRFP440也有这样一组数据,都加上吧
kinghsuai1016
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LV3
助理工程师
  • 2021-7-8 22:12:31
 
嗯!版主你好!我的理解是对的不,可以这么计算吗?
nc965
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版主
  • 2021-7-8 22:30:36
 
空载的时候可以这么算,带上MOS就不对了,特别是不同MOS、不同工况还有很大的区别
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2021-7-9 08:50:50
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cc.jpg
ccc.jpg

还好,MOS的结电容很小, 上电后,在1M  频率下观察PWM  的上下沿,  和芯片温升情况就可以有结论。
不过1M频率, 自举电容1UF 太大了,用104-224 无极性电容,,对这电容要求较高。自举升压二极管需要用超快速,SS  系列。
kinghsuai1016
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LV3
助理工程师
  • 2021-7-9 08:58:28
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好的!谢谢总工
xkw1cn
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版主
  • 2021-7-9 00:40:51
 
这个频段只能用IRS2010。
xkw1cn
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版主
  • 2021-7-9 00:39:43
 
这款MOSFET在48V配600V驱动工作在1MHz?
射频电源是为射频组件供电的电源,而不是发射射频啊。。。
kinghsuai1016
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LV3
助理工程师
  • 2021-7-9 08:57:38
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医疗射频电源就是用来产生射频能量的哦, 作用就是让射频能量穿透表皮层直达皮肤真皮层,刺激胶原蛋白再生和重组,电压大概400V以下,所以2010耐压不够
xkw1cn
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版主
  • 2021-7-9 22:21:36
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这是美容射频电源。主业是去皱。
主频是800kHz,最高1MHz。软开关工作,可以用IR2113。但需要注意散热。
kinghsuai1016
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LV3
助理工程师
  • 2021-7-13 11:55:56
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对的,就是美容射频电源!谢谢版主
ZHIYIyunmeng163
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LV8
副总工程师
  • 2021-7-10 21:04:49
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IR2110最大频率500K,实际上优良的使用是200K一下
greendot
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LV10
总工程师
  • 2021-7-13 12:13:00
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驱动芯片的功耗限制,直接限制了开关频率,Pd=Qgtotal*Vgdrive*fsw。
kinghsuai1016
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助理工程师
  • 2021-7-13 13:49:01
  • 倒数3
 
谢谢!那能上到1M频率且电压到500V的驱动芯片推荐吗?
xkw1cn
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版主
  • 2021-7-13 22:13:32
  • 倒数2
 
IR2113本就可用,而且已量产。为啥不试呢?
除此;新一代驱动更好用。到英飞凌、TI官网搜下,满把的。再给你个栗子:

1ED020I12-F2_V2_final.pdf

1.65 MB, 下载次数: 3, 下载积分: 财富 -2

kinghsuai1016
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助理工程师
最新回复
  • 2021-7-14 08:46:57
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好的!谢谢版主哈,板子画好了,准备打样试一下
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