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移相全桥驱动尖峰

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大浪淘沙123
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LV8
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  • 2021-7-15 14:44:39
最近调试移相全桥,当移相角比较小的时候,大约30度一下(总共360度)驱动出现尖峰。超过30度,驱动就很正常。

而且发现驱动尖峰还与母线电压有关系:母线电压越低,要使驱动正常,移相脚要越大。

由于驱动尖峰的存在,很容易引起上下管子的直通。   

上面现象全桥都是用的MOS,然后换成IGBT,一点尖峰都没有。我怀疑是因为MOS内的体二极管反向恢复时间长、恢复电荷大引起的。每个MOS并一个块恢复肖特基ES1J,仍然有没有改变。驱动加12V的TVS有改善,改善不明显。准备用碳化硅MOS看下,主要是碳化硅MOS的反向恢复时间跟IGBT一样很小。

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bake_ql
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LV8
副总工程师
  • 2021-7-15 20:47:03
 
要配合上一次侧谐振电流波形做判断

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wangdongchun
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LV12
专家
  • 2021-7-15 22:16:36
 
MOS管内部的极间等效电容是不容忽视一个因素,而IGBT做为一种复合元件其等效电容相对而言会小一些。

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masuyun
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LV6
高级工程师
  • 2021-7-16 08:21:29
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当移项角小于30度时,逆变输出波形怎么样?DS波形怎么样?
大浪淘沙123
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LV8
副总工程师
  • 2021-7-19 14:15:52
  • 倒数9
 
问题应该说已经解决了:应该可能是MOS的体二极管反向恢复时间较长的原因,因为用碳化硅MOS不存在此现象。碳化硅MOS和IGBT的体二极管反向恢复时间都很短。
masuyun
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LV6
高级工程师
  • 2021-7-20 12:13:57
  • 倒数8
 
那我也试试
gongyuan073
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-19 21:10:41
  • 倒数7
 
请问您的电路中母线电压是多少呢,我发现低压的时候(100v左右)mos的Qrr反而比SiC更小。这样的话是不是在低压时候用SiC就没有效果了呢?
大浪淘沙123
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LV8
副总工程师
  • 2021-8-20 11:27:44
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我母线电压 392V,就是PFC输出。PFC降到370V一下,后端全桥不会工作。不过低压情况是要好很多
gongyuan073
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-21 18:03:11
  • 倒数5
 
我搞了几个SiC试了一下 波形确实好多了 立竿见影 多谢指导
大浪淘沙123
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LV8
副总工程师
  • 2021-8-24 18:53:53
  • 倒数2
 
可以考虑加个互锁机制。上管导通时候,下管驱动直接短接,加个小信号MOS做互补隔离驱动。
先搞电源后考研
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LV2
本网技师
最新回复
  • 2023-7-7 21:22:21
  • 倒数1
 
碳化硅的话还需要加负压驱动吧,楼主,请教出现这种硬开关米勒震荡后对于采样的干扰如何解决呢?怎样的采样机制
adobepdf
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LV10
总工程师
  • 2021-8-22 17:13:22
  • 倒数4
 
管子耐冲击能力有点差
大浪淘沙123
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LV8
副总工程师
  • 2021-8-24 18:51:58
  • 倒数3
 
冲击力和尖峰怎么解释呢?实际上,就是上管(或下关)在关闭期间,会受下管(或上管)在开通瞬间的干扰从而引起驱动尖峰。感觉就是从Cgd电容耦合过来的。
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