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| | | | | MOS管内部的极间等效电容是不容忽视一个因素,而IGBT做为一种复合元件其等效电容相对而言会小一些。
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| | | | | 当移项角小于30度时,逆变输出波形怎么样?DS波形怎么样?
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| | | | | 问题应该说已经解决了:应该可能是MOS的体二极管反向恢复时间较长的原因,因为用碳化硅MOS不存在此现象。碳化硅MOS和IGBT的体二极管反向恢复时间都很短。 |
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| | | | | | | 请问您的电路中母线电压是多少呢,我发现低压的时候(100v左右)mos的Qrr反而比SiC更小。这样的话是不是在低压时候用SiC就没有效果了呢?
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| | | | | | | | | 我母线电压 392V,就是PFC输出。PFC降到370V一下,后端全桥不会工作。不过低压情况是要好很多
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| | | | | | | | | | | 我搞了几个SiC试了一下 波形确实好多了 立竿见影 多谢指导
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| | | | | | | | | | | | | 可以考虑加个互锁机制。上管导通时候,下管驱动直接短接,加个小信号MOS做互补隔离驱动。
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| | | | | | | 碳化硅的话还需要加负压驱动吧,楼主,请教出现这种硬开关米勒震荡后对于采样的干扰如何解决呢?怎样的采样机制
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| | | | | | | 冲击力和尖峰怎么解释呢?实际上,就是上管(或下关)在关闭期间,会受下管(或上管)在开通瞬间的干扰从而引起驱动尖峰。感觉就是从Cgd电容耦合过来的。
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