| | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | |
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| | | | | | | 试过了,没有改善 而且尖峰都是发生在开通瞬间的,展开发现在米勒平台处
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| | | | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | | | |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | | | | | 470欧还会直接报过流
唉!
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| | | | | 把功率管的开启时间降低一点,不然寄生感抗导致的振铃太大 |
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| | | | | | | 我把驱动电阻调成了47R,GS并了一个10nF的电容,问题依旧啊。IGBT就几乎一点都没有
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| | | | | 兄弟估计你的问题,跟我之前遇到的问题一样。我也是全桥但是跟普通全桥有点区别。后端是LC串并联形式的。也是用MOS,全带宽驱动尖峰忒大(主要发生在占空比或者移相角较小时候),用IGBT就没有,但是IGBT效率低了点,就换成碳化硅MOS虽然要贵很多。
找很久没找到原因,仔细看手册,IGBT和碳化硅MOS比COOLMOS和常规MOS的Qrr和Trr小很多。估计就是这里。 这些尖峰还都是全带宽才测得出,20M就没得,跑时间久了就炸。
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| | | | | 不过,你的全桥可以在每个MOS的DS并联一个肖特基。ES1J这种就会好很多。
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