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未解决

H桥mos尖峰较大

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jdx0606
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高级工程师
  • 2021-8-2 16:21:11
10问答币
最近在做并网逆变器,H桥前期使用的是IGBT,死区较大对波形有点影响,就想把IGBT换成MOS,减小死区.结果测试过程中发现炸管,修复后用示波器看了一下管子的GS和DS波形发现开关管关闭的时候有很大的尖峰。通过在DS直接增加C及RC吸收,母线就近增加吸收电容,调整驱动参数以及DS反并快恢复二极管等方式都无明显改善。但更换回IGBT后尖峰几乎完全消失。不知道是什么原因。MOS管尖峰波形和https://bbs.21dianyuan.com/forum.php?mod=viewthread&tid=138676里面几乎一样。波形上显示每个尖峰都在开通瞬间,即弥勒平台的地方。另外我把H桥输出的滤波器断开了,也就是说两个桥臂中点没有任何关系了

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xkw1cn
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版主
  • 2021-8-2 21:40:52
 
驱动与主回路失配。与死区无关。
浩工
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-4 18:53:06
 
增加个R-C 缓冲电路,可以滤除毛刺
jdx0606
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-5 10:32:05
  • 倒数10
 
试过了,没有改善 而且尖峰都是发生在开通瞬间的,展开发现在米勒平台处

xkw1cn
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版主
  • 2021-8-5 20:36:01
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开太快了!
jdx0606
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-6 14:12:19
  • 倒数8
 
驱动电阻都调到47R,没有任何改善
xkw1cn
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版主
  • 2021-8-6 23:33:23
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470欧还会直接报过流
唉!
Allen_Sh
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副总工程师
  • 2021-8-9 18:59:49
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把功率管的开启时间降低一点,不然寄生感抗导致的振铃太大
jdx0606
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LV6
高级工程师
  • 2021-8-18 15:48:10
  • 倒数5
 
我把驱动电阻调成了47R,GS并了一个10nF的电容,问题依旧啊。IGBT就几乎一点都没有
泰格动力
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助理工程师
  • 2021-8-19 12:56:05
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用的是啥管子啊,
大浪淘沙123
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副总工程师
  • 2021-8-19 16:59:17
  • 倒数3
 
兄弟估计你的问题,跟我之前遇到的问题一样。我也是全桥但是跟普通全桥有点区别。后端是LC串并联形式的。也是用MOS,全带宽驱动尖峰忒大(主要发生在占空比或者移相角较小时候),用IGBT就没有,但是IGBT效率低了点,就换成碳化硅MOS虽然要贵很多。
   找很久没找到原因,仔细看手册,IGBT和碳化硅MOS比COOLMOS和常规MOS的Qrr和Trr小很多。估计就是这里。  这些尖峰还都是全带宽才测得出,20M就没得,跑时间久了就炸。
大浪淘沙123
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LV8
副总工程师
  • 2021-8-19 17:01:24
  • 倒数2
 
不过,你的全桥可以在每个MOS的DS并联一个肖特基。ES1J这种就会好很多。
jdx0606
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2023-6-27 17:47:32
  • 倒数1
 
问题已解决,为驱动电源不稳所致
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