| | | | | 1、电感上的电压满足反激反射电压:Vl=Vr+Vin,外加漏感尖峰
2、Vin电容与QD组成最小回路,原边RC吸收电路可以取消
3、适当调整原边驱动上升沿,副边RC吸收电路可以取消
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| | | | | 你感觉D4,D1 在这个RCD吸收中扮演什么角色呢? 我的意思这样的RCD接法是错误的, D4 D1不该是二极管, 用TVS管
你图中画的电动势回路应该是从gnd- d10-L-D3-Vh 开始,,高压供电的双正+激,其实产生的尖峰并不像单管可怕, 像版主说的控制一下上升沿就可以降低点尖峰,
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| | | | | | | 这是我从凡亿教育买的,花了我不少钱,关键是电路图原理还没讲明白,咱群里问也不回复,气死我了
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| | | | | Q1和Q4断开的瞬间形成的高电压会大于VDC,类似boost电路
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| | | | | 1、Q1和Q4断开的瞬间会产生≤VDC的电压,取决于漏感存储的能量能不能将电容C12、C28充到等于VDC的电压,等于VDC电压之后,剩余漏感能量全部给母线大电容吸收了
2、箭头部分,在MOS管关断时,电感上的电压上升,就会给电容C12、C28充电,一部分是励磁电感存储的能量一部分是漏感的能量,充到电容上电压为反射电压时,只有漏感给电容继续充电,励磁电感的能量传输到副边 |
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