 |  | | | | 单片机驱动NMOS需要的是电压，如果是3.3V供电的单片机驱动NMOS可能会有开启电压不足的问题需引起注意。
评分查看全部评分
|
|
|
| |  | | | | | 没事的，这类MOS不像功率MOS结电容大， >1v 即可。 都是可以低压驱动。
|
|
|
|
| | | | | 楼主使用单片机的话，应该使用三极管这种电流型元件，若采用MOS管恐怕由于单片机电压较低难免出现开通不良、开启不彻底等异常情况！
评分查看全部评分
|
|
|
|  | | | | | | 王工好 我们产品电池容量很小 我又想省电 所以想用MOS替代掉三极管去驱动PMOS 但是你说的当G的电压要高于S的电压才能可靠导通 NMOS 所以很矛盾啊！
|
|
|
| | | | | 三极管的图，发射极接PMOS的理由是什么？没有速度要求的话，串1K改成100K，驱动电流也是足够的。 评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | （4.2-0.7）/100K=35uA漏电，用NMOS去驱动PMOS更省电 4.2/（1K+MOG RGS 无穷大的一个阻值），算出来电流是非常小的，但是用NMOS可能MCU的电压不够啊，难道 要去升压吗？所以很鸡肋 因为电池很小的容量 只有20mAh 想省电
|
|
|
| | | | | | | | | 那就全部用MOS好了，低压MOS，很容易驱动的，GS之间2.5
|
|
|
| | | | | | | | | 那就全部用MOS好了，低压MOS，很容易驱动的，2.5V足够驱动导通。R15可以换成1M，问题也不大，关断时间慢一点而已，能用那么小的电池，想必负载也不大到哪去，放心用。 |
|
|
| | | | | 不要只看门限电压，找到这个伏安图看看3.3V够不够
还有做开关的PMOS栅极需要串一个电阻，你那个30k在开通的时候会被Cgs短路掉
功率PMOS的Ciss和控制NMOS的Coss直接串联，加上分布电感，一旦起振就没办法很好的开关
评分查看全部评分
|
|
|
|
|
| | | | | 电路中这2个图， 都可以。 没有，楼上诸君 所担心那么多想法。
主开关管PMOS （Q1 Q2)，普通一次开关而已，所需驱动电流很小，电阻取值越0.5mA - 1mA即可。 但电路中最好加个PMOS G到Q4 Q5 的集电极 之间分压电阻，
Q4 以 三极管作为反相管时，MCU（3.3v 或5v）到三极管基极串联个限流电阻2-3K ，对地电阻10-22K，
Q5 以NMOS 管作为反相管， 电阻取1-2K 对地电阻22K
不同的是采样三极管和采用MOS的MCU I/O 口电流 损耗区别。， 楼主说的那么可怕， 1mA足够了。 别忘了三极管有放大倍数， 搓搓有余。
|
|
|
| | | | | | | 如果用NMOS去驱动PMOS 那么NMOS的可靠导通需要G的电压比S高，这个风险时存在的，G的电压是MCU出来的，多余的电压从那里来，是一个问题。难道还要升压。。。不过S的电压不是=0吗 都已经接地了啊！难道是说导通的时候S的电压等于D的电压=电池电压？你说的22K的下拉电阻是怎么计算的？还有G或者B极的限流电阻怎么计算的 |
|
|
| | | | | | | | | 这种电路设计的电流又不大，PMOS管功率也不大，只是开关，又不是PWM。不计较开工速度。 所以需要2个电阻分压比在PMOS所需导通负电压就行的，取值按vCC（BAT)电压值比例，一般取3-8V之间就可以，为了减低损耗， 分压电阻取大值，电流1mA一下就可以。你的电路缺个分压电阻。 |
|
|
| | | | | 三极管极性就搞错了，不知道这个三极管怎么控制Pmos？ |
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号