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未解决

移相全桥, MOS管关断,VDS电压振荡

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jack_liu999
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LV4
初级工程师
  • 2021-9-16 11:17:04
10问答币
5kw移相全桥, 母线电压600V,负载5A时,MOS管关断时,VDS电压振荡存在大幅度振荡。原来死区设置0.5us,加载1500W时,炸机。Q1, Q4短路。很奇怪,
现在死区设置2us,2.5us,还是存在电压振荡问题,而且输出功率越大,振幅越厉害。
第一个图绿色是桥臂之间电压波形,黄色是Q3 VDS波形

原因是什么,谐振电感太大了吗?我是按照理论值计算的。
这个该怎么解决。






主电路图

主电路图


振荡波形

振荡波形















wangdongchun
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LV12
专家
  • 2021-9-16 16:27:30
 
首先楼主应该将线路图上传,其次根据楼主的描述结合波形图,推测有两个可能原因一个是实际选用的电感性能不良或者参数不匹配;再一个就是驱动信号有异常。

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jack_liu999
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LV4
初级工程师
  • 2021-9-16 19:39:46
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您好,更新了主电路图。
实际查过驱动波形,驱动信号虽然不漂亮,但是没有出现振荡。
下图是管子驱动信号与VGS波形对比。VDS振荡基本都事发生在管子关断后产生的。VDS电压上升沿应该是别的桥臂mos关断产生的,VDS电压下降沿的振荡是本体关断产生的。
谐振电感现在设置47uh,mos管桥臂并联了2.2nf电容。死区现在设置2us。  
图9.jpg
尝试去掉超前臂并联的电容,VDS电压振荡的出现好几个周波;如果去掉滞后臂的电容,电路不能正常工作。




阿甘
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高级工程师
  • 2021-10-2 11:22:46
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谐振电感过大是肯定的,减小10倍都可以。DS并联的电容拿掉
阿甘
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高级工程师
  • 2021-10-2 11:26:59
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母线电压600V,MOS是碳化硅吗?
如果是SiC MOS,炸管也很正常:驱动电路、布局要很小心,各种要参数匹配合理。如果只是在实验室里跑跑看,那也就无所谓了
jack_liu999
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初级工程师
  • 2021-10-8 10:00:50
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是碳化硅管 C2M0045170D。  为什么说sic mos容易炸管呢


joezzhang
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副总工程师
  • 2021-9-16 17:59:26
 
“输出功率越大,振幅越厉害”------检查功率环和驱动信号布局和走线


要么是SW热点的分布电感太大,要么是驱动走线没有优化到S/E端或者关断没有miller clamp


也有可能是驱动电路瞬时电流能力不足,用一个PNP加电阻在功率器件的GS/GE引脚处就近关断可能会好一点

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犁乡耕梦
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本网技师
  • 2021-9-18 16:35:56
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DS并联电容过大,建议更改为pF级别。
ruohan
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  • 2021-9-23 14:36:56
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朋友,你这个输入电压是多少,
jack_liu999
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初级工程师
  • 2021-10-8 10:01:30
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ruohan
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  • 2021-10-10 17:14:37
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你全桥用的什么芯片做的,
现在要做个低压转高压的,想用全桥做个,
jack_liu999
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UCC3895
ruohan
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