关于LTspice仿真双MOS串联反激RCD吸收的疑惑

我是电源新手，为验证一最高交流450V输入，双MOS串联的可行性，弄了个LTspice反激开环仿真，如下图，在直流320V下，变压器漏感设为1%，输出12V10W左右，请忽略MOS管耐压（好像在ltspice耐压没影响）：


仿真结果如下，绿色为M1的D极电压，蓝色为M2的D极电压，红圈中的梳状的波形是漏感影响的吗？怎么这么怪？



如果减小R1到51K，增大R2到200欧，波形就比较漂亮，但效率就降低了好多，红色为MOS管的电流。



请各位大师指点下2图中的梳状波形是怎么回事？

实际打样板实验后，R1为150K，R2为20欧，也没有出现那个梳状波形，难道是实绕的变压器（三明治绕法）漏感太低了？