 |  | | | | 将MOS 的开关速度降低一些，改善会比较明显 turn on 的Rg turn off 的Rg 都改大一些
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|  | | | | | | 驱动电阻不小了。参数是直接用的先前的原理图和MOS的型号，先前就没有这个问题。除了因为新项目的原因改了变压器和二极管。嗯，我还是改试试。 |
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| | | | | | | 主要是因为这个原因导致次边二极管的尖峰很高，改吸收变化不是很明显，打算从原边解决。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109861
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积分:109861 版主 | | | | | 因果关系应该是不成立的吧？变压器匝数该少了？感觉初级电感比较小。
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| | | | | | | | | | | 原边电流波形有尖峰，看变压器次级的一个抽头上与原边同步的一样有电流尖峰，和整流管的尖峰时间也是同步的。吸收电容从1nF改成2nF，满载功耗就加了5W，但尖峰却只减少了30V，变化不大。因为绕不下原因，从19:10:10改成了17:9:9，所以原边匝数不多。17匝的话初级感量不加气隙是690uH，保证感量一致加点气隙保证感量一致，要求600uH。感量现在不好尝试更改，改的话，加匝数，线要取细一点，后面尝试一下。
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109861
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- 帖子：45922
积分:109861 版主 | | | | | | | 正激类变压器，加气息干嘛，感量不一致就不一致呗。将驱动的20欧姆电阻改大到50或100欧姆看看损耗加大没有，然后看看尖峰。
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| | | | | | | | | 正激类副边二极管反压尖峰高，这是工程常识（现实)，每个工程师都在想办法解决，不用迁怒原边波形
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| | | | | 这种情况要想根治恐怕不太现实，只能试试看将Trr小点是否有效果。
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| | | | | 尖峰大意味着回路电容大了。更换整流管和调整回路电容看能改善多少 |
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| | | | | | | 这个尖峰没有太好方法，这是拓扑结构决定的。要不换成LLC吧，尖峰都会不见了。
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| | | | | | | 换了个之前用到的600V的管子看了下，尖峰就多了20V，效率就低了0.2%。之前产品50V/24A和现在同输入，同输出，之前是全桥，现在是半桥50V/10A，只是之前买不到国产400V管子，就只能买600V的。之前600V的管子尖峰加平台也就370V，比现在还低。现在能买到400V管子，且trr啥的比之前管子还好，但测的结果比之前还大。吸收电容从1nF改成2.2nF，功耗增加5-6W，但尖峰也就少了2—30V，再看下电阻，不行就和领导反馈，换管子了。
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| | |  | | | | | | 这个尖峰的原因是因为下管的体二极管来不及关断导致的。当处于上管与下管都关断的时候，也就是死区时间内，电流由下管体二极管承载，这时候体二极管是开通状态，当上管开通的时候，这个体二极管关断是需要时间的，所以会造成瞬间短路，会有很大的震荡尖峰。可以用Multisim 模拟看到这个现象
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| | | | | | | 我就是按照全桥的变压器计算来的，可以参考下正激变压器的计算。只是全桥的频率和B变化量是正激的2倍。可以参考下阮新波的脉宽调制DCDC全桥变换器的软开关技术 里面的计算。
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