| | | | | 有些MOS的自身参数特性问题,在LLC MOS上加C或RC解EMI。 |
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| | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | 隔壁老王;再老也是卖菜新手。
街边老菜贩子,再老道也只是街边卖菜的,永远也赶不上大贩子认知。
所以;你必须认清你的谈话对象段位。这与老幼无关。
实际上,如果是顶级段位选手;只要开关电流没超过75A;每个MOSFET加吸收就是笑话。
必然驱动、PCB布局、布线一堆问题。
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| | | | | 安全,即使不是LLC。
LLC在mos上加电容是有的,那是为了谐振,不是为了安全,也不叫吸收
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| | | | | 根据所接触过的实物线路图,楼主所说的线路几乎没有加吸收电路的,从原理上说MOS管上面的电容为谐振作用。
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| | | | | 我看还是具体问题具体分析,要问清楚前辈遇到了什么问题,加电容的目的是什么。不同LLC方案,MOS还是有差距的。更何况也许是在特点场景下。 |
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| | | | | 不需要,LLC的桥臂中的上下管都有寄生体二极管,这个寄生体二极管的存在,基本就会钳位桥臂的中点电位不会过高或者过低,因此就不需要再给MOS管并联吸收电路。
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| | | | | | | 假设LLC在启动的时候,频率很高,频率高谐振电流比较小。如果此时加电容是硬开关,不加是软开关。软开关时MOS体二极管又导通,如果体二极管是慢管,个别方案是有机会共通的。 |
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| | | | | 很多是MOS的DS加C,是因为MOS的寄生电容Coss差异比较大,一致性差,特别是国产MOS。并联上一个C,减弱这种差异。这样的话可以保证每一台量产的机器都能够在死区时间内把Coss上的电放完,来实现ZVS
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