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未解决

MOS炸机,请高手帮分析一下。

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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 11:09:07
10问答币
工作电压范围:DC77V(没有写错,就是DC77V)~AC220V 输出:50W 12V
在AC220V下MOS管偶尔会出现炸机现象(比例大概在1~2%)。


变压器初级电感量只有220uH。漏感8uH。
MOS管用的是700V的,最大电流11A,脉冲电流最大为30A.
由于实际电路只是工作在DC75V~110V,但是客户要求能够实现AC220下也能够正常工作。
工作频率在65KHz(工作频率93KHz下也测试过)



0 . 在DC110V下从来没有出现过炸机现象。
1 . 实际测试在AC220V下,初级MOS管吸收回路最高电压只有580V。没有超过MOS的所能够承受的最高电压。
2. 在50W的工作条件下,AC220V , 实际测量MOS导时间大概在1.8us。与理论计算时间相当。
3. 查了一下MOS的安全区,也没有发现什么地方超过的参数。
4. 有些变压器容易出,测量了容易发生炸MOS的变压器的电感量,漏感与其他变压器参数比较也未见异常。绝缘耐压也都没有问题。将炸的板子更换变压器后,重新老化也不出现。

我分析的可能原因:
1. 变压器的初级电感量太小,在AC220V条件下,id电流变化快,导致MOS功率烧毁。疑问是,理论计算与MOS的SOA比较未见超出MOS的参数。
2. 初次级匝数比小,MOS的吸收回路参数不好,导致超出MOS的VDS工作电压。疑问是,实际测量有问题的变压器的VDS最高也就580V。
3. MOS开启时间太长,实际测量,驱动MOS管的VGS信号比较陡,未见有较长延时。
4. MOS静电损伤,更换了MOS,不换变压器问题仍在。
5. 变压器绝缘耐压,测试了变压器,未见此项参数不过。







电路图

电路图

变压器

变压器
协兴电子
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助理工程师
  • 2022-4-8 11:51:32
 
我重新给你打个样看看

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能源消耗
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  • 2022-4-8 12:17:20
 
为什么是吸收回路电压。  VDS波形测一下。 总会有尖峰。测试尖峰电压,不是回路电压。
反激变压器电感量是随着气隙大小而定, 这个变压器是EFD30,本来做50W就小, 你现在又加宽输入电压,. (220VAC) 38:7  。 30磁芯经验值初级就小。还是考虑变压器优化吧、,




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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 12:24:44
 
准确说是MOS管的VD电压,那个位置是有振荡尖峰,尖峰最高点大概在580V左右。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-8 12:29:57
 
初级圈数这么少,反射电压也不高,管子耐压还是没有问题的,  问题是变压器温升后动态负载就不稳定,偏磁饱和也难说。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 12:29:18
 
我能够想到的最大的可能是芯片上电瞬间由于不控导致MOS在这段时间大电流烧毁的。但想不通的是,这类芯片通常是不到工作电压不工作,超过工作电压也不工作。我的MOS管有下拉保护,只要芯片不工作,下拉是可以防止MOS误动作的。

BingSun
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总工程师
  • 2022-4-8 12:34:08
 
也许就是上电瞬间峰值电流过大烧坏的。

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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 12:33:17
 
和初次级匝数有关?MOS管损坏无非就是高压,和功率两种。无论匝数比是多少,只要MOS工作电压和电流不超过其参数,理论上也不应该炸吧。这点不明很清楚,能否有高人解释一下。
wangdongchun
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专家
  • 2022-4-8 22:06:02
 
看了楼主的线路图和故障描述,再结合各位坛友的见解,本人有两个建议供楼主参考:一个是R16阻值是否偏大,常见在10K;第二个是很多坛友提到的变压器设计问题

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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 23:06:04
 
变压器问题是我怀疑的点,如果单以漏感大来说,实际测试的反射电压指标,没有超过MOS的耐受能力。电感量理论计算和实际测试没有找到不合适的理由。匝数比,有点小,但是次级选的器件也都是在耐受范围内。现在重新调整了变压器匝数比和电感量,关键问题是几个样品测试过不能够说明问题。

下拉电阻,其实芯片内部有一个下垃,外加一个有两个目的,一个是心理安慰(万一芯片内部没有的话,那么MOS死的会很难看)。另一个目的是起来加速放电作用,实际这个作用比较小。加大电阻了放电慢了。加小了充电慢了。平衡点不好找。之所以用24K不用10K,主要是因为少1个10K的物料种类。最早是10K的(也会出现偶尔炸机)。

后级的输出电路对这个有没有什么影响就不清楚了。初次级隔离测试3KV没有问题,可以过。这个电路除了辐射外超标外(这个点位主要是MOS的吸收回路电路设计不好),其他的EMC还都可以。

BingSun
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总工程师
  • 2022-4-8 12:31:26
 
因为要工作在较低的电压,所以这个电感也不算太小。

根据估算,电路工作于DCM模式。


由于某种原因可能导致电路工作于CCM模式,会有很大尖峰电流产生,可以尝试把驱动电阻10R改为47R-100R,看看有没有改进效果。

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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 12:40:32
 
100%的DCM。在AC220V下会出现CCM模式吗?占空比现在比较低,什么情况下会出现CCM。另外10R改47R,或100R会导致MOS管开启速度变慢,理论上更会出现炸机现象。
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-8 12:52:49
 
什么情况下会出现CCM

可能在上电的时候,10R改47R好还是不好?试一试不就有结果了。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 13:02:54
 
实验可以做,但是我想要的是理论分析的支持,不想靠试成功了,靠瞎试解决完不放心。
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-8 13:25:19
 
前面说过峰值电流过大,还要怎样的理论支持?难道调试不就是各种改动看效果吗?
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 16:36:58
 
首先有2点可以肯定,烧毁一定和电压,或者功率(也就是电流大有关)。由于变压器是感性器件,MOS瞬时导通,其电流也要遵守电流不能够突变的原理,如果违背了这个原理,那肯定是错误的。那么问题来了,变压器的初级电感为是220uH,从0变到芯片控制的时间大概在1.8us的时间,排除控制芯片虚焊和失效的情况,那么当达到VSENSE的采样电压的时候芯片一定会断开MOS。如果是大电流,芯片在什么条件下会出现应该关断MOS而没有关断的情况。能够想到的点就是芯片上电启动的那串驱动MOS导通的那串burst信号(实际这串信号开关脉冲时间比较短)。烧毁是概率性事件,有的就没有事,变压器参数实测离散性不高。也就是说,上电的时候无论MOS怎么开启和变化,电流都是要从0变到VSENSE的电压后判断。这个时间在AC220V条件下大概也就2us不到的时间。根据MOS的SOA曲线,这个电流和时间都在安全区内。
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-8 16:49:36
 
你也清楚要么过压,要么过流,我不就猜过流影响的吗?而且你也测过基本不存在过压。

还有你可以测下上电时MOS管电流,也许就有答案了。
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2022-4-8 13:57:29
 
你理论也很有见解,没有必要问,不试试看怎么知道,最终还是要验证,AC 110v 220V通用的反激电源很普及。  主要技术核心在变压器,30磁芯做50W反激你不觉得太难为你了吗?  还怎么大宽的电压输入。
tj_zhaozq
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LV3
助理工程师
  • 2022-4-8 15:04:05
 
我不是不想适,如果和理论相违背的测试我是不会适的。理论确定是对的,根本没有必要试。除非是理论推导错误,或者是理解错误,这种情况下肯定会试,但是所说的10R电阻这个问题,从理论分析与CCM和DCM根本不搭界。只是影响MOS管的开启时间,会导致MOS开启速度变慢。对EMC有些影响而已。想像一下,把这个电阻再加大,那么导通时间变的更慢一些,MOS管直接就炸飞了。
nc965
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  • 2022-4-8 12:58:01
 
漏感太大,重新核算变压器:【原创】反激变压器设计要领
tj_zhaozq
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  • 2022-4-8 13:05:47
 
漏感控制到多少应该合适。目前是8.4uH左右。我去掉过屏蔽层,漏感可以减小一些。
nc965
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  • 2022-4-8 13:54:31
 
按彼贴方法设计,漏感可小于1%
tj_zhaozq
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  • 2022-4-8 14:08:35
 
漏感小于1%,我觉得我设计不出来这样的变压器,实在是能力不够。
nc965
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  • 2022-4-8 14:14:19
 
按彼贴方法设计,漏感就可以降到1.0%,
这句话的意思是,只要你把你现在的设计参数用彼贴的设计方法核算一下,立即就会知道你做不到1%的原因,肯定不是你能力不够的原因。
tj_zhaozq
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  • 2022-4-8 13:13:55
 
我理论计算也分析过,目前主要受限客户要求的低压DC77V也要工作,如果匝数比太大,增加初级电感,那么低压条件下大概率会是CCM模式,如果占空比太高我担心电路更容易出现问题。因为最终产品工作在DC110V条件下,我要保证在这个条件下,即可能的工作在DCM模式。同时低一点电压时,即使是CCM占空比也尽可能控制在55%以内。关于漏感,我试过有无屏蔽层的对比大概也就差个1uH以内。
nc965
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  • 2022-4-8 13:55:53
 
你所有问题的答案,都在彼贴1楼的计算表格里
能源消耗
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  • 2022-4-8 14:01:15
 
你太迷信了哥, 变压器不可能没有漏感的, 看他变压器绕法已经是合理的三明治。
nc965
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  • 2022-4-8 14:08:02
 
他现在漏感3.6%,220Vac炸机,如果漏感能降到1.0%,预计277Vac也不会炸机,这不是迷信。以为仅凭三明治就能搞定漏感,这才是迷信。

昨天有位仁兄漏感做到2%,输入电压勉强可以上到260Vac不炸机:

2.png


他想调试成功投产,唯一的出路就是进一步降低漏感。当然他也可以选择加强钳位,但会损失效率

tj_zhaozq
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  • 2022-4-8 14:55:16
 
漏感导致的主要结果是反射电压高,MOS管的VD端尖峰电压升高。我现在的MOS 700V,VD尖峰电压最高580V。有100多V的余量。即使是有3~4%的漏感,也不是导致MOS炸的主要原因吧。整体的变压器温升大概在45度左右。MOS表面温度在60度。控制了漏感,也就是降低了振荡电压,VD的电压低一些,从理论上当然会更好。我现在想找到根本的原因,想明白一些。
nc965
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  • 2022-4-8 15:16:35
 
你想找的所有根本原因,都在彼贴1楼的计算表格里面,不信试试?
tj_zhaozq
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  • 2022-4-8 16:06:53
 
我现在正在重新变压器参数调整。至于能够调整到什么程度心里也没底。理论上电感量大一些的话,相同电压条件下,相同时间内MOS流过的电流会小,那么MOS的压力就会小。相同导通时间MOS所承受的电流小了,内阻相同的情况下MOS管所承受的功率下降了,即使电感增加需要达到相同电流的时间会变长,但是那时MOS管的内阻已经变的比较低了,其承受的功率不也大。同时由于电感量增加,储存相同能量的时间会加长,对于低压来说会有一点风险(很可能出现CCM模式),只能找一个平衡点了。我现在能够想到的点只有这个了。如果能够把漏感降低当然会更好了。
说实话,你的那个表看不明白(得研究一下才行).
nc965
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  • 2022-4-8 16:51:37
 
校核的话,绿色栏输入你的实际参数即可,傻瓜表格。如果黄色栏的计算结果觉得不靠谱,就是你设计的问题所在。
能源消耗
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  • 2022-4-9 10:41:35
 
你说的VD 是总幅度吧, 尖峰, 反射电压都可以在波形上看到,也可以判断变压器功率足不足。
能源消耗
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  • 2022-4-9 10:39:21
 
先看看波形,尖峰有多少?反射电压多?
nc965
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  • 2022-4-9 11:19:46
 
输入电压265Vac=374Vp
反射电压106V
反射平台电压 374+106=480V
尖峰电压620V
漏感尖峰 620-480=140V
漏感尖峰比例:140/480=30%
漏感2%
折算到每1%漏感尖峰比例为 15%,请大家记住这个比例,去套自己的设计
折算到楼主3.6%漏感尖峰比例:15%*3.6=54%
折算到本帖案例220V输入,(220*1.4142+106)*(1+54%)= 643V  --- 你不炸机谁炸机!
这通推导只说明趋势,不要拿数据来源的准确性来说事
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 16:00:11
 
反射电压106怎么算出来的?
nc965
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  • 2022-4-9 16:20:28
 
22楼那位仁兄告诉我的,然后也教他实际测试了一下,这是当时的测试波形,紫色为Vin,黄色是Vds,紫色与黄色平台之差就是106V:

2.png
tj_zhaozq
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  • 2022-4-9 16:59:29
 
你测试的波形和参数我认可。现在解释不通的是,反射电压高了,离700V还差的很远,没有到达炸的点。即使VD的峰值达到699V,我认为也不应该炸。肯定是其他问题造成的。除非变压器的一致性非常差,漏感太随机了。要是说因为8~9uh就炸,有些太牵强。这个漏感值造成的炸机概率,我认为比生产过程的静电损坏都要小的多。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 17:04:11
 
我就问你几个问题1、你觉得你正常工作后,VDS电压假设600V,你觉得启动瞬间的VDS电压有可能达到多少伏?
2、你有没有利用单脉冲触发模式,将触发电平放在650V,220V上电瞬间,看能不能捕捉到超过650V的波形?

3、你是如何保证市电是220V而不是230V240V的?
tj_zhaozq
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  • 2022-4-10 20:00:27
 
1、你觉得你正常工作后,VDS电压假设600V,你觉得启动瞬间的VDS电压有可能达到多少伏?
就目前看,VDS还没有到600V了。

2、你有没有利用单脉冲触发模式,将触发电平放在650V,220V上电瞬间,看能不能捕捉到超过650V的波形?
示波器单次触发,正常触发,自动触发这些功能还是会用的。正常板子,瞬间启动时采用单次触发,500V以上根本看不到波形。

3、你是如何保证市电是220V而不是230V240V的?
你要说是20~30年前,国内市电的波动是你说的这个情况我到是认可。现在市电还是比较稳定的。再说,平时做测试的时候都会用万用表测试一下电压的。我用隔离可调变压器试过240V的也没事。如果因为电压波动到了230V~240V就炸,比例应该会比较高。
tj_zhaozq
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  • 2022-4-9 16:47:26
 
你的计算没有问题,但是漏感大,尖峰高就要炸吗。我用在AC220V,到不了AC262V,另外,即使到了AC262,反射电压高了。没有超过MOS管的称值,为什么要炸。如果没超也炸,只能说明MOS有问题,不能说明变压器有问题。MOS管电气损坏无非就是高压、静电和功率*t的累积。我不认为是漏感造成的。从器件参数和波形看,没有理由认为漏感大了一点,造成反射电压高一些,就会导致炸。如果说漏感大了,造成了其他的参数变化从而导致MOS炸我到是可以接受。
nc965
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  • 2022-4-9 16:49:03
 
我的判断,你不太适合干这行,干点别的吧
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-10 20:18:06
 
我说我只要不坏的板子AC265V不炸你信吗。凡是得数据和理论说话,不是漏感大就要炸,这是谬论。你得看漏感大产生了什么后果。如果反射电压高了,即使高了,MOS管和其他器件参数均在安全范围内为什么要炸机。

如果以你单纯的认为漏感大了,电感量小了,匝数比不对了等等。无论是哪条,如果引起了电源板上的电气参数超过或接近所选器件的性能参数的话,我非常认可。但是在这些参数甚至都没有接近的情况下,就下说是变压器的问题,有点过于草率了。

结果,数据,凡是都得讲原理。只要符合原理设计就是真理。

就目前的这个变压器和参数(后级的肖特基实际是同步芯片,只些一处原理与图中不符),我说我可以AC265V启动100次都不炸。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 16:55:27
 
如果我没估计错,220V炸鸡是在上电瞬间就炸的。另外,变压器咋比38:7,输出电压12V,你是怎么测量出来的反射电压100多伏?
nc965
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  • 2022-4-9 17:01:20
 
22楼那位仁兄是另外一个案例,他265V也没有炸机,他也没有告诉我他的匝比和输出电压,你咋知道的?
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 17:07:09
 
22楼那位是你自己啊。因为我碰到过好多类似的啊,上电瞬间,上10次能炸5次,加一个器件,上100次也不会炸(不用改变压器)。
nc965
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  • 2022-4-9 17:13:21
 
摘录22楼:昨天有位仁兄漏感做到2%,输入电压勉强可以上到260Vac不炸机:
这位仁兄之前也抱怨上电瞬间 Vds 发飙,给他换了个元件(不知道是不是你那个元件)就不发飙了,但现在他说关机发飙,你那个元件也能行?
2.png
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-11 15:20:27
 
跟关机没关系.
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-10 21:00:26
 
你估计的没错,上电瞬间就炸了。反射电压这个其实是可以算的。包括尖峰电压都是可以通过理论推导的。不用量。只是因为器件参数的误差,实际值和理论值之间有就有误差而已。
能源消耗
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  • 2022-4-9 16:59:48
 
哥,你这反激表格灵不灵,懒人好用吗?
nc965
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  • 2022-4-9 17:06:47
 
因为所有参数都是联动的,所以很灵,傻瓜表格,赖人也好用,但“好用”与“用好”是两回事
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-9 17:23:17
 
看了,没有掌握,还是不会用,
我有个免费的拓扑计算软件,还是蛮好用
nc965
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  • 2022-4-9 20:12:35
 
74楼正在用它设计
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 12:59:20
 
根据理论计算,AC220V条件下,输入端大概有平均输入0.15A的电流。65KHz的开关频率,50W的输出条件下,MOS导通时间大概在1.8us左右。实际测量差不多也是这样。理论上MOS管的VD最高电压是580V左右。实际也对。初级电感量220uH,通过计算变压器流过的电流最高2.5A以内。理论计算和实际基本一致。现在的情况是理论计算和实际测量值是吻合的。变压器我觉得匝数比是有些小,但是没有办法,因为要兼容低压情况,只能如此。即使上调也就能够调到44:7(这种情况下,试过没有办法加屏蔽层)。
joezzhang
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副总工程师
  • 2022-4-8 15:44:07
 
可能性1:没有软启动,开机瞬间电压、电流超出SOA。验证:示波器单次触发,抓启动波形。

可能性2:高压条件下开关损耗增大,温度越高、Rds_on越高、导通损耗也增大,老化时热量积累、过热烧毁。验证:给100台样机点温,看看坏的那一两台有没有温度过高


tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 16:41:26
 
第一个点,正在想办法多测试找呢。
第二个点,老化了300块板,只是没有测温,一个也不出现。痛苦。


joezzhang
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副总工程师
  • 2022-4-8 16:44:52
 
至少随机抽样点几台,看看高温老化的时候温度范围是否偏高。实验室的样品没问题,不代表批次出货也没有问题

如果是开机的原因,即使没炸也应该一眼看出最开始的那1-5个脉冲是不是接近700V了,又或者导通时间大大长于1.8us,然后可以由波形来计算瞬时功耗
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 16:55:17
 
你说的有道理。这个可以马上测量一下。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-8 17:22:15
 
启动瞬间,电压不高,电流没有超。
joezzhang
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副总工程师
  • 2022-4-8 17:34:56
 
那就点温看看,老化的时候壳温一致性好不好,最高和最低是在60-80度还是在90-110度
如果偏上限,那就可能是部分MOSFET老化时结温超标
qq335702318
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LV8
副总工程师
  • 2022-4-8 16:40:34
 
初级绕组电感量提高一下
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-9 10:35:46
 
你测试一下,最低,最高输入电压,和最大电流时的DS波形,贴上来看看。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 16:36:40
 
根据波形看,反射电压还行。现在我都怀疑是芯片或MOS管生产线或包装静电或外力损伤导致的了。

AC80V 4.3A左右的波形

AC80V 4.3A左右的波形

AC220V 4.3A左右的波形

AC220V 4.3A左右的波形
BALLAST2000
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本网技师
  • 2022-5-4 15:01:47
 
10楼说是DCM, 波型怎么不像?
谢开源
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总工程师
  • 2022-4-9 11:21:21
 
50W/12V=4.1A ,输出用10A/100V肖特基温度够呛
肖特基温度太高时,反向漏电流达到mA级别·····即出现反激变正激现象
所以你可以尝试高温老化ON/off时,Vds有没有超标?

tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 16:21:23
 
我用的是同步整流IC,原理只是那么标的。120V 10R内阻。功率不是问题。你看的还挺细致。
谢开源
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总工程师
  • 2022-4-9 17:00:18
 
同步最容易出问题。用示波器的与门功能同时抓短路及启机时初次级的Vgs及Vds,看能不能抓的到
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 17:03:50
 
同步最容易出问题。这个真心不懂。次级采用同步整流,对初级会有多大影响。没有分析和研究过块逻辑关系。
谢开源
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总工程师
  • 2022-4-9 17:13:17
 
你不用搞懂先。你只要测试各种瞬态情况下的Vds,Ids有没有异常,有异常的话再去分析什么原因引起的
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 17:25:06
 
你说的这些前期做测试和分析的时候的必需项,没有发现什么异常。现在是手上的测试的板子都不出问题,生产的时候出,等发现坏的时候已经没有办法获得这些参数了,MOS管,采样电阻以及主控IC一串全挂。现在的问题就是找到一个能够说的通的原理分析,根据分析去复现故障。
群里说的漏感大,并接合吸收回路的电容容值随温度变高容值变低,会导致尖峰变高,那么我就可以做测量,定量分析,直接模拟温升后的参数即可。
bcdianyuan
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高级工程师
  • 2022-4-30 18:38:20
 
输出搭同步就很有可能出现共通了,我处理过多起这种客诉了,你挂一下同步驱动以及次级电流波形,开关机看看有没有很大的负电流!
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-9 17:04:30
 
50V 一格, 反射与尖峰很接近 ,都是85V左右吧。  升温后尖峰有可能还会升高,吸收电容容量会减低。测尖峰时,示波器还要展开,稳定了才精准。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 17:14:42
 
你说的对,温度高之后电容容值会下降很多,老化过程中炸了,这个就可以解释。这个测试也比较好做,我只需要根据电容曲线换成相应的小电容替代即可。回头做一下这个测试。假设再升高100V。达到180V. 最高点也到不了650V。老化过程坏的很少,1%应该不到。基本上都是装整机直接挂了。按道理,上电时,温度不高,不至于尖峰电压很高。这点确实有些苦恼。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 17:19:32
 
VDS的尖峰,恰恰是在开机瞬间最高。因为开机瞬间,变压器没有完全复位,原边电流是大于正常电流的好几倍,那你说尖峰能不高?
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 17:36:36
 
我测量我启动的MOS管VD电压,没有抓到过启动的时候会出现比工作的时候更高的电压。启动过程中电压比工作时候要低。从原理上说,电路在启动过程中,主控先发一串小脉冲,这个脉冲信号比实际工作的PWM信号脉宽要低一些,那么变压器的电流会小,电流小吸收回路的电压也就低了很多了。这个最早我也是怀疑的点,但是原理和实际测量是吻合的。"变压器没有完全复位,原边电流是大于正常电流的好几倍",为什么会这样,不符合电感的基本原理,是不是刚上电,电感值、电流采样电压(),输出电压采样都在那,主控芯片不可能让变压器的初级的电流超过其参数控制范围以外。主控IC设计者我想他们应该会考虑到这些问题的。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-11 15:22:36
 
你能保证前几个脉冲,传递到副边的能量,足够将输出电容电压提升到额定输出电压值?如果不能那复位电压是不是不足?当然你的IC,如果占空比是慢慢展开的,估计还好一些。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-9 17:27:36
 
那就扩展思路,别的地方,例如VCC供电,最大负载时多少V?  老化都是带载启动。 这个芯片有软起功能。适当按产品要求弄大点,缓解启动峰值电流试试。

反激启动限制不是电压环,是电流环,  你用正常机带载, 保护电流是多少? 如果太大了就等于保护失效。控制在60W 保护,55W限流状态。
另外,输入电压这么宽, 这个芯片有没有输入电压OVCP限制功能,  如果没有的话,高压输入到达不了保护点。就芭比了。所以安森美芯片基本都有这个功能。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 17:39:00
 
我就想多扩展一下思路,我现在想到的可能性经过测试,一个个被推翻了。哎。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-9 18:14:57
 
WMM26N65FD    N-Channel SJ-MOS FD    TO-263    650v    .215 R    20 A   147 W   30 V   3.3 ???
这管子参数还好吧。  质量能保证吗?   




tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 20:30:23
 
实际用的是700V 0.38R的MOS。

BingSun
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总工程师
  • 2022-4-9 18:15:33
 
为何加大电阻试下你都不乐意呢?因为理论上你想不明白?
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 20:45:07
 
我说的很清楚了。G端电阻加上会增加MOS导通时间,带来的好处是可以适当降低板子的EMC特性。但是坏处更明显,由于电阻加大,那么MOS导通时间变长,损耗变大,理论上更会导致MOS因为热损耗而炸机。凡是懂的这个道理的人,基本上都不会那么做吧。

理论就是理论,除非是理论错了,另当别论。如果不符合理论的事,我觉得就是无用功。很多人为了增加导通时间加速关断时间还要加二极管,很多人做电源都嫌MOS管开关速度慢,外加驱动电路加速,没有听说减速的。其他人说的漏感,芯片带不带BO,次级的同步整流(这块没有分析)导致的都比这个电阻靠谱的多。

要原理讲的通才行。我也加大过电阻,但那只是为了过EMC,降几个DB而已。而不是为了解决炸MOS故障。做完EMC特意降了电阻就是为了防止炸MOS,你到想让我把电阻加大。
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-9 22:42:27
 
也许加大电阻真的能解决呢?
tj_zhaozq
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  • 2022-4-10 20:21:03
 
这个可能性会比较高,加大电感值从理论讲会使MOS的压力减轻不少。如果排除了电子器件本身的故障外,单就MOS来说,压力轻了,出事的概率就降低了。
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-4-10 20:42:35
 
不同品牌MOS管应力也不同,也许换个MOS管也许电阻调大点。

也许哪一天就这么搞好的,虽然不明白为什么。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-4-11 08:45:48
 
R gs是防止结充电流过冲损坏MOS,起到限流作用,  调节平衡作用,高耐压MOS 管GS结电容都不大,  一般取值10-50欧姆之间。低压大电流MOS管,结电容较大, 取值4.7-22之间。电阻小了,缺点上沿冲击严重,尖峰过冲明显, 优点开关速度快,损坏小。  电阻大了,反之。所以取适中值。

WMN28N65规格书没有参考值, 你可以替换试试,22欧姆,15欧姆。尖峰控制在20-30V 为适中。  损耗不会很明显的,
tj_zhaozq
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LV3
助理工程师
  • 2022-4-11 10:37:21
 
你这个说法的话,有道理。如果从这个角度说话,那到是可以换一批试一下。
BingSun
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  • 2022-4-11 15:08:47
 
第7楼:我说有可能在某种情况下进入CCM模式,导致有尖峰电流产生。
第9楼:我说有可能是开机的时候进入CCM模式(后面你的回贴中也说就是开机时烧坏的),环路不稳定也会在正常工作中进入CCM模式。

加大驱动电阻可以降低尖峰电流(降低MOS电流应力)同样的问题我说的就没道理,别人说的就有道理。
tj_zhaozq
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  • 2022-5-6 23:54:37
 
别人说的有道理,是建立在数据分析的理论基础上,是有灵魂的。包括CCM模式,我也能猜,但是什么条件下进入。那么就需要理论分析,比如人家说的次级的同步IC导致的共通(我还没有时间分析),这个需要理论分析的,不是基于空洞的盲猜,盲试。
如果是盲试,即使这次成功,没有抓住本质,下次设计还会犯同样的错误。做产品不能靠经验(没有理论的经验),解决问题靠理论+实际验证,这才是设计的王道。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-5-18 07:47:35
 
加大电阻目的是减低开关速度,从而到达减低尖峰目的。 有利有弊,弊端就是增加开关损耗。

这尖峰不高的话,没有必要, 但根据尖峰波形,是可以稍加一点阻值。
tj_zhaozq
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  • 2022-6-16 10:18:01
 
给你一个

YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-9 15:58:12
 
偶尔出现的炸机瞬间,是出现在什么时候?开机瞬间还是工作过程中?另外,尖峰好像有些太大了。
nc965
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  • 2022-4-9 20:10:33
 
帮你核算了一下你的变压器(红色提醒漏感太大的原因),此处省略300字


tj_zhaozq
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  • 2022-4-9 20:51:28
 
我重新设计了变压器,将初级线圈改为了44圈,电感量增加到了300uH,初测量漏感比较低了。重新更改变压器我想从理论上降低MOS导通后的电流值(这块也包括导通变化过程),至少电流值的增速降慢了1/3,如果从功率角度讲,MOS的压力小了比较多。另外反射电压也适当降一些,总之即使不是炸MOS的原因,那么也会增加电源的可靠性和稳定性.
tj_zhaozq
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  • 2022-4-9 20:54:16
 
更改变压器这项只能是批量验证,几个样品测试肯定是确定不了。
nc965
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  • 2022-4-9 21:08:03
 
帮你优化的变压器:略


tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 21:14:13
 
36KHz的话,我想频率太低了,是效率高。但是对于EFD30来说初次级线圈的匝数太高了。变压器成本和工艺也要考虑。
nc965
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  • 2022-4-9 21:18:21
 
有刷新,38KHz。你怎么会认为增加匝数会影响变压器成本?好奇怪的念头!
nc965
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  • 2022-4-9 22:40:12
 
0.7的三层绝缘线太硬不好绕,又调整了一下见80楼刷新,应该是爽到极致了

顺便把电路方面的问题也说一下:略

tj_zhaozq
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nc965
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tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 21:09:41
 
我通常选择磁通密度值在0.18~0.3之间,根据实际应用进行调整。设计完变压器后,基本上只要在这个之间的话,我基本上就不太在意了。不知道这样行不行。请指教。
nc965
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  • 2022-4-9 21:29:45
 
反激,越抵近0.3设计,漏感越小,效率越高,不过正品磁芯才能抵近,劣质磁芯会炸机,
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-9 21:36:24
 
我就是怕磁芯不过关,每次设计的时候都控制在0.25以下,不敢设置太高了。
nc965
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  • 2022-4-9 21:52:36
 
为什么你的MOS、你的电解不针对伪劣产品选型?奇怪!更何况12楼原贴有验证磁芯品质的方法,你可以验证是否达到0.3。
banana10000
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本网技师
  • 2022-4-11 16:46:17
 
MOS换个型号试试
晗轩
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高级工程师
  • 2022-4-12 10:33:49
 
电流采样的RC是否设置过大,启臣微的这颗芯片内置有消隐时间,FB边的电容最好是放到芯片引脚那边
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 17:33:53
 
电流采样的带宽初步估算至少10MHz左右,对于一个65KHz的开关频率来说差不多。FB这个位置的电容确实没有放到芯片脚。
tj_zhaozq
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  • 2022-4-12 17:18:53
 
关于电路参数和变压器参数的对大家疑问的探讨及回复:1. 变压器参数确实不是很理想,压差太大,客户整机出货前用AC220V老货,实际工作是DC110V,同时要求DC77V也能工作。为了保证最终DC110V能够相对较稳定工作,所以采用的折中的策略。关于初级电感量,漏感的参数问题,确定也不是很理想。但是实际使用和测试,批量的尖峰电压在AC220V满载时,最高尖峰为440V左右(之前好像说的580V可能当时看错了)。这个电压不足以导致MOS烧毁。
2. 关于MOS的驱动电阻的问题,这是一个双刃剑,大了影响效率,小了可能会影响EMC(这项可以通过其他方法解决)。

3. 根据这两天的测试分析,忽然想到了一个问题:炸机的问题很可能不完全和我的电源板有问题,和客户的系统应用环境(这里指的不单是AC220V波动问题,其实电压高低真的不是炸机的主要原因)有关。当系统中存在某些2类设备和3类设备相互接入时,会产生一些不确定因素。这时候很可能造成后级的电压反馈错误,造成前级IC芯片误判,瞬时MOS大电流,炸了。这种情况在实验室也偶尔发生,去EMC实验室做测试,用示波器的表笔的地线接触主板的瞬间,主板的电源有可能就会炸,为了防止炸机,去EMC用示波器做测试都特意准备一个2相插座,防止炸机。

我想第3项是电源炸机的最大可能性,这种情况可能就得需要从小地方着手分析和解决了。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-12 17:37:07
 
1、上电瞬间,你用单脉冲触发模式逮到的最高尖峰电压多少伏?2、能测一下啊,上电启动瞬间,你电流取样电阻上的变压包络线波形吗?。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 17:52:42
 
我测试过了,幅度峰值较低。
同时采样电阻的电压没超。

BingSun
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  • 2022-4-12 21:27:08
 
重点可能还是你没法测电流。
tj_zhaozq
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  • 2022-4-12 21:42:23
 
"没法测电流"?
我分析电流的两种方法,通常情况下我两种都会同时用.


1. 采样电阻的电压我能测,采样电阻我也知道.电流不就知道了吗
2. 变压器的初级电感已知, MOS导通时间能够测量, 系统电源能够测量,一算电流不就有了吗.
3. 以上两个参数一对比,就知道测试的参数和测量的参数对不对了.如果一致那都对,如果不一致肯定有一个是错的.





BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 21:50:34
 
可以发一个电流波形出来看下吗?
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 21:27:18
 
示波器接地良好,反而容易炸机? - 知乎 (zhihu.com)

这个是关于接示波器炸机的原理分析,网上找到的. 接合目前工厂生产和客户的使用情况,炸机原因应该是这种原因.

平时测试,都是把示波器的中间地去掉的,就是为了防止炸机.而客户使用的时候会出现接示波器类似的状况, 基本上解释了工厂生产测试和检测过程中没有炸机故障(1例都没有).一到客户装成整机进行系统测试时就有可能炸机.

因为系统测试时接入设备的时间和整个系统里面的设备上电断电都不规范,比较随意.所以就出现了客户有时生产就比较顺畅,不炸机,有时就会出现几例现象.同时所有的设备到现场后的使用环境均没有炸机现象.同样的电源到了其他客户现场使用均无这炸机故障(有些客户也用在AC220场合下用).

一出问题就往自已身上找问题,做工程师的心虚呀.实在是找不到问题点,突然想到了以前在EMC测试时遇到的故障现象,所以查了一下相关分析. 遇到此种情况的人不在少数吧.很多公司的示波器少中间地线,估计也是这个原因.


补充一下:1楼中我所描述的不更换变压器不行,当时的变压器没有好好分析就拆了,估计炸的时候把变压器也烧坏了吧.后来一块板子特意把变压器拆下来换到别的板子上也没事,各项电气参数均正常.

感谢各位.





BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 21:49:42
 
如果你能上个电流波形,可能结果又不一样了。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 22:17:23
 
像接示波器的这种情况,职业生崖大概遇到过3~4次, 每次表笔的信号地只需接主板地线就炸了,根本都没法接探头,没有办法获得波形.

为了防止炸机,我用示波器还专门找了一个2相的插头线. 有时候也会把3相的插头大地弄断了.所以公司里是不出现炸机的. 当时一心以为是自已的问题, 拼命找,测试数据,分析,怎么测和算发现都不是自已的问题.本来打算就这么写份报告给客户推到变压器参数上,写着写着突然想到了接示波器炸机这事,网上一搜,果然有同道中人,而且也有朋友公司的示波器也这么处理过,然后和朋友沟通. 前段时间朋友做EMC测试时接示波器就出现了炸机现象,当时还怀疑是接错线了.


BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 22:32:30
 
1、有电流控头确实方便些。
2、大多AC实验源都是隔离输出。
3、若没有AC实验电源,最好是用隔离变压器隔离市电,也省得不小心把自己电了。

最后还是那句,但凡你能看下电流,可能就知道问题在哪了。
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 22:34:38
 
有些老板确实很扣,什么仪器设备都不想买。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 22:44:39
 
之前发的链接错误了.

个人看法,理论上网上找个那个链接的分析是对的,至于实际产生的电流大小,其实不用测试也能够通过理论分析计算出来电流是多大,这个电流应该是大的惊人了.
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 22:49:58
 
理论跟本没有任何问题。如果这样的话那还要仪器来干嘛!!!全部理论分析就行了。
问:你分析最大电流是多少?
BingSun
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总工程师
  • 2022-4-12 22:53:46
 
事实上你的这个问题非常简单
1、确定是过压还是过流?
2、对应找解决方法。

如果是过压,那么有没办法降低电压?或者用更高耐压的MOS。
如果是过流,那么有没有办法降低电流?或者用更大电流的MOS管。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 23:41:55
 
我想过这个问题, 有的器件是过压,有的是过流,有的即过压也过流.
对于过流,本身冷机启动的时候有热敏,随之着上电这个热敏阻值会变小,加的太大有功率和效率问题. 加小了起不到作用.
过压, MOS的GS点难道不成还要加TVS. 即使是加了TVS,也是有功率和时间要求的. 理论上GS过压这个时间最长是8ms(粗算). 过压, TVS不可能坚持8ms.有些难度.

还有MOS和采样电阻,防过流. 怎么防. 假设GS防护住了.但是MOS导通了,理论是MOS和采样电阻过流的最长时间在9.6ms(粗算). 就按平均电流37A算. 9.6ms 37A的平均电流,MOS和采样电阻很难扛住.从这个数据和模型分析,目前的这个MOS(即使性能再提高1倍)很难扛住.

BingSun
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总工程师
  • 2022-4-13 15:41:40
 
由于CS电压限制,怎么可能会产生平均37A电流? 如果说RS也烧了那一定是选烧了MOS才导致RS烧掉的。
由于最大电流限制,怎么可能产生8mS或是9mS的高电平驱动电压?

楼主最大的问题是不入流的理论+没有测试条件。

现在的情况看,基本确定烧坏是在MOS管开通瞬间,也许MOS管已烧坏时CS引脚还没反应过来。

解决方法:
如果说你这种概率只有1%,也许换个900V,电流再大一倍,就解决了,管它是过压还是过流。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 23:43:46
 
我想过这个问题, 有的器件是过压,有的是过流,有的即过压也过流.
对于过流,本身冷机启动的时候有热敏,随之着上电这个热敏阻值会变小,加的太大有功率和效率问题. 加小了起不到作用.
过压, MOS的GS点难道不成还要加TVS. 即使是加了TVS,也是有功率和时间要求的. 理论上GS过压这个时间最长是8ms(粗算). 过压, TVS不可能坚持8ms.有些难度.

还有MOS和采样电阻,防过流. 怎么防. 假设GS防护住了.但是MOS导通了,理论是MOS和采样电阻过流的最长时间在9.6ms(粗算). 就按平均电流37A算. 9.6ms 37A的平均电流,MOS和采样电阻很难扛住.从这个数据和模型分析,目前的这个MOS(即使性能再提高1倍)很难扛住.
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-13 12:27:44
 
我只想看看,你上电瞬间,取样电阻上电压波形的包络线,好的机器的也可以。我想验证一下是不是炸鸡的原因是不是心里想的。另外现在问题解决了吗?
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-13 13:04:51
 
我稍后贴一下。手上的机器从来不出,都是到客户那才出。而且只在客户家里出,实际用也不出。通过测试和分析实在找不出问题,所以才想到接示波器炸机的这个事情。

YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-13 14:43:04
 
问题是,用户那机器损坏的时候,接不接示波器应该是可以了解的到的吧。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-22 13:55:19
 
那个为了说明电源板烧炸机的其中一种原理,并不是说客户那非要接示波器。不一定非要示波器才能发生那种情况。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-22 13:52:54
 
波形图

正常工作波形

正常工作波形

上电瞬间波形

上电瞬间波形
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-22 14:01:10
 
你都没搞明白,我要的是开机时候的包络线。一张照片要体现三个点:开机前、开机后一段时间、正常工作时
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 22:58:11
 
至少从0A~74A就我目前的主板参数差不多在这个范围内.这时的电流完全不受控. 电流的大小也要取绝于接入的时间点.
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-4-12 22:04:59
 
网上有各种各样的反激变压器设计表格, 每种表格设计出来的参数大致相当, 出入不是很大. 同样针对的需求和要求也不一样.
无论是哪一种设计出来的其实都需要正向和反向进行验算. 没有万能的.
如果分析是变压器问题,我其实挺感谢版主给我提供了变压器参数,但是这个主题是MOS管炸机. 就我目前的情况, 无论是理论分析还是测试参数均不能证明是变压器的问题,所以态度上有点不太友好.
因为不想把贴子变成理论学习贴,所以很多的理论计算公式和数据也没有贴,当时只想找大内高手帮指个方向. 呵...

@nc965不要往心里去,请多多包涵.


能源消耗
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总工程师
  • 2022-6-17 08:56:19
 
你的参数DCM断续模式, B(T)0.2,
ggikahab
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初级工程师
  • 2022-4-25 11:33:37
 
难得看到这么激烈的讨论  高手间的探讨
zhaohua2764
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总工程师
  • 2022-5-2 13:19:47
 
仔细地将贴子看了两遍,先提几个问题:1、你的产品,是否经过了雷击浪涌及群脉冲测试(线对线2KV,线对地4KV)?
2、产品在你公司内部老化,是否没有坏过,只是在客户那里坏?
产品背景:楼主应该做的是轨道交通上的产品。正常在工作于DC110V(DC77-DC137.5V,瞬时DC66-DC160V),
在应急状态,工作于AC220V,但是要注意两点:一是这个电可能是由发电机产生的,波动很大,二是供电时,会发生
进电来源电压的切换,切换的装置是断路器。
有理由相信:1、断路器的切换会产生火花,过压及群脉冲是很容易产生的。2、由于可能是发的电,接入时的电压很容易达到305VAC或以上。
3、较长时间的过压是很难钳住的。
我建议楼主用900V的MOS管。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-5-6 23:56:30
 
这个板子是通过3C的,浪涌其实很容易抗的,实际烧也是AC220条件下,在DC110V完全不会。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-6-16 10:11:28
 
查了半天,最终结论:
板子比较窄,国产电源芯片估计是封装工艺不太好。客户在使用时,电源板一侧安装孔下面垫了1~1.2mm垫片,板子原先是比较平整的,因为单侧垫片,导致板子被硬掰,出现了翘曲。最终导致主控的GATE端阻抗变大。翘严重了,GATE无法输出了,翘轻点有输出,但是会使MOS处于放大状态,或不完全导通状态,结果就是炸机了。
能源消耗
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总工程师
  • 2022-6-17 09:00:15
  • 倒数10
 
结构故障关系,别说人家芯片, ,再说,焊接也不是很好, 受点外力就脱了。
tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-6-17 09:21:12
  • 倒数9
 
不是焊接的事,芯片原厂分析了,芯片焊接是没有问题的。客户加垫片只是加了一侧,另一侧根本没加,螺钉一打,板子中间瞬间就会产生形变。导致芯片内部的电路的内阻普遍偏大了。如果变形大,芯片坏的部分比较彻底,表面就是电路不工作。换个芯片就好了。如果坏的不彻底,那就是驱动电压不足,烧MOS了。

能源消耗
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总工程师
  • 2022-6-17 09:53:36
  • 倒数8
 
这封装,年糕做的? 谁敢用,没遇到。
youngmee
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高级工程师
  • 2022-6-26 20:33:40
  • 倒数7
 

跟封装关系不大。楼主的问题就是像王版主所说的那样:他智商税还没交够,还需要继续交智商税。1 U3附近的反馈网络需要斟酌,包括采样电阻。2驱动电阻R13照他所说很可能是贴片08051206(热啊)。3电容C14该靠近FB引脚,R10阻值需要斟酌。4没有输入补偿,无论是定ton,或者是定频变PWM,初始上电是硬伤,王版主一直想看他那个初始电流包络或者是电压波形,他自始至终顾左右而言他,问题很可能就出在这儿。5小细节:D6M76同步整流?这纯粹是工程师给自己过不去(增加设计难度,效率提升不多少,你都宽压了说明效率不是最优先的,上同步整流干嘛?嫌自己还不够菜?)。7最重要的:EFD30宽压还50W,这刀楼主来主太吃力了哈。

tj_zhaozq
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助理工程师
  • 2022-6-16 10:51:49
 
总结一下:
1. 这个电源方案,肯定不是完美的。同样原理设计的电源板,其他客户0故障,仅在同一客户那出问题。
2. GATE端串电阻的大小,这个把双刃剑,看如何取舍。
3. 变压器电感量,匝数比,线径等参数因为实际情况的需要目前只能这样了。可以优化,但是时间和精力不够,也没有动力。从理论数据看,目前的参数够用了。
4. MOS管以及与其配合的GATE电阻,这个就像贴子里面有些人说的,MOS管的工艺不同,GATE电阻最好也要适当,如上2所述。
5. 后级同步整流芯片,这个可能会有些问题(目前能力有限,暂时还没有细致的进行原理性分析),但实际测量同步整流两端信号,信号在开机启动和正常工作状态下的波形都正常,也未见各项指标超出其电气参数的情况。
6. 国产芯片也就这样吧,没办法,比国外大品牌还是有点差距的,但是够用了。此次遇到的问题,客户的安装也是存在问题的。如果我把安装孔延窄边方向放大一些,让板子所受应力小一些,可能就不会有那么多故障了。7. 此次炸机也其他人的炸机不是一回事。就像贴子有人说的那样,吸收回路的电压问题,MOS管的耐压问题,MOS的功率问题,变压器问题,这些也本贴中的炸机不是一回事。
8. 世界之大,无奇不有,哎。
linzy
  • linzy
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本网技师
  • 2022-6-16 18:01:38
 
看到你这种情况,放置在高温箱内部,温度设置85℃,0.5W低负载启动。测试数量大于10PCS,开关机测试大于10次试一下。应该能复现你这种炸鸡情况。
肖111111
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本网技师
  • 2022-7-22 15:57:48
  • 倒数6
 
有没有测过驱动?是不是驱动信号加到功率回路里了
qq444970660
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初级工程师
  • 2022-7-23 16:31:19
  • 倒数5
 
遇到更奇怪的机子,一直生产好好的没大问题,看到板子输入那里安全距离不够,就移了一点位置,结果生产的时候一上电就炸了几百台,其它啥也没改,真是跳到黄河都洗不清了。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-23 16:54:28
  • 倒数4
 
用老板子新器件生产,估计一样炸吧?
BingSun
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LV10
总工程师
  • 2022-7-23 19:11:40
  • 倒数3
 
跳到黄河越洗越黄,应该到离江,或者一些水很清的河或湖,一定洗得清。
z443233785
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LV8
副总工程师
  • 2022-7-29 23:08:03
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你这个参数输出短路也会炸机吧
BingSun
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LV10
总工程师
最新回复
  • 2022-7-30 00:12:36
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不知道楼主有没做过短路测试?我想不一定吧
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