三极管是电流型器件,要有电流指标,假定你的电流为10A
三极管作为开关使用,饱和状态的电流放大倍数 h
FE 显著更小,这只功率管 h
FE = 10 ,即其基极电流 I
BE = 10A/10 = 1A
这么大的控制电流显然不经济,要用 I
CE = 1A 的小信号三极管达灵顿接力,型号为A1013,取其饱和 h
FE = 20
达灵顿复合管总放大倍数为 h
FE达灵顿 = 10*20 = 200,其基极电流 I
BE达灵顿 = 10A/200 = 50mA
按此参数设计:R2=(10V-0.7V*2)/ 50mA = 170R,P
R2=(24V-0.7V*2)
2/170R = 3W
电流和损耗仍然太大,解决方案:
1、再加一级50mA达灵顿(型号A1015),这样 h
FE达灵顿 = 10*20*20 = 4000,I
BE达灵顿 = 10A/4000 = 2.5mA,R2 = (10V-0.7V*3) / 2.5mA = 3.1K,P
R2=(24V-0.7V*3)
2/3.1k = 150mW,需2只1206散热,即 R2 = R3 = 6K2
2、PMOS电压型器件
其中:
T = R4*C1 = 0.51mS 是开关缓冲时间,用于缓冲开关切换太快引起的冲击电流和冲击电压,根据需要调整。
R4 = 5K1 按 MCU 最高 VDD 电压 5.1V 和 I/O 口最小带载能力 1mA 限流设计,以适应 C1 的容性负载。
R5、R1 为静态偏置,【常开】安全逻辑,掉电或者 I/O 口高阻态有效,其阻值 R 按其电流 (V
BE / R) 小于其控制电流 I
BE 至少一个数量级即可。