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开关电路怎么配置

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dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-12 23:10:23
10问答币
如图所示,IN+范围是10V到24V.现在用一个PNP三极管开关电路来控制VIN+的通断。M1是一个DCDC模块(输入范围是6V到40V,输出降压到DC5V).KEY是MCU控制信号,KEY来控制Q2通断,进而控制Q1通断。

请问图中:R2,R3的配置是否合理?怎么计算?

三极管开关电路.png (90.95 KB, 下载次数: 49)

PNP

PNP

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三极管是电流型器件,要有电流指标,假定你的电流为10A 三极管作为开关使用,饱和状态的电流放大倍数 h[sub]FE[/sub] 显著更小,这只功率管 h[sub]FE[/sub] = 10 ,即其基极电流 I[sub]BE[/sub] = 10A/10 = 1A 这么大的控制电流显然不经济,要用 I[sub]CE[/sub] = 1A 的小信号三极管达灵顿接力,型号为A1013,取其饱和 h[sub]FE[/sub] = 20 达灵顿复合管总放大倍数为 h[sub]FE达灵顿[/sub] = 10*20 = 200,其基极电流 I[sub]BE达灵 ...
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nc965
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  • 2022-4-13 03:21:15
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三极管是电流型器件,要有电流指标,假定你的电流为10A
三极管作为开关使用,饱和状态的电流放大倍数 hFE 显著更小,这只功率管 hFE = 10 ,即其基极电流 IBE = 10A/10 = 1A
这么大的控制电流显然不经济,要用 ICE = 1A 的小信号三极管达灵顿接力,型号为A1013,取其饱和 hFE = 20
达灵顿复合管总放大倍数为 hFE达灵顿 = 10*20 = 200,其基极电流 IBE达灵顿 = 10A/200 = 50mA
按此参数设计:R2=(10V-0.7V*2)/ 50mA = 170R,PR2=(24V-0.7V*2)2/170R = 3W
电流和损耗仍然太大,解决方案:
1、再加一级50mA达灵顿(型号A1015),这样 hFE达灵顿 = 10*20*20 = 4000,IBE达灵顿 = 10A/4000 = 2.5mA,R2 = (10V-0.7V*3) / 2.5mA = 3.1K,PR2=(24V-0.7V*3)2/3.1k = 150mW,需2只1206散热,即 R2 = R3 = 6K2
2、PMOS电压型器件



其中:
T = R4*C1 = 0.51mS 是开关缓冲时间,用于缓冲开关切换太快引起的冲击电流和冲击电压,根据需要调整。
R4 = 5K1 按 MCU 最高 VDD 电压 5.1V 和 I/O 口最小带载能力 1mA 限流设计,以适应 C1 的容性负载。
R5、R1 为静态偏置,【常开】安全逻辑,掉电或者 I/O 口高阻态有效,其阻值 R 按其电流 (VBE / R) 小于其控制电流 IBE 至少一个数量级即可。

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dywhys02
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  • 2022-4-13 19:29:53
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感谢讲解。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-4-13 12:35:07
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为什么不用MOS关放在负端做控制呢?

nc965
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  • 2022-4-13 12:44:24
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那样地就不连续了,可能就不能放在同一个机架上了,除非完全排除这种可能。
能源消耗
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总工程师
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  • 2022-4-17 09:36:13
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用AO4407 应用在3-4A      就可以了,AO3400   ,应用在1A ,   两个电阻取值不要太大, 22K-47K  ,    再大电流就选继电器,  用三极管有0.5V以上压降,  复合也一样。
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