 |  | | | | 频率偏低。 但不是主要问题。
问题： 驱动波形(上下边沿时间)，占空比 这两项，能拿出来 示波器 波形吗？
另外这种参数的电源，不建议自己做，买现成的 固定输出电压同步整流升压DCDC芯片 比较合适。
电路很简单，几粒电容加 IC、电感 就行了，不要电阻，也不要二极管。
国产的 ME2188A50PG 四～六毛钱一粒，直接出 5V 300mA，3V 输入时 效率超过90%，市场上很容易买到。
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|  |  | | | | | 唉，领导偏要自己搞。占空比实时调整的，驱动波形明天再贴图上来。谢谢
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| | | | | 4.2V 最低也要跑500kHz，推荐2MHz。
然后电感只有3-5圈、电容都是低ESR的陶瓷电容，体积又小、PCB走线的电阻也相应降低，效率就上去了
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| | | | | 按临界模式计算最低频率：
Ton=LIp/Vin=22uH*0.6A/3V=4.4uS
Toff=LIp/Vout-in=22uH*0.6A/2V=6.6uS
F=1/T=1/11uS=91KHz
得到：
22uH电感频率至少100KHz，或者10uH电感频率至少220KHz，或者，，，，自己配
要提高效率需要：
1、电感的直流电阻要小，追究一下多少？
2、MOS管内阻要小，追究一下多少？
3、驱动要充足快捷，单片机那点驱动电流肯定不行
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| | | | | | | 你好版主，是不是随便定一个电感，然后由你这个临界模式计算就行了？
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| | | | | | | | | 不能随便定
1、感量与频率成反比例，大于临界模式就行
2、Ip=2Iout，但SMD功率电感电感要加40%，电感选型电流为：2*Iout*1.4=300mA*2.8=0.84A，你选1A是对的。
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| | | | | | | | | | | 版主你好，我用22uF电感 100KHz驱动， 二极管为ss14 输出电容220uF；但是效果还是极差，空载输出5.4V，
当负载电流加到100mA时，输出电压降到4.8V，此时输入电流达到242mA
当负载电流加到160mA时，输出电压降到4.5V，此时输入电流达到500mA时
加大输出电流，输入电流极具加大，效率基本小于30%。
请教还能怎么调整？谢谢
下图为空载时跟负载160mA时的两个图
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| | | | | | | | | | | | | 黄色250mV是输出电压？不是5V吗？
蓝色2.7V是驱动电压？增加到3~4倍吧
（在4楼已经提醒你了）要提高效率需要：
1、电感的直流电阻要小，追究一下多少？（比如5mR）
2、MOS管内阻要小，追究一下多少？（与前者一个数量级）
3、驱动要充足（指电压）快捷（指峰值电流），单片机那点驱动电流肯定不行（10V1A吧）
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | 在这里面，他的最高电压不过是输出的5V，怎么可能有3-4备的驱动电压呢。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 那就用5V啊，看波形他这颗MOS的门槛电压在2V左右哈，5V正好
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好，我大概就是做个充电宝一样的东西。单片机是电池供电的（3-4.2V），然后负载是升压5V后再给另外电池充电（这是另外一块了哈）。我目前用的NMOS型号是XZ2312A 。现在是单片机直接驱动的。见笑了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 单片机的I/O口不能直接驱动（Ciss=900pF）容性负载，要串电阻限流，
如果I/O口的电流规范是20mA，5V的VDD你要串一只240R电阻，这会影响驱动沿。
如果你能找到8个I/O口在同一个寄存器，就可以同时赋值11111111/0驱动，把它们并联后驱动电流提高8倍160mA，串30R电阻限流，频率不高时估计勉强够用了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS限流电阻用的是100R，用过MCU直驱跟搭个推挽控制，不过VDD都是3V几而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 找5V芯片，驱动电阻按电流规范来（PIC是20mA，亿隆是1mA，图腾柱不限）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢版主了，效率的问题找到了。之前试验时都是在电源（电池）窜个万用表（FUCK）看电流（A档）的，有串时效率很低（40%），把它撤去效率就上来了（80%）。还是2uH电感，频率100K。当大电流时，输入电压被拉低了，导致输出电压上不去。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 4楼计算有误，看你用来做最佳答案，纠正一下:
电流要按输入功率算，Ip = 2Iin = 2Vout*Iout/η/Vin_min = 2*5V*0.3A/0.9/3V = 1.1A
意思：电感要选用1.5A（或者2A）的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的，谢谢。实际不会去到0.3A。我选用了1.1A的了
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| | | | | | | 用的是
1.电感RDC=95mR
2.用的是N-MOS 内阻大概是20mR
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| | | | | | | | | 追究的意思是探讨，这家的95mR，下一家可能9.5mR，0.95mR的也可能找到
你也不想想：1A电流要用0.5mm漆包线才够，要长1米才有95mR，重十几克，它有这么多铜吗？
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| | | | | | | | | | | 标称的不仅仅是漆包线部分的电阻，引出电极、焊接点 电阻都不低，另外，1A的电感，厂家用0.22的漆包线就非常有良心了。
再一个 另外，楼主电路效率低下的主要原因 与 电感电阻、开关导通标称电阻 的关系没那么大。
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| | | | | | | | | 你说的 NMOS 20mR 内阻应该是驱动电压 10V 时的参数吧？ 查查驱动电压 2.7V 时的内阻是多少... ...
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| | | | | | | | | 你选用的 NMOS 是什么型号的？20mR是2.7V驱动时的参数？
建议找 2.7V 以下的低压 NMOS -- 比如 https://item.szlcsc.com/1053334.html，2.5V时电阻40mR。 或者 https://item.szlcsc.com/2793350.html，2.5V 时 37mR。 不要随意选厂家，同样标称型号的 2300/2302，参数差别很大。
另外看示波器，驱动波形比较差，电压也低，可能是用三极管搭的图腾柱？ 建议驱动改用 输出电流比较大的 CMOS 多路逻辑反相器IC，双路反相器并联驱动 -- 比如74LVC2G14，两路并联，3V时可以输出+/-50mA，驱动低Css的 2300/2302 上升/下降沿速度20～30nS，找得到74LVC14也可以。效率应该会有较大改善。
不要选普通型号的逻辑芯片，比如 74HC14，虽然有六路，其3V时每路只能驱动4mA，边沿速度可能超过100nS -- 仍然比三极管随便搭的图腾柱性能好。
再： 如果是 单片机IO 作为驱动信号，并联几路可以同步变化的IO，对没有采用额外驱动的电路提升效率有一点点帮助，如果是 PWM 脚，就需要硬件支持同步动作
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| | | | | | | | | | | 哎，第一次做，也不懂行不行，先干了再说。谢谢。成本由限制，不能加太多东西。要加多东西还不如直接上芯片
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| | | | | | | | | | | 你好，没有明显效果。大佬能否帮忙核实下22uH的电感是否合适。谢谢。
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| | | | | | | | | | | | | 22uH 问题不大，按你的设计参数，PWM单次导通时间就不应该超过 4.4uS 太多，这个在软件上要作限制。 或者改成 47uH 试试。空载时你的PWM是否 占空比为 1/256？-- 驱动电压偏低。 如果5V侧不怕打嗝，算法上改成： 次低为3/256或者 4/256，再低直接降为0/256。
你输出 4.8V 100mA 时，输入 3V 242mA，此时 毛效率 约 66%，输出功率 0.48W，马马虎虎。
不改电路的情况下，试试将 2312 换成Ciss 低一点的 2302、2300，也许 高效率输出功率 会增加一点。MOS的导通电阻大一点点 影响不严重。
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| | | | | | | | | | | | | | | 是的，空载5V不管它打嗝，空载直接就是1/256了。唉，最大输出要达到300mA，这个点的效率就极低38%。输出电流也不是稳定在一个值的。（元器件不是可以随便选的）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢大佬的指导，效率的问题找到了。之前试验时都是在电源（电池）窜个万用表（FUCK）看电流（A档）的，有串时效率很低（40%），把它撤去效率就上来了（80%）。还是2uH电感，频率100K。。。当大电流时，输入电压被拉低了，导致输出电压上不去。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 再次谢谢大佬，不能同时给两个人给分，请见谅。谢谢了
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