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碳化硅mos替代IGBT的可行性

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伟林电源

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2022-4-18 14:23:21

如题讨论。
在应用中，用碳化硅去替代IGBT的应用，实际可能存在的难点是什么？彼此是否有不可替代性？

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		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93800 \| 主题：115 \| 帖子：27393 访问空间发消息积分:93800 版主 2022-4-18 14:41:18
		用碳化硅去替代IGBT没有难点，但不能彼此代替回复 \| 举报 \|

			7 伟林电源伟林电源离线 LV7 版主积分：24194 \| 主题：199 \| 帖子：8434 访问空间发消息积分:24194 版主 2022-4-19 09:53:51 倒数9
			当成本不再是问题的前提下，碳化硅替代IGBT如何不能实现？碳化硅mos与IGBT的对比优势有： 1、更宽泛的电压，最高可以10kv甚至更高； 2、更低的开关损耗（没有IGBT电流拖尾）； 3、能实现更高工作频率； 4、更低的反向恢复损耗（体二极管优势）；回复 \| 举报 \|

				12 yyy3400462929 yyy3400462929 离线 LV8 副总工程师积分：2789 \| 主题：21 \| 帖子：129 访问空间发消息积分:2789 LV8 副总工程师 2022-4-24 10:56:02 倒数4
				有有些产品应用中，碳化硅MOS和IGBT分别有优势，碳化硅MOS有高耐压，高频率，耐高温，等优势下面是DFN56封装的碳化硅MOS，驱动电压15V QQ图片20220424105517.png* (104.21 KB, 下载次数: 33) 下载附件 2022-4-24 10:55 上传 QQ图片20220424105614.png (96.8 KB, 下载次数: 28) 下载附件 2022-4-24 10:55 上传 00.png (457.09 KB, 下载次数: 28) 下载附件 2022-4-24 10:55 上传回复 \| 举报 \|

		3 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16761 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16761 LV10 总工程师 2022-4-18 15:07:07
		驱动电压不一样，价格不一样回复 \| 举报 \|

			8 伟林电源伟林电源离线 LV7 版主积分：24194 \| 主题：199 \| 帖子：8434 访问空间发消息积分:24194 版主 2022-4-19 09:55:29 倒数8
			电路可以重新设计，并不是要PIN对PIN去替换。只是在IGBT的应用领域进行替代。回复 \| 举报 \|

		4 Q403920015 Q403920015 在线 LV8 副总工程师积分：2337 \| 主题：12 \| 帖子：288 访问空间发消息积分:2337 LV8 副总工程师 2022-4-18 16:08:46
		氮化镓MOS可以考量替代。不用负压关断。低内阻低Ciss Coss 低Qg 低Trr 低Qrr CoolMOS同样的VgS 与CoolMOS的差别就是pin脚位，CoolMOS是GDS,此GaN的是GSD 运用于大功率电源中，高端PC,通信电源，工业电源，充电机，充电桩，储能产品代替IGBT等 2.png (189.04 KB, 下载次数: 33) 下载附件 2022-4-18 16:08 上传 1.png (243.57 KB, 下载次数: 33) 下载附件 2022-4-18 16:08 上传回复 \| 举报 \|

		5 BingSun BingSun 离线 LV10 总工程师积分：10963 \| 主题：54 \| 帖子：1975 访问空间发消息积分:10963 LV10 总工程师 2022-4-18 19:32:43
		驱动电压差不多，响应速度不在一个量级上。像电磁炉这样成熟的产品，大多用15A或是25A的IGBT，价格便宜，质量稳定。若换碳化硅MOS，成本成倍上升。回复 \| 举报 \|

			6 伟林电源伟林电源离线 LV7 版主积分：24194 \| 主题：199 \| 帖子：8434 访问空间发消息积分:24194 版主 2022-4-19 09:45:06 倒数10
			不考虑成本因素，单从技术参数角度去评估可行性。目前IGBT的工作频率都可以做到60khz以上，此高频IGBT的成本并不便宜。回复 \| 举报 \|

				11 BingSun BingSun 离线 LV10 总工程师积分：10963 \| 主题：54 \| 帖子：1975 访问空间发消息积分:10963 LV10 总工程师 2022-4-19 19:25:57 倒数5
				当然可行。以前做了一个双管加热，后来客户要换单管加热，可以省掉一个管子与一片驱动IC。核心还是省成本嘛！！！！回复 \| 举报 \|

		9 joezzhang joezzhang 在线 LV8 副总工程师积分：6669 \| 主题：5 \| 帖子：1797 访问空间发消息积分:6669 LV8 副总工程师 2022-4-19 16:40:50 倒数7
		不考虑成本因素的话，绝大多数情况下SiC可以取代IGBT 但是对于有瞬时过功率的应用（比如兆瓦级别的工业电机应用），不宜把IGBT换成SiC，IGBT耐短路电流时间比SiC高一个数量级回复 \| 举报 \|

			10 BingSun BingSun 离线 LV10 总工程师积分：10963 \| 主题：54 \| 帖子：1975 访问空间发消息积分:10963 LV10 总工程师 2022-4-19 19:23:22 倒数6
			一个60KW充电桩模块才卖4000-5000，用SiC是不是想死啊！成本是一个重大的因数。耐冲击是另一个非常重大因数。（要解决又回到上面那一条）回复 \| 举报 \|

				13 伟林电源伟林电源离线 LV7 版主积分：24194 \| 主题：199 \| 帖子：8434 访问空间发消息积分:24194 版主 2022-11-12 20:15:31 倒数3
				成本是器件研发及制造商考虑的事情，想当年氮化镓卖多少钱，现在卖多少钱？作为系统应用技术人员应该更多考虑的是应用的合理性；回复 \| 举报 \|

					15 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131412 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131412 版主最新回复 2022-11-13 16:41:19 倒数1
					头部企业技术储备深度；是一般企业不可想象的。卖啥等级器件；市场决定。回复 \| 举报 \|

		14 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131412 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131412 版主 2022-11-13 16:32:01 倒数2
		替代；是个商业行为而非技术。还记得3AX31？2AP9？器件都有自己的特质，都有生存的空间。回复 \| 举报 \|

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