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未解决

MOSFET的死区为什么会影响MOSFET的发热呢?

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A15959646501
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高级工程师
  • 2022-4-18 16:42:49
10问答币
之前在测试一个3KW(48V输出)的全桥的时候,带载30A的时候明显的发现原边的功率MOSFET中的超前臂或滞后臂的上管的温度会比其他3个MOSFET的温度要高很多。(有20°的温差)这个时候的死区是1us左右。后面将死区降到0.5us就没有这个现象,想请教一下是为什么呢?
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-19 11:24:02
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可能是死区时间太长的话,Mos体二极管导通电流过大使其损耗也变大·····

A15959646501
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-20 10:38:40
  • 倒数7
 
谢谢回复。这个3KW电源是3525的硬开关,不知道是不是死区太长导致它的开关损耗过大。(电流电压交叉面积变大)
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-20 11:00:42
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死区大即占空比小,有效值电流会大一些
A15959646501
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-20 11:32:45
  • 倒数5
 
谢谢回复。有效值电流变大就是影响到MOSFET的导通损耗变大咯,损耗的功率也会跟着变大,损耗掉的功率又以热的形式散发出来?如果是这样不是应该每个MOSFET的温度都会升高吗?
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-20 11:47:31
  • 倒数4
 
是的,硬开关是斜对角Mos同时导通,电流一样,按理发热也一样才对·····?
会不会散热片装配不平衡导致热不均匀?还是管子本身有差异?
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-20 11:51:34
  • 倒数3
 
你检查一下两驱动波形会不会一样(如走线不对称引起的不对称或IC 驱动差异)?
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2022-4-23 16:25:35
  • 倒数2
 
死区大,不代表工作占空比就小,  也不代表有效电流会变大, 谢老师这个说法我不认同 哦


谢开源
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LV10
总工程师
最新回复
  • 2022-4-23 16:37:56
  • 倒数1
 
呵呵,本人不敢说是老师,称我老谢就行。我只是抱着学习上能帮就帮,要是说错了别人指出来那我也可以更加进步了。
我的意思是:在相同工作频率下,占空比是用来传输输出能量的情况下,死区大,占空比就小,有效值电流就大·····
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