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未解决

关于SiC MOS驱动电压在高VDC_LINK时波形震荡严重

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1
Furious
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-20 11:07:20
10问答币
发现CREE SiC 模组Vgs驱动电压在VDC_LINK低压和高压差别非常大,我们设置的驱动电压幅值为20V/-5V,VDC_LINK=24V~100V还算正常,到540V时,震荡太厉害从而导致交叉点上移到5V,上管正压增大至28.7V,而其负压则增大至-12.8V,都已经超过管子耐受电压25V/-10V,这种情况为什么电源还能正常工作而没有炸机(一方面看交叉点高于5V会引起直通,另外一方面Vgs超过耐受值)?不知道各位的驱动波形是不是也是这个情况?下面分别贴了VDC_LINK=24V和540V的上下管驱动波形

拓扑图
屏幕截图 2022-04-20 105925.png

VDC_LINK=24V(CH1:上管1,CH2:下管2,CH3:TB1-TB2相电压)
屏幕截图 2022-04-20 110346.png


VDC_LINK=540V(CH1:上管1,CH2:下管2,CH3:TB1-TB2相电压)
屏幕截图 2022-04-20 110513.png 屏幕截图 2022-04-20 110438.png

谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-20 11:55:56
  • 倒数8
 
上一贴你不是解决了吗?为什么还用负压去驱动?
Furious
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LV6
高级工程师
  • 2022-5-9 17:38:23
  • 倒数3
 
上一帖和这个不是一个问题了,不用负压下降速度(关断)没有那么快啊
nc965
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版主
  • 2022-4-20 14:10:43
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Ip 回路太大,布局不当引起的。参阅:

xkw1cn
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版主
  • 2022-4-20 21:45:36
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你的结构与驱动不配。建议降驱动速度吧。
yyy3400462929
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LV8
副总工程师
  • 2022-4-24 16:03:54
  • 倒数5
 
碳化硅MOS管的驱动电压-3V/+20V,部分产品驱动电压-3V/+15V,可替换常规MOS管 00.png
xkw1cn
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版主
  • 2022-4-24 21:34:38
  • 倒数4
 
千万别再提负压驱动,特某拉正为此懊恼中。
Furious
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LV6
高级工程师
  • 2022-5-9 17:40:31
  • 倒数2
 
用Cree模块我的机子是可以正常工作的,我这里是好奇为啥测得的波形和实际情况不相符合!
Furious
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2022-5-9 17:45:43
  • 倒数1
 
版主,我这个问题引起大家的误解了,我这个设计是没问题的,我的机子都已经长期跑了,没有问题的,后面我查了下,估计是我测试问题,测SiC的驱动波形如果用差分探头容易引起额外的振铃,所以不建议用差分探头测SiC的驱动波形(特别在MOS VDS>100V的情况下,在100V以下波形还可以看),那样测出来的波形是失真的,大家如果有兴趣参考下面的文章:https://www.ednchina.com/news/a7438.html


麻烦版主把我这个回复设置成最佳答案吧,我没法自己设置自己的回复为最佳答案。

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