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QR 反激 的谷底开通是怎么实现的

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jiazifei0512
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  • 2022-4-22 12:10:48
10问答币
各位大佬,大家好,
小弟之前做的反激电源都是定频模式,没有做过QR 的模式,
有个关于谷底开通的地方还是没有想明白,还请知道的大佬不吝赐教。
就是在原边MOS 段开时,原边电感电流转移到副边,副边电感电流续流,电流值减小,当副边电感电流减小到零后,原边的电感与MOS 的Coss 自由振荡,并且振荡不断衰减,等关段时间到后,下一个周期开通。
而QR , 通过耦合 原边电感电压波形,通过检测谷底电压,进行开通,
小弟的问题是:
1) 这个谷底检测方案  怎么区分不同的Vin 电压的条件?因为从图中可以看出 不同的Vin 条件下,电感断续时的mosfet Vds谷底电压值是不一样的,我ZCD 跟一个固定的Vth 比较不太合适吧,所以问题就是怎么实现不同Vin 条件下的谷底开通?

2) 这个谷底开通技术  怎么实现不同的Io 条件下的谷底开通 ? 从两张图中可以明显看出,即使Vin 相同, 不同的Io 条件下,谷底开通时刻Vds值是不一样的?

3) 这个谷底开通技术,请问一下为什么不在第一个谷底就开通呢? 第一个谷底VDS 最小,这样的话,开关损耗最低,效率最高。 为什么谷底开通需要在多个振荡后才开通?

问题有点多,也许这几个问题都是关联的,还请知道的大佬不吝赐教,谢谢了。
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此贴44、45楼有说:QR失效(谷底检测失灵)模式分析
st.you
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论坛有相关的帖子,不妨先搜一下。
nc965
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sunwan
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  • 2022-4-22 13:59:20
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第三个问题:完全可以在第一个谷底开通,至于不在第一个谷底开通,是IC频率受限及变压器结构有关,在IC固定情况下,可以改变变压器实现第一谷底开通。
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