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| | | | | | | | | | | 我司 SiC MOSFET优势包括:耐压全、耐压从650V-3300V全部批量出货、雪崩能量高、可靠性好;其产品通过了车规级AEC-Q101标准1200H可靠性测试和公司通过了IATF16949质量体系。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | SiC‐MOSFET 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型电压驱动型的开关器件。基本的驱动方法和IGBT 以及Si‐MOSFET 一样。推荐的驱动门极电压,ON 侧时为+18---20V 左右,OFF 侧时为0V。在要求高抗干扰性和快速开关的情况下,也可以施加‐3~‐5V 左右的负电压 |
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| | | | | | | | | | | | | | | cdwy 样品联系手机号18928433735 微信同步
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | PWM-加移相控制双有源全桥双向DC-DC-变换器的研究,需要资料的请留言
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| | | | | | | | | 碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。
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